【課題】化合物薄膜を高い効率で形成する。
【解決手段】真空槽３内の成膜ステージには、ＰＥＴフィルム４上に金属薄膜を形成するスパッタリング装置１０と、酸素イオンを放出するイオン銃１１とが配されている。スパッタリング装置１０は、流量コントローラ１３でスパッタガスと酸素ガスの導入比率を変化させることにより、酸素ガスを含む雰囲気で高速にスパッタリングを行う遷移領域モードで動作させる。ＰＥＴフィルム４が連続的に搬送されている間に、スパッタリング装置１０で金属薄膜の形成が行われ、その直後にイオン源１１にからの酸素イオンで金属薄膜が酸化される。 （もっと読む）

電気又は電子装置を式(Ｉ) [式中R¹、R²及びR³は独立に水素、アルキル、ハロアルキル又は場合によりハロ置換されたアリールより選択され、またR⁴はX-R⁵基であり、式中R⁵はアルキル又はハロアルキル基であり、またXは結合、式-C(O)O(CH₂)_nY-で示される基(式中nは1ないし10の整数であり、Yは結合又はスルホンアミド基である)、又は-(O)_pR⁶(O)_q(CH₂)_t-基(式中R⁶は場合によりハロ置換されたアリールであり、pは0又は1、qは0又は1であり、またtは0であるか又は1ないし10の整数であり、ただしqが1ならばtは0以外である)である。] で示される化合物を含んでなるパルスプラズマに、該装置の表面上に高分子層を堆積させるに足る時間にわたり暴露することによって形成されることを特徴とする高分子被膜を有する電気又は電子装置。この種の装置は液体特に環境液体による損傷から保護される。
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【課題】ターゲットのスパッタリングによる成膜の成膜速度が速い成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】アルゴンガスをプラズマ室２に供給し、アルミからなるターゲット５に電圧印加すると、アルゴンイオンは、ターゲット５の表面に入射し、スパッタ粒子が発生して基板６方向へと放出され、基板６の表面にアルミ薄膜を形成する。ターゲット５の電圧印加終了後、窒素ガスをプラズマ室２に供給し、基板ホルダ７に電圧印加する。そして、アルゴンイオンおよび窒素イオンは、基板６の表面に入射する。入射した窒素イオンは、アルミ薄膜を窒化し、窒化アルミ薄膜が形成される。窒素ガス供給を停止し、再びターゲット５に電圧印加し、窒化アルミ薄膜上にアルミ薄膜を形成する。このプロセスを繰り返す。 （もっと読む）

本発明の１つ以上の構成は、供給ガスの流量の１つのパラメータを選択的に調整することによって、イオン注入システム内のイオンビームの電流又は密度を安定化する事に関する。ガス流量の調整は、他の作動パラメータに対する調整を必ずしも必要ではなく、これにより、安定化処理を単純化する。ビーム電流が、比較的早く安定化させるためにイオン注入は、中断されず促進的に始動されかつ続けられる。これは、関連した注入コストを削減するとともに処理能力を改善する。
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【課題】溶着性の高い被削材に対してエアブローで切削加工を行う場合でも実用上満足できる工具寿命が得られるＤＬＣ被膜を提供する。
【解決手段】ＤＬＣ被膜２０は、実質的に水素を含まないベース層２２と所定量の水素を含む表皮層２４との２層構造を成しており、ベース層２２により優れた耐摩耗性が得られるとともに表皮層２４により摩擦係数が小さくされ、優れた耐溶着性（潤滑性）が得られるようになる。これにより、アルミニウム合金等の溶着性の高い被削材に対してエアブローで切削加工を行う場合でも、溶着が抑制されて工具寿命が向上する。 （もっと読む）

