【課題】 上層の結晶粒の脱落抑制効果によって中間層と上層との密着性を向上させた硬質皮膜被覆工具、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基体上に物理蒸着法により形成した硬質の下層、中間層及び上層を有し、上層は(Al_xCr_y)_cO_dにより表される組成を有するととにもTC(012)が1.3以上のα型結晶構造を有し、中間層は酸素濃度が下層側から上層側にかけて増加するとともに窒素濃度が下層側から上層側にかけて減少する傾斜組成を有し、その平均組成が(Al_sCr_t)_a(N_vO_w)_bにより表される硬質皮膜被覆工具。 （もっと読む）

【課題】透明性に優れた新規な導電体および導電体の製造方法を提供する。
【解決手段】ニオブ酸化物またはニオブ金属をターゲットとしてスパッタリングすることにより、基板の表面にニオブ酸化物膜（ＮｂＯ_ｘ膜）を形成し、そのニオブ酸化物膜に対してアニール処理を行う。スパッタリングは、ニオブ金属ターゲットの場合、アルゴンガスに対する酸素ガス流量比（酸素ガス流量／アルゴンガス流量）が５．０％乃至７．０％の雰囲気下で、室温で行う。アニール処理は、真空中で９００℃以上の温度で行う。アニール後のニオブ酸化物膜は、６０％以上の可視光線透過率を有し、１０^−２Ωｃｍ以下の電気抵抗率を有している。 （もっと読む）

【課題】 希土類系永久磁石などの被処理物の表面に蒸着形成される金属被膜の緻密性を向上させる方法を提供すること。
【解決手段】 蒸着槽内において加熱した溶融蒸発部に蒸着制御ガスを含有するワイヤー状金属蒸着材料を連続供給しながら蒸発させることで、蒸着槽内の少なくとも溶融蒸発部と被処理物の近傍に蒸着制御ガスを供給した状態で被処理物の表面に金属被膜を蒸着形成する際、蒸着槽内全圧に対する希ガス分圧の割合を０．２〜０．８に維持して蒸着処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】連続基板処理時の温度の変動による膜質変化を抑制すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、スパッタ空間に臨む構造部材の温度に応じて、反応性ガスの流量を調整しながら、反応性スパッタリングを行う。具体的にはシールド１２０に温度センサ１２１を設け、温度に応じた流量に調整する。これにより、シールドに付着した膜の脱ガス量が変化しても、反応性ガスの分圧を所定にできる。ＲｅＲＡＭを構成する抵抗変化層、ＰｒＣａＭｎＯ３（ＰＣＭＯ）、ＬａＳｒＭｎＯ３（ＬＳＭＯ）、ＧｄＢａＣｏｘＯｙ（ＧＢＣＯ）等のペロブスカイト材料や、ニッケル酸化物（ＮｉＯ）、バナジウム酸化物（Ｖ２Ｏ５）等の化学量論からずれた組成を有する２元系の遷移金属酸化物材料等が扱われている。 （もっと読む）

【課題】紫外線遮蔽機能をもち、酸性雨に対する耐性の高いハードコート構造を備えた透明体を提供する。
【解決手段】透明基材１と、基材１上に順に配置された、紫外線吸収層２とハードコート層３とを有する透明体であって、紫外線吸収層２として、アモルファスなＴｉＯ_２膜を用いる。紫外線吸収層２とハードコート層３との間には、アモルファスなＴｉＯ_２と、ハードコート層を構成する材料との混合物からなる混合層４が配置されている。ＴｉＯ_２膜は、耐酸性が高い性質を有し、しかも、アモルファスなＴｉＯ_２膜は光触媒性能を備えないため、基材との密着性が高い。混合層４は、紫外線吸収層２とハードコート層３との密着性を高め、冷熱サイクルを受けた場合の膜剥がれを防止する。 （もっと読む）

【課題】大面積基板に均一な膜厚の薄膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】真空槽８内に配置された細長の放出装置３０の両端位置の第一、第二の接続口３８ａ、３８ｂに、第一、第二の蒸気生成装置２０ａ、２０ｂを接続し、第一、第二の蒸気生成装置２０ａ、２０ｂから、放出装置３０の両端位置に成膜材料の蒸気を供給する。放出装置３０の一端から他端に亘って、真空槽８内に蒸気が均一に放出される。第一、第二の蒸気生成装置２０ａ、２０ｂから放出装置３０に供給される蒸気の供給速度を個別に制御することで、膜厚が均一な薄膜を基板６の成膜面上に成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置のガスの流量制御は、マスフローコントローラによって行われている。ここで使用される流量調整バルブは、流量を調整することに重点が置かれているため、閉鎖時にも微小ながらガスが流出する。このため、流量調整バルブの出力側に閉鎖特性の良好な開閉バルブが挿入されている。しかし、流量調整バルブと開閉バルブ間の流路系には、一定の容量を有するため、流量調整バルブが閉鎖されている間に、この流路系の圧力が流量調整バルブのリークを介して、上昇するという問題がある。このような出力側バルブ間空間の圧力上昇は、次に、開閉バルブが開いたときに、ガス被供給系への余剰のガス供給の原因となる。
【解決手段】本願発明は、マスフローコントローラのガス排出側の流量制御バルブと開閉バルブ間の圧力を計測することで、流量制御バルブの閉鎖時のリークガス流量を検知可能とした半導体製造装置である。 （もっと読む）

