光メディア用スパッタリングターゲット、その製造方法、ならびに、光メディア、およびその製造方法
【課題】Ａｇを主成分とし、表面平滑性に優れ、ノイズやジッターを十分に抑制できる光メディアを実現可能な光メディア用スパッタリングターゲット、その製造方法、及び、光メディアとその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物である光メディア用スパッタリングターゲット、及び、基板上に上述の組成の反射膜を備える光メディアである。
【解決手段】Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物である光メディア用スパッタリングターゲット、及び、基板上に上述の組成の反射膜を備える光メディアである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク等の光メディア用スパッタリングターゲット、その製造方法、及び、光メディアとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
スパッタリングターゲットを用いたスパッタリングにより反射層を基板上に形成し、この反射層上に光記録層や、読取や書込み時に光が透過する透明カバー層等をさらに形成することにより製造される光ディスク（例えば、ＢＤ（ブルーレイ・ディスク）−Ｒ、ＢＤ−ＲＥ、ＢＤ−ＲＯＭ等）、光カード等の光メディアが知られている。このような光メディアでは、反射層のスパッタ成膜終了面側の表面平滑性が高くないと、レーザビームが照射されたとき良好な反射が得られず、反射膜上に形成される光記録層や透明カバー層等の構造に悪影響を及ぼし、例えば、ジッター特性等の特性が低下する。
【０００３】
そして、光メディア用の反射層を製造できるスパッタリングターゲットとして、特許文献１〜２には、Ａｇを主成分とする合金が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−０１５４６４号公報
【特許文献２】特表２００２−５１８５９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２に記載の、Ａｇを主成分とし、貴金属を副成分とする合金で作製されたスパッタリングターゲットを用いて成膜された反射膜は、反射層の成膜終了面側の表面平滑性が十分でなく、したがって、光メディアのジッターの抑制が十分でない。また、特許文献１に記載の、Ａｇを主成分とし、希土類金属を加えた合金を用いて、成膜面の表面平滑性の良好な膜が得られるスパッタリングターゲットを作製するには、構成する希土類金属粒子表面を酸化させないために特殊な製法を採用する必要があり、加えて希土類金属を添加するのでターゲットコストを抑えることが難しい。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、表面平滑性に優れジッターを十分に抑制できる光メディアを実現可能な、安価な光メディア用スパッタリングターゲット、その製造方法、及び、光メディアとその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者等が鋭意検討したところ、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物であるスパッタリングターゲットを用いて形成した反射層は表面平滑性に優れ、光メディアのジッターを十分に抑制できることを見出した。また、希土類金属を必要としないのでスパッタリングターゲットの製造も低コストに容易に行うことができる。
【０００８】
本発明に係る、光メディア用スパッタリングターゲットは、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物である組成を有する。
【０００９】
また、本発明に係る光メディアは、基板と、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物である組成を有し上記基板上に設けられた反射層と、を備える。
【００１０】
また、本発明にかかる光メディアの製造方法は、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物であるメディア用スパッタリングターゲットを用いて、反射層を成膜する工程を備える。
【００１１】
さらに、本発明にかかる光メディア用スパッタリングターゲットの製造方法は、Ａｇを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物である組成を有する原料粉体を焼成する工程を備える。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、Ａｇを主成分とし、表面平滑性に優れ、ジッターを十分に抑制できる安価な光メディア等が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図1は、実施形態に係る光ディスク２００の断面図である。
【図２】図２は、実施形態に係る光ディスク１００の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１５】
（光メディア用スパッタリングターゲット）
本実施形態に係る光メディア用スパッタリングターゲットは、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物である組成を有する。
【００１６】
特に、反射膜の膜厚の最適化（生産性、信頼性等）の観点から、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜１ａｔ％含むことが好ましく、０．２〜０．７ａｔ％含むことがより好ましく、０．２〜０．５ａｔ％含むことがさらに好ましい。
【００１７】
また、反射膜表面の平滑性の観点から、Ａｌを０．２〜０．７ａｔ％含むことが好ましく、０．３〜０．５ａｔ％含むことがより好ましい。
【００１８】
このターゲットは、Ｔａ、Ｎｂ、Ａｌ、及び、Ａｇ以外に、不可避的不純物を含む。不可避的不純物としては、例えば、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｏ（酸素）等が挙げられ、それぞれ、１００ａｔｐｐｍ程度まで許容することができる。
【００１９】
