【課題】大面積の基板であっても短時間にカーボンナノチューブを形成することができる化学気相成長方法および化学気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗに対して比較的小さいヘッド３０を所定の方向に所定の速度で相対的に移動させる。ヘッド３０には、基板Ｗに還元ガスを供給する還元室４０と炭素源ガスを供給する炭素源室５０とを設けている。また、基板Ｗに対するヘッド３０の相対移動方向に沿って還元室４０を炭素源室５０よりも前段側に設ける。基板Ｗの表面に配置された触媒が還元室４０または炭素源室５０に対向しているときには、その触媒を加熱することにより還元処理およびカーボンナノチューブの成膜処理を行う。大面積の基板Ｗであっても還元室４０および炭素源室５０の雰囲気置換に長時間を要することはなく、短時間にカーボンナノチューブを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】低融点を有し、且つ、熱安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による成膜に適した金属錯体、及び当該金属錯体を用いた金属含有薄膜の製造法を提供する。
【解決手段】一般式（１）


（式中、Ｘは、一般式（２）


で示されるジアルキルアルコキシメチル基（式中、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｃは、それぞれ独立に、炭素原子数１〜５の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。）、Ｙは、一般式（２）で示される基又は炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基、Ｚは、水素原子又は炭素原子数１〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。）で示されるβ−ジケトナト配位子を有する金属錯体。 （もっと読む）

【課題】新しい反射防止構造を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】半導体基板または半導体膜の表面をエッチングして反射防止構造を形成するのではなく、半導体表面に同種または異種の半導体を成長させて凹凸構造とする。例えば、光電変換装置の光入射面側に、表面に複数の突起部を有する半導体層を設けることで、表面反射を大幅に低減する。かかる構造は、気相成長法で作製することができるので、半導体を汚染することがない。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプローブの先端部に抵抗率が１０^−２Ω・ｍ以下、硬度が６００Ｈｖ以上のＤＬＣ膜を被覆する技術及びプラズマ処理装置を提供し、この導電性ＤＬＣを被覆したコンタクトプローブ及びこのプローブを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】コンタクトプローブ基材の先端部に加わる高電界を緩和する構造の支持手段にコンタクトプローブ基材を挟止し、プラズマ処理装置内で前記プローブ基材表面をクリーニングする工程と、前記基材表面に窒素イオンと炭素イオンを照射して基材金属の窒化物と炭化物の混合被膜を形成する工程と、炭化水素ガス放電プラズマを発生させ、コンタクトプローブの先端部に導電性ＤＬＣ被膜を形成する工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法により大面積で高透過率、低抵抗率の透明導電膜を得ること。
【解決手段】ＣＶＤ反応容器の第１の領域にショウノウを配置する工程と、ＣＶＤ反応容器の第２の領域にグラフェンシートを形成する基板を配置する工程と、第１の領域を加熱して、ショウノウを蒸気化し、ＣＶＤ反応容器内において、不活性ガスのキャリアガスを第１の領域から第２の領域に向けて流すことにより、加熱された第２の領域に配置された基板（Ｎｉ）上にショウノウの蒸気を導く工程と、加熱された第２の領域に配置された基板上において、ショウノウの蒸気を熱分解して、基板上に、グラフェンシートを得る工程を有する。そして、グラフェンシートと接触している基板の表面を、ウエットエッチングして、グラフェンシートをエッチング溶液中に剥離させる工程と、エッチング溶液中に剥離したグラフェンシートを、対象物上に貼り付ける工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】膜中及び膜表面の不純物が効果的に除去でき、Ｃｕ配線構造に適用したときにバリア層及びＣｕ配線層に対する密着性に優れて一層の低抵抗を実現できるＣｏ膜形成方法を提供する。
【解決手段】基材Ｓを処理室１０内に配置して処理室内を真空引きすると共に、基材を一の所定温度に加熱し、アルキル基を有するイオン又は分子がコバルトに配位した有機金属材料Ｌを気化させ、気化させた有機金属材料を基材表面に供給し、有機金属材料を熱分解させてＣｏ膜を成膜する。その後、同一の処理室内で、またはＣｏ膜が成膜された基材を他の処理室内に配置し、この基材をアンモニアガスと水素ガスとを含む混合ガス雰囲気中にて他の所定温度でアニールする。 （もっと読む）

