分子線エピタキシャル成長法によりＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体のヘテロ接合を有する半導体薄膜を形成するエピタキシャル成長方法であって、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第１のＶ族元素の分子線とを照射して第１の化合物半導体層を形成する第１の工程と、前記ＩＩＩ族元素の分子線と前記第１のＶ族元素の分子線の照射を停止し、前記第１のＶ族元素の供給量が前記第１の工程における供給量の１／１０以下となるまで成長を中断する第２の工程と、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第２のＶ族元素の分子線とを照射して前記第１の化合物半導体層上に前記第１の化合物半導体とは異なる第２の化合物半導体層を形成する第３の工程と、を備えるようにした。
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【課題】比誘電率が低く、機械的強度に優れる絶縁膜を容易かつ安価に形成し得る絶縁膜の形成方法、かかる絶縁膜の形成方法により形成された絶縁膜を備える電子デバイス用基板、この電子デバイス用基板を備える電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】多層配線基板１は、基板２と、基板２上に設けられた第１の配線パターン３と、第１の配線パターン３を覆うように設けられた第１の絶縁膜４と、第１の絶縁膜４上に設けられた第２の配線パターン５と、第２の配線パターン５を覆うように設けられた第２の絶縁膜６とを有している。各絶縁膜４、６を得るのに本発明の絶縁膜の形成方法が適用される。本発明の絶縁膜の形成方法は、シリコーンオイルを気化させる第１の工程と、気化したシリコーンオイルをプラズマ重合して得られた重合体を堆積させて、該重合体を主としてなる絶縁膜を形成する第２の工程とを有する。 （もっと読む）

本発明の成膜装置及び方法は、裏面に永久磁石（１０）が配置されたカソード（５）に、ＨＦ電源（１１）から高周波電圧を与えてリアクティブモードのプラズマを発生させ、このプラズマを用いてプラズマ重合成膜を行う。また、真空チャンバ（１）内のプラズマ源ガスの圧力を調整して、リアクティブモードではなくメタリックモードのプラズマを発生させ、このプラズマを用いて、ターゲットたるカソード（５）をスパッタしてマグネトロンスパッタ成膜を行う。
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本発明の薄膜の形成方法は、基板を保持するための基板ホルダ１３の搬送速度を制御しながら、基板ホルダ１３を、中間薄膜形成工程を行う領域と膜組成変換工程を行う領域との間を繰り返し搬送させて、最終的に形成される薄膜の膜組成を調整し、ヒステリシス現象が起きる領域の光学的特性値を有する薄膜を形成する光学的特性調整工程とを備える。
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成膜チャンバ（１１）の前段にロードロックチャンバ（１２）が、ダンパ等を介して連結されている。ロードロックチャンバ（１２）には、Ｎ_２ガス及び気体又は霧状のＨ_２Ｏが供給される配管が連結されている。この配管は、ベーパライザ（１３）から繋がっている。ロードロックチャンバ（１２）内には、ウェハ（２０）が載置される搬送部（１５）が設けられ、ロードロックチャンバ（１２）の外部には、液体窒素を用いて搬送部（１５）を冷却する冷却器（１４）が配置されている。搬送部（１５）の温度は、例えば−４℃に保持される。
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【課題】剥離がなく耐スパッタ性の高い保護膜を実現し高輝度で長寿命なＰＤＰを提供する。
【解決手段】前面ガラス基板１１上に表示電極１２と誘電体層１３と第一の保護膜１４と第二の保護膜１５とを備えた前面板１０と、背面ガラス基板２１上にアドレス電極２２と下地誘電体層２３と隔壁２４と蛍光体層２５とを備えた背面板２０とが、放電空間３０を介して対向配置され、第一の保護膜１４の膜密度と第二の保護膜１５の膜密度とを異ならせている。 （もっと読む）