Ｎｂを含まずにＴａを含む場合、Ｔａを含まずにＮｂを含む場合、及び、Ｎｂ及びＴａを両方含む場合のいずれの場合であっても、反射層の平滑性に特に大きな違いは出難いが、ＴａよりもＮｂが安価であることから、Ｔａに比べてＮｂを多く含むことが好ましく、Ｔａを含まずにＮｂを含むことがより好ましい。また熱伝導率の制御が必要な場合、ＮｂよりもＴａの方が熱伝導率は高いことから、ＮｂとＴａの配合比で調整することができる。
【００２０】
ターゲットの形状や大きさ等は特に限定されず、例えば、直径１２７〜３００ｍｍ程度の円板とすることができる。
【００２１】
ターゲット中における金属組織の形態は特に限定されないが、ターゲットを構成する結晶粒子等の平均粒径は、１００μｍ以下であることが好ましい。
【００２２】
（光メディア用スパッタリングターゲットの製造方法について）
続いて、上述の光メディア用スパッタリングターゲットの製造方法の一例について説明する。
【００２３】
上述の元素組成を満たす原料粉体を用意する。例えば、Ａｇ粉、Ａｌ粉、Ｔａ粉、Ｎｂ粉、ＴａＮｂ粉等を上述の組成を満たすように混合した異種の金属粉の混合物を原料粉体として用いることができる。製造工程を簡素化する意味では、それぞれ構成金属単独の原料粉体を用いることが好ましい。また、上述の元素組成となるように混合した金属粉の混合物を一度溶融して合金とした後、アトマイズ法により粉体にした、例えば、ＡｇＮｂＡｌアトマイズ合金粉のような合金粉を単独で原料粉体としてもよい。
【００２４】
原料粉体の粒度は特に限定されないが、各原料粉体共に、３２０メッシュ（４５μｍ）以下であることが好ましく、純度も９９．９ｗｔ％以上であることが好ましい。
Ａｇ粉としては、電界銀粉等を利用できる。
Ａｌ粉、Ｔａ粉、Ｎｂ粉、ＡｇＮｂＡｌ粉等としては、不活性雰囲気でアトマイズされた溶融アトマイズ粉等を利用できる。
【００２５】
原料粉体の混合は、乾式混合を用いることが好ましい。
【００２６】
続いて、真空中または不活性ガス雰囲気中で高温高圧をかけて原料粉体を焼結する。焼結条件としては、例えば、圧力は、１００〜５００ｋｇｆ／ｃｍ２、温度は、４００〜８００℃である。なお、合金粉を単独で焼結すると、異種の金属粉の混合物を焼結する場合に比べて生産性が安定する。なお、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）による焼結をすることも可能である。
【００２７】
続いて、得られた焼結体を所定の大きさに切断等の機械加工をして、スパッタリングターゲットが完成する。
【００２８】
なお、本発明のスパッタリングターゲットは、焼結法を用いなくても製造することは可能である。例えば、上述の原料粉体を、真空中又は不活性ガス雰囲気中で溶融し、冷却し、その後必要に応じて鍛造や圧延をして製造してもよい。ただ、この場合ターゲットを構成する結晶粒子等の平均粒径が１０００μｍ以上となることが多く、スパッタリングレートの低下やスパッタリング時のパーティクルが発生する場合がある。
【００２９】
また、本発明のスパッタリングターゲットは、必要に応じて、機械加工後に表面のウェットエッチング等を行なってもよく、これにより、プリスパッタ時間を短縮できる。なお、本発明のスパッタリングターゲットは、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）や、機械加工後のウェットエッチングをしなくても、実施可能である。
【００３０】
（光ディスク２００）
続いて、光メディア用スパッタリングターゲットを用いて製造される光メディアの一例として光ディスク２００の製造方法について説明する。
【００３１】
図１に示す光ディスク２００は、いわゆる、ＢＤ−ＲやＢＤ−ＲＥといわれる書き込みが可能な光ディスクであり、例えば、外径が約１２０ｍｍ、厚みが約１．２ｍｍである円盤状をなし、支持基板（基板）１０と、第一反射層２０Ａと、保護層２２と、記録層２４と、保護層２２と、中間層３０と、第二反射層２０Ｂと、保護層２２と、記録層２４と、保護層２２と、透明カバー層４０と、トップコート層５０と、をこの順に備えて構成されているものである。
【００３２】
本実施態様にかかる光ディスク２００は、波長λが３８０ｎｍ〜４５０ｎｍ、好ましくは約４０５ｎｍであるレーザビームＬＢを支持基板１０とは反対側のトップコート層５０側から入射することによってデータの再生や、記録を行うことが可能な光ディスクである。
【００３３】
具体的には、記録時には、レーザビームＬＢの焦点を記録層２４にフォーカスすることにより、熱により、記録層２４に対してアブレーション、相変化、分解等を発生させ、これにより記録マークが形成できる。そして、記録層において記録マーク部分とそれ以外の部分（ブランク領域）とではレーザビームＬＢに対する反射率が大きく異なるため、これを利用してデータの読取を行うことができる。
【００３４】
支持基板１０は、光ディスク２００に求められる厚み（約１．２ｍｍ）を確保するために用いられる円盤状の基板であり、その一方の面には、その中心部近傍から外縁部に向けて、レーザビームＬＢをガイドしたり記録用の凹凸の下地となるためのグルーブＧ及びランドＬが螺旋状に形成されている。支持基板１０の材料としては種々の材料を用いることが可能である。例えば、ガラス、セラミックス、あるいは樹脂を用いることができる。これらのうち、成形の容易性の観点から樹脂が好ましい。このような樹脂としてはポリカーボネート樹脂、オレフィン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。中でも、加工性などの点からポリカーボネート樹脂やオレフィン樹脂が特に好ましい。
【００３５】
第一反射層２０Ａは、トップコート層５０の表面である光入射面ＳＳから入射されるレーザビームＬＢを反射し、再びトップコート層５０の表面である光入射面ＳＳから出射させる役割を果たすとともに、レーザビームＬＢによる熱を速やかに放熱する役割を果たす。これにより、レーザビームＬＢに対する光反射率が高められるため再生特性を向上させることができる。反射層２０Ａの組成は、上述のスパッタリングターゲットに対応する組成である。
【００３６】
反射層２０Ａの厚さとしては、５〜３００ｎｍに設定することが好ましく、２０〜２００ｎｍに設定することが特に好ましい。これは、反射層２０Ａの厚さが５ｎｍ未満であると成膜終了面Ｓの表面平滑性を十分に得ることが困難となる場合がある一方、反射層２０Ａの厚さが３００ｎｍ超であると、成膜終了面Ｓの表面平滑性が低くなるばかりでなく、成膜時間が長くなり生産性が低下してしまうからであり、反射層２０Ａの厚さを５〜３００ｎｍ、特に２０〜２００ｎｍに設定すれば、表面平滑性を十分に得ることができるとともに、生産性の低下を防止することが可能となる。
