【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、全体としてコイルをなす銅棒３が、石英ブロック４に設けられた銅棒挿入穴１２内に配置され、石英ブロック４は、銅棒挿入穴１２及び冷却水配管１５内を流れる水によって冷却される。トーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、銅棒３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長装置に代表される誘導加熱により基板処理装置において、装置の高さを高くせずに基板載置領域の均熱長を確保する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内に収容され、複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持するボートと、処理室内で基板の収容領域を囲うように設けられ、筒状の側壁を有する被誘導体と、被誘導体を誘導加熱する誘導コイルと、を具備し、被誘導体の筒状の側壁の上端側及び下端側の厚さは、筒状の側壁の中央部の厚さより薄い。また、誘導コイルの上端側及び下端側は、中央部と比較して密に構成される。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素とシリコン酸化物の特性を兼ね備えた非晶質炭素・シリコン酸化物混合膜を均一且つ迅速に成膜可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】対向配置された保持電極１と印加電極２を有する電極体１０との間に原料ガスを含む混合ガスＧ₀を供給し、大気圧雰囲気下において、必要に応じて電極体１０と保持電極１との間に直流バイアス電圧を発生させながら、印加電極２に交流電圧を印加する。これにより、保持電極１に保持された被成膜体Ｗと電極体１０との間でグロー放電プラズマを発生させ、被成膜体Ｗに非晶質炭素・シリコン酸化物混合膜を成膜する。原料ガスは、炭化水素系ガスと有機シラン系ガスと酸素源ガスとを含む。原料ガス中、有機シラン系ガス：酸素源ガス＝９９．９：０．１〜０．１：９９．９であり、且つ、炭化水素系ガス：有機シラン系ガス＋酸素源ガス＝１：９９〜９９：１の混合比で構成されている。 （もっと読む）

【課題】反応室内のＳｉＣ基板の配列領域に積極的にガスを供給し、ガス流れを最適化することで、基板上での原料ガスを消費しやすくし、基板面内でのガス流れを均等化し、積層された基板間の下方方向への流れ落ちを抑制するＳｉＣ縦型熱処理装置の提供。
【解決手段】炭化珪素膜を成長させることを可能とする反応室とその中に配置されたボートを有し、且つそのボートには、複数枚の基板１４が平行に縦積みで配置され、反応室内に設けられたガス供給ノズル６０，７０の基板の配列領域に設けられた第一のガス供給ノズルから少なくともシリコン原子含有ガスを供給し、ガス供給ノズルとは異なる箇所であって、基板の配列領域に設けられた第二のガス供給ノズルから少なくとも炭素原子含有ガスを供給して、基板上に炭化珪素膜を成膜する縦型基板処理装置において、反応室内の基板の配列領域に積極的にガスを供給し、ガス流れを最適化するための壁体３００を設ける。 （もっと読む）

【課題】所望の膜厚分布を有する薄膜を堆積可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】少なくとも第１の原料ガスおよび第２の原料ガスを基板に対して交互に供給することにより、第１の原料ガスと第２の原料ガスとの反応により生じる反応生成物質の薄膜を基板に堆積する成膜方法が開示される。この方法は、基板が収容される処理容器内にガスを供給することなく処理容器内を真空排気するステップと、処理容器内に不活性ガスを所定の圧力まで供給するステップと、処理容器内の真空排気を停止した状態で、不活性ガスが所定の圧力に満たされた処理容器内に第１の原料ガスを供給するステップと、第１の原料ガスの供給を停止するとともに処理容器内を真空排気するステップと、処理容器内に第２の原料ガスを供給するステップと、第２の原料ガスの供給を停止するとともに処理容器内を真空排気するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド膜に対して高い密着性を有するコバルト膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００の処理容器１内で、処理容器１内にＣＯガスを導入しながら、ポリイミド膜８１が形成されたウエハＷを１１０℃以上４００℃以下の温度で加熱し、ポリイミド膜８１を熱処理する。熱処理によって、ポリイミド膜８１中の分子が熱分解し、膜密度が減少するとともに、表面粗度が大きくなる。その後、処理容器１内に成膜原料であるＣｏ_２（ＣＯ）_８を導入してＣＶＤ法によりポリイミド膜８１上にコバルト膜８３を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】縦型チューブ処理装置において、ガス供給ノズルの最上部にあるガス供給口から噴出された反応ガスがウェハボートの上面より上の空間にも流れてしまい処理室内で反応ガスの流速や流量が変わってしまうことを抑制する。
【解決手段】複数の基板１４を処理する反応室４４と、反応室４４を囲むように設けられる加熱部４８と、複数の基板１４を保持して反応室４４内に載置されるボート３０と、反応室４４内に設置され、複数の基板１４に向かって成膜ガスを供給する複数のガス供給口を有するガス供給ノズル６０，７０と、反応室４４内の雰囲気を排気する排気口９０，３９０と、ボート３０の側面を挟むように設けられた整流壁と、ガス供給ノズル６０，７０の上端より上方に設けられ、前記複数のガス供給口からボート３０の上端より上方の空間を通って排気口９０へ向かう流路に設けられたガス流抑止部３１０と、を具備する装置とする。 （もっと読む）