【課題】 薄膜を形成した後の基板の湾曲が少ない光学物品を提供することが可能な薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 薄膜形成装置１は、基板Ｓを保持する基板ホルダ１３と、基体ホルダ１３の片面側に配置された成膜プロセス領域２０，成膜プロセス領域３０，反応プロセス領域６０と、基板ホルダ１３を挟んで成膜プロセス領域２０、成膜プロセス領域４０，反応プロセス領域６０のそれぞれ反対側に形成された成膜プロセス領域３０，成膜プロセス領域５０，反応プロセス領域７０と、を備えている。成膜プロセス領域２０，成膜プロセス領域４０，反応プロセス領域６０において形成される薄膜による基板の湾曲を、成膜プロセス領域３０，成膜プロセス領域５０，反応プロセス領域７０において基板の反対側の面に同時に薄膜を形成することで、薄膜の内部応力による基板の湾曲を相殺しつつ、基板の両面に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来試みられることのなかった新規な方法で担体に触媒材料を担持してなる水素貯蔵及び発生用触媒構造体、並びに該触媒構造体を用いた水素の貯蔵及び発生方法を提供する。
【解決手段】担体表面に反応性スパッタリング法により触媒材料をコーティングしてなる水素貯蔵及び発生用触媒構造体、並びに、該触媒構造体と、芳香族炭化水素とを用いることを特徴とする水素の貯蔵方法、及び上記触媒構造体と、芳香族炭化水素の水素化誘導体とを用いることを特徴とする水素の発生方法である。 （もっと読む）

【課題】 適正な膜抵抗の評価を行うことができ、安定した抵抗値が得られる透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に透明導電膜を形成する透明導電膜の製造方法において、製膜室３で形成された透明導電膜の膜厚を測定するとともに、後段の評価室４で上記形成された透明導電膜の抵抗値を測定し、上記測定された膜厚と抵抗値の測定結果を製膜室３での製膜条件にフィードバックして透明導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 透明電極として優れた性質を有するＺｎＯ膜をイオンプレーティングで成膜する技術を提供する。
【解決手段】 イオンプレーティングのソース材料として用いるのに適したＺｎＯ焼結体は、平均酸化度の異なる第１のＺｎＯ領域と第２のＺｎＯ領域とを含み、前記第１のＺｎＯ領域と前記第２のＺｎＯ領域とは平均粒径が異なる。前記第１のＺｎＯ領域は前記第２のＺｎＯ領域より酸化度の高い領域であり、前記第２のＺｎＯ領域は前記第１のＺｎＯ領域と異なる色の、青みを帯びた領域であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】堆積膜の形成面の全域に亘って高品質な堆積膜を得ることができる反応性スパッタリング方法及び反応性スパッタリング装置を提供すること。
【解決手段】処理容器内にターゲットと基体を配置し、スパッタリング粒子と、処理容器内に供給した反応ガスとの反応物を基体上に堆積させる反応性スパッタリング方法として、前記ターゲットから前記基体上に前記スパッタリング粒子が飛来する空間に、前記基体の堆積膜の形成面に接触することなく、前記基体の堆積膜の形成面を実質的に複数の領域に区切るように仕切り板を配置し、前記仕切り板によって囲まれたそれぞれの空間内に前記仕切り板によって区切られた領域のそれぞれに向けて配置した反応ガス供給ノズルから、前記スパッタリング粒子の堆積速度に応じた流量の反応ガスを、前記仕切り板によって区切られた領域のそれぞれに設置した前記基体の堆積膜の形成面に供給する。 （もっと読む）

【課題】
運用の初期から安定した状態で薄膜が形成される成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜室７１にて薄膜被形成物の表面に電子ビームを用いて薄膜が蒸着されて形成され、このとき、成膜室７１内に水蒸気が導入され、同成膜室７１内の水分が同電子ビームによって酸素と水素とに解離され、同成膜室７１内の水素分圧が所定の制限範囲に保たれるように水蒸気の流量が制御される。このため、水素分圧に所定の制限範囲が設定される成膜が、成膜装置の稼動初期から終了まで安定して行われる。また、水蒸気発生装置７２や質量分析器７６など、成膜室７１に容易に後付けできる部品を用いて水素発生量を制御するようにしたので、真空室などを設けることなく、成膜装置が容易に改造される。 （もっと読む）

【課題】 窒化炭素膜の窒素含有量を多くして、且つ窒素と炭素の化学結合が強固で緻密な膜にすることにより、硬さの大きい窒化炭素膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】 被処理材の表面に硬質窒化炭素膜を形成するための方法であって、処理室内において、窒素ガス又はアンモニアガスを導入しながら、原料炭素類をホローカソード放電を利用して加熱、昇華させ、それと同時に被処理材の表面近傍にマイクロ波プラズマ放電を誘起して窒素及び炭素を活性化し、前記被処理材の表面に硬質窒化炭素膜を蒸着形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 擬似位相整合型波長変換素子を用いて基本波光を高調波光に変換する波長変換レーザ装置におけるレーザの生成効率を改善する。
【解決手段】 光共振器７内に配置する擬似位相整合型波長変換（ＱＰＭ）素子４の両端面４ａ、４ｂの反射率を下げるために、各端面４ａ、４ｂに酸化シリコンと窒化シリコンとの混合物を材料とする薄膜を形成する。その混合物の混合比率は、使用する波長におけるＱＰＭ素子の基体の屈折率と入射（又は出射）媒質である空気の屈折率とから求まる所定の屈折率になるように制御する。それによって、端面４ａ、４ｂでの反射率を従来よりも１桁以上改善した０．０１％以下にまで抑制することが可能である。 （もっと読む）