【００３７】
保護層２２は、これらの間に設けられる記録層２４を物理的及び／又は化学的に保護する役割を果たし、記録層２４はこれら保護層２２間に挟持されることによって、光記録後、長期間にわたって記録情報の劣化が効果的に防止される。保護層２２の構成材料としては、例えば、透明な誘電体を用いることができる。また、保護層２２は、記録の前後における光学特性の差を拡大する役割をも果たし、これを容易に達成するためには、使用されるレーザビームＬＢの波長領域、すなわち、３８０ｎｍ〜４５０ｎｍ、特に約４０５ｎｍの波長領域において高い屈折率（ｎ）を有する材料を選択することが好ましい。さらに、レーザビームＬＢを照射した場合に、保護層２２に吸収されるエネルギーが大きいと記録感度が低下することから、これを防止するためには、３８０ｎｍ〜４５０ｎｍ、特に約４０５ｎｍの波長領域において低い消衰係数（ｋ）を有する材料を選択することが好ましい。なお、記録層２４の両側に保護層２２がそれぞれ配置されているが、記録層２４のいずれか一方側のみに配置されていてもよく、記録層２４のいずれの面にも保護層が配置されていなくても実施は可能である。
【００３８】
例えば、保護層２２の材料として、例えば、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物又はこれらの混合物を用いることができる。
【００３９】
例えば、酸化物としては、タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ），シリコン（Ｓｉ），チタン（Ｔｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），ニオブ（Ｎｂ），錫（Ｓｎ），セリウム（Ｃｅ），イットリウム（Ｙ）又はランタン（Ｌａ）の酸化物、すなわち、Ｔａ２Ｏ５，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＴｉＯ２，ＧｅＯ２，Ｎｂ２Ｏ５，ＳｎＯ２，ＣｅＯ２，Ｙ２Ｏ３又はＬａ２Ｏ３が挙げられ、窒化物としてはアルミニウム（Ａｌ），シリコン（Ｓｉ）又はゲルマニウム（Ｇｅ）の窒化物、すなわち、ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４又はＧｅＮが挙げられ、硫化物としては亜鉛（Ｚｎ）の硫化物、すなわちＺｎＳが挙げられ、炭化物としてはシリコン（Ｓｉ）の炭化物、すなわちＳｉＣが挙げられ、フッ化物としてはマグネシウム（Ｍｇ）のフッ化物、すなわちＭｇＦ２が挙げられる。また、これらの混合物としては、ＳｉＡｌＯＮ（ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｉ３Ｎ４及びＡｌＮの混合物）、ＬａＳｉＯＮ（Ｌａ２Ｏ３，ＳｉＯ２及びＳｉ３Ｎ４の混合物）等が挙げられる。
【００４０】
尚、記録層２４を挟む一対の保護層２２、２２は、互いに同じ材料で構成されてもよいが、異なる材料で構成されてもよい。また、一対の保護層２２、２２の少なくとも一方が、複数の誘電体層からなる多層構造であっても構わない。
【００４１】
また、保護層２２の層厚は特に限定されないが、使用されるレーザビームＬＢの波長が３８０ｎｍ〜４５０ｎｍの青色波長領域であることを考慮すれば、３〜２００ｎｍであることが好ましい。
【００４２】
記録層２４は記録マークが形成されうる層であり、無機系、有機系等種々のものが採用できる。例えば、無機系では、各種金属、半金属又は合金層の単層膜、複数の金属、半金属又は合金層を積層した積層膜（例えば、Ｓｉ層と、銅合金層との積層構造）が挙げられ、有機系では、アゾ色素等の有機色素層等が挙げられる。
【００４３】
記録層２４の層厚は、特に限定されないが、例えば、２〜４０ｎｍに設定することが好ましく、２〜２０ｎｍであることがより好ましく、２〜１５ｎｍであることがさらに好ましい。
【００４４】
中間層３０は、レーザビームＬＢに対して透明な層である。中間層の材料も特に限定されないが、例えば、樹脂材料が挙げられ、特に、ＵＶ硬化樹脂が挙げられる。中間層３０の厚みは、平均２０〜３０μｍ程度であることが好ましい。中間層３０の表面にも、支持基板１０と同様に、グルーブＧとランドＬとが形成されている。
【００４５】
反射層２０Ｂの組成も、反射層２０Ａと同様に上述のスパッタリングターゲットに対応する組成である。反射層２０Ｂは、レーザビームＬＢの一部を透過させる必要があるので、反射層２０Ａよりも薄いことが好ましい。
【００４６】
反射層２０Ｂと透明カバー層４０との間に設けられる、保護層２２、記録層２４、及び、保護層２２は前述と同様である。
【００４７】
透明カバー層４０は、レーザビームＬＢに対して透明な層である。透明カバー層４０の材料としては、例えば、紫外線硬化型アクリル樹脂等の樹脂材料が挙げられる。厚みは、例えば、５０〜１００μｍ程度である。
【００４８】
トップコート層５０は、光ディスク２００の表面の保護を行うものである。トップコート層５０の材料としては、例えば、紫外線硬化型アクリル樹脂等を利用できる。
【００４９】
本実施態様にかかる光ディスク２００は、光入射面ＳＳとは反対側から順次成膜が行われる次世代型の光ディスクであるため、ＣＤやＤＶＤのように光入射面側から順次成膜が行われるタイプの光ディスクに比べ、各反射層２０Ａ、２０Ｂの光入射面ＳＳ側における表面２０ＡＳ，２０ＢＳが粗くなりやすい傾向にある。これは、ＣＤやＤＶＤのように光入射面側から順次成膜が行われるタイプの光ディスクでは、各反射層の表面のうち成膜開始面が光入射面側に位置するため、その表面性は下地の表面性とほぼ一致するが、本実施態様にかかる光ディスク２００のように、光入射面ＳＳとは反対側から順次成膜が行われる次世代型の光ディスクでは、反射層２０Ａ，２０Ｂの表面のうち成膜終了面となる表面２０ＡＳ，２０ＢＳが光入射面ＳＳ側に位置するため、成膜過程における結晶成長等により表面性が低下するからである。したがって、反射層２０Ａ，２０Ｂの材料としては、成膜終了面Ｓにおける表面平滑性に優れ、ジッターを十分に抑制できる材料を選択する必要がある。上述の組成のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により形成される反射層２０Ａ，２０Ｂは、これらの要件を満たすものである。また、この反射層２０Ａ，２０Ｂは、波長λが３８０ｎｍ〜４５０ｎｍのレーザビームに対して十分に高い反射率を有しているとともに、適切な熱伝導率を有していることから、レーザビームＬＢに対する光反射率も十分であるとともに、レーザビームＬＢによる熱を速やかに放熱することも可能である。
