【課題】本発明は、ＭｏＮの特性とＣｒＡｌＮの特性とを兼備し、特に耐摩耗性に優れた被覆膜を備えた表面被覆切削工具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、ＭｏＮ_y（ただし式中ｙは０．０１≦ｙ≦０．２）で表されるＭｏとＮとの固溶体、Ｍｏ₂Ｎ、ＭｏＮまたはこれらの混合体からなるＡ層と、Ｃｒ_1-xＡｌ_xＮ（ただし式中ｘは０．３≦ｘ≦０．８）からなるＢ層とが交互に各々２層以上積層されてなり、該Ａ層の層厚λａと該Ｂ層の層厚λｂとは、それぞれ２ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、その層厚比λａ／λｂは、基材側から被覆膜の最表面側にかけて増大し、かつ基材に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは０．１以上０．７以下であり、最表面側に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは１．５以上１０以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】紫外線を照射しなくとも親水性を発現する薄膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】基板Ｓの表面に酸化チタンの薄膜を形成する成膜方法であって、真空を維持した状態で、基板Ｓを成膜プロセス領域２０Ａと反応プロセス領域６０Ａの間で繰り返し移動させる工程（Ｓ３）と、チタンターゲット２２ａ，２２ｂのスパッタ物質を成膜プロセス領域２０Ａに導入された基板Ｓに付着させる工程（Ｓ４）と、反応プロセス領域６０Ａに導入された基板Ｓに酸素ガスを接触させ、スパッタ物質の組成を変換させる工程（Ｓ５）とを有し、酸素ガスの導入流量と少なくとも同一流量のアルゴンガスを導入した状態で、酸素ガスを基板Ｓに接触させる。 （もっと読む）

【課題】特別な前処理や後処理を施さずに効率よく、親水性の薄膜をプラスチック基板に成膜することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】プラスチック基板Ｓの表面に薄膜を形成する方法であって、真空容器１１の内部に形成された成膜プロセス領域２０Ａでチタンターゲット２２ａ，２２ｂのスパッタ物質を基板Ｓに付着させる工程（Ｓ４）と、真空容器１１の内部に成膜プロセス領域２０Ａとは離間して形成された反応プロセス領域６０Ａで酸素ガスを基板Ｓに接触させ、スパッタ物質の組成を変換させる工程（Ｓ５）とを有し、酸素ガスの導入流量と少なくとも同一流量のアルゴンガスを導入するとともに１ｋＷ以下のプラズマ処理電力を供給した状態で、酸素ガスを基板Ｓに接触させる。 （もっと読む）

【課題】本発明に係るスパッタ装置は、シード層を形成する際に貫通孔内部に金属粒子が堆積することを防止し、導電材を充填する際にボイドが生じることを防止するスパッタ装置及びスパッタ方法を提供する。
【解決手段】スパッタ装置は、反応室と、前記反応室の内部に配置され、所定の金属材料からなるターゲットと、前記反応室の内部に前記ターゲットと離間して配置され、貫通孔が形成された基板を保持する基板保持部材と、前記基板の成膜面の背面側に位置する前記反応室の壁面に設けられ、前記反応室の内部に気体を供給する気体供給口と、を備え、前記気体供給口から前記基板の貫通孔を通して前記反応室の内部に前記気体を供給する。 （もっと読む）

【課題】ガス配管内のガスの流れが電磁バルブを実際に開閉する前に表示されることで、誤った操作による電磁バルブの開閉し忘れ、或は誤ったガスの混合による危険を防止し、安全性の向上を図る。
【解決手段】ガス配管路１に設けられたバルブ２，３，３６，３８の開閉要求状態及び開閉状態を検出する状態検出部４４と、前記バルブの開閉要求状態により予測される前記ガス配管路を流れるガスの予測状態と、前記バルブを開いて前記ガス配管路を流れるガスの状態とを状態毎に識別表示する表示部４４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】平滑かつ緻密な無機膜を生産性を維持しつつ、しかも膜質を長時間安定して形成することができる成膜装置および成膜方法、ならびにバリアフィルムを提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、真空の成膜室内で、有機膜を含む長尺の基板を搬送方向に搬送しつつ、スパッタリングを行い、その表面に無機膜を形成するものであって、基板に対向して配置された第１のターゲット、第１のターゲットの周囲近傍に設けられたアノード部および第１のターゲットに一定周期で電圧を印加する第１の電源部を備える第１の成膜ユニットと、第１の成膜ユニットよりも搬送方向の下流側に設けられ、基板に対向して配置された２つ以上のターゲットおよび各ターゲットに交互に電圧を印加する第２の電源部を備える第２の成膜ユニットと、基板と第１のターゲットとの間および基板と各ターゲットとの間にスパッタガスを供給するスパッタガス供給部とを有する。 （もっと読む）

