【課題】 半導体装置の形成のための方法が提供される。
【解決手段】 本方法は、プロセスチャンバ内の基板ホルダ上に基板を準備し、前記基板が、上部表面と側壁表面を持つ立ち上がり構造を含み；前記プロセスチャンバ内にプロセスガスを流し、前記プロセスガスが炭化水素ガス、酸素含有ガス、及び場合によりアルゴン又はヘリウムを含む。本方法はさらに、プロセスチャンバ内のプロセスガス圧力を少なくとも１トールに維持し、マイクロ波プラズマ源を用いてプロセスガスからプラズマを形成し、及び基板をプラズマに暴露して共形アモルファスカーボンフィルムを前記立ち上がり構造の表面上に堆積させることを含む。 （もっと読む）

【課題】原料収率の向上を図るとともに、超電導用基材の表面への超電導層の成膜を安定して行うことができるＣＶＤ装置、及び、超電導線材の製造方法を提供すること。
【解決手段】原料ガスを噴出する原料ガス噴出部４１と、テープ状基材Ｔを支持するとともに伝熱によりテープ状基材Ｔを加熱するサセプタ３３と、サセプタ３３を加熱するヒータ３５と、原料ガス噴出部４１から噴出された原料ガスをテープ状基材Ｔの表面に案内する延長ノズル４３とを備え、テープ状基材Ｔの幅方向における両側にダミーテープＳが配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜条件が異なる場合であっても多数の基材に対して一度に且つ均一に成膜を行うことにより生産性を向上させる。
【解決手段】本発明のＡＩＰ装置１０１は、真空チャンバ内を真空排気する真空排気手段と、成膜対象である基材を自転状態で保持する４つの自転保持部４と、自転保持部４をその自転軸と軸心平行な公転軸Ｑ回りに公転させる公転テーブル５と、アーク蒸発源６と、４つのバイアス電源１０Ｂ１〜１０Ｂ４を備えた電源ユニット１０Ｂとを備え、自転保持部４の各々はスリップリング１５１を介して異なるバイアス電源に接続され、バイアス電位の差により異なる成膜条件を構成する。 （もっと読む）

【課題】基板におけるプラズマ誘発損傷を減少させる方法を提供する。
【解決手段】基板２１６をチャンバ２１０内に配置し、一つ以上のプロセスガスをチャンバ２１０内に流入させ、プラズマ源電力を第１電力レベルで加えることにより、一つ以上の該プロセスガスからプラズマを生成させ、基板２１６上に膜を堆積させ、該プラズマ源電力を堆積後に該第１電力レベル以下に逓減させる。 （もっと読む）

【課題】非極性面及び半極性面を主面とした結晶成長において、多結晶が発生することにより生じる、結晶の厚膜成長阻害を防ぐことを課題とする。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶からなり非極性面又は半極性面を主面とする下地基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法において、前記主面からｃ軸方向に±９０°傾斜した面をＫ面と定義したとき、該Ｋ面に対して特定の角度の面を有する側面を持った下地基板を用いることで多結晶発生の問題を解決する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、或いは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、ソレノイドコイル３及び石英管１５が石英ブロック４に接合され、石英ブロック４は、ソレノイドコイル３及び石英管１５内を流れる水によって冷却される。誘導結合型プラズマトーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】工程が煩雑になることなく、埋め込み部分のボイドやシームを解消することができるタングステン膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内において、ホールを有する基板にＣＶＤによりタングステン膜を成膜してホール内にタングステンの埋め込み部を形成する工程と、同じ処理容器内にエッチングガスとしてＣｌＦ_３ガスまたはＦ_２ガスを供給して埋め込み部の上部をエッチングし、開口を形成する工程と、開口が形成された埋め込み部を有する基板に対して同じ処理容器内において、ＣＶＤによりタングステン膜を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法において、結晶性が高く欠陥密度の低いシリコン膜を得ることができ、また成膜速度が高い成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器１の上面にコイル状のアンテナ５２を設け、このアンテナ５２に高周波電力を印加することにより、処理容器１内上部にプラズマ生成空間を形成する。そしてこのプラズマ生成空間に第１のガス供給部からヘリウムガスを供給することによりヘリウムの活性種を生成する。一方この第１のガス供給部よりも下方にて、第２のガス供給部４からモノシランガスを上方へ向けて吐出する。こうしてヘリウムの活性種とモノシランガスとが混合され、モノシランがプラズマ化される。このプラズマ化されたモノシランを含む混合ガスを基板Ｓに供給することにより成膜処理を行う。この成膜処理において水素ガスは用いない。 （もっと読む）