【００５０】
（光ディスク１００）
続いて、光ディスク１００について説明する。図２に示す光ディスク１００は、いわゆる、ＢＤ−ＲＯＭと言われる、書込みができない読み取り専用の光ディスクである。ここでは、光ディスク２００と異なる点のみ説明する。
この第２の光ディスク１００は、反射層２０Ａと中間層３０との間に、保護層２２、記録層２４、保護層２２を有しておらず、また、反射層２０Ｂと透明カバー層４０との間にも、保護層２２、記録層２４、保護層２２が有していない。このような光ディスク１００でも上述と同様の効果を奏する。
【００５１】
なお、上記の光ディスク１００、２００は、反射層２０Ａ，２０Ｂを２つ有する、いわゆる２層記録型のものであるが、反射層を１つのみ有する１層記録型のものや、反射層を３つ以上有する多層記録型のものでも構わない。
【００５２】
これらの光ディスクは、上述のスパッタリングターゲットを用いて反射層２０Ａ，２０Ｂを形成する以外は、公知の方法により製造方法できる。また、スパッタリング方法も特に限定されない。好適なスパッタリング条件は、ＤＣスパッタリング法である。
【００５３】
本発明は上記実施形態に限られずさまざまな変形態様が可能である。例えば、上記実施形態では光メディアとしてＢＤを例示しているが、ＢＤ以外の光ディスクでもよい。また、上記実施形態では光メディアとして円板形状の光ディスクを例示しているが、光メディアの平面形状は特に限定されず、例えば、矩形形状をした光カードでもよい。
【実施例】
【００５４】
（実施例１〜６、比較例１〜７）
３２０メッシュ（粒径４５μｍ）以下であり、かつ、純度９９．９質量％の、Ａｌ粉、Ａｇ粉、Ｔａ粉、Ｎｂ粉、及び、Ｃｒ粉、さらに、平均粒径５００μｍであり純度９９．９質量％のＮｄ粉を用い、各粉を表１に示す原子組成となるように秤量し、乾式で混合し、各実施例及び比較例について混合粉体をそれぞれ得た。そして、各混合粉体を、真空中で焼結した。焼結条件は、圧力２００ｋｇｆ／ｃｍ２、温度プロファイルを、７２０℃まで３０分で急速加熱し、７２０℃に３０分維持し、その後、６６０℃に下げて、６６０℃に３０分維持し、その後、室温まで徐冷することとした。
【００５５】
そして、得られた焼結体を、旋盤により２００ｍｍφ、厚さ８ｍｍに成形してそれぞれスパッタリング用ターゲットを得た。
【００５６】
このスパッタリングターゲットを用いて、厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのランド及びグルーブが形成されたポリカーボネート製支持基板上に、ＤＣマグネトロンスパッタにより、８０ｎｍの厚さで反射層２０Ａを形成し、その後、一層目の（支持基板１０側の）保護層２２としてＲＦマグネトロンスパッタにより、ＣｅＯ２−Ａｌ２Ｏ３（８０：２０ｍｏｌ％）を６ｎｍ、およびＺｎＳ−ＳｉＯ２（５０：５０ｍｏｌ％）を８ｎｍ積層し、続いて記録層２４としてＤＣマグネトロンスパッタによりＳｂＴｅＧｅ（７５：１９：６ａｔ％）を１２ｎｍ、更に二層目の（中間層３０側の）保護層２２としてＲＦマグネトロンスパッタにＺｎＳ−ＳｉＯ２（５０：５０ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、およびＤＣマグネトロン反応性スパッタによりＡｌＮを３０ｎｍ成膜し、アクリル系紫外線硬化性樹脂により透明カバー層を形成して、１層型のＢＤ−ＲＥディスクを得た。
【００５７】
各実施例及び比較例について以下の評価を行なった。
【００５８】
（面粗さ）
保護層２２、記録層２４形成前のディスク鏡面部分の反射膜２０Ａについて、ＡＦＭにて２μｍ２の領域について表面粗さＲａを測定した。Ｒａ＜０．５ｎｍを○、０．５≦Ｒａ≦０．８ｎｍを△、Ｒａ＞０．８ｎｍを×とした。
【００５９】
(ジッター)
光ディスク評価装置（商品名：ＤＤＵ１０００、パルステック工業社製：対物レンズ開口数＝０．８５、レーザ波長＝４０５ｎｍ）を用い、９．８４ｍ／ｓｅｃ（２ｘ相当）の線速度でＢＤ−ＲＥディスクを回転させながら、記録パワー＝６．２ｍＷ、消去パワー＝３．７ｍＷでマルチパルス発光パターンをディスクに照射して信号を記録し、その記録信号について、Ｔｉｍｅ Ｉｎｔｅｒｖａｌ Ａｎａｌｙｚｅｒ（商品名：ＴＡ−５２０、横河電機社製）を用いてジッターを測定した。ジッター６．８％未満を○、６．８％以上７．０％未満を△、７．０％以上を×とした。
【００６０】
（保存試験）
８０℃、８０％ＲＨの環境に１０００時間保存した後、再びジッターを測定し、その変化量（増加分）が０．５％未満を○、０．５％以上１．０％未満を △、１．０％以上を ×とした。
【００６１】
結果を表１に示す。
【００６２】
【表１】
【００６３】
本発明のターゲットによる反射層は、表面平滑性が十分であり、ジッターの抑制が十分であることが確認された。
【符号の説明】
【００６４】
１０…支持基板（基板）、２０Ａ，２０Ｂ…反射層、１００、２００…光ディスク。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク等の光メディア用スパッタリングターゲット、その製造方法、及び、光メディアとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
スパッタリングターゲットを用いたスパッタリングにより反射層を基板上に形成し、この反射層上に光記録層や、読取や書込み時に光が透過する透明カバー層等をさらに形成することにより製造される光ディスク（例えば、ＢＤ（ブルーレイ・ディスク）−Ｒ、ＢＤ−ＲＥ、ＢＤ−ＲＯＭ等）、光カード等の光メディアが知られている。このような光メディアでは、反射層のスパッタ成膜終了面側の表面平滑性が高くないと、レーザビームが照射されたとき良好な反射が得られず、反射膜上に形成される光記録層や透明カバー層等の構造に悪影響を及ぼし、例えば、ジッター特性等の特性が低下する。
【０００３】
そして、光メディア用の反射層を製造できるスパッタリングターゲットとして、特許文献１〜２には、Ａｇを主成分とする合金が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−０１５４６４号公報