【課題】成膜原料としてＣｏ_２（ＣＯ）_８を用いてＣｏ膜を成膜する場合に、段差被覆性が良好でかつ再現性高くＣｏ膜を成膜することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１内に基板Ｗを配置し、成膜原料として固体原料であるＣｏ_２（ＣＯ）_８を用い、これをＣｏ_２（ＣＯ）_８の分解開始温度未満の温度で気化させて気体原料とし、これを基板Ｗに至るまでＣｏ_４（ＣＯ）_１２が生成されないようにして基板Ｗに供給し、前記基板上で熱分解によりＣｏ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】従来のガスノズルの固定構造においては、ガス供給ポートへの接続に際し、ガスノズルの破損のリスクがあり、ノズルの位置、方向の調整に時間を要していたため、ガスノズルの破損のリスクの低減、ノズルの調整の簡略化という課題があった。
【解決手段】
マニホールドの上面の処理室内側に設けられ、前記ノズル固定プレートを介し、マニホールドを貫通して前記処理室外に延在するガス供給ポートとを有し、前記ガス供給ノズルは前記ノズル固定プレートに嵌合して支持されるガス供給ノズル構造。 （もっと読む）

【課題】高温条件下で行われるＳｉＣエピタキシャル膜成長において複数枚の基板を均一に成膜することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を鉛直方向に夫々が間隔を成すように積層して保持する基板保持体と、前記基板保持体を収容し、該基板保持体に保持された複数枚の基板を処理する処理室と、前記処理室内へ処理ガスを供給する複数のガス供給穴が設けられ、鉛直方向に延在するガス供給ノズルとを備えた基板処理装置において、前記ガス供給ノズルは、複数のノズルユニットで構成され、複数のノズルユニットの夫々は、その表面が保護膜でコーティングされるよう構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置のチャンバの側壁への被膜などの付着物を従来に比して短時間で除去することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】シャワープレート１３は、基板の載置位置を含み、基板面と略平行な平板状の主面部１３１と、筒状を有し、一端が主面部１３１の外周部に接続され、他端がチャンバ１１に接続される側面部１３２と、を有する。主面部１３１には、基板保持部１２側にガスを吹き出す複数のガス供給孔１３１ａが設けられる。側面部１３２には、チャンバ１１の側壁に向かってガスを吹き出す複数のガス供給孔１３２ａが設けられる。また、シャワープレート１３は、ガス供給孔１３１ａを介して基板保持部１２側にガスを流す主ガス供給空間１３５と、ガス供給孔１３２ａを介してチャンバ１１の側壁側にガスを流す副ガス供給空間１３６と、を仕切る仕切り壁１３４を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。
【解決手段】これらの方法および装置は、第ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハーを製造するために、特にＧａＮウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも４８時間にわたり、第ＩＩＩ族元素が少なくとも５０ｇ／時の質量流で提供される。気状第ＩＩＩ族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。 （もっと読む）

【課題】 気化室の所定温度下での気化効率を効果的に向上させることができ、その上、後工程に送られるガス中の原料ガスの分圧を高くできる液体原料の気化方法を提供する。
【解決手段】 気化室２２に通じる原料供給路３２、４２を介して液体原料を供給する際、原料供給路内で液体原料に所定流量でセカンドキャリアガスを予め混合して気液混合状態とし、気化室を臨む原料供給路の導入口周辺からキャリアガスを噴射することで、液体原料を気化室内に噴霧し、この噴霧された液体原料を、所定温度に加熱された気化室内での熱交換により気化し、この気化された原料ガスを当該気化室に開設した排出口２４から排出する。この状態で前記導入口から気化室に噴射する。 （もっと読む）

