有機金属錯体、及び当該金属錯体を用いた金属含有薄膜の製造法
【課題】低融点を有し、且つ、熱に対しての安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による成膜に適した有機金属錯体、及び当該有機金属錯体を用いた金属含有薄膜の製造法の提供。
【解決手段】式（１）
（式中、Ｍは、金属原子を示し、Ｘは、アルコキシアルキル部位を１〜２個有するアルキル基で、Ｙは、Ｘ置換基に加え、炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基であり、Ｚは、水素原子などを示す。ｍは、配位子の数を示し、金属Ｍの価数に等しい。）で示されるアルコキシアルキル基を有するβ−ジケトナトを配位子とすることを特徴とする有機金属錯体。
【解決手段】式（１）
（式中、Ｍは、金属原子を示し、Ｘは、アルコキシアルキル部位を１〜２個有するアルキル基で、Ｙは、Ｘ置換基に加え、炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基であり、Ｚは、水素原子などを示す。ｍは、配位子の数を示し、金属Ｍの価数に等しい。）で示されるアルコキシアルキル基を有するβ−ジケトナトを配位子とすることを特徴とする有機金属錯体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な有機金属錯体、及び当該金属錯体を用いて、化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法；以下、ＣＶＤ法と称する）により金属含有薄膜を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ストロンチウム含有膜の一つである酸化ストロンチウム薄膜は、ＤＲＡＭキャパシタの高誘電体膜や不揮発性メモリの強誘電体膜（ＳＴＯ、ＳＢＴ）等に用いられている。このような酸化ストロンチウム薄膜を得る方法としては、例えば、ゾルゲル法、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等の方法が開発されているが、最近では、均一な薄膜を製造し易いＣＶＤ法によるストロンチウム含有薄膜の製造法が最も盛んに検討されている。
【０００３】
従来、ＣＶＤ法によるストロンチウム含有薄膜を製造するためのストロンチウム錯体としては、例えば、シクロペンタジエニル誘導体を配位子に用いたストロンチウム錯体（例えば、特許文献１及び２参照）、β−ジケトナト誘導体を配位子としたストロンチウム錯体（例えば、特許文献３及び４参照）、更に、室温で液体のビス（１−（２−メトキシエトキシ）−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（例えば、特許文献３参照）が開示されている。
【０００４】
また、近年、トランジスタの高性能化に伴い、ゲート絶縁膜の材料として、誘電率がシリコン酸化膜の３倍程度ある窒素添加ハフニウムシリケートの採用が本格化している。それに伴い、ソースとドレイン部の拡散層の浅接合化およびゲート電極のメタル化の検討がなされており、それらに対する新材料が要求されている。その新材料としては、コバルトシリサイドやニッケルシリサイド等が候補とされ、拡散層の深さを考慮して、ニッケルシリサイドが有力視されている。このニッケルシリサイドの形成技術に、ニッケルの薄膜形成が要求されている。又、抵抗変化型不揮発メモリ用途として、酸化ニッケル薄膜の形成も要求されている。一方、薄膜形成方法としては、スパッタ法、ＣＶＤ法が用いられるが、スパッタ法は周辺半導体素子へのダメージ、又はトランジスタ構造の微細化から、ＣＶＤ法での膜形成がより有用であるとされている。
【０００５】
従来、ＣＶＤ法によるニッケル含有薄膜を形成するためのニッケル錯体としては、例えば、シクロペンタジエニル誘導体を配位子に用いたニッケル錯体（例えば、特許文献５〜７参照）、β−ケトイミナトニッケル錯体（例えば、特許文献８参照）、ニッケルアミノアルコキシド錯体（例えば、特許文献９参照）、ニッケルアミド錯体（例えば、特許文献１０参照）やテトラキス（トリフルオロホスフィン）ニッケル錯体（例えば、特許文献１１参照）が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−３０１６４号公報
【特許文献２】特開２００９−４０７０７号公報
【特許文献３】特許３９０４２５５号公報
【特許文献４】特許３９６４９７６号公報
【特許文献５】特開２００５−９３７３２号公報
【特許文献６】特開２００６−１２４７４３号公報
【特許文献７】国際公開第２００９／０８１７９７号パンフレット
【特許文献８】特開２００７−３０２６５６号公報
【特許文献９】特表２００８−５３７９４７号公報
【特許文献１０】特開２００６−１２４２９１号公報
【特許文献１１】特開２００８−２３１４７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１及び２記載のシクロペンタジエニル誘導体を配位子に用いたストロンチウム錯体は、酸素との反応が激し過ぎるために、ストロンチウム含有薄膜製造時の制御に問題があった。又、特許文献３及び４記載のβ−ジケトナト誘導体を配位子としたストロンチウム錯体、例えば、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ノナンジオナト）ストロンチウムは、高融点の固体であるために、一定の供給量を保つことが困難である上に、配管閉塞を引き起こす恐れがあるという問題があった。
【０００８】