【特許文献２】特表２００２−５１８５９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２に記載の、Ａｇを主成分とし、貴金属を副成分とする合金で作製されたスパッタリングターゲットを用いて成膜された反射膜は、反射層の成膜終了面側の表面平滑性が十分でなく、したがって、光メディアのジッターの抑制が十分でない。また、特許文献１に記載の、Ａｇを主成分とし、希土類金属を加えた合金を用いて、成膜面の表面平滑性の良好な膜が得られるスパッタリングターゲットを作製するには、構成する希土類金属粒子表面を酸化させないために特殊な製法を採用する必要があり、加えて希土類金属を添加するのでターゲットコストを抑えることが難しい。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、表面平滑性に優れジッターを十分に抑制できる光メディアを実現可能な、安価な光メディア用スパッタリングターゲット、その製造方法、及び、光メディアとその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者等が鋭意検討したところ、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物であるスパッタリングターゲットを用いて形成した反射層は表面平滑性に優れ、光メディアのジッターを十分に抑制できることを見出した。また、希土類金属を必要としないのでスパッタリングターゲットの製造も低コストに容易に行うことができる。
【０００８】
本発明に係る、光メディア用スパッタリングターゲットは、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物である組成を有する。
【０００９】
また、本発明に係る光メディアは、基板と、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物である組成を有し上記基板上に設けられた反射層と、を備える。
【００１０】
また、本発明にかかる光メディアの製造方法は、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物であるメディア用スパッタリングターゲットを用いて、反射層を成膜する工程を備える。
【００１１】
さらに、本発明にかかる光メディア用スパッタリングターゲットの製造方法は、Ａｇを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物である組成を有する原料粉体を焼成する工程を備える。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、Ａｇを主成分とし、表面平滑性に優れ、ジッターを十分に抑制できる安価な光メディア等が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図1は、実施形態に係る光ディスク２００の断面図である。
【図２】図２は、実施形態に係る光ディスク１００の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１５】
（光メディア用スパッタリングターゲット）
本実施形態に係る光メディア用スパッタリングターゲットは、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物である組成を有する。
【００１６】
特に、反射膜の膜厚の最適化（生産性、信頼性等）の観点から、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜１ａｔ％含むことが好ましく、０．２〜０．７ａｔ％含むことがより好ましく、０．２〜０．５ａｔ％含むことがさらに好ましい。
【００１７】
また、反射膜表面の平滑性の観点から、Ａｌを０．２〜０．７ａｔ％含むことが好ましく、０．３〜０．５ａｔ％含むことがより好ましい。
【００１８】
このターゲットは、Ｔａ、Ｎｂ、Ａｌ、及び、Ａｇ以外に、不可避的不純物を含む。不可避的不純物としては、例えば、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｏ（酸素）等が挙げられ、それぞれ、１００ａｔｐｐｍ程度まで許容することができる。
【００１９】
Ｎｂを含まずにＴａを含む場合、Ｔａを含まずにＮｂを含む場合、及び、Ｎｂ及びＴａを両方含む場合のいずれの場合であっても、反射層の平滑性に特に大きな違いは出難いが、ＴａよりもＮｂが安価であることから、Ｔａに比べてＮｂを多く含むことが好ましく、Ｔａを含まずにＮｂを含むことがより好ましい。また熱伝導率の制御が必要な場合、ＮｂよりもＴａの方が熱伝導率は高いことから、ＮｂとＴａの配合比で調整することができる。
【００２０】
ターゲットの形状や大きさ等は特に限定されず、例えば、直径１２７〜３００ｍｍ程度の円板とすることができる。
【００２１】
ターゲット中における金属組織の形態は特に限定されないが、ターゲットを構成する結晶粒子等の平均粒径は、１００μｍ以下であることが好ましい。
【００２２】
（光メディア用スパッタリングターゲットの製造方法について）
続いて、上述の光メディア用スパッタリングターゲットの製造方法の一例について説明する。
【００２３】
上述の元素組成を満たす原料粉体を用意する。例えば、Ａｇ粉、Ａｌ粉、Ｔａ粉、Ｎｂ粉、ＴａＮｂ粉等を上述の組成を満たすように混合した異種の金属粉の混合物を原料粉体として用いることができる。製造工程を簡素化する意味では、それぞれ構成金属単独の原料粉体を用いることが好ましい。また、上述の元素組成となるように混合した金属粉の混合物を一度溶融して合金とした後、アトマイズ法により粉体にした、例えば、ＡｇＮｂＡｌアトマイズ合金粉のような合金粉を単独で原料粉体としてもよい。
【００２４】
原料粉体の粒度は特に限定されないが、各原料粉体共に、３２０メッシュ（４５μｍ）以下であることが好ましく、純度も９９．９ｗｔ％以上であることが好ましい。
Ａｇ粉としては、電界銀粉等を利用できる。
Ａｌ粉、Ｔａ粉、Ｎｂ粉、ＡｇＮｂＡｌ粉等としては、不活性雰囲気でアトマイズされた溶融アトマイズ粉等を利用できる。
【００２５】
原料粉体の混合は、乾式混合を用いることが好ましい。
【００２６】