【課題】互いに異なる流動ガスを交互に注入して工程温度を変化させる化学気相蒸着方法を使用した発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の化学気相蒸着方法を使用した発光素子の製造方法は、第１工程温度で、サテライトディスクに載置された基板上に量子ウェル層を形成する段階と、第２工程温度で、量子ウェル層上に量子障壁層を形成する段階と、を有し、量子ウェル層と量子障壁層とを形成する段階を少なくとも一回遂行する。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜される膜の膜厚の均一性を向上する。
【解決手段】基板２００を搬送経路に沿って搬送する搬送コンベアと、搬送経路中に位置する成膜室１００と、搬送経路に沿ってトンネル状に位置し、成膜室１００を通過する基板２００を取り囲んで加熱する加熱炉１２０とを備える。成膜室１００は、筐体１５０と、この筐体１５０内に成膜材料を微粒子化した成膜ガスを噴霧する噴霧機構と、筐体１５０の１つの側壁に位置して成膜ガスを排気するための排気口とを有する。筐体１５０は、成膜室１００を通過する基板２００と対向する開放部を加熱炉１２０内に有する。成膜ガスは、成膜室１００において、噴霧機構から開放部を通過して排気口に向けて流動する。開放部は、対向して通過する基板２００の搬送方向と直交する方向において、基板２００の幅に対して１．１５倍以上１．４倍以下の幅を有する。 （もっと読む）

【課題】継続的に使用しても内壁面に反応生成物が実質的に付着することはなく、生産効率を格段に伸ばすことができる反応槽を提供することを目的としている。
更に、その製造法によれば、継続的に使用しても内壁面に反応生成物が実質的に付着することのない製造プロセス用処理槽の構造体及びその構造体を用いた製造プロセス用処理槽を容易に提供できる製造プロセス用処理槽の構造体及びその構造体を用いた製造プロセス用処理槽の製造法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る反応槽は、槽本体の内表面にＰＦＡから成る膜を設けたものである。又、反応槽及びその構造体の製造法は、内壁面に溶融・再溶融してＰＦＡ膜を設けるものである。 （もっと読む）

【課題】基板のエッジ領域に導入するエッジガスが基板のセンタ領域に拡散することを抑制する。
【解決手段】 基板のセンタ領域とその周りのエッジ領域に向けてガスを別々に供給するガス導入部を構成する上部電極２００を設ける。上部電極はセンタガスのガス孔２１２を複数設けたセンタガス導入部２０４と，エッジガスのガス孔２１４を複数設けたエッジガス導入部２０６とを備え，エッジガス導入部のガス孔に連通するガス孔２３２が形成されたガス孔形成板２３０をエッジガス導入部の下面に取り付けることによって，エッジガス噴出口の垂直位置を調整できるようにした。 （もっと読む）

【課題】高品質の薄膜を成膜することができるとともに、大面積の成膜に容易に対応することができるプラズマ処理装置および薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】被処理体４を収納する反応チャンバー１と、反応チャンバー１内に配置され、被処理体４を保持するステージ５と、反応チャンバー１内に配置され、反応チャンバー１内に高周波放電を発生させる内部アンテナ７と、反応チャンバー１内を、下部空間１０ａと、上部空間１０ｂとに仕切る仕切板１１と、プラズマエリア１０ａ２に第１のガスを供給する第１のガス供給部と、プラズマ抑制エリア１０ａ１に第２のガスを供給する第２のガス供給部とを備え、反応チャンバー１内で、プラズマ化された第１のガスと、プラズマ化が抑制された第２のガスとを接触させて分解反応を起こさせ、該分解反応に基づいて被処理体４上に薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】内部圧縮圧力を増強した炭窒化シリコン及び炭窒化シリコン薄膜のプラズマCVD法を提供すること。
【解決手段】本発明は、プラズマ化学気相成長（PECVD）窒化シリコン（SiN）及び炭窒化シリコン（SiCN）薄膜における内部圧縮応力の増強方法であって、アミノ・ビニルシラン・ベースの前駆体からの膜を堆積するステップを含んでなる前記方法である。より詳しく述べると、本発明は、以下の式：
［RR¹N］_xSiR³_y（R²）_z
｛式中、x＋y＋z＝4、x＝1〜3、y＝0〜2、及びz＝1〜3であり；R、R¹、及びR³が、水素、C₁〜C₁₀アルカン、アルケン、C₄〜C₁₂芳香族であり得；各R²が、ビニル、アリル、又はビニル含有官能基である。｝から選択されるアミノ・ビニルシラン・ベースの前駆体を使用する。 （もっと読む）

