【課題】光情報記録媒体の層数を低減しながら、所定の要求特性（低い記録パワーで記録が可能であること、高い変調度を有すること、低いジッター値を有すること、再生に十分な高い反射率を有すること）をすべて満足し、生産性を高めることのできる光情報記録媒体用記録膜を提供する。
【解決手段】本発明の光情報記録媒体用記録膜は、レーザー光の照射により記録が行われる光情報記録媒体用記録膜であって、Ｍｎと；Ｂｉ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＺｎよりなる群（Ｘ群）から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）と；酸素（Ｏ）と、を含み、Ｍｎの少なくとも一部、およびＸ群元素の少なくとも一部が酸化されている。 （もっと読む）

【課題】焼結後の冷却時における割れの発生を抑制することができる酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法並びにこれに用いる緩衝粉を提供すること。
【解決手段】焼結後の冷却時に膨張する金属酸化物粉を含む圧粉体を形成する工程と、該圧粉体を型内に配置し該型内の前記圧粉体の外周に緩衝粉を充填した状態で熱間加工して酸化物スパッタリングターゲットとなる酸化物焼結体４を作製する工程とを有し、緩衝粉３を、熱間加工時の加熱により焼結すると共に焼結後の冷却時に酸化物焼結体４の膨張により緩衝粉３による焼結体が割れる粉末とする。 （もっと読む）

【課題】光記録媒体保護膜形成用として、割れやＩｎの溶出がなく製造工程を簡素化でき、高密度が得られる酸化物スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化物スパッタリングターゲットが、ＺｒＯ_２，Ｉｎ_２Ｏ_３およびＺｎＯを含有し、ＺｒＯ_２相の周囲がＩｎとＺｎとの酸化物からなる複合酸化物相を含む相で囲まれた組織を有する。さらに、不可避不純物を除いた全金属成分量に対する原子比で、Ｚｒ：Ａ％，ＩｎおよびＺｎ：残とされており、これらの成分組成が、０＜Ａ≦４７．６、０．２２≦Ｉｎ（原子比）／Ｚｎ（原子比）≦４．６８、の関係を満たすことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】物理蒸着中に、凝縮した蒸気を収集するための装置および真空システムを提供する。
【解決手段】物理蒸着中に、凝縮した蒸気を収集するための装置は、真空チャンバ内の１つ以上の蒸気源に隣接して配置されるように構成された筐体を備える。この筐体は、対象物を収容するように構成された空間の体積を部分的に囲む筐体の内面を含み、この筐体は、上記１つ以上の蒸気源よりも低い温度に保たれる。上記筐体の内面は１つ以上の排水溝に結合される。 （もっと読む）

【課題】光記録媒体保護膜形成用として、割れやＩｎの溶出がなく製造工程を簡素化でき、高密度が得られる酸化物スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＺｒＯ_２，Ｉｎ_２Ｏ_３，Ｇａ_２Ｏ_３およびＺｎＯを含有し、ＺｒＯ_２相の周囲がＩｎとＺｎとＧａとの酸化物からなる複合酸化物相を含む相で囲まれた組織を有する。好ましくは、不可避不純物を除いた全金属成分量に対する原子比で、Ｚｒ：Ａ％，Ｉｎ：Ｂ％，Ｇａ：Ｃ％およびＺｎ：Ｄ％とされており、これらの成分組成が、０＜Ａ≦４５．５、９．１≦Ｂ≦３１．０、９．１≦Ｃ≦３１．０、Ｂ＋Ｃ≦２Ｄ、Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＝１００の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットから発生した活性粒子を効率良く前駆体に到達させることができるレーザアブレーション装置を提供する。
【解決手段】 レーザアブレーション装置１では、活性粒子Ａを進入させる粒子進入口１１が設けられた包囲部材８が、チャンバ２内において前駆体Ｐ、支持台６及びヒータ７を包囲している。これにより、ターゲットＴから発生した活性粒子Ａがチャンバ２の内面に付着しても、その粒子が、ヒータ７の熱や、加熱された前駆体Ｐ及び支持台６からの輻射熱によって、再蒸発することが抑制される。さらに、当該熱によってターゲットＴが蒸発することも抑制される。そして、再蒸発によって不活性粒子が発生したとしても、包囲部材８によって遮られて、その不活性粒子が前駆体Ｐに到達し難くなる。 （もっと読む）