【課題】 基材への密着性に優れ、他への移行成分を含まず、他の成分を吸着せず、しかも再利用でき、撥水性に優れる離型紙などに用いる撥水性皮膜３の製造方法を提供する。
【解決手段】 基材１へ、表面自由エネルギーが１６〜４０ｍＮ／ｍの撥水性皮膜３の製造方法であって、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、トリストリメチルシロキシメチルシラン、テトラキストリメチルシロキシシランからなる選択される少なくとも１種の原料ガスと酸素ガスとを少なくとも含む混合ガスを、ｓｃｃｍ基準で原料ガス：酸素ガス＝１００：０．００１〜９の流量比で、真空槽内に導入し、真空度が０．１〜１５Ｐａで、プラズマが作成可能以上で６ｋＷ以下の蒸着源分解出力で、プラズマ化学気相成長方式により、炭素含有酸化ケイ素の撥水性皮膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カーテンガス量を低減した大気圧プラズマ処理装置を得る。
【解決手段】電力印加される第1電極11aと接地した第2電極11bと電極間にあり基板19に反応ガス2を供給する反応ガス路16と反応ガス路と電極の外に配置された排気流路18a,18cと反応ガス路と電極と排気流路の外に反対側に配置されカーテンガス3を供給する第1,第2カーテンガス供給路17a,17cを備えたヘッド1と、ヘッドに向け基板を保持する接地したステージで第1から第2カーテンガス供給路の方向に移動可能なステージ20を備え、電極間が電界発生状態で反応ガスを供給しプラズマ処理する大気圧プラズマ処理装置200であり、反応ガス量より排気4の量を多くそれよりカーテンガス総量を多くし、ステージを移動させプラズマ処理する際は静止時に比べてカーテンガス総量を増やさずに第1カーテンガス供給路からのカーテンガス量を増やし第2カーテンガス供給路からのカーテンガス量を減らす制御手段50を備える。 （もっと読む）

【課題】 光の反射率を低下させることなく反りの発生を抑制できるハーフミラー基板の製造方法、およびハーフミラー基板を提供する。
【解決手段】 本実施例のハーフミラー基板１は、ＰＭＭＡ基板１０と、ＰＭＭＡ基板１０の裏面に形成される反射膜層３０と、を有する。反射膜層３０は、ＰＭＭＡ基板１０表面に形成されてなる金属反射膜（Ｓｎ膜３１）と、Ｓｎ膜３１を覆うように形成される保護膜（ＳｉＯ膜３２）と、からなる。Ｓｎ膜３１の表面には、ＳｎＯ₂を主たる成分とする酸化Ｓｎ層３３が形成されている。また、ＳｉＯ膜３２は、低い水蒸気バリア性を有する。 （もっと読む）

【課題】潤滑油環境下での摺動において、従来以上に摩擦係数が低減された摺動部材を提供することができるＤＬＣ皮膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】摺動部材の摺動側表面にコーティングされたＤＬＣ皮膜であって、表面エネルギーが５２〜７４ｍＪ／ｍ^２またはエチレングリコールの接触角が２７〜５１度であるＤＬＣ皮膜。前記ＤＬＣ皮膜は、Ｘ線散乱スペクトルにおいてグラファイト結晶ピークを有する。予め作製されたＤＬＣ皮膜にプラズマ処理を施して、表面エネルギーを制御することによりＤＬＣ皮膜を製造するＤＬＣ皮膜の製造方法。前記プラズマ処理は、照射イオン量を調整してＤＬＣ皮膜にプラズマ照射する処理であり、照射イオン量は１．３０×１０^１６〜１．８５×１０^１７イオン／ｃｍ^２であり、バイアス（イオン加速）電圧は８０〜１４０Ｖである。 （もっと読む）

【課題】 β−ジケトネート配位子を有する有機金属組成物を含むような、ＣＶＤ前駆物質に対して広い効用を有する新規な溶剤組成物を提供すること
【解決手段】 溶剤種Ａ、Ｂ及びＣの混合物を含む、有機金属前駆物質の液体供給化学蒸着のための溶剤組成物であって、前記混合物の全容量に対して、Ａが約３〜約７容量部であり、Ｂが約２〜約６容量部であり、Ｃが約３容量部まで存在しているＡ：Ｂ：Ｃの比率を有し、ＡがＣ_６−Ｃ_８アルカンであり、ＢがＣ_８−Ｃ_１２アルカンであり、Ａ及びＢが互いに異なっており、Ｃがグライムを主成分とする溶剤（グライム、ジグライム、及びテトラグライム）及びポリアミンからなる群から選択される溶剤組成物。およそ５：４：１の重量比のオクタン、デカン及びポリアミンを含有する特定の溶剤組成物が、ＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９フィルムの形成に特に有効に使用される。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶シリコン膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】本発明の微結晶シリコン膜の作製方法は、絶縁膜５５上に、第１の条件により第１の微結晶シリコン膜５７をプラズマＣＶＤ法で形成し、第１の微結晶シリコン膜上に、第２の条件により第２の微結晶シリコン膜５９を形成し、第１の条件は、処理室内に供給する原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と水素が含まれたガスを用い、堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第２の条件は、処理室内に供給する原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と水素が含まれたガスを用い、堆積性気体の流量に対する水素の流量を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する第１の微結晶半導体膜を酸化絶縁膜上に形成した後、第２の条件により混相粒を結晶成長させて混相粒の隙間を埋めるように、第１の微結晶半導体膜上に第２の微結晶半導体膜を積層形成する。第１の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量比を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第２の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量比を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ膜の表面上にさらに別個の独立したなじみ膜を形成する工程を経ることなしに、初期なじみ性に優れた被覆部材を、できるだけ小さい消費エネルギーで、生産性良く製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】被覆部材の製造方法は、基材４を収容する処理室３内を真空排気し、かつ少なくとも炭素系化合物を含む原料ガスを導入しながら、前記基材に電圧を印加することによりプラズマを発生させて前記基材の表面にＤＬＣ膜を形成したのち、真空排気を続けながら電圧の印加を停止するとともに、原料ガスに代えて水素ガスを導入して、形成したＤＬＣ膜を水素ガスによって処理する。 （もっと読む）

