【課題】 付着確率の異なる粒子の混入割合を、たとえば、製膜作業と関連してリアルタイムで計測できる膜質評価装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 それぞれ第一取入口部５５あるいは第二取入口部６７を通って進入して第一水晶振動子５１あるいは第二水晶振動子６７に付着する粒子の付着量を計測する第一製膜速度計測部４５および第二製膜速度計測部４７と、第一製膜速度計測部４５の第一取入口部５５にそれを覆うように設置され、第一取入口部５５を通過する粒子の一部を付着させるフィルタ部５３と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

金属膜を堆積させるための方法または組成物がここに開示される。一般に、開示された方法は金、銀、または銅を含む前駆体化合物を利用する。より具体的には、開示された前駆体混合物は、熱安定性を高めるために、金属に結合されたペンタジエニル配位子を利用する。さらに、銅、金、または銀を堆積させる方法が、金属膜を堆積させるための他の前駆体の使用と共に開示される。該方法および組成物が種々の堆積プロセスに使用され得る。 （もっと読む）

物体の表面の少なくとも一部がアミド含有重合体であり、アミド含有重合体の表面の少なくとも一部がその上にプラズマ化学蒸着露出被覆を有する被覆物体。物体の表面の少なくとも一部がアミド含有重合体を含む被覆物体を製造する方法であって、該方法は、アミド基を含む重合体の表面の少なくとも一部を、プラズマ化学蒸着被覆方法によって被覆し、その上にプラズマ化学蒸着露出被覆を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】圧力損失が小さく、連続再生が可能で、製造コストの低廉な連続再生型粒子状物質フィルタを提供する。
【解決手段】ハウジング４に収容されたＳｉＣフィルタ５と、エンジンから排出される排気ガスをＳｉＣフィルタ５に導くガス導入手段と、該ＳｉＣフィルタ５によって捕捉された粒子状物質を燃焼させるための電熱パネルヒータ７とを備えている。ＳｉＣフィルタ５は、円錐容器形状の炭素質多孔体にＳｉＣををパルスＣＶＩ法によってコーティングすることによって製造されており、粒子状物質の粒子径よりも大きい孔を有する （もっと読む）

装置を通る移動経路に沿って移動する基板（２０）をコーティングする装置および方法。プラズマ源（３０）はプラズマジェット（３２）を放出し、そこにジェットの上流に配置された吐出オリフィス（１４４，１４６）から第１の試薬が注入される。第２の試薬は、ジェットの下流に配置された吐出オリフィス（２４４，２４６）からジェット内に注入される。制御装置（１６６）は、第１の組のパラメータに従って第１の試薬の流れを調整し、第２の組のパラメータに従って第２の試薬の流れを調整するように構成される。その結果、第１および第２の試薬が基板に塗布されて、基板上に少なくとも１つのコーティング層を形成する。
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【課題】メンテナンス性を向上させたＣＶＤ装置と、該ＣＶＤ装置を用いて製造して生産性を向上させた半導体装置及び光電変換装置を提供する。
【解決手段】チャンバ本体２１は、底部本体２１Ａ、第一筒体２１Ｂ、第二筒体２１Ｃ、及び蓋体２１Ｄを有し、これらが取外し可能に積重ねられる。チャンバ本体２１は、その空間Ｓに、基板Ｂを載置するステージ２２と、基板Ｂに対向する複数の触媒体Ｗと、各触媒体Ｗに接続される複数の接続端子３２とを有し、また、その蓋体２１Ｄに、各接続端子３２に対応する複数の押圧端子Ｔを有する。そして、蓋体２１Ｄは、第二筒体２１Ｃに積重ねられる状態で、対応する接続端子３２を押圧する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素エピタキシャル膜をはじめとする膜を炭化珪素基板上に均一な膜厚で均一な膜質の膜を形成する膜形成工程を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法およびその製造装置を提供する。
【解決手段】サセプタの開口部に炭化珪素基板を配置し炭化珪素基板の膜形成面を露出させ、膜形成面と反対側の表面に赤外線吸収粒子を接して配置し、内側の面に導電層を備えた反応管の中に炭化珪素基板を配置したサセプタを導入した状態で、導電層を誘導加熱しながら原料ガスを流す。 （もっと読む）

