【課題】 温度が６０℃で湿度が９０％（ＲＨ）という様な過酷な湿熱環境下でもバリア性が劣化せずに表示デバイス内部に水が浸入しないという良好なバリア性を有すると共に、端面からの酸素及び水蒸気の浸入をも防ぐことができるガスバリア性フィルム積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】 プラスチック材料からなる基材フィルムの一方の面に、第１の耐候性コート層、蒸着層、及び、第２の耐候性コート層を、この順に設けたガスバリア性フィルム積層体において、該第１の耐候性コート層、及び又は、第２の耐候性コート層が、架橋性基を有するフッ素含有共重合体と該架橋性基と反応する硬化剤とにより形成されたフッ素系樹脂からなることを特徴とするガスバリア性フィルム積層体を提供することにより上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】 温度が６０℃で湿度が９０％（ＲＨ）という様な過酷な湿熱環境下でもバリア性が劣化せずに表示デバイス内部に水が浸入しないという良好なバリア性を有すると共に、端面からの酸素及び水蒸気の浸入をも防ぐことができるガスバリア性フィルム積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】 プラスチック材料からなる基材フィルムの一方の面に、第１の耐候性コート層、蒸着層、及び、第２の耐候性コート層を、この順に設けたことを特徴とするガスバリア性フィルム積層体を提供することにより上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】反応律速領域で成膜反応を起こさせることによって，アスペクト比が大きなコンタクトホールであっても，より薄くてカバレッジの良好なチタン膜を成膜し，コンタクトホールの抵抗を低減する。
【解決手段】 基板Ｗを載置するサセプタ１１２と，処理ガスを処理室１１１内に供給するシャワーヘッド１２０と，プラズマを生成するための高周波を所定のパワーでシャワーヘッドに供給する高周波電源１４３と，処理室内を排気して所定の圧力に減圧する排気装置１５２と，チタン膜の成膜処理に適用しようとする成膜ガスの流量が，成膜処理の反応律速領域に入るように，還元ガスの流量，処理室内の圧力，高周波パワーのいずれかを変えることによって，前記反応律速領域を制御する制御部１９０とを設けた。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより組成の制御性がよく、平滑性の高いＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５となるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を成膜するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法であって、気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料、または、それらに加えてＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５が形成されない程度の少量の気体状のＴｅ原料を、前記処理容器内に導入して基板上に、Ｔｅを含有しないかまたはＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５よりも少ない量のＴｅを含有する前駆体膜を形成する工程（工程２）と、気体状のＴｅ原料を処理容器内に導入し、前駆体膜にＴｅを吸着させて膜中のＴｅ濃度を調整する工程（工程３）とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置に適した化合物を原料として、ガスバリア及び半導体用のバリア膜、エッチストップ膜、ハードマスク膜等として使用できる有機窒化ケイ素含有膜を形成し、それらの膜を用いたガスバリア膜及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】少なくとも一つの水素原子がケイ素原子に直結し、且つ少なくとも一つの水素原子が窒素原子に直結した構造を有する有機窒化ケイ素化合物（例えば、一般式（１）等で表される化合物）を原料として用い、化学気相成長法により封止膜を形成してガスバリア部材、ＦＰＤデバイス、半導体デバイス等に用いる。
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【課題】
使用に伴う傷などの外観品質低下の抑制に優れ、しかも装飾性に優れた黒色硬質膜を有する装飾品を提供すること。
【解決手段】
ステンレス、Ｔｉ、Ｔｉ合金または黄銅などの装飾品用軟質基材表面に、色調層を有する装飾品であって、色調層は多孔質アモルファスカーボン層から形成されている事を特徴とする。本発明によれば、前述の装飾品用基材からなる装飾品の表面に、装飾性の高い黒色の色調が得られ、しかも、硬質で傷等による外観品質の劣化が起きにくい黒色硬質皮膜を有する装飾品及びその製造方法を提供することが出来る。 （もっと読む）