【課題】高い出力でも安定してスパッタリング可能で、割れの少ないＢｉＴｉ系酸化物スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＢｉとＴｉとを含む金属酸化物相を含むＢｉＴｉ系酸化物スパッタリングターゲットであって、熱伝導率が、１．４Ｗ／ｍｋ以上である。また、このスパッタリングターゲットの製造方法としては、Ｂｉの酸化物とＴｉの酸化物とを粉砕混合して混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を仮焼して仮焼粉とする工程と、該仮焼粉に酸化硼素を１〜９ｍｏｌ％（硼素換算で０．４〜３．６ａｔ％）添加したものを解砕混合して添加仮焼粉とする工程と、該添加仮焼粉を真空または不活性ガス雰囲気中で圧力を加えながら加熱して焼結させる工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】 膜の良好な平坦性および耐紫外線性を有すると共に酸化による反射率の低下を防ぐことができる光記録媒体の反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびこのターゲットを用いて成膜した光記録媒体の反射膜を提供する。
【解決手段】 Ｉｎ：０．５〜１０質量％およびＡｌ：２．５〜１０質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる組成の銀合金である。または、Ｉｎ：０．５〜１０質量％、Ａｌ：２．５〜１０質量％およびＣｕ：０．５〜２質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる組成の銀合金である。 （もっと読む）

【課題】メモリー点と非メモリー部との界面付近に偏析濃縮し、書き換え回数及び消去率の低下の原因となる不純物、特に結晶化速度に影響を与える不純物元素を極力減少させると共に、目標組成に対するターゲットの組成のずれ及び成分偏析を減少させて、相変化型メモリーの書き換え特性、結晶化速度を向上させることができる相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び相変化メモリー用膜を提供する。
【解決手段】３元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ１成分以上を主成分とし、目標組成に対する組成のずれが±１．０ａｔ％以下であって、ガス成分を除く純度が９９．９９５ｗｔ％以上であり、ガス成分である炭素、窒素、酸素、硫黄の総量が７００ｐｐｍ以下である相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２系酸化物を含む材料を採用するとともに、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難く、密着性が良好で、尚且つ高速成膜可能であるスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化錫相（１１０）のピーク強度Ｉ１と酸化錫以外の酸化物あるいは複合酸化物相のＸ線回折図における２θ＝１５〜４０°の範囲に存在する最大ピーク強度Ｉ２がＩ２／Ｉ１＝０.１〜１であることを特徴とする酸化錫と酸化亜鉛と３価以上の元素の酸化物を主成分としたスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに前記スパッタリングターゲットを用いた光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】高屈折率でありかつ光メディアの保存性を十分に確保できる干渉層を有する光メディア、この干渉層の製造に用いるスパッタリングターゲット、及び、光メディアの製造方法を提供する。
【解決手段】光記録層２４と、光記録層２４の上、及び／又は、下に配置された干渉層２２と、を備える光メディア２００である。干渉層２２は、４５〜９０ｍｏｌ％のＴｉＯ_２と、残部のＺｎＯと、からなる。 （もっと読む）

【課題】透明で環境負荷耐性のある薄膜材料であり、スパッタ膜の４００ｎｍ近辺の青色レーザーの波長領域の消衰係数を改善することができる光記録媒体用薄膜を提供し、かつこの光記録媒体用薄膜のスパッタリング成膜時に、ダスト（発塵）の少ない焼結体スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）で構成される酸化物であり、各金属元素の原子比が、０．０４≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ)≦０．５７、０．２９≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ）≦０．７３、０．０４≦Ｎｉ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ)≦０．３３、の範囲にある焼結体スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング中におけるアーク放電抑制の失敗を無くすことができるスパッタリング用電源装置を提供すること。
【解決手段】 負極出力端子及び正極出力端子を有するスパッタリング用電源装置において、スパッタリング用直流電源ＰＳ１と、このスパッタリング用直流電源の負極側に設けられた第1のスイッチング手段ＳＷ１と、この第1のスイッチング手段に複数直列接続される互いに独立のチョークコイルＬ１〜Ｌ４と、この複数のチョークコイルと前記負極出力端子との間に設けられた逆方向アーク防止回路１３と、逆電圧発生用直流電源ＰＳ２と、この逆電圧発生用直流電源と前記複数直列接続された互いに独立のチョークコイルと逆方向アーク防止回路との中間位置との間に設けられた第２のスイッチング手段ＳＷ２と、前記負極出力端子と前記正極出力端子との間に発生する電圧を検出する電圧検出部Ｒ１，Ｒ２と、前記第1のスイッチング手段及び第２のスイッチング手段の開閉を制御する制御手段２１とから構成される。 （もっと読む）