【課題】温度測定部が挿入され、反応管の内面に沿って延びる保護管が反応管の内面に張り付くのを避ける。
【解決手段】複数の基板が間隔をおいて重なるように当該複数の基板を保持する基板保持具と、基板保持具を収容する反応管と、反応管に収容される基板保持具に保持される複数の基板に対し、複数の基板上に成膜される薄膜の原料ガスを供給する原料ガス供給管と、反応管を支持する支持部と、反応管の外側に配置され、複数の基板を加熱する加熱部と、支持部に一端部で固定され、基板保持具と反応管との間において複数の基板の配列方向に沿って延び、内部に温度測定部が挿入される保護管と、保護管の外面と反応管の内面との少なくとも一方に設けられ、保護管の外面と反応管の内面との間に空隙を形成する突起部とを備える成膜装置により上記の課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に薄膜を形成する成膜装置に付着した堆積物をクリーニングする方法を提供する。
【解決手段】基板ステージの温度を非加熱状態〜４００℃、好ましくは２００℃〜４００℃に維持した成膜チャンバー内に水素あるいは水素−アルゴン混合ガスからなる水素系クリーニングガスを供給し、前記成膜チャンバー内に配置した電極にパルス電源装置から電力を印加することで発生したパルスプラズマを成膜チャンバー内の壁面部分に作用させて、成膜装置に付着した堆積物をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＤＰ−ＣＶＤ装置（１）の処理室内に半導体基板（１００）を搬入し、半導体基板上に化学気相成長法により第１膜（例えば、酸化シリコン膜）を形成する。その後、リモートプラズマ装置（２０）内から、Ａｌを含有する材料よりなる配管であって、その内壁にコーティング材料層を有する配管（１０）を通して、処理室内にラジカル化されたガス（例えば、フッ素ラジカル）を導入することにより処理室の内壁に付着した第１膜（例えば、酸化シリコン膜）を除去（クリーニング）する。かかる方法によれば、コーティング材料層により、発塵を低減し、クリーニング効率を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、有機金属原料の液化や固化によって加圧効率の低下を招くことなく、有機金属ガスを安定的に加圧して反応室に供給する。
【解決手段】加圧ガス供給システム２００は、液体である原料ＬにバブリングガスＢを噴射して当該原料Ｌを気化させることにより原料ガスＸを生成するバブリングユニット２１２と、バブリングユニット２１２で生成された原料ガスＸが導入されるとともに、加圧ガスＰが導入されることにより、反応室１１２より高圧の混合ガスＭを生成する加圧タンク２１４と、加圧タンク２１４と反応室１１２との差圧によって混合ガスＭを反応室１１２に供給する混合ガス供給部２１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】次の式の前駆体を用いて、原子層堆積によって、金属含有フィルムを形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｍ（ＯＲ¹）（ＯＲ²）（Ｒ³Ｃ（Ｏ）Ｃ（Ｒ⁴）Ｃ（Ｏ）ＸＲ⁵_y）₂（ここで、Ｍは、第四族金属であり；Ｒ¹及びＲ²は、直鎖又は分岐鎖のＣ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より、同じく又は異なって選択されることができ；Ｒ³は、直鎖又は分岐鎖のＣ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択されることができ；Ｒ⁴は、水素、Ｃ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択され；Ｒ⁵は、Ｃ_1〜10の直鎖又は分岐鎖アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択され；ＸはＯ又はＮであるが、Ｘ＝Ｏの場合、ｙ＝１であり且つＲ^1、2及び5が同じとなり、Ｘ＝Ｎの場合、ｙ＝２であり、且つ各Ｒ⁵は同じものとなることができ、又は異なるものとなることができる）。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布や膜質に優れた薄膜を、成膜速度を維持しつつ堆積することができる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に基板を搬入し、真空容器内に回転可能に設けられた回転テーブルに基板を載置するステップと、回転テーブルを回転するステップと、第１の反応ガス供給部から基板に対して第１の反応ガスを供給し、第１の反応ガスを基板に吸着させる吸着ステップと、第２の反応ガス供給部から基板に対して、第１の反応ガスと反応する第２の反応ガスを供給し、基板に吸着される第１の反応ガスと第２の反応ガスを反応させて、基板に反応生成物を形成する形成ステップと、第１及び第２の反応ガス供給部からから回転テーブルの周方向に離間して設けられるプラズマ発生部に対して水素含有ガスを供給し、回転テーブルの上方にプラズマを生成するステップとを含む成膜方法が提供される。 （もっと読む）