【課題】量産工程に対応可能な大気圧プラズマＣＶＤ法を用いて、低抵抗な透明導電膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜の成膜方法は、基板と成膜用印加電極との間に、有機金属化合物ガス、希ガス、および酸化ガスを含む成膜用ガスを供給するステップと、大気圧または大気圧近傍の圧力下において、基板と成膜用印加電極との間に高周波電圧を印加することにより、成膜用ガスから成膜用プラズマを発生させるステップと、該成膜用プラズマに基板を暴露する第１ステップと、基板と後処理用印加電極との間に、希ガスを含む後処理用ガスを供給するステップと、基板と後処理用印加電極との間に高周波電圧を印加することにより、後処理用ガスから後処理用プラズマを発生させるステップと、該後処理用プラズマに透明導電膜を暴露する第２ステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲットが磁性体・非磁性体であるに関わらず、ターゲット上に均一な平行磁場分布を形成し、均一なエロージョンが得られ、ターゲットの広幅化やスパッタ薄膜形成速度向上あるいはＣＶＤ成膜速度向上の効果が得られる放電電極及び放電方法を提供する。
【解決手段】平板ターゲットを有する放電電極において、前記平板ターゲットの表面側の両側縁に沿うように設けられ、前記平板ターゲットを隔てて対向する磁性体と、該磁性体を隔てて前記平板ターゲットの反対側に前記磁性体と組み合わせて設けられ前記平板ターゲットを隔てて異極性の関係であるターゲット上部磁石を有することを特徴とする放電電極。 （もっと読む）

【課題】シャワープレート等を取り外さずに、シャワープレートの有無を切り替えて基板の処理や成膜が可能なガス分散用装置、このガス分散用装置を備えた真空処理装置、並びにこの真空処理装置を用いた基板の処理方法及びカーボンナノチューブの形成方法を提供する。
【解決手段】ガス供給管に連通する第１の開口部３２及び真空処理装置内部にガスを供給するための第２の開口部３３をそれぞれ対向して上面及び下面に有するハウジング３１と、ハウジング内に設けられた水平方向に滑動自在のガス分散用部材３４であって、複数のガス供給用孔３４ｃが設けられている前方部分３４ａ及びこの孔が設けられていない後方部分３４ｂとからなるガス分散用部材と、ガス分散用部材を滑動せしめるための駆動機構３５とを備えてなり、ガス分散用部材を前方に滑動せしめた時に、第２の開口部に前方部分が位置するように構成される。 （もっと読む）

【課題】基板面内均一性を保ちながら原料利用効率を向上させ、かつ半導体製造コストを削減させた半導体薄膜製造装置及び窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】温度特性調整機構４０により、サファイア基板７の対向面の反応炉壁面を５００〜７００Ｋ（より望ましくは５５０〜６５０Ｋ）に制御すると基板上流からの距離に対するＧａＮ成長レートの特性が最も線形に近く基板面内均一性を保つことができる。そして、この範囲では原料利用効率も３７．５％程度と高い。原料反応領域Ａにおいて、下方からの温風を温度特性調整機構４０により調整して原料反応領域Ａにおけるガスの流れを安定かつ一様にさせる。その結果、基板面内均一性を保ちながら原料利用効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】大気圧または大気圧以上の成膜処理で窓の破損や窓を通る輻射熱の減少を生じないサーマルリアクタを提供する。
【解決手段】半導体ウェハ３０８を収納するウェハチャンバ３０４を有するサーマルリアクタ３００は、上部熱源３０８の下に取り付けられるカバー部材３０６により画成されており、カバー部材３０６の中央窓部分３１４を凹状の外部表面の石英窓とする。 （もっと読む）

【課題】低温での成膜において基板の侵食を抑制する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１４を処理室９２に搬入する第１の工程と、第１の原料としての固体金属６６を収容する生成室６２に、第２の原料としての塩素含有物と第３の原料としての励起ガスを供給し、プラズマ励起して金属塩化物を生成する第２の工程と、前記第２の工程により生成した金属塩化物を前記処理室９２に供給する第３の工程と、第４の原料としての還元性ガスを前記処理室９２に供給する第４の工程と、ウエハ１４を前記処理室９２から搬出する第５の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】生産効率を向上させ、処理ガスの使用効率を高めることができる基板処理装置を提供することができる。
【解決手段】処理室と、被処理基板を内蔵するための複数のサセプタと、前記処理室内にあって、前記複数のサセプタを並べて一定距離ずつ移動させる移動手段と、この移動手段により移動されるサセプタを加熱する加熱手段と、前記サセプタ内部へ反応性ガスを供給するガス供給手段と、を有する基板処理装置を有する。 （もっと読む）