その中でも室温で液体のストロンチウム錯体の提案もなされているが、当該ストロンチウム錯体は、蒸気圧が低く、ストロンチウム含有薄膜製造時のストロンチウム錯体の供給が難しくなってしまう問題があった。
【０００９】
以上のように、上記いずれのストロンチウム錯体も何らかの問題を有しており、それらを用いたストロンチウム含有薄膜の製造法は工業的な製造法としては有利ではなかった。
【００１０】
また、ＣＶＤ法で用いられるニッケル錯体のうち、シクロペンタジエニル系ニッケル錯体やテトラキス（トリフルオロホスフィン）ニッケル錯体は、蒸気圧が高いものの、空気、水分又は熱に対して不安定であるために取り扱いが難しく、多量に使用する工業的な生産の際には問題であった。又、β−ケトイミナトニッケル錯体やニッケルアミド錯体は高融点の固体であるために、ＣＶＤ原料用途としては気化量変動の問題があり、更にはＣＶＤでの途中、配管内で閉塞を起こす可能性もある。一方、ニッケルアミノアルコキシド錯体は、一部の錯体で低融点であるものの、その多くは固体であり、水分に対して不安定であるため、その製造や取り扱いに問題があった。
【００１１】
以上のように、上記いずれの有機ニッケル錯体も問題を有しており、当該有機ニッケル錯体を用いたニッケル含有薄膜の製造方法は工業的な製造方法としては採用し難かった。
【００１２】
また、他の金属錯体に関しても、半導体、電子部品、光学部品など、様々な分野の材料として多くの研究と開発がなされており、特にＣＶＤ法による成膜に適した有機金属錯体が求められている。
【００１３】
本発明の課題は、即ち、上記問題点を解決し、低融点を有し、且つ熱に対しての安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による成膜に適した有機金属錯体を提供することにある。又、本発明の課題は、当該有機金属錯体を用いた金属含有薄膜の製造法を提供するものでもある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は以下の事項に関する。
【００１５】
１． 一般式（１）
【００１６】
【化１】
（式中、Ｍは、金属原子を示し、Ｘは、一般式（２）
【００１７】
【化２】
で示されるアルコキシアルキル基（式中、ｎ＝０又は１、Ｒａ、Ｒｃ及びＲｄは、それぞれ独立に、炭素原子数１〜５の直鎖又は分枝状のアルキル基を示し、Ｒｂは、炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキレン基を示す。）、Ｙは、一般式（２）で示される基又は炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基、Ｚは、水素原子又は炭素原子数１〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。ｍは、配位子の数を示し、金属Ｍの価数に等しい。
但し、ＭがＳｒであり、ｎ＝１であり、Ｒａ、Ｒｃ及びＲｄが全てメチル基、Ｒｂがメチレン基、Ｙがｔ−ブチル基であって、Ｚが水素原子であることを同時に満たす場合を除く。）
で示されるアルコキシアルキル基を有するβ−ジケトナトを配位子とすることを特徴とする有機金属錯体。
【００１８】
２． Ｍが、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌａ、Ｃｏ又はＹである上記１記載の有機金属錯体。
【００１９】
３． 上記１に記載の有機金属錯体、又は上記１に記載の有機金属錯体の溶媒溶液を金属供給源として用いた化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。
【００２０】
４． 上記１に記載の有機金属錯体、又は上記１に記載の有機金属錯体の溶媒溶液と、酸素源とを用いた上記３記載の化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。
【００２１】
５． 酸素源が酸素ガスである上記４記載の金属含有薄膜の製造法。
【００２２】
６． 上記１に記載の有機金属錯体、又は上記１に記載の有機金属錯体の溶媒溶液と、還元性ガスとを用いた上記３記載の化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。
【００２３】
７． 還元性ガスが水素ガス又はアンモニアガス、もしくはそれらの混合ガスである上記６記載の金属含有薄膜の製造法。
【００２４】
８． 使用する溶媒が、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類及びエーテル類からなる群より選ばれる少なくとも１種の溶媒である上記３乃至７のいずれか１項に記載の化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の有機金属錯体は、低融点を有し、且つ熱に対しての安定性に優れており、ＣＶＤ法による成膜に適している。また、本発明の有機金属錯体を用いて、ＣＶＤ法により、良好な成膜特性で、金属含有薄膜を成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明のストロンチウム錯体（３）、及びビス（ジピバロイルメタナト）ストロンチウム（ＩＩ）（Ｓｒ（ｄｐｍ）２）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。
【図２】本発明のストロンチウム錯体（５）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。