【課題】不活性ガスとともに酸素ガスを用いたスパッタ法において、より安定した酸化の状態で酸化物の薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】高周波電源１２１の出力の交流電圧の平均値Ｖ_DCを検出するＶ_DCモニタ１２２と、Ｖ_DCモニタ１２２が検出したＶ_DCにより反応性ガス導入部１１２より導入されるガスの流量を制御するマスフローコントローラ１２３を制御する制御部１２４とを備え、Ｖ_DCモニタ１２２で検出されたＶ_DCの値が、既定値Ｖ₀となるように、制御部１２４がマスフローコントローラ１２３を制御し、反応性ガス導入部１１２より導入される酸素ガスの流量を制御する。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有するカルコゲン化合物薄膜を形成するスパッタリング蒸着装置およびそれを利用したカルコゲン化合物薄膜形成方法の提供。
【解決手段】カルコゲン化合物ターゲット及び基板にマイナスの値とプラスの値の間をスイッチングするパルス直流バイアスを提供する。マイナスの直流バイアスが供給されるときに、カルコゲン化合物ターゲットから構成元素がスパッタされて、反応ガスと結合して基板上にカルコゲン化合物薄膜が形成される。プラスの直流バイアスが供給されるときに、カルコゲン化合物ターゲット表面に局所的に蓄積された不活性ガスイオンがカルコゲン化合物ターゲットから離脱される。不活性ガスの蓄積による放電がなく、不純物ドーピング濃度が増加したカルコゲン化合物薄膜を形成することができ、カルコゲン化合物薄膜の比抵抗を増加できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ターゲット侵食量、ワーク形状が変わってもターゲット‐基板間距離を調整する必要がなく生産性が向上できるスパッタリング方法を提供するものである。
【解決手段】真空容器中に、形成したい薄膜の成分の一部または全部からなるターゲットを配し、前記真空容器中に希ガスもしくは反応性ガスの少なくともどちらか一方を導入しスパッタリング成膜を行う、スパッタリング方法において、前記希ガスを１種類以上の希ガスの混合ガスとし、前記ターゲットの侵食量に応じて前記希ガスの混合比を変えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 成膜速度に優れ、且つ、良好な光学特性を実現できる酸化Ｎｂ薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 ニオブメタルをターゲットとして、スパッタリング法により基材表面に酸化ニオブ薄膜を成膜する際に、プラズマエミッションモニタリング（ＰＥＭ）法により反応性ガスの導入量を調整し、前記ニオブメタルから発生するプラズマの強度を制御する。具体的には、反応性ガス導入後、反応性ガスの導入量によってプラズマ発光強度をスパッタリング開始時のプラズマ強度に対して５〜１５％の範囲に制御することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 異常放電の少ない薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 真空槽１１に設けられた排気口１１ｄからの排気と、成膜プロセスゾーン２０への少なくとも反応性ガスを含むスパッタガスの導入とを行いながらターゲット２９ａ，２９ｂに対するスパッタによって薄膜を形成する薄膜形成方法である。成膜プロセスゾーン２０へのスパッタガスの導入は、排気口１１ｄから近い位置に設けられた第１のスパッタガス導入管２ａからのスパッタガスの導入と、排気口１１ｄから遠い位置に設けられた第２のスパッタガス導入管２ｂからのスパッタガスの導入とで行う。第１のスパッタガス導入管２ａから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合を、第２のスパッタガス導入管２ｂから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合よりも多くしてスパッタガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】 製造インラインにおいて金属薄膜磁性層の非磁性支持体近傍における酸素含有量を正確に評価し、品質の安定した金属薄膜磁性層を得ることのできる磁気記録媒体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 走行している非磁性支持体１の一方の面上に、真空蒸着法により酸素ガスを供給しつつ金属薄膜磁性層を形成する工程を含む磁気記録媒体の製造方法であって、
金属薄膜磁性層の形成後に、非磁性支持体１の他方の面側から支持体１を通して金属薄膜磁性層に光を投射し、その反射光の明度を測定１５することにより金属薄膜磁性層の非磁性支持体近傍における酸素含有量を監視する方法。 （もっと読む）