【課題】原子層堆積によって、第四族金属含有フィルムを形成する前駆体及び方法を提供する。
【解決手段】Ｍ（ＯＲ¹）（ＯＲ²）（Ｒ³Ｃ（Ｏ）Ｃ（Ｒ⁴）Ｃ（Ｏ）ＸＲ⁵_y）₂（ここで、Ｍは、第四族金属であり；Ｒ¹及びＲ²は、直鎖又は分岐鎖のＣ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より、同じく又は異なって選択されることができ；Ｒ³は、直鎖又は分岐鎖のＣ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択されることができ；Ｒ⁴は、水素、Ｃ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択され；Ｒ⁵は、Ｃ_1〜10の直鎖又は分岐鎖アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択され；ＸはＯ又はＮであるが、Ｘ＝Ｏの場合、ｙ＝１であり且つＲ^１、Ｒ^２及びＲ^５が同じとなり、Ｘ＝Ｎの場合、ｙ＝２であり、且つ各Ｒ⁵は同じものとなることができ、又は異なるものとなることができる）。 （もっと読む）

【課題】安全かつ簡単に、効率よく反応生成物を除去することができるＭＯＣＶＤ装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ヒ素（Ａｓ）原子又はリン（Ｐ）原子を含む原料ガスを使用してＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓなどのIII-Ｖ族化合物半導体材料の成膜を行うＭＯＣＶＤ装置の反応炉１２や排気管１５の内面に付着した反応生成物を除去するＭＯＣＶＤ装置のクリーニング方法において、クリーニングガスとしてアミン系ガス又は反応炉内でアミン系ガスに変化するガスと水素ガスとを前記反応炉内に供給して反応生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】エンジン部品等の高負荷条件で使用可能な良好な耐摩耗性を備えた水素含有非晶質硬質炭素被覆部材を提供する。また、高負荷条件での使用においても耐摩耗性に優れた水素含有非晶質硬質炭素被覆部材の製造方法を提供する。
【解決手段】比較的平滑な表面が得られる水素含有非晶質炭素被膜において、この水素含有非晶質炭素被膜中に同じ非晶質の炭素微粒子を分散して、平滑な表面と被膜全体の硬度を維持したまま耐欠け性を向上させる。具体的には、アーク放電によってアーク式蒸発源の炭素カソードより放出される微粒子を被膜中に取り込むことによって、水素含有非晶質炭素被膜に同じ非晶質の炭素微粒子を分散する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法に関し、炭化シリコン薄膜の機械強度を高め、膜の消失や剥離を防止する。
【解決手段】 ポーラスな誘電率低誘電率絶縁膜上に−ＣＨ_２−結合が環状になってＳｉと結合し且つ二重結合を含む官能基を有する原料を用いて炭化シリコン薄膜を形成する工程と、前記炭化シリコン薄膜を所定パターンにエッチングしてハードマスクを形成する工程と、前記ハードマスクをエッチングマスクとして前記低誘電率絶縁膜をエッチングして配線形成用溝或いはビアホールの少なくとも一方を形成する工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】プラズマ成膜を行う際、成膜用原材料を効率よく使用して材料コストの低廉化及び省資源化を図る。
【解決手段】プラズマ用ノズル１６と、基材１０の成膜部位１２との間に、整流用治具１４を配置する。この整流用治具１４には、プラズマ供給路２０と、原材料供給路２２と、これらプラズマ供給路２０と原材料供給路２２が合流した成膜用合流路２４と、成膜部位１２を通過したプラズマ放電ガス及び未反応の原材料を排出するための排出路２６と、排出路２６中の未反応の原材料をプラズマ供給路２０に戻すための回収路２８とが形成される。プラズマ放電ガスとともに排出路２６の立ち上がり通路３４に流通した未反応の原材料は、冷却管３８を流通する冷却媒体によって冷却されることで凝縮し、液相となって回収路２８から成膜用合流路２４の鉛直通路３０に導入される。その後、プラズマ放電ガスによって揮発・再活性化された原材料は、成膜部位１２に再供給される。 （もっと読む）