【課題】絶縁特性に優れた絶縁膜を高い成膜レートで成膜することができる絶縁膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る絶縁膜の成膜方法においては、反応性ガスとして、窒素と酸素の混合ガスが用いられる。酸素に窒素を混合することで成膜レートが上昇し、窒素の流量比が８０〜８５％のときに成膜レートの最大値が得られる。このときの成膜レートは、窒素の流量比が０％のときの約２倍である。窒素の流量比が９０％を超えると、成膜レートの低下が顕著となる。得られたシリコン酸窒化膜は、スパッタリング法で成膜されたシリコン窒化膜よりも高い絶縁耐圧特性を有する。したがって、上記成膜方法によれば、スパッタリング法によって絶縁特性に優れた絶縁膜を高い成膜レートで成膜することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】密着性の向上および厚膜化が可能であり、耐摩耗性に優れる硬質膜およびその成膜方法を提供する。
【解決手段】中間層３と表面層４とからなる硬質膜１の成膜方法であって、基材２上に金属系材料を主体とする中間層３を形成する中間層形成工程と、中間層３の上にＤＬＣを主体とする表面層４を形成する表面層形成工程とを有し、中間層３および表面層４は、スパッタリングガスとしてＡｒガスを用いたＵＢＭＳ装置を使用し、上記表面層形成工程は、炭素供給源として黒鉛ターゲットと炭化水素系ガスとを併用し、アルゴンガスの導入量１００に対する炭化水素系ガスの導入量の割合が１〜５、装置内真空度が０．２〜０．８Ｐａ、基材２に印加するバイアス電圧が７０〜１５０Ｖの条件下で、炭素供給源から生じる炭素原子を、中間層３上に堆積させてＤＬＣを主体とする表面層４を形成する工程である。 （もっと読む）

【課題】より入手しやすいＴｉを母体材料とした透明導電膜を提供する。
【解決手段】透明導電膜は、ＴｉＯＮの結晶から構成されてる。この結晶は、後述するように、面心立方格子構造のＴｉＯもしくはＴｉＮの回折点（２００）と同じ位置にＸ線の回折ピークを示す結晶性を有するものである。また、透明導電膜は、金属Ｔｉターゲットを用いた反応性スパッタ法により形成できる。このスパッタ法において、酸素ガスの流量は、ターゲットの表面に金属Ｔｉが露出した状態が定常的に保持される上限の流量よりも少ない流量とすればよい。 （もっと読む）

本発明は、低放射層；及び前記低放射層上に形成された誘電体層を含み、放射率が０．０１〜０．３で、可視光透過率が７０％以上の低放射ガラス及びその製造方法に関するものである。本発明によると、放射性能に優れると同時に、高い可視光透過率を表す低放射ガラスを提供できる。また、本発明によると、上記のような低放射ガラスの製造工程を簡素化でき、初期投資費用を節減できる。 （もっと読む）

【課題】高い生産性を保ちながら品質の高い膜を基材上に形成することができるイオンプレーティング方法および装置、およびイオンプレーティングによるガスバリア膜形成方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１２内に設置された被イオンプレーティング用基材１３に対して蒸着材料２０を蒸着するイオンプレーティング装置１０は、蒸着材料２０を収納するるつぼ１９と、真空チャンバ１２内に昇華ガス２５を導入するガス導入部２４と、昇華ガス２５をプラズマ化させる圧力勾配型のプラズマガン１１と、プラズマ化された昇華ガス２５がるつぼ１９に収納された蒸着材料２０に照射されるよう磁場を発生させる磁場機構５とを備えている。このうちプラズマガン１１はガス導入部２４に設けられており、磁場機構５はプラズマガン１１と真空チャンバ１２との間に設けられている。また、昇華ガス２５は、キセノンガス２６とアルゴンガス２７とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】従来の反応性スパッタ法によっては実現が困難であった、充分に低い抵抗率となる導電性透明化合物薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸素を含む雰囲気にて、金属ターゲットを用いてスパッタを行う反応性スパッタ法によって金属酸化物よりなる導電性透明化合物薄膜を成膜する方法であって、スパッタ時における放電のインピーダンス又は発光強度をモニタリングし、前記モニタリングの結果に基づいて導入酸素流量を制御し、フィードバック制御によって遷移領域内で導電性透明化合物薄膜を成膜する方法において、基板を加熱する。 （もっと読む）