【課題】同一バッチ内において基体表面に形成する化合物膜の膜厚分布を均一にする作業を簡素化でき、かつ長期間にわたり安定した化合物膜の形成ができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】所定の真空度に保たれたチャンバと、前記チャンバ内に配置された基体と、前記チャンバ内に反応性ガスまたは不活性ガスのどちらかもしくは両方からなるガスを供給するガス供給管と、前記チャンバ内に配置されたターゲットとを備え、前記基体表面に前記ターゲットの化合物膜を形成するスパッタリング装置であって、前記ガス供給管に前記チャンバ内へ前記ガスを吹き出すための複数のガス供給孔をその孔径を調整可能に設け、前記ガス供給孔の吹き出し部の前方には前記ガス供給孔から吹き出される前記ガスを拡散する拡散板が配設される。 （もっと読む）

【課題】帯電防止性、反射防止性および耐久性に優れ、むくみの発生しない光学物品およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】眼鏡レンズは、レンズ基材１１０と、このレンズ基材１１０の表面に設けられたハードコート層１２０と、このハードコート層１２０の上に設けられた反射防止層１３０とを備えて構成されている。反射防止層１３０は、屈折率が１．３〜１．５である低屈折率層と、屈折率が１．８〜２．４５である高屈折率層とを順に積層したものである。この反射防止層１３０は、レンズ基材１１０側から外側に向けて順に配置された第１層１３１、第２層１３２、第３層１３３、第４層１３４、第５層１３５、第６層１３６、第７層である透明導電層１３７及び第８層１３８から構成される。 （もっと読む）

本発明は、金属、金属ハロゲン化物、またはこれらの混合物を前駆物質として利用した金属ナノプレート(Metal nano-plate)の製造方法であって、詳細には、反応炉の前端部に位置させた金属、金属ハロゲン化物、またはこれらの混合物を含む前駆物質と、反応炉の後端部に位置させた単結晶基板とを、不活性気体が流れる雰囲気で熱処理し、前記単結晶基板上に単結晶体の金属ナノプレート(nano-plate)が形成される特徴がある。
本発明の製造方法は、触媒を使用しない気相移送法を利用して、数マイクロメートル大きさの金属ナノプレートを製造することができ、その工程が簡単で且つ再現性があって、製造されたナノプレートが、欠陥及び不純物を含まない高結晶性及び高純度単結晶状態の貴金属ナノプレートである長所があり、単結晶基板の表面方向を制御し、金属ナノプレートの形状及び単結晶基板との配向性を制御できる長所を有して、数マイクロメートル大きさの金属ナノプレートを大量生産することができる長所がある。
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【課題】基板上に多層膜／コーティングを形成する改善された気相堆積方法及び装置を開示する。
【解決手段】多層コーティングを堆積するために使用されるものであって、基板と直接的に接触する酸化物層の厚さが、基板の化学組成に相関するものとして制御される。これにより、後に堆積される層は、酸化物層により良好に結合される。改善された方法は、多層コーティングを堆積するために使用されるが、この多層コーティングでは、酸化物層が基板上に直接的に堆積され、有機物層が酸化物層上に直接的に堆積される。典型的には、酸化物層及び有機物層が交互に配置される一連の層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 成膜室に流入される蒸発ガスの供給量を制御して成膜レートを一定に保ち、かつ、高品質な高分子膜を形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜対象Ｓが設置される真空成膜室１０と、原料モノマーＭａ、Ｍｂが封入されている蒸発源２１ａ、２１ｂと、前記蒸発源に設けられた加熱手段２２ａ、２２ｂとを備え、前記真空成膜室と前記蒸発源とを接続する原料管にコンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂ及び圧力計３２ａ、３２ｂを設けると共に、当該コンダクタンス可変バルブには、前記圧力計で測定された圧力値が前記コンダクタンス可変バルブの設定された圧力値と等しくなるようにコンダクタンス可変バルブの開度を制御する制御部３３ａ、３３ｂを設ける。 （もっと読む）

【課題】非導電性試料の表面に、むらの無い良質な導電性のカーボン膜を短時間で形成する。
【解決手段】開閉弁９ａを開き、ロータリーポンプ１０で試料室２ａの大気を排気する。試料室２ａの真空度が１Ｐａ程度になったら、流量調整弁８ａを開いて試料室２ａにアルゴンガスを導入し、試料室２ａの真空度が２Ｐａ程度になるようにアルゴンガスの流量を調整する。電極棒７ａと７ｂ及び電極５ａと５ｂを通じてカーボン棒に５０Ａ程度の電流を流す。通電によりカーボン棒が赤熱し、カーボンが蒸発することにより蒸着が行なわれる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で処理空間内のガス圧力（濃度）分布を制御できる真空処理装置及び真空処理方法を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気を維持可能であり、減圧雰囲気中で被処理体３に対しての処理が行われる処理空間１０を内部に有する真空槽１と、真空槽１の壁部１ａを貫通して処理空間１０に通じるガス導入路４と、を備えた真空処理装置であって、ガス導入路４から処理空間１０内へのガス吹き出し方向が、ガス導入路４が設けられた部分近傍の真空槽１内壁面に対して平行もしくは傾いている。 （もっと読む）