続いて、真空中または不活性ガス雰囲気中で高温高圧をかけて原料粉体を焼結する。焼結条件としては、例えば、圧力は、１００〜５００ｋｇｆ／ｃｍ２、温度は、４００〜８００℃である。なお、合金粉を単独で焼結すると、異種の金属粉の混合物を焼結する場合に比べて生産性が安定する。なお、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）による焼結をすることも可能である。
【００２７】
続いて、得られた焼結体を所定の大きさに切断等の機械加工をして、スパッタリングターゲットが完成する。
【００２８】
なお、本発明のスパッタリングターゲットは、焼結法を用いなくても製造することは可能である。例えば、上述の原料粉体を、真空中又は不活性ガス雰囲気中で溶融し、冷却し、その後必要に応じて鍛造や圧延をして製造してもよい。ただ、この場合ターゲットを構成する結晶粒子等の平均粒径が１０００μｍ以上となることが多く、スパッタリングレートの低下やスパッタリング時のパーティクルが発生する場合がある。
【００２９】
また、本発明のスパッタリングターゲットは、必要に応じて、機械加工後に表面のウェットエッチング等を行なってもよく、これにより、プリスパッタ時間を短縮できる。なお、本発明のスパッタリングターゲットは、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）や、機械加工後のウェットエッチングをしなくても、実施可能である。
【００３０】
（光ディスク２００）
続いて、光メディア用スパッタリングターゲットを用いて製造される光メディアの一例として光ディスク２００の製造方法について説明する。
【００３１】
図１に示す光ディスク２００は、いわゆる、ＢＤ−ＲやＢＤ−ＲＥといわれる書き込みが可能な光ディスクであり、例えば、外径が約１２０ｍｍ、厚みが約１．２ｍｍである円盤状をなし、支持基板（基板）１０と、第一反射層２０Ａと、保護層２２と、記録層２４と、保護層２２と、中間層３０と、第二反射層２０Ｂと、保護層２２と、記録層２４と、保護層２２と、透明カバー層４０と、トップコート層５０と、をこの順に備えて構成されているものである。
【００３２】
本実施態様にかかる光ディスク２００は、波長λが３８０ｎｍ〜４５０ｎｍ、好ましくは約４０５ｎｍであるレーザビームＬＢを支持基板１０とは反対側のトップコート層５０側から入射することによってデータの再生や、記録を行うことが可能な光ディスクである。
【００３３】
具体的には、記録時には、レーザビームＬＢの焦点を記録層２４にフォーカスすることにより、熱により、記録層２４に対してアブレーション、相変化、分解等を発生させ、これにより記録マークが形成できる。そして、記録層において記録マーク部分とそれ以外の部分（ブランク領域）とではレーザビームＬＢに対する反射率が大きく異なるため、これを利用してデータの読取を行うことができる。
【００３４】
支持基板１０は、光ディスク２００に求められる厚み（約１．２ｍｍ）を確保するために用いられる円盤状の基板であり、その一方の面には、その中心部近傍から外縁部に向けて、レーザビームＬＢをガイドしたり記録用の凹凸の下地となるためのグルーブＧ及びランドＬが螺旋状に形成されている。支持基板１０の材料としては種々の材料を用いることが可能である。例えば、ガラス、セラミックス、あるいは樹脂を用いることができる。これらのうち、成形の容易性の観点から樹脂が好ましい。このような樹脂としてはポリカーボネート樹脂、オレフィン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。中でも、加工性などの点からポリカーボネート樹脂やオレフィン樹脂が特に好ましい。
【００３５】
第一反射層２０Ａは、トップコート層５０の表面である光入射面ＳＳから入射されるレーザビームＬＢを反射し、再びトップコート層５０の表面である光入射面ＳＳから出射させる役割を果たすとともに、レーザビームＬＢによる熱を速やかに放熱する役割を果たす。これにより、レーザビームＬＢに対する光反射率が高められるため再生特性を向上させることができる。反射層２０Ａの組成は、上述のスパッタリングターゲットに対応する組成である。
【００３６】
反射層２０Ａの厚さとしては、５〜３００ｎｍに設定することが好ましく、２０〜２００ｎｍに設定することが特に好ましい。これは、反射層２０Ａの厚さが５ｎｍ未満であると成膜終了面Ｓの表面平滑性を十分に得ることが困難となる場合がある一方、反射層２０Ａの厚さが３００ｎｍ超であると、成膜終了面Ｓの表面平滑性が低くなるばかりでなく、成膜時間が長くなり生産性が低下してしまうからであり、反射層２０Ａの厚さを５〜３００ｎｍ、特に２０〜２００ｎｍに設定すれば、表面平滑性を十分に得ることができるとともに、生産性の低下を防止することが可能となる。
【００３７】
保護層２２は、これらの間に設けられる記録層２４を物理的及び／又は化学的に保護する役割を果たし、記録層２４はこれら保護層２２間に挟持されることによって、光記録後、長期間にわたって記録情報の劣化が効果的に防止される。保護層２２の構成材料としては、例えば、透明な誘電体を用いることができる。また、保護層２２は、記録の前後における光学特性の差を拡大する役割をも果たし、これを容易に達成するためには、使用されるレーザビームＬＢの波長領域、すなわち、３８０ｎｍ〜４５０ｎｍ、特に約４０５ｎｍの波長領域において高い屈折率（ｎ）を有する材料を選択することが好ましい。さらに、レーザビームＬＢを照射した場合に、保護層２２に吸収されるエネルギーが大きいと記録感度が低下することから、これを防止するためには、３８０ｎｍ〜４５０ｎｍ、特に約４０５ｎｍの波長領域において低い消衰係数（ｋ）を有する材料を選択することが好ましい。なお、記録層２４の両側に保護層２２がそれぞれ配置されているが、記録層２４のいずれか一方側のみに配置されていてもよく、記録層２４のいずれの面にも保護層が配置されていなくても実施は可能である。
【００３８】
例えば、保護層２２の材料として、例えば、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物又はこれらの混合物を用いることができる。
【００３９】