【課題】手間を要さずにIII族窒化物半導体基板を得ることができるIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】下地基板１０上に、第一の膜１１である炭素膜を形成する工程と、第一の膜１１上に炭化チタン層１２を形成する工程と、炭化チタン層１２を窒化する工程と、窒化された炭化チタン層の上部にＧａＮ半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、ＧａＮ半導体層から、下地基板１０を除去して、ＧａＮ半導体基板を得る工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ装置において、画素定義膜からのアウトガス量を減少させて、有機膜の劣化を防止する。
【解決手段】画素定義膜からのアウトガス量を減少させて、前記アウトガスによる発光部の劣化を防ぐことができるように前記画素定義膜上に少なくとも一つのバリア層を形成して、またレーザ熱転写法を用いた後工程をし易いようにするために厚さが十分薄い画素定義膜を備えるエレクトロルミネッセンスディスプレイ装置のために、基板と、前記基板上に備えられた複数の画素電極と、前記画素電極上に位置しながら前記各画素電極の所定部分を露出する開口部を備える画素定義膜と、前記画素定義膜の上部及び／または内部に位置する少なくとも一つのバリア層とを備えることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供する。 （もっと読む）

本発明は、基板本体とそれに付着された単層または多層コーティングを有する切削工具に関する。コーティングの少なくとも１つの層はＰＶＤ法またはＣＶＤ法において作製された金属酸化物層であり、その金属酸化物層は粒子構造を有し、多数の存在する粒子構造の無秩序内に存在し、その粒子構造の無秩序は、点形状反射が最大格子面間隔ｄ_Grenzまで粒子の電子線回折画像において生じ、そしてｄ_Grenzより大きい格子面間隔では点形状反射は生じないが、アモルファス構造の代表的な強度分布を生じることを特徴とする。
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【課題】サセプタ上に落下したフレーク状の付着物を、サセプタのサイズに関係なく、サセプタ上のパージガスの乱れ及び巻き上がりを発生させることなく、確実に除去し、延いては、基板温度の均一性を保ち、再現性のよい膜品質を得ることができ、稼働率を高め得る気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】シャワーヘッド１４における複数のガス噴出孔を中心部から外周に向かって同心に区画した複数の領域に対して、ガスの噴出量を個別に制御する流量制御装置６が設けられている。流量制御装置６は、トレイ１２のサセプタ１３への載置前に、シャワーヘッド１４に対向するサセプタ１３の面内領域に向けて、複数の領域に対して個別に流量を変えながらパージガスをシャワーヘッド１４のガス噴出孔からシャワー状に噴出させる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣターゲットを用いたデユアルカソードマグネトロンスパッタリング装置により透過率が制御されたＳｉＣｙＯｘ膜から成る酸化物誘電体膜の製造法を提供する。
【解決手段】上記スパッタリング装置には、成膜されるＳｉＣｙＯｘ膜の目標透過率に対応した酸素ガス流量のＰＩＤ制御を行う調節計14と、成膜直後におけるＳｉＣｙＯｘ膜の透過光量を測定してＳｉＣｙＯｘ膜の透過率を算出する透過率モニター手段100が設けられ、透過率モニター手段で測定された透過率のデータを調節計に入力して、連続して成膜されるＳｉＣｙＯｘ膜の透過率が目標透過率と等しくなるように酸素ガス流量のＰＩＤ制御を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】連続稼動中において、プラズマガンに投入するパワーを経時的に上昇させることなく、均一な膜厚で成膜することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１３と、真空チャンバの内部に備えられた成膜材料２２にプラズマを放出するプラズマガン９と、プラズマガンに放電ガスを供給する放電ガス供給部とを有する成膜装置は、放電ガスの流量を変更することができるマスフローコントローラ２５と、マスフローコントローラに接続された、マスフローコントローラによる流量の変更を予め決められた設定に基づいて制御する制御回路２６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】金属による高い側壁被覆率を達成することが可能なプラズマ蒸着方法を提供する。
【解決手段】本発明は、対象物の凹部中に金属をプラズマ蒸着する方法に関する。この方法は、ＡｒとＨｅおよび／またはＮｅの混合物をスパッタガスとして用い、Ｈｅおよび／またはＮｅ：Ａｒの比率を少なくとも約１０：１とすることによって、凹部中の底面における金属の再スパッタを達成する。 （もっと読む）