【課題】基板搬送トレイやマスクなどにより持ち込まれるガスの影響を少なくして、特性の良好な保護膜を安定に製造するプラズマディスプレイパネルの方法および製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】表示電極と誘電体層が形成されたガラス基板の誘電体層上に保護膜を真空蒸着法によって形成するプラズマディスプレイパネルの製造装置であって、ガラス基板１００（１１）を予備加熱する予備加熱室３１と、ガラス基板１１に保護膜を形成する成膜室３２と、予備加熱室３１には酸素、窒素、水素、水蒸気、二酸化炭素のうちの少なくとも一つのガスを導入するガス導入口５０と、ガス導入口５０におけるガス導入量を制御するガス流量バルブ５１とを備え、成膜室３２には少なくとも酸素を導入するガス導入口４５と、ガス導入口４５における酸素導入量を制御するガス流量バルブ４６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】均一かつ細密に充填したＳＡＭを大面積の基板に形成することを可能とする装置及び方法を提供する。
【解決手段】自己組織化分子を含有する液体原料を気化し、基板上に自己組織化単分子膜を形成する装置であって、前記基板を内部に保持する成膜室と、前記液体原料を前記成膜室内に直接噴射する噴射弁を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】長期間にわたって優れた硬度および美的外観を保持することができる装飾品を提供すること、前記装飾品を提供することができる製造方法を提供すること、また、前記装飾品を備えた時計を提供すること。特に、環境に優しい方法で、前記装飾品、前記時計を提供すること。
【解決手段】本発明の装飾品１Ａは、少なくとも表面付近の一部が主としてＴｉおよび／またはステンレス鋼で構成された基材２と、基材２上に設けられ、主としてＰｔＣＮで構成された被膜３とを有し、被膜３の表面粗さＲａが０．３μｍ未満である。このような装飾品１Ａは、ＣおよびＮを含む雰囲気中で、開口部の形状が略円形の収納器に収納したＰｔに電子ビームを照射し、基材２上に被膜３を形成することにより得られる。被膜３を形成する工程における、電子ビームのビーム径をＤ_Ｂ［ｍｍ］、前記収納器の前記開口部の内径をＤ_Ｈ［ｍｍ］としたとき、１≦Ｄ_Ｈ−Ｄ_Ｂ≦５の関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】基材に完全に被覆し、製品の型形成後の分離が容易なコーティング形成方法の提供。
【解決手段】金属コーティングを形成する方法であって：（ａ）真空状態にあるかあるいは不活性雰囲気を有するチャンバー内において金属イオンを生成するための金属ターゲットにおいてアークを発生させる段階；（ｂ）その上に金属層を形成するための基材上へ金属イオンを被着させる段階；及び（ｃ）前記金属層上に一次金属−気体化合物層および前記一次金属−気体化合物層上に二次金属−気体化合物層を形成するためのチャンバー内の気体の量の調節であって、前記一次及び二次金属−気体化合物層が異なる気体原子含有量を有する調節の段階を含む方法。 （もっと読む）

【課題】高密度の高速素子に適用される強誘電率または高誘電率の誘電膜を有する半導体素子のキャパシタ製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子のキャパシタ製造方法において、基板上に第１絶縁膜を形成し、第１絶縁膜上に第１導電膜を形成し、第１導電膜上に誘電膜を形成し、誘電膜上に第２導電膜を形成し、第２導電膜上にTiAlN膜を形成し、選択的にエッチングしてキャパシタのパターンを形成し、パターンを熱処理し、熱処理したパターン上に第２絶縁膜を形成し、第２絶縁膜を選択的にエッチングしてTiAlN膜に形成されるAl_２O_３膜を露出させる第１コンタクトホールを形成し、第１及び第２絶縁膜を選択的にエッチングして基板の活性領域を露出させる第２コンタクトホールを形成し、Al_２O_３膜の露出部分を除去し、コンタクトホールを通じて第２導電膜と基板とを電気的に接続する金属配線を形成する。 （もっと読む）

一実施例に係る集積回路（１０）は、基板（１２）と、基板に形成されたＳｉＷＮｉ薄膜抵抗体（１６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基材上にＰＢＮを主体として形成された絶縁層を有する静電チャックなどのウエハ支持装置をハロゲン雰囲気やハロゲンプラズマ雰囲気などの腐食雰囲気でも使用可能なものとする。
【解決手段】絶縁層を実質的に被覆する耐食性保護膜を有するウエハ支持装置において、該保護膜が２８０ＭＰａ以下、より好ましくは２５０ＭＰａ以下の圧縮応力を持つことを特徴とする。このような保護膜は、絶縁層上に、Ａｒ流量を５ｓｃｃｍ以下、好ましくは０ｓｃｃｍとした反応性イオンプレーティング法により、クラックや剥離を生じないものとして成膜させることができる。 （もっと読む）

【課題】酸素又は窒素が化学量論比よりも少なく、かつ組成が正確に制御された金属酸化物又は金属窒化物よりなる導電性化合物薄膜及びその成膜方法を提供する。
【解決手段】フィードバック制御を行いながら成膜を行い、図４の通り、酸素流量の測定値を横軸、酸素の発光強度の測定値を縦軸にとってプロットする。酸素流量の極大値Ａ及び極大値Ｂから、Ｃ＝Ａ−α（Ａ−Ｂ）を計算し（但し、αは０より大きく０．５以下の所定値。）、Ｓ字カーブ上における酸素流量値がＣであるときの発光強度値Ｐ、Ｑ（但し、Ｐ＜Ｘ＜Ｑ＜Ｙ。）をグラフから求める。発光強度がＰ以上Ｑ以下の範囲となるようにフィードバック制御を行いながら、成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の良好な圧電体層を含む圧電体堆積体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電体堆積体１００の製造方法は，
Ｒ面サファイア基板１１の上方に第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程と、
第１酸化マグネシウム層２０の上方に第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程と、
第２酸化マグネシウム層１２の上方に圧電体層１３を形成する工程と、を含み、
第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程における酸素の供給量に対するマグネシウムの供給量は、第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程における酸素の供給量に対するマグネシウムの供給量より多く、
第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程における酸素分圧は，第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程における酸素分圧より低い。 （もっと読む）