例えば、酸化物としては、タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ），シリコン（Ｓｉ），チタン（Ｔｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），ニオブ（Ｎｂ），錫（Ｓｎ），セリウム（Ｃｅ），イットリウム（Ｙ）又はランタン（Ｌａ）の酸化物、すなわち、Ｔａ２Ｏ５，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＴｉＯ２，ＧｅＯ２，Ｎｂ２Ｏ５，ＳｎＯ２，ＣｅＯ２，Ｙ２Ｏ３又はＬａ２Ｏ３が挙げられ、窒化物としてはアルミニウム（Ａｌ），シリコン（Ｓｉ）又はゲルマニウム（Ｇｅ）の窒化物、すなわち、ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４又はＧｅＮが挙げられ、硫化物としては亜鉛（Ｚｎ）の硫化物、すなわちＺｎＳが挙げられ、炭化物としてはシリコン（Ｓｉ）の炭化物、すなわちＳｉＣが挙げられ、フッ化物としてはマグネシウム（Ｍｇ）のフッ化物、すなわちＭｇＦ２が挙げられる。また、これらの混合物としては、ＳｉＡｌＯＮ（ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｉ３Ｎ４及びＡｌＮの混合物）、ＬａＳｉＯＮ（Ｌａ２Ｏ３，ＳｉＯ２及びＳｉ３Ｎ４の混合物）等が挙げられる。
【００４０】
尚、記録層２４を挟む一対の保護層２２、２２は、互いに同じ材料で構成されてもよいが、異なる材料で構成されてもよい。また、一対の保護層２２、２２の少なくとも一方が、複数の誘電体層からなる多層構造であっても構わない。
【００４１】
また、保護層２２の層厚は特に限定されないが、使用されるレーザビームＬＢの波長が３８０ｎｍ〜４５０ｎｍの青色波長領域であることを考慮すれば、３〜２００ｎｍであることが好ましい。
【００４２】
記録層２４は記録マークが形成されうる層であり、無機系、有機系等種々のものが採用できる。例えば、無機系では、各種金属、半金属又は合金層の単層膜、複数の金属、半金属又は合金層を積層した積層膜（例えば、Ｓｉ層と、銅合金層との積層構造）が挙げられ、有機系では、アゾ色素等の有機色素層等が挙げられる。
【００４３】
記録層２４の層厚は、特に限定されないが、例えば、２〜４０ｎｍに設定することが好ましく、２〜２０ｎｍであることがより好ましく、２〜１５ｎｍであることがさらに好ましい。
【００４４】
中間層３０は、レーザビームＬＢに対して透明な層である。中間層の材料も特に限定されないが、例えば、樹脂材料が挙げられ、特に、ＵＶ硬化樹脂が挙げられる。中間層３０の厚みは、平均２０〜３０μｍ程度であることが好ましい。中間層３０の表面にも、支持基板１０と同様に、グルーブＧとランドＬとが形成されている。
【００４５】
反射層２０Ｂの組成も、反射層２０Ａと同様に上述のスパッタリングターゲットに対応する組成である。反射層２０Ｂは、レーザビームＬＢの一部を透過させる必要があるので、反射層２０Ａよりも薄いことが好ましい。
【００４６】
反射層２０Ｂと透明カバー層４０との間に設けられる、保護層２２、記録層２４、及び、保護層２２は前述と同様である。
【００４７】
透明カバー層４０は、レーザビームＬＢに対して透明な層である。透明カバー層４０の材料としては、例えば、紫外線硬化型アクリル樹脂等の樹脂材料が挙げられる。厚みは、例えば、５０〜１００μｍ程度である。
【００４８】
トップコート層５０は、光ディスク２００の表面の保護を行うものである。トップコート層５０の材料としては、例えば、紫外線硬化型アクリル樹脂等を利用できる。
【００４９】
本実施態様にかかる光ディスク２００は、光入射面ＳＳとは反対側から順次成膜が行われる次世代型の光ディスクであるため、ＣＤやＤＶＤのように光入射面側から順次成膜が行われるタイプの光ディスクに比べ、各反射層２０Ａ、２０Ｂの光入射面ＳＳ側における表面２０ＡＳ，２０ＢＳが粗くなりやすい傾向にある。これは、ＣＤやＤＶＤのように光入射面側から順次成膜が行われるタイプの光ディスクでは、各反射層の表面のうち成膜開始面が光入射面側に位置するため、その表面性は下地の表面性とほぼ一致するが、本実施態様にかかる光ディスク２００のように、光入射面ＳＳとは反対側から順次成膜が行われる次世代型の光ディスクでは、反射層２０Ａ，２０Ｂの表面のうち成膜終了面となる表面２０ＡＳ，２０ＢＳが光入射面ＳＳ側に位置するため、成膜過程における結晶成長等により表面性が低下するからである。したがって、反射層２０Ａ，２０Ｂの材料としては、成膜終了面Ｓにおける表面平滑性に優れ、ジッターを十分に抑制できる材料を選択する必要がある。上述の組成のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により形成される反射層２０Ａ，２０Ｂは、これらの要件を満たすものである。また、この反射層２０Ａ，２０Ｂは、波長λが３８０ｎｍ〜４５０ｎｍのレーザビームに対して十分に高い反射率を有しているとともに、適切な熱伝導率を有していることから、レーザビームＬＢに対する光反射率も十分であるとともに、レーザビームＬＢによる熱を速やかに放熱することも可能である。
【００５０】
（光ディスク１００）
続いて、光ディスク１００について説明する。図２に示す光ディスク１００は、いわゆる、ＢＤ−ＲＯＭと言われる、書込みができない読み取り専用の光ディスクである。ここでは、光ディスク２００と異なる点のみ説明する。
この第２の光ディスク１００は、反射層２０Ａと中間層３０との間に、保護層２２、記録層２４、保護層２２を有しておらず、また、反射層２０Ｂと透明カバー層４０との間にも、保護層２２、記録層２４、保護層２２が有していない。このような光ディスク１００でも上述と同様の効果を奏する。
【００５１】
なお、上記の光ディスク１００、２００は、反射層２０Ａ，２０Ｂを２つ有する、いわゆる２層記録型のものであるが、反射層を１つのみ有する１層記録型のものや、反射層を３つ以上有する多層記録型のものでも構わない。
【００５２】
これらの光ディスクは、上述のスパッタリングターゲットを用いて反射層２０Ａ，２０Ｂを形成する以外は、公知の方法により製造方法できる。また、スパッタリング方法も特に限定されない。好適なスパッタリング条件は、ＤＣスパッタリング法である。
【００５３】
本発明は上記実施形態に限られずさまざまな変形態様が可能である。例えば、上記実施形態では光メディアとしてＢＤを例示しているが、ＢＤ以外の光ディスクでもよい。また、上記実施形態では光メディアとして円板形状の光ディスクを例示しているが、光メディアの平面形状は特に限定されず、例えば、矩形形状をした光カードでもよい。
【実施例】
【００５４】
（実施例１〜６、比較例１〜７）