【課題】勾配型屈折率を備えた多孔質を含む単層構造をした透明導電性のナノ構造薄膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】電子ビームシステム１００を用いて、ターゲットソースが斜め堆積法により蒸着される。複数の調整可能な試料ステージ１０４上に蒸着基板１１４が配置される。プロセスチャンバー１０１内でガスの流量および温度を制御するため、熱源と複数のガス制御弁１０７および１０８が備えられる。蒸着後、薄膜構造と光電子特性を向上させるため、アニール工程が行われる。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】結晶性がよく耐エッチング性の高い保護膜を成膜する。
【解決手段】前処理室３１の水分圧を測定し、制御装置６５はその測定値から、真空槽３２で放出されるＨ₂Ｏガス量を予測し、成膜に適した必要量のＨ₂Ｏガスが真空槽３２に含有されるように、水の導入量を決定し、流量制御装置４５は決定した導入量で水導入口５５ａ、５５ｂから水を導入する。搬送対象物６０から放出されるＨ₂Ｏガス量が変化しても、真空槽３２には必要量のＨ₂Ｏガスが含有されるから、保護膜１４の膜質が均一になる。 （もっと読む）

【課題】成膜コストを低く抑えることができ、薄膜化が容易で、光反射率の設定可能範囲の広い導電性アルミニウム薄膜を提供する。
【解決手段】基材１１の表面に形成される導電性アルミニウム（Ａｌ）薄膜たる酸素導入Ａｌ薄膜１２ａは、Ａｌにその固溶限界を超える酸素を導入させてなり、１００ａｔ％のアルミニウムに対する酸素導入量がＥＰＭＡによる測定値において５〜８０ａｔ％である。酸素導入Ａｌ薄膜１２ａは、純Ａｌターゲットを用い、グロー放電を利用した物理蒸着法を用い、その成膜雰囲気において希ガス流量に対して酸素流量を制御することにより成膜される。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールやスルーホール、配線溝等の内壁面に対して、膜厚や膜質などの点で高い膜性能を確保した成膜を行い得るパルス状直流スパッタ成膜方法及びこの方法のための成膜装置を提供する。
【解決手段】ターゲット６に対してパルス状の直流電力を印加するスパッタ成膜方法において、あらかじめ、化合物種たる反応ガスを導入可能とすると共に前記パルス状直流電力の平均電力を一定に保ったまま該パルス状電力のデューティ比を可変とし、前記反応ガスを所定流量で導入した状態で、前記デューティ比を変化させて、基板７に形成される金属化合物薄膜の組成比を異ならせる。 （もっと読む）

【課題】配向した窒化タンタル膜が配された電子デバイス用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】被成膜面１ａが（１１１）配向したシリコンからなる基材１と、Ｔａからなるターゲットと、Ａｒ及びＮ２からなるプロセスガスとを用いて反応性スパッタリングを行うと、基材１の前記被成膜面１ａ上に、少なくとも（１００）配向した窒化タンタル膜が形成される。前記のことから（１００）配向した窒化タンタル膜から構成された電子デバイス用の（１１１）配向した基板１０を提案する。 （もっと読む）

【課題】 被処理物の表面へのパーティクルの付着を抑えることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１０内で蒸着材料を蒸発させ基板ＷＡに対して蒸着させる成膜装置１である。蒸着材料を蒸発させるプラズマガン３０と、雰囲気ガス供給源１０６と、主制御装置８０と、を備える。主制御装置８０は、プラズマガン３０による加熱状態を、成膜状態の加熱状態（成膜時電流Ｉ_Ａ）と、非成膜状態における加熱状態（成膜時電流Ｉ_Ｂ）との間で切り替え制御する。そして、主制御装置８０は、成膜状態と非成膜状態との間における加熱状態の切り替え途上において、蒸着材料の蒸発やプロセスガスの導入による真空チャンバ１０内の圧力変動を緩和する方向に、雰囲気ガス供給源１０６からの雰囲気ガスの供給量を変動させる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素としてＳｉのドーピング濃度を容易に最適化でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができると共に、ドーパント元素であるＳｉの活性化率を高めることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内に基板及びＩＩＩ族元素を含有するターゲットを配置すると共に、プラズマ形成用のガスを前記チャンバ内に導入し、反応性スパッタ法によって前記基板上に、ドーパントとしてＳｉが添加されたＩＩＩ族窒化物半導体層を製造する方法であって、前記プラズマ形成用のガス中に、Ｓｉ水素化物を添加させることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法。 （もっと読む）