【課題】 可撓性があり、衝撃応力に強く、かつ、水分や酸素に対してより高い遮蔽性を有するパッシベーション膜を形成する。
【解決手段】 エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、パッシベーション膜は、ターゲット材料として炭素を用い、ＡｒガスとＯ_２ガスとＮ_２ガスとを含む混合ガスをスパッタガスとして真空チャンバーＷ内に供給し、スパッタ法により成膜するようにしてあり、そのスパッタ法によるパッシベーション膜の成膜条件を、Ａｒガスの供給流量を５〜１００ｓｃｃｍ（８．４５×１０^−３〜１．６９×１０^−１Ｐａ・ｍ^３／ｓ）、Ｏ_２ガスの供給流量を０〜５０ｓｃｃｍ（０〜８．４５×１０^−２Ｐａ・ｍ^３／ｓ）、Ｎ_２ガスの供給流量を０〜４０ｓｃｃｍ（０〜６．７６×１０^−２Ｐａ・ｍ^３／ｓ）、真空チャンバーＷ内の真空度を０．０１〜１０Ｐａとしてある。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を高速かつ安定して成膜する方法を提供する。
【解決手段】カバー２６内部にＩｎ−Ｇａ酸化物よりなる第１のターゲットとＺｎ酸化物よりなる第２のターゲットを設け、これらの上方に基板１を配置し、ポンプによってカバー２６内を真空にした後、不活性ガス中に酸素を含有させた混合ガスをカバー２６内に導入する。ターゲット２１ａ，２１ｂに交互にパルスパケット状の電圧を印加する。ターゲット２１ａ，２１ｂのスパッタ時におけるＩｎ、Ｇａ及びＺｎの放電の発光波長と発光強度が、ＰＥＭ３１ａ，３１ｂによって検知される。各ターゲット２１ａ，２１ｂのスパッタ速度が算出され、この算出結果に基づき、各ターゲット２１ａ，２１ｂに付与されるパルス電力、パルス量及びパルス幅、カバー２６内に供給する酸素量、並びにカバー内の圧力が制御される。 （もっと読む）

【課題】蛍光体層における柱状結晶の成長状態が均一で、画質ムラがない蛍光体シートを製造することができる蛍光体シート製造装置の提供。
【解決手段】真空チャンバ１２と、真空チャンバ内を、側面に設けられた排気口を介して排気する真空排気手段と、容器に収納された蓄積性蛍光体層の成膜材料を抵抗加熱によって加熱し、容器の開口部から成膜材料の蒸気を放出させる抵抗加熱手段と、抵抗加熱手段の上方において、基板を保持する基板保持手段１４と、蛍光体層の成膜中に、真空チャンバ内の真空度を調整するために、少なくとも１つのガス導入口を介して真空チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入手段とを有する。ガス導入口６０ａ，６２ａの縁部と排気口の縁部とを直線的に結んで形成される第１の領域と、抵抗加熱手段の容器の開口部の縁部と基板Ｓの縁部とを直線的に結んで形成される第２の領域とが交わらないようにガス導入口が設けられている。 （もっと読む）

【課題】良好な生産性で、全面にわたって均一かつ目的とする電気特性および光学特性を有する透明導電膜を成膜できる成膜方法を提供する。
【解決手段】長尺な可撓性の基板にスパッタリングで透明導電膜を成膜するに際し、放電によって生じる発光を前記基板の幅方向の１０００ｍｍに１カ所以上の間隔で測定し、この測定結果に応じて、前記発光測定点に対応する領域毎に独立して反応ガスの導入量を調整して、前記基板を長手方向に搬送しつつ、基板に透明導電膜を成膜することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 化学的に安定した基板表面に、滑らかで一様で、かつ閉じられたフィルム(または層)の形成を許容しない。
【解決手段】 この発明は一般に、集積回路(IC)製作プロセスに関する。この発明は、より特別にはその後の金属、金属酸化物、金属窒化物、および/または、金属カーバイドの層のために、二酸化珪素やシリコン窒化酸化物層などの表面の処理に関する。この発明はさらにこの発明の方法で入手できる高いkのゲートに関する。 （もっと読む）

【課題】 蒸発材料の放出量の計測を精度よく行うことにより、被蒸着部材に成膜される膜厚を正確に検出することができる蒸着装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１主誘導管２１から分岐されて第１主誘導管２１内の第１蒸発材料の一部を監視用として取り出す第１監視用誘導管２２と、第１監視用誘導管２２の第１蒸発材料の飛翔経路Ｎ１上に設けられて膜厚を検出する第１蒸発レート検出センサ８を備えることにより、第１監視用誘導管２２から放出される密度の高い第１蒸発材料を安定して検出することができ、第１主誘導管２１からガラス基板１に放出される第１蒸発材料の変動量を正確に把握することができるため、第１蒸発材料の蒸発レートを精度よく計測することができ、したがってガラス基板１に成膜される膜厚を正確に検出することができる。 （もっと読む）