【図３】有機ストロンチウム錯体と酸素ガスとを用いてストロンチウム含有薄膜を製造する蒸着装置の構成を示す図である。
【図４】本発明のニッケル錯体（３）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。
【図５】有機ニッケル錯体を用いてニッケル含有薄膜を製造する蒸着装置の構成を示す図である。
【図６】本発明のリチウム錯体（３）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。
【図７】本発明の銅錯体（３）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。
【図８】本発明の亜鉛錯体（３）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。
【図９】本発明のマグネシウム錯体（３）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。
【図１０】本発明のアルミニウム錯体（３）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。
【図１１】本発明のランタン錯体（３）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。
【図１２】本発明のイットリウム錯体（３）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。
【図１３】本発明のコバルト錯体（３）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明の有機金属錯体は、アルコキシアルキル基を有するβ−ジケトナトを配位子とする金属錯体であり、前記の一般式（１）で示される。
【００２８】
前記の一般式（１）において、Ｍは、金属原子を示し、例えばＳｒ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌａ、Ｃｏ又はＹである。
【００２９】
好ましい配位子は金属（Ｍ）によって異なり、ＭがＳｒの場合は、ｎ＝１であり、Ｒａ、Ｒｃ及びＲｄが全てメチル基、Ｒｂがメチレン基、Ｙがｔ−ブチル基であって、Ｚが水素原子であることは好ましくない。
【００３０】
前記の一般式（１）において、Ｘは、前記の一般式（２）で示されるアルコキシアルキル基を示し、一般式（２）中、ｎ＝０又は１であり、Ｒａ、Ｒｃ及びＲｄは、それぞれ独立に、炭素原子数１〜５の直鎖又は分枝状のアルキル基を示し、Ｒｂは、炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキレン基を示す。Ｙは、一般式（２）で示される基又は炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基、Ｚは、水素原子又は炭素原子数１〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。但し、ＭがＳｒの場合は、ｎ＝１であり、Ｒａ、Ｒｃ及びＲｄが全てメチル基、Ｒｂがメチレン基、Ｙがｔ−ブチル基であって、Ｚが水素原子であることを同時に満たす場合を除く。
【００３１】
なお、ｎ＝０の場合、２つの−Ｒｂ−Ｏ−Ｒａは同一でも異なっていてもよく、また、Ｙが一般式（２）で示される基である場合、ＸとＹは同一でも異なっていてもよい。
【００３２】
Ｒａとしては、炭素原子数１〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基がより好ましく、エチル基が特に好ましい。
【００３３】
Ｒｂとしては、炭素原子数１〜３の直鎖又は分枝状のアルキレン基が好ましく、炭素原子数１〜２の直鎖又は分枝状のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が特に好ましい。
【００３４】
Ｒｃ及びＲｄとしては、炭素原子数１〜３の直鎖又は分枝状のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
【００３５】
Ｙとしては、一般式（２）で示される基、又は炭素原子数１〜５の直鎖又は分枝状のアルキル基が好ましく、炭素原子数３〜５の直鎖又は分枝状のアルキル基がより好ましく、ｔｅｒｔ−ブチル基が特に好ましい。
【００３６】
Ｚとしては、水素原子が好ましい。
【００３７】
前記の一般式（１）において、ｍは、配位子の数を示し、金属Ｍの価数に等しい。
【００３８】
本発明の有機ストロンチウム錯体の具体例としては、例えば、式（Ａ３）から式（Ａ１４）で示される。
【００３９】
【化３】
【００４０】
本発明の有機ニッケル錯体の具体例としては、例えば、式（Ｂ３）から式（Ｂ１４）で示される。
【００４１】
【化４】
【００４２】
本発明のリチウム錯体の具体例としては、例えば、式（Ｃ３）から式（Ｃ１４）で示される。
【００４３】
【化５】
本発明の銅錯体の具体例としては、例えば、式（Ｄ３）から式（Ｄ１４）で示される。
【００４４】
【化６】
本発明の亜鉛錯体の具体例としては、例えば、式（Ｅ３）から式（Ｅ１４）で示される。
【００４５】
【化７】
本発明のマグネシウム錯体の具体例としては、例えば、式（Ｆ３）から式（Ｆ１４）で示される。
【００４６】
【化８】
本発明のアルミニウム錯体の具体例としては、例えば、式（Ｇ３）から式（Ｇ１４）で示される。
【００４７】
【化９】
本発明のランタン錯体の具体例としては、例えば、式（Ｈ３）から式（Ｈ１４）で示される。
【００４８】
【化１０】