【課題】高周波放電によってプラズマを励起させ、活性種を生成させる放電室３と、放電室３で生成された活性種による処理対象である基板１０を収容する基板処理室４と、プラズマを放電室３に閉じ込めると共に、貫通孔５を介して活性種を放電室３から基板処理室４へと移動させることができる仕切り板２とを備えた真空処理装置において、放電室３内に生ずる活性種の数を増大させることで、基板処理室４へ移動する活性種の数を増大させて、もって処理効率を向上させる。
【解決手段】放電室３において高周波放電を生じさせる電極間の間隔を１５〜２５ｍｍとし、高電力の高周波でプラズマを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体ウエハ等の被処理体に形成された凹凸部内にタングステン膜を形成するタングステン膜の形成方法に関し、Ｓｉ基板上に形成された凹凸内に良好にタングステンの埋めこみを行うことを課題とする。
【解決手段】処理容器５０内にＭＯ−ＴｉＮ膜からなるバリア膜３が形成されたＳｉ基板Ｗを載置する工程と、処理容器５０にＷＦ_６ガスとＳｉＨ_４ガスとを交互に繰り返して供給する繰り返し工程を含み、前記バリア膜３上に第一のタングステン膜５を形成する工程と、処理容器５０にＷＦ_６ガスとＨ_２ガスとを同時に供給し、第一のタングステン膜５上に第二のタングステン膜６を形成する工程とを含むタングステン膜の形成方法であって、前記繰り返し工程では、Ｓｉ基板Ｗの温度を１５０℃以上３５０℃以下に維持すると共に、前記ＷＦ_６ガスの供給量を１３３Pa sec以上１０ｋPa sec以下とし、ＷＦ_６ガスのバリア膜３上への吸着量を飽和させる。 （もっと読む）

本発明は封入層を高分子繊維及び弾道抵抗性布帛の表面上に蒸着するための方法を提供する。さらに詳しくは、本発明は、非半導性高分子繊維及び布帛への材料の原子層蒸着により塗被されたコンフォーマルな封入層を有する布帛を提供する。 （もっと読む）

【課題】大面積基板にプラズマを利用したＣＶＤによりＴＥＯＳを用いてシリコン酸化膜を成膜する場合、パーティクルの発生を抑制し、基板へのイオン入射を防止し、基板近傍でのプラズマ分布を良好にする。
【解決手段】真空容器１２内でプラズマを生成して活性種（ラジカル）を発生させ、この活性種と材料ガスで基板１１に成膜処理を行う装置であり、複数の孔２２が形成された隔壁板１５を設けて真空容器の内部をプラズマ生成空間１６と成膜処理空間１７に分け、材料ガスは、プラズマ生成空間と隔壁板を貫通しかつ分散して設けられた複数の通路を通して成膜処理空間に直接に導入され、プラズマ生成空間で生成された活性種は、隔壁板に形成された複数の孔を通して成膜処理空間に導入される。 （もっと読む）

【課題】セルサイズが６０ｎｍ以下の半導体記憶装置において、トンネル絶縁膜や電極間絶縁膜に高誘電率絶縁膜を導入した場合の電荷保持特性の劣化を防ぐ。
【解決手段】半導体装置は、セルサイズが６０ｎｍ以下であって、埋め込み絶縁膜１０４を含むシリコン基板１０１のチャネル領域に形成されたトンネル絶縁膜１０２と、前記トンネル絶縁膜１０２上に形成された第１の導電層１０３と、前記埋め込み絶縁膜１０４及び前記第１の導電層１０３上に形成された電極間絶縁膜１０５と、前記電極間絶縁膜１０５上に形成された第２の導電層１０６と、前記第１の導電層１０３、前記第２の導電層１０６、及び前記電極間絶縁膜１０５の側壁に形成された側壁絶縁膜１０７と、前記側壁絶縁膜１０７上に形成された層間絶縁膜１０８と、を有し、 前記トンネル絶縁膜１０２又は前記電極間絶縁膜１０５は高誘電率絶縁膜を含み、前記側壁絶縁膜１０７は、所定の濃度の炭素及び窒素、並びに１×１０^１９Ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の濃度の塩素を含む。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波を導波させる導波管の両側でプラズマ処理を行うことができるようにする。
【解決手段】マイクロ波の腹の位置に対応して配置されたスリット１３ａ、１３ｂを導波管１２の両面にそれぞれ設け、ガス導入管１７ａ、１７ｂを介してチャンバ１１内にプロセスガスを導入し、マイクロ波を導波管１２内に導波させ、スリット１３ａ、１３ｂをそれぞれ介してマイクロ波を導波管１２の両側から放射させることにより、導波管１２の両側に表面波プラズマを発生させ、基板１８ａ、１８ｂのプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】１内に導入されたガスを発熱体７で加熱して活性種を形成し、該活性種を用いて、収容された基体１０の表面を処理する真空処理装置において、表面又は全体が耐熱性の乏しい基体１０についても処理が行えるようにする。
【解決手段】発熱体７と基体１０の位置関係が、発熱体７からの輻射熱が直接基体１０に当たらない位置関係となった真空処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】発熱体４と基板ホルダー５間を遮蔽及び開口するためのシャッター７を備えた化学蒸着装置において、シャッター７の開閉制御を最適化して成膜開始初期の膜質の劣悪性を解消する。
【解決手段】前記シャッター７が遮蔽位置にある状態で前記発熱体４への通電を開始し、前記発熱体４を所定温度まで発熱させた後、原料ガスの供給を開始すると共に、排気速度を制御して、処理容器１内を所定の圧力とし、その後前記シャッター７を開口位置へ移動させる制御部８を設ける。 （もっと読む）