【課題】液体ソースを気化して成膜処理に用いられる処理ガスを得るにあたり、気化量を安定させ、かつ処理ガス濃度を高めること。
【解決手段】液体ソースを貯留するための気化室３の天井部に面接触した状態で、毛細管現象により液体ソースが広がる繊維体からなる面状体４１を設ける。また、一端側が前記面状体４１に接続され、他端側が前記気化室３内の液体ソースに接触するように、前記液体ソースを毛細管現象により吸い上げて面状体４１に供給する吸い上げ部４２を設ける。気化室３を加熱することにより、面状体４１が加熱され、液体ソースが液面から気化すると共に、面状体４１の表面からも気化するので、処理ガス濃度を高めることができる。また、吸い上げ部４２のみが液体ソースに接触しているので、液面の高さ位置が変動しても、面状体への液体ソースの拡散状態に影響がなく、安定した気化量を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス作業の手間を低減させ、プラズマＣＶＤ装置の稼動率を向上させながらも、被処理体の膜厚のばらつきを抑制できるノズルを提供する。
【解決手段】被処理体１の表面に成膜処理を施すプラズマＣＶＤ装置に取り付けられ、被処理体１が配置された放電空間に放電ガスおよび成膜ガスを供給し、放電ガスを供給する放電ガス流路１４と成膜ガスを供給する成膜ガス流路１６とを各別に設け、放電ガス流路１４の下流側の端部に、放電ガスを吐出する放電ガス吐出口１５を設けるとともに、成膜ガス流路１６の下流側の端部に、放電ガス吐出口１５から吐出される放電ガスを挟み込み又は包囲する領域に成膜ガスを吐出する成膜ガス吐出口１７を設けてある。 （もっと読む）

【課題】基板（特にＳｉＣエピタキシャル膜が形成された基板）の生産効率を向上させると共にガス供給口への膜の形成を抑制する。
【解決手段】複数の基板１４が縦方向に並んで配置される反応室と、反応室を覆うように設けられ、処理室を加熱する加熱部と、反応室内に複数の基板１４に沿うように設けられ、複数の基板１４が配置される方向に向けて第１ガスを噴出する第１ガス供給口６８を有する第１ガス供給管６０と、反応室内に複数の基板１４に沿うように設けられ、複数の基板１４が配置される方向に向けて第２ガスを噴出する第２ガス供給口７２を有する第２ガス供給管７０と、少なくとも第２ガスが第１ガス供給口へ向かう流れを抑制する第１遮蔽部と、を具備する熱処理装置。 （もっと読む）

【課題】低い誘電率及び改良された機械的性質、熱的安定性及び化学的耐性を有する多孔質有機シリカガラス膜を提供する。
【解決手段】式Ｓｉ_ｖＯ_ｗＣ_ｘＨ_ｙＦ_ｚ（ここで、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖは１０〜３５原子％、ｗは１０〜６５原子％、ｘは５〜３０原子％、ｙは１０〜５０原子％、及びｚは０〜１５原子％）で表わされる多孔質有機シリカガラス膜を製造する。オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群より選ばれる前駆体並びにポロゲンを含むガス状試薬を真空チャンバに導入し、ガス状試薬にエネルギーを加え、ガス状試薬の反応を生じさせて基体上に予備的な膜を堆積させる。その予備的な膜は細孔を持ち、誘電率が２．６未満である多孔質膜を得るために、実質的にすべてのポロゲンを除去される。 （もっと読む）

【課題】クリーニング・プロセスの結果生じる副産物がウェファを汚染することを防止する、収集プロセスを提供すること。
【解決手段】装置及びそれを作動させる方法。この方法は、チャンバ（２００）を含む装置を準備するステップを含み、チャンバは、第１（２６０ａ）及び第２（２６０ｂ）の入口と、チャンバ内のアノード（２１０）及びカソード（２３０）構造体と、カソード構造体（２３０）上のウェファ（１００）とを含む。クリーニングガス（２６０ｂ）は、第１の入口を通じてチャンバ内に注入される。収集ガス（２６０ａ）は、第２の入口を通じてチャンバ内に注入される。クリーニング・ガスはイオン化されたときに、ウェファの上面をエッチングしてチャンバ内に副産物混合物をもたらす性質を有する。収集ガスは、副産物混合物がウェファの表面に再度堆積することを防止する性質を有する。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が大きい原料と、その原料を用いたガスバリア性能が大きい炭素含有酸化ケイ素からなる組成膜を提供する。
【解決手段】アルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物、例えば下式１、４を原料として用い、プラズマ励起化学気相成長法により炭素含有酸化ケイ素からなる膜を形成する。


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【課題】成膜温度が１８０℃以下で形成される絶縁膜の絶縁性を高めることの可能な絶縁膜の形成方法及び該絶縁膜を形成する成膜装置を提供する。
【解決手段】
マスフローコントローラＭＦＣ１から原料タンクＴＫにＡｒガスを供給することによって押し出されたＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスと、マイクロ波プラズマ源ＰＬで励起することによって活性状態にされた酸素原子を含むガスとを、シャワープレート３６に設けられた複数の孔から別々に基板Ｓ表面の空間に供給する。この際、活性状態にされた酸素原子を含むガスの供給を連続的に行う間に、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４昇華ガスの供給を間欠的に複数回行ってもよい。これにより、ジルコニウムと、ホウ素と、酸素とを含む絶縁膜であるＺｒＢＯ膜を基板Ｓの表面及び該基板Ｓの有する貫通孔の内面に形成する。 （もっと読む）