本発明のイットリウム錯体の具体例としては、例えば、式（Ｉ３）から式（Ｉ１４）で示される。
【００４９】
【化１１】
本発明のコバルト錯体の具体例としては、例えば、式（Ｊ３）から式（Ｊ１４）で示される。
【００５０】
【化１２】
本発明の有機金属錯体は、低融点であり、しかも熱安定性が高いため、ＣＶＤ法での使用におけるバブリング時の長期の加熱においても問題なく使用できる。
【００５１】
本発明の有機金属錯体の配位子であるβ−ジケトナトは対応するβ−ジケトンから得られるが、これらのβ−ジケトンは、例えば、式（Ａ３）のストロンチウム錯体および式（Ｂ３）のニッケル錯体の配位子であるβ−ジケトナトに対応するβ−ジケトン、１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオンは、下記式で示される方法等によって容易に得ることが出来る。
【００５２】
【化１３】
なお、本発明の金属錯体は、公知のβ−ジケトナトを配位子とする金属錯体の製造方法を参考にして、例えば、溶媒中で、金属酸化物、金属塩化物、金属水酸化物等の金属化合物と対応するβ−ジケトンとを反応させることにより製造することができる。
【００５３】
ＣＶＤ法においては、薄膜形成のために有機金属錯体を気化させる必要があるが、本発明の有機金属錯体を気化させる方法としては、例えば、有機金属錯体自体を気化室に充填又は搬送して気化させる方法だけでなく、有機金属錯体を適当な溶媒（例えば、ヘキサン、オクタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類；トルエン等の芳香族炭化水素類；テトラヒドロフラン、ジブチルエーテル等のエーテル類等が挙げられる。）に希釈した溶液を液体搬送用ポンプで気化室に導入して気化させる方法（溶液法）も使用出来る。
【００５４】
成膜対象物上へのストロンチウム含有薄膜の蒸着方法としては、公知のＣＶＤ法で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、ストロンチウム錯体蒸気を酸素源（例えば、酸素、オゾン等の酸化性ガス；水；メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノール等のアルコール類）と共に加熱した成膜対象物上に送り込んでストロンチウム含有薄膜を蒸着させる方法が使用出来る。なお、これらのガス（気化した液体も含む）は不活性ガス等で希釈されていても良い。又、同様な原料供給により、プラズマＣＶＤ法でストロンチウム含有薄膜を蒸着させることも出来る。
【００５５】
本発明の有機ストロンチウム錯体を用いてストロンチウム含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応系内の圧力は、好ましくは１Ｐａ〜２００ｋＰａ、更に好ましくは１０Ｐａ〜１１０ｋＰａ、成膜対象物温度は、好ましくは５０〜９００℃、更に好ましくは１００〜６００℃、有機ストロンチウム錯体を気化させる温度は、好ましくは６０〜４００℃、更に好ましくは１００〜３００℃である。
【００５６】
なお、ストロンチウム含有薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する酸素源（例えば、酸化性ガス、水蒸気又はアルコール蒸気、もしくはこれらの混合ガス）の含有割合としては、好ましくは３〜９９容量％、更に好ましくは５〜９８容量％である。
【００５７】
成膜対象物上へのニッケル含有薄膜の蒸着方法としては、公知のＣＶＤ法で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、有機ニッケル錯体蒸気を酸素源（例えば、酸素、オゾン等の酸化性ガス；水；メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノール等のアルコール類）又は還元性ガス（例えば、水素ガス、アンモニアガス）と共に加熱した成膜対象物上に送り込んでニッケル含有薄膜を蒸着させる方法が使用出来る。なお、これらのガス（気化した液体も含む）は不活性ガス等で希釈されていても良い。又、同様な原料供給により、プラズマＣＶＤ法でニッケル含有薄膜を蒸着させることも出来る。
【００５８】
本発明の有機ニッケル錯体を用いてニッケル含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応系内の圧力は、好ましくは１Ｐａ〜２００ｋＰａ、更に好ましくは１０Ｐａ〜１１０ｋＰａ、成膜対象物温度は、好ましくは５０〜９００℃、更に好ましくは１００〜６００℃、有機ニッケル錯体を気化させる温度は、好ましくは３０〜２５０℃、更に好ましくは６０〜２００℃である。
【００５９】
なお、ニッケル含有薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する酸素源（例えば、酸化性ガス、水蒸気又はアルコール蒸気、もしくはこれらの混合ガス）又は還元性ガス（例えば、水素ガス又はアンモニアガス、もしくはこれらの混合ガス）の含有割合としては、好ましくは３〜９９容量％、更に好ましくは５〜９８容量％である。
【００６０】
他の金属含有薄膜も、上記のストロンチウム含有薄膜及びニッケル含有薄膜と同様にして成膜することができる。
【実施例】
【００６１】
次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。
【００６２】