【課題】多孔質の有機シリカガラス膜を製造するための堆積方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバーに、有機シラン又は有機シロキサンの１つの前駆体と、該前駆体とは異なるポロゲンであって、本質的に芳香族であるポロゲンとを含むガス状試薬を導入する工程、前記チャンバー中の前記ガス状試薬にエネルギーを適用して該ガス状試薬の反応を引き起こしてポロゲンを含有する膜を堆積させる工程、並びにＵＶ放射によって有機材料の実質的にすべてを除去して気孔を有しかつ２．６未満の誘電率を有する多孔質の膜を提供する工程を含む多孔質の有機シリカガラス膜を製造するための堆積方法が提供される。 （もっと読む）

本発明の諸実施形態は、多層堆積する間中の欠陥を低減する方法を提示する。一実施形態では、この方法は、基板をプラズマの存在下で第１のガス混合物および不活性ガスに曝して、基板上に第１の材料の層を堆積するステップと、第１の材料の所望の厚さが得られたときに、プラズマを引き続き維持しつつ不活性ガスを流しながら、第１のガス混合物を終了させるステップと、基板をプラズマの存在下で、第１のガス混合物と共存できる不活性ガスおよび第２のガス混合物に曝して、第１の材料の層の上に第２の材料の層を同じ処理チャンバ内で堆積するステップとを含み、第１の材料の層と第２の材料の層は互いに異なる。
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【課題】許容可能な拡散バリア特性と基板への密着性を耐熱性金属窒化物が有するように、基板上への窒化チタンなどの耐熱性金属窒化物膜の形成を提供する。
【解決手段】材料の層が、ウェハ上に部分的に形成された集積回路内の基板上に形成される。基板はプラズマアニールを受け、その間に基板はイオンでボンバードされる（工程３００）。プラズマアニールは、エネルギーを注入された窒素含有ガスから生成されたプラズマへ基板を曝すことにより実行できる。基板がプラズマアニールされた後、耐熱性金属窒化物の層が基板上に堆積される（工程３０１）。耐熱性金属窒化物の層は、次に、第１セットのイオンでボンバードされる。第１セットのイオンによる耐熱性金属のこのボンバードは、プラズマアニールを実行することにより達成できる。耐熱性金属窒化物は、更に、第２セットのイオンによりボンバードされる（工程３０２）。 （もっと読む）

【課題】集積回路製造工程のバックエンドプロセス、およびフロントエンドプロセスにおいて利用することができる、高硬度、且つ低応力のハードマスク膜を提供する。
【解決手段】ハードマスク膜は、応力が約−６００ＭＰａから６００ＭＰａの範囲内であり、硬度は少なくとも約１２Ｇｐａである。ハードマスク膜は、ＰＥＣＶＤ処理チャンバにおいて、高密度化プラズマ後処理を複数回行うことによって、ドープ済または未ドープのシリコンカーバイドの副層を複数成膜することによって得られる。ハードマスク膜は、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＣ_ｚ、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＮ_ｚ、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＣ_ｚＮ_ｗ、Ｂ_ｘＣ_ｙ、およびＢ_ｘＮ_ｙから成る群から選択される高硬度のホウ素含有膜を含む。ハードマスク膜は、ゲルマニウム含有率が少なくとも約６０原子パーセントと、ゲルマニウム含有率が高いＧｅＮ_ｘハードマスク材料を含む。 （もっと読む）