【課題】混合基板の選択された領域上に、Ｓｉ含有膜を選択的に堆積するためのトリシランおよびハロゲン含有エッチャントソース（塩素など）を使用する化学気相成長方法を提供すること。
【解決手段】ドーパントソースは、ドープしたＳｉ含有膜を選択的に堆積させるために、トリシランおよびエッチャントソースと混合することもできる。この選択的堆積方法は、半導体製造などの様々な用途に有用である。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ成膜後の降温時におけるスリップ発生を抑え、歩留り、信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室内にウェーハを搬入し、支持部材上に載置し、ウェーハの表面に、ソースガスを含むプロセスガスを供給し、ウェーハを第1の回転数で回転させながら、ヒータの出力を制御して所定温度に加熱することにより、ウェーハの表面に成膜を行い、ソースガスの供給を止め、ウェーハの回転数を、ウェーハのオフセットバランスを保持可能な第２の回転数に降下させるとともに、ヒータの出力を止め、第２の回転数で回転させながらウェーハを降温させる。 （もっと読む）

【課題】高い寸法精度で製造することができ、かつパーティクル・ダストの排出を抑制することができるガスノズルを提供する。
【解決手段】ガスノズル４は、ガスが流れる貫通孔１２，１４を備えた本体１３を有する。本体１３は、貫通孔１２，１４のそれぞれの内周面に複数の環状の段差部１６ａ，１６ｂ，１６ｃを有し、ガスが流れる方向における各段差部１６ａ，１６ｂ，１６ｃの上流よりも下流において、貫通孔１２，１４のそれぞれの内周面が、より中心側に位置している。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体膜の気相成長において、一度に処理する基板の枚数を増大させ、生産性を向上させることができる膜の形成方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】縦型バッチ処理室２０１内の基板処理領域２０６２に複数の基板が搬入される工程と、前記処理室内の前記基板処理領域が加熱維持され、前記処理室内の前記基板処理領域外に設けられた第一ガス供給口９３１から窒素含有ガスが供給され、前記第一ガス供給口９３１よりも前記基板処理領域側に設けられた第二，第三，第四，第五ガス供給口９３５，９３６，９３７，９３８から金属含有ガスが供給され、前記複数の基板に窒素及び金属からなる窒化物半導体膜が形成される工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｃ／Ｃコンポジットに較べて低温での摩擦係数が高く、また摩擦係数の温度依存性の抑制されたＣ／Ｃコンポジット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アルコールＣＶＤ法などの熱ＣＶＤ法により、Ｃ／Ｃコンポジット表面にカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を生成させることで、低温での摩擦係数が上昇し、摩擦係数の温度依存性が改善され、広い温度域において優れた摩擦特性を有し、自動車、自動二輪車等の車両や航空機などのブレーキ材料のように温度変化が激しい用途の構成材料として好適なＣ／Ｃコンポジットを提供できる。 （もっと読む）

【課題】反応ガスがライナ等の基板周囲の部材に接触することを防止し、反応生成物が付着するのを防ぐことができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１と、チャンバ１内に反応ガス２６を供給する反応ガス供給部１４と、チャンバ１内に不活性ガス２５を供給する不活性ガス供給部４と、チャンバ１内に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２内に設けられ、半導体基板６が載置されるサセプタ７とを有する。ライナ２は、反応ガス２６の流路となる頭部３１と、サセプタ７を内部に配置する胴部３０とが、スリット３８を介して配置されており、スリット３８から不活性ガス２５が流下するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】 有機成分を含有する有機珪素化合物の撥水性及び離型性の蒸着膜を有する繊維強化プラスチック（ＦＲＰ）成形加工用フィルム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 プラズマ化学気相成長法（ＰＥ−ＣＶＤ法）により、プラスチック基材上にＳｉ−Ｃ又はＣ−Ｈ結合を含有する有機珪素化合物の蒸着膜を形成させてなるＦＲＰ成形加工用フィルム及びその製造方法において、分子内にＳｉ−Ｏ結合を含有する有機珪素化合物を蒸着原料とし、前記有機珪素化合物ガスの蒸着時に有機珪素化合物及び炭素原子含有化合物に起因する有機成分を蒸着膜中に含有し、加熱処理時に有機成分が離型層表面に転移し、優れた離型性を発現できる離型層をプラスチック基材上にプラズマ化学気相成長により成膜させ、有機珪素化合物中の有機成分に基づく撥水性を発現させ、離型性を付与してなるＦＲＰ成形加工用フィルム及びその製造方法である。 （もっと読む）