３２０メッシュ（粒径４５μｍ）以下であり、かつ、純度９９．９質量％の、Ａｌ粉、Ａｇ粉、Ｔａ粉、Ｎｂ粉、及び、Ｃｒ粉、さらに、平均粒径５００μｍであり純度９９．９質量％のＮｄ粉を用い、各粉を表１に示す原子組成となるように秤量し、乾式で混合し、各実施例及び比較例について混合粉体をそれぞれ得た。そして、各混合粉体を、真空中で焼結した。焼結条件は、圧力２００ｋｇｆ／ｃｍ２、温度プロファイルを、７２０℃まで３０分で急速加熱し、７２０℃に３０分維持し、その後、６６０℃に下げて、６６０℃に３０分維持し、その後、室温まで徐冷することとした。
【００５５】
そして、得られた焼結体を、旋盤により２００ｍｍφ、厚さ８ｍｍに成形してそれぞれスパッタリング用ターゲットを得た。
【００５６】
このスパッタリングターゲットを用いて、厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのランド及びグルーブが形成されたポリカーボネート製支持基板上に、ＤＣマグネトロンスパッタにより、８０ｎｍの厚さで反射層２０Ａを形成し、その後、一層目の（支持基板１０側の）保護層２２としてＲＦマグネトロンスパッタにより、ＣｅＯ２−Ａｌ２Ｏ３（８０：２０ｍｏｌ％）を６ｎｍ、およびＺｎＳ−ＳｉＯ２（５０：５０ｍｏｌ％）を８ｎｍ積層し、続いて記録層２４としてＤＣマグネトロンスパッタによりＳｂＴｅＧｅ（７５：１９：６ａｔ％）を１２ｎｍ、更に二層目の（中間層３０側の）保護層２２としてＲＦマグネトロンスパッタにＺｎＳ−ＳｉＯ２（５０：５０ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、およびＤＣマグネトロン反応性スパッタによりＡｌＮを３０ｎｍ成膜し、アクリル系紫外線硬化性樹脂により透明カバー層を形成して、１層型のＢＤ−ＲＥディスクを得た。
【００５７】
各実施例及び比較例について以下の評価を行なった。
【００５８】
（面粗さ）
保護層２２、記録層２４形成前のディスク鏡面部分の反射膜２０Ａについて、ＡＦＭにて２μｍ２の領域について表面粗さＲａを測定した。Ｒａ＜０．５ｎｍを○、０．５≦Ｒａ≦０．８ｎｍを△、Ｒａ＞０．８ｎｍを×とした。
【００５９】
(ジッター)
光ディスク評価装置（商品名：ＤＤＵ１０００、パルステック工業社製：対物レンズ開口数＝０．８５、レーザ波長＝４０５ｎｍ）を用い、９．８４ｍ／ｓｅｃ（２ｘ相当）の線速度でＢＤ−ＲＥディスクを回転させながら、記録パワー＝６．２ｍＷ、消去パワー＝３．７ｍＷでマルチパルス発光パターンをディスクに照射して信号を記録し、その記録信号について、Ｔｉｍｅ Ｉｎｔｅｒｖａｌ Ａｎａｌｙｚｅｒ（商品名：ＴＡ−５２０、横河電機社製）を用いてジッターを測定した。ジッター６．８％未満を○、６．８％以上７．０％未満を△、７．０％以上を×とした。
【００６０】
（保存試験）
８０℃、８０％ＲＨの環境に１０００時間保存した後、再びジッターを測定し、その変化量（増加分）が０．５％未満を○、０．５％以上１．０％未満を △、１．０％以上を ×とした。
【００６１】
結果を表１に示す。
【００６２】
【表１】
【００６３】
本発明のターゲットによる反射層は、表面平滑性が十分であり、ジッターの抑制が十分であることが確認された。
【符号の説明】
【００６４】
１０…支持基板（基板）、２０Ａ，２０Ｂ…反射層、１００、２００…光ディスク。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物である光メディア用スパッタリングターゲット。
【請求項２】
基板と、
Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物である組成を有し前記基板上に設けられた反射層と、
を備える光メディア。
【請求項３】
前記反射層の成膜終了面側から読取用又は書込用のレーザビームが照射される請求項２に記載の光メディア。
【請求項４】
Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物であるメディア用スパッタリングターゲットを用いて、反射層を成膜する工程を備える光メディアの製造方法。
【請求項５】
Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物である組成を有する原料粉体を焼結する工程を備える光メディア用スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１】
Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物である光メディア用スパッタリングターゲット。
【請求項２】
基板と、
Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物である組成を有し前記基板上に設けられた反射層と、
を備える光メディア。
【請求項３】
前記反射層の成膜終了面側から読取用又は書込用のレーザビームが照射される請求項２に記載の光メディア。
【請求項４】
Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物であるメディア用スパッタリングターゲットを用いて、反射層を成膜する工程を備える光メディアの製造方法。
【請求項５】
Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を０．１〜２ａｔ％、及び、Ａｌを０．１〜１ａｔ％含み、残部がＡｇ及び不可避的不純物である組成を有する原料粉体を焼結する工程を備える光メディア用スパッタリングターゲットの製造方法。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１０−２４４６００（Ｐ２０１０−２４４６００Ａ）
【公開日】平成２２年１０月２８日（２０１０．１０．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−９０１６３（Ｐ２００９−９０１６３）
【出願日】平成２１年４月２日（２００９．４．２）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月２８日（２０１０．１０．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年４月２日（２００９．４．２）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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