【課題】基板処理を行って基板の処理品質を調べることなく、プラズマが適正状態になっているかどうかを直接的に調べることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容する処理室４６と、処理室内に反応ガスを供給する反応ガス供給機構と、反応ガスに電子ビーム２４を照射して反応ガスプラズマを発生させる電子ビーム照射機構と、処理室内に配置され、反応ガスプラズマのプラズマ密度を電子ビームの照射方向に沿った所定の箇所で測定するプラズマ密度測定機構５０と、を備えるプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜蒸着システム及び薄膜蒸着方法を提供する。
【解決手段】薄膜蒸着システムは、原料物質を提供する原料物質供給部２１０と、前記原料物質供給部に連結されて、前記原料物質供給部から原料物質を受け取って気化させる気化器２３１が設けられた原料ガス供給部２３０と、前記原料ガス供給部に連結されて、気化された原料物質を受け取って被処理物上に薄膜を蒸着する薄膜蒸着装置１００と、一端が前記気化器に連結されて、前記気化器の内部を排気する気化器排気ユニット３００と、前記気化器排気ユニットに連結されるように設けられて、前記気化器排気ユニットの圧力を調節することによって、前記気化器の内部に供給された原料物質の流速を制御する圧力調節部３５０と、を含む。 （もっと読む）

合成環境内にて基板上でダイヤモンド材料を合成するための化学蒸着(CVD)方法であって、以下の工程：基板を供給する工程；原料ガスを供給する工程；原料ガスを溶解させる工程；及び基板上でホモエピタキシャルダイヤモンド合成させる工程を含み；ここで、合成環境は約0.4ppm〜約50ppmの原子濃度で窒素を含み；かつ原料ガスは以下：a)約0.40〜約0.75の水素原子分率H_f；b)約0.15〜約0.30の炭素原子分率C_f；c)約0.13〜約0.40の酸素原子分率O_fを含み；ここで、H_f＋C_f＋O_f＝1；炭素原子分率と酸素原子分率の比C_f:O_fは、約0.45:1＜C_f:O_f＜約1.25:1の比を満たし；原料ガスは、存在する水素、酸素及び炭素原子の総数の原子分率が0.05〜0.40で水素分子H₂として添加された水素原子を含み；かつ原子分率H_f、C_f及びO_fは、原料ガス中に存在する水素、酸素及び炭素原子の総数の分率である、方法。 （もっと読む）

【課題】溝や穴の開口部と深さとの比（開口部／深さ）が１／５〜１／７のような条件を要求されても、又、厚さが１０ｎｍ以下であっても成膜が可能で、かつ、銅の拡散防止（バリア性）に優れ、更には電気抵抗が小さく、銅膜との密着性にも優れた導電性バリア膜形成材料を提供する。
【解決手段】ケミカルベーパーデポジションにより銅膜の下地膜として導電性Ｔａ−Ｚｒ系バリア膜を形成する為の材料であって、Ｔａを持つ金属有機化合物と、Ｚｒを持つ金属有機化合物とを含むことを特徴とする導電性バリア膜形成材料、および、前記Ｔａ有機化合物、前記Ｚｒ有機化合物の一方または双方を溶解する溶媒とを含むことを特徴とする導電性バリア膜形成材料。 （もっと読む）

【課題】比較的低い低分子量、比較的低い融点および高い蒸気圧を有する第四族金属前駆体の提供。
【解決手段】次式で表される第四族金属前駆体の一群。Ｍ（ＯＲ^１）_２（Ｒ^２Ｃ（Ｏ）Ｃ（Ｒ^３）Ｃ（Ｏ）ＯＲ^１）_２（ここで、Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ及びＨｆからなる群より選択される第四族金属であり；Ｒ^１は、直鎖又は分岐鎖のＣ_１〜１０アルキル、及びＣ_６〜１２のアリールからなる群より選択され、好ましくはメチル、エチル又はｎ−プロピルから選択され；Ｒ^２は、分岐鎖のＣ_３〜１０アルキル及びＣ_６〜１２アリールからなる群より選択され、好ましくはイソ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソ−ブチル、又はｔｅｒｔ−アミルから選択され；Ｒ^３は、水素、Ｃ_１〜１０アルキル及びＣ_６〜１２アリールからなる群より選択され、好ましくは水素である） （もっと読む）