【課題】化学蒸着用プラズマ処理チャンバ（４０）に用いる非対称に接地されたサセプタ（７２）であって、サセプタによりサポートされ、接地された大きな矩形パネル（７４）が上にあるものを提供する。
【解決手段】複数の接地ストラップ（８６）が、サセプタ周囲間で、接地された真空チャンバに接続されており、ＲＦ電子のための接地パスを短くしている。可撓性のストラップだと、サセプタを垂直に動かすことができる。ストラップは、周囲で非対称な接地にコンダクタンスを与える。ストラップは、均一な間隔であるが、異なる厚さ又は異なる形状を有している、或いは、利用可能な接地点から外して、異なるＲＦコンダクタンスを与えるようにしてもよい。非対称性を選択して、ＰＥＣＶＤ堆積フィルムの堆積均一性及びその他品質を改善する。 （もっと読む）

プラスチックガラスを修復する方法並びにプラスチックから過剰の又は不要のプラスチックを取り除いたことによって生じたエッジにプラズマ付着装置を用いてプラズマコーティングを局所的に適用するための方法が記載されている。
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【課題】エピタキシャル膜の膜厚を均一化、オートドープの阻止、ウェーハ表面のナノトポグラフィの改善、ドーパント濃度の均一化、スリップ発生の防止ができるエピタキシャル成長用サセプタを提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長用サセプタについて、ポケット１０ａ底壁に複数の円形貫通孔１０ｃを、円形底壁の中心から半径の１／２の距離より外周領域で、かつ、搭載ウェーハの下方に位置するよう少なくとも環状一列に配設する。環状一列の貫通孔１０ｃで隣接する貫通孔１０ｃ同士は環状溝１０ｆで連結する。ポケット１０ａにウェーハを搭載後、サセプタの上面側には原料ガス・キャリアガスを、下面側にはキャリアガスを流してエピタキシャル成長させる。サセプタの外周部では、上面側の原料ガスが各貫通孔１０ｃを介してサセプタ下面側に流れ込む。 （もっと読む）

【課題】ロール式の成膜装置において、成膜むらが生じることなく均一に成膜することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜材料ガスを導入可能なチャンバ１１と、チャンバ１１内に配置され、シート状の基板１３を外周面５５上に配置して中心軸の回りを回転可能に形成された円筒状の基板配置電極２１と、基板配置電極２１の外周面５５から所定距離を置いて対向配置された対向電極２２と、を備えた成膜装置１０において、対向電極２２が接地されるとともに、基板配置電極２１に対して１００ｋＨｚ以上２ＭＨｚ以下の低周波交流電圧を印加可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】低温で高品質な生成膜の生成を可能とし、デバイスの性能の向上を図ると共に歩留りの向上を図る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室に基板を搬入する工程と、処理室及び基板を所定の温度に加熱する工程と、処理室に所定のガスを給排するガス給排工程とを含み、ガス給排工程は、シラン系のガスと水素ガスとを処理室に供給する第１の供給工程と、少なくともシラン系のガスを処理室から除去する第１の除去工程と、塩素ガスと水素ガスとを処理室に供給する第２の供給工程と、少なくとも塩素ガスを処理室から除去する第２の除去工程とを、所定回数繰返して実行させる。 （もっと読む）