【課題】異常放電や割れのない、金属酸化物および金属を含む光情報記録媒体用記録層などの形成に有用な、金属酸化物−金属複合スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、金属酸化物Ａと、金属Ｂとを含む複合スパッタリングターゲットであって、金属酸化物の円相当直径の最大値が低く粒度調整された原料粉末の焼結により、前記金属酸化物Ａの円相当直径の最大値が２００μｍ以下に制御されている。前記金属酸化物Ａは凝集していても良い。 （もっと読む）

【課題】比較的価格の安いアルミを主成分としかつ希土類金属を使用しない、表面平滑性に優れた光メディアの反射層用スパッタリングターゲット、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】光メディアの反射層用スパッタリングターゲットは、Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む。光メディアの反射層用スパッタリングターゲットの製造方法は、Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む組成を有する原料粉体を焼成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】光情報記録媒体の特性の向上及び薄膜の品質を大幅に改善しかつ安定化するため、スパッタリングターゲットの強度が高く、スパッタ膜の非晶質性が安定であり、青色波長領域で透過率が高く、また屈折率も高い膜を形成できるスパッタリングターゲット及び光情報記録媒体用薄膜を提供する。
【解決手段】ZnSを主成分とし、ZrO₂とY₂O₃を含み、ZnS：50〜95mol%、ZrO₂：4〜49mol%、Y₂O₃：0.1〜10mol%であることを特徴とするZnSを主成分とするスパッタリングターゲット及びZnSを主成分とし、ZrO₂とMgO及び又はCaOを含み、ZnS：50〜95mol%、ZrO₂：4〜49mol%、MgO及び又はCaO：0.1〜10mol%であることを特徴とするZnSを主成分とするスパッタリングターゲットとする。 （もっと読む）

【課題】ターゲット抵抗の低いスパッタ用ＺｎＳ系誘電体ターゲット、並びにこのターゲットを用いて非結晶性の相変化光ディスク用誘電体膜を形成する成膜方法及び製造装置の提供。
【解決手段】ＺｎＳ系誘電体材料に対して、０〜５ｍｏｌ％のＡｌ_２Ｏ_３を配合したＺｎＯが５〜３０ｍｏｌ％分散されたターゲット。この誘電体材料は、ＺｎＳ単体又はＺｎＳに対して５ｍｏｌ％以下のＩｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、若しくはＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＳｎＯ_２）が配合されたものである。該ターゲットに５０〜４００ｋＨｚの周波数をＤＣに重畳させて印加できるように構成されたスパッタ電源を備えた成膜装置を用いて、スパッタ法により、基板上に、非結晶の相変化光ディスク用誘電体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】光情報記録媒体（例えばＢＤ−ＲＯＭ）の反射膜として適切な反射率を示すと共に、再生安定性に優れ、かつ耐久性にも極めて優れた反射膜を備えた、読み出し専用光情報記録媒体を提供する。
【解決手段】反射膜２を有する読み出し専用の光情報記録媒体であって、前記反射膜は、Ｓｉおよび／またはＧｅを５〜４０％（特記しない限り、成分において％は原子％を意味する。以下同じ。）含むと共に、高融点金属元素および／または希土類元素（好ましくは、Ｔｉ、ＦｅおよびＭｎよりなる群から選択される１種以上の元素）を０．７〜５％含むＡｌ基合金からなることを特徴とする光情報記録媒体。 （もっと読む）

【課題】Ａｇを主成分とし、表面平滑性に優れ、ノイズやジッターを十分に抑制できる光メディアを実現可能な光メディア用スパッタリングターゲット、その製造方法、及び、光メディアとその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物である光メディア用スパッタリングターゲット、及び、基板上に上述の組成の反射膜を備える光メディアである。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で処理空間内のガス圧力（濃度）分布を制御できる真空処理装置及び真空処理方法を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気を維持可能であり、減圧雰囲気中で被処理体３に対しての処理が行われる処理空間１０を内部に有する真空槽１と、真空槽１の壁部１ａを貫通して処理空間１０に通じるガス導入路４と、を備えた真空処理装置であって、ガス導入路４から処理空間１０内へのガス吹き出し方向が、ガス導入路４が設けられた部分近傍の真空槽１内壁面に対して平行もしくは傾いている。 （もっと読む）