【課題】高密度プラズマを発生させるプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】円筒形電極１を有する円筒チャンバー部と、前記円筒チャンバー部を、ガス導入口１０を有する第１チャンバー室２と、ガス排出口１１を有する第２チャンバー室３とに仕切るように、前記円筒チャンバー部に配置されたオリフィス４と、前記第２チャンバー室内において前記円筒形電極の中心軸に設置されている棒状電極と、前記第１チャンバー室において設置された、前記円筒形電極とは異なる電位を印加できるサブ電極６とを具備したプラズマ発生装置において、前記円筒形電極と棒前記状電極の間に電界を印加しプラズマを発生させ、さらに、前記円筒形電極と前記サブ電極間に電界を印加してプラズマを発生させ、前記第１チャンバー室と前記第２チャンバー室のプラズマ領域が前記オリフィスの穴を通して接続している。 （もっと読む）

【課題】溶液気化型のＣＶＤ装置を用いて超電導体等の薄膜を形成する際に有用な技術であって、気化器における気化状態の異常により良質な薄膜の形成が阻害されるのを回避するための技術を提供する。
【解決手段】気化室と、気化室内に原料溶液を導入する導入部と、気化室において気化された原料ガスを外部に導出する導出部と、気化室の外周に設けられ発熱体により気化室を加熱するヒータと、を備えた気化器において、発熱体の近傍の第１温度Ｔ_Ｍを測定する第１温度センサと、発熱体によって加熱される気化室の対応部分の第２温度Ｔ_ｂを測定する第２温度センサとを設け、発熱体の出力を前記第２温度Ｔ_ｂが一定となるように制御する。そして、第１温度Ｔ_Ｍの変動量に基づいて気化器における気化状態の異常を検出する。 （もっと読む）

【課題】実質的なリーク電流を生じることなく膜厚を減少させることができる高品質で均一な酸化膜、窒化膜あるいは酸窒化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をＫｒあるいはＡｒを不活性ガスとしたプラズマに伴い生成された原子状酸素Ｏ*あるいは原子状窒化水素ＮＨ*に曝し、膜質を改変する工程とよりなる絶縁膜の形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】焼入れ鋼等の高硬度鋼の切削加工で、すぐれた耐欠損性、耐摩耗性を発揮する複相混合層からなる硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 工具基体の表面に、ｃＢＮ相とＴｉＮ相との複相混合層からなる硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具において、該硬質被覆層中のｃＢＮ相の面積割合は４０〜８０％であり、残りは、微細ＴｉＮ相と粗粒ＴｉＮ相の混相からなり、混相に占める上記微細ＴｉＮ相の面積割合は３０〜８５％であって、微細ＴｉＮ相は、ｃＢＮ粒子の表面を被覆している。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＣＨ組成を有し、特定の構造を有する炭化水素基置換ケイ素化合物を原料としてＣＶＤにより得られる炭素含有酸化ケイ素膜から成る封止膜及びその膜を含むガスバリア部材、ＦＰＤデバイス及び半導体デバイスの提供。
【解決手段】二級炭化水素基、三級炭化水素基、及び／又はビニル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物、例えば下記式（１）を原料として用い、ＣＶＤにより形成した炭素含有酸化ケイ素からなる封止膜である。式中、Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。Ｒ^４は炭素数１〜１０の炭化水素基または水素原子を表す。ｍは１乃至３の整数、ｎは０乃至２の整数を表し、ｍ＋ｎは３以下の整数を表す。
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【課題】プラズマの副生成物生成がなく、電極周辺部材のなどの形状やガスの流れに起因した処理ムラが生じることがない大気開放型のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】第１および第２電極と、ガス供給路と、ガス供給路に設けられガスの流れを均一化する多孔質誘導体３とを備え、第１および第２電極により電界を形成すると共にガス供給路から均一化したガスを供給してプラズマ生成領域にプラズマ９を生成し、被処理基材１０を処理する。 （もっと読む）