シリコン系薄膜太陽電池のための可動堆積ボックス（０２）は、可動チャンバに設けられた少なくとも１群のカソード板（２０３）および１枚のアノード板（２０８）からなる電極アレイを含み、給電ソケット（２０３−１）がカソード板（２０３）の裏側の中心領域の円または半円凹部表面に位置付けられ、平坦な中間部分を有する給電要素（２０１）の円または半円端面（２０１−１）が信号給電ソケット（２０３−１）に接触し、ＲＦ／ＶＨＦ電源信号を給電し、アノード板（２０８）が接地され、カソード板のシールドカバー（２０４）がスルーホール（２０４−１）を有し、カソード板（２０３）から絶縁される。
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【課題】バイアスパワーを印加して、窒化珪素膜を成膜する際、基板周辺部におけるブリスタの発生を抑制する窒化珪素膜の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】半導体素子に用いる窒化珪素膜を、プラズマ処理により基板上に形成する窒化珪素膜の製造方法及び装置において、時間ｂ１において基板にバイアスを印加すると共に、バイアスを印加した後、時間ｂ３において、窒化珪素膜の原料ガスＳｉＨ₄の供給を開始する。 （もっと読む）

【課題】低融点を有し、且つ、熱に対しての安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による成膜に適した有機金属錯体、及び当該有機金属錯体を用いた金属含有薄膜の製造法の提供。
【解決手段】式（１）


（式中、Ｍは、金属原子を示し、Ｘは、アルコキシアルキル部位を１〜２個有するアルキル基で、Ｙは、Ｘ置換基に加え、炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基であり、Ｚは、水素原子などを示す。ｍは、配位子の数を示し、金属Ｍの価数に等しい。）で示されるアルコキシアルキル基を有するβ−ジケトナトを配位子とすることを特徴とする有機金属錯体。 （もっと読む）

【課題】バイアスパワーを印加して成膜した窒化珪素膜から離脱する水素を適正に制御する半導体素子の窒化珪素膜、窒化珪素膜の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理により基板１９上に形成され、半導体素子に用いる窒化珪素膜において、当該窒化珪素膜が、水素の供給を遮断したい膜４１と接する場合、当該窒化珪素膜を、基板１９にバイアスを印加して形成したバイアス窒化珪素膜３１と基板１９にバイアスを印加しないで形成したアンバイアス窒化珪素膜３２とを積層して構成すると共に、アンバイアス窒化珪素膜３２を膜４１に接する側に配置する。 （もっと読む）

【課題】ボート上にダミーウエハと隣接して製品ウエハを搭載するようにした基板処理装置において、製品ウエハの面間膜厚均一性を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ボート上に、表面に凹凸が形成された複数の第１の基板（製品ウエハ）を積層保持するとともに第１の基板の上端若しくは下端に第１の基板よりも表面の凹凸が少ない第２の基板（ダミーウエハ）を保持し、処理室内にて第１の基板および第２の基板を処理する際に、第１の基板および第２の基板に向けて処理ガスを供給するとともに、第２の基板に向けて不活性ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】 樹脂材の熱伝導率、摺動性、さらには耐熱性、強度、剛性を一層高め、高熱伝導性、剛性、傷つき防止、高摺動性などの特性を付与された積層体を提供する。
【解決手段】 樹脂材と、抵抗値１×１０⁷Ωｃｍ以上(１００℃)を有する膜厚５０ｎｍ〜１０μｍの炭素膜とを積層し、前記炭素膜は、ＣｕＫ_α1線によるＸ線回折スペクトルにおいて、ブラック角（２θ±０.３°）の４１〜４２°にスペクトルのピークを備え、かつ前記樹脂材に形成された炭素膜の熱伝導率は、光交流法で測定した値で７０〜７００Ｗ／ｍＫである積層体であって、前記炭素膜は、プラズマの電子密度；０.５〜３.０ｅＶの位置に置かれた樹脂材の上に形成される。 （もっと読む）