実施例１（ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）（ストロンチウム錯体（Ａ３）；以下、ストロンチウム錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、酸化ストロンチウム０．４ｇ（３．９ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン１０ｍｌを加えた。次いで、１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン１．７ｇ（６．１ｍｍｏｌ）を水冷下にて滴下させた後、水０．２ｇを滴下して１時間反応させた。
【００６３】
反応終了後、反応液を減圧下にて濃縮し、濃縮物にヘキサン１０ｍｌを加えた。得られた溶液を濾過後、濾液を濃縮した後に、濃縮物を減圧蒸留（３１０℃、１６Ｐａ）して、黄色固体として、ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）１．３ｇを得た（単離収率：６２．５％）。
【００６４】
ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【００６５】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；１．０４〜１．１１（３６Ｈ，ｍ）、３．３２（４Ｈ，ｓ）、３．４７（４Ｈ，ｑ）、５．５０（２Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６７、２８６８、１５９６、１５０３、１４２７、１３５９、１２２３、１１７９、１１２３、１０６８、８７０、７９０、７４９、４７４
元素分析（Ｃ２６Ｈ４６Ｏ６Ｓｒ）；炭素：５７．４％、水素：８．８％、ストロンチウム：１６．０％（理論値；炭素：５７．６％、水素：８．６％、ストロンチウム：１６．２％）
融点；４０〜４４℃
【００６６】
実施例２（ビス（２，２−ビス（メトキシメチル）−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）（ストロンチウム錯体（Ａ１３）；以下、ストロンチウム錯体（１３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、酸化ストロンチウム０．２ｇ（１．９ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン５ｍｌを加えた。次いで、２，２−ビス（メトキシメチル）−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオン０．７ｇ（２．９ｍｍｏｌ）を水冷下にて滴下させた後、水０．２ｇを滴下して１時間反応させた。
【００６７】
反応終了後、反応液を減圧下にて濃縮し、濃縮物にヘキサン１０ｍｌを加えた。得られた溶液を濾過後、濾液を濃縮した後に、濃縮物を減圧蒸留（３２０℃、１６Ｐａ）して、黄色固体として、ビス（２，２−ビス（メトキシメチル）−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）０．５ｇを得た（単離収率：６１．０％）。
【００６８】
ビス（２，２−ビス（メトキシメチル）−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【００６９】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；１．０３（２４Ｈ，ｍ）、３．３６（１６Ｈ，ｍ）、３．５７（４Ｈ，ｄ）、５．３８（２Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６６、１５９６、１６０６、１５３２、１４９９、１４２９、１３８９、１３６１、１２７２、１２２５、１１７４、１１２３、１０８０、１０１９、８６１、７９４、７３５、４７５
元素分析（Ｃ２６Ｈ４６Ｏ８Ｓｒ）；炭素：５４．６％、水素：８．２％、ストロンチウム：１５．１％（理論値；炭素：５４．４％、水素：８．１％、ストロンチウム：１５．３％）
融点；７５〜７９℃
【００７０】
実施例３（ビス（２，２−ビス（エトキシメチル）−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）（ストロンチウム錯体（Ａ１４）；以下、ストロンチウム錯体（１４）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、酸化ストロンチウム０．２ｇ（１．９ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン１０ｍｌを加えた。次いで、２，２−ビス（エトキシメチル）−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオン０．８ｇ（２．９ｍｍｏｌ）を水冷下にて滴下させた後、水０．２ｇを滴下して１時間反応させた。
【００７１】
反応終了後、反応液を減圧下にて濃縮し、濃縮物にヘキサン１０ｍｌを加えた。得られた溶液を濾過後、濾液を濃縮した後に、濃縮物を減圧蒸留（３２０℃、３５Ｐａ）して、黄色固体として、ビス（２，２−ビス（エトキシメチル）−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）０．４ｇを得た（単離収率：４３．２％）。
【００７２】
ビス（２，２−ビス（エトキシメチル）−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【００７３】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；１．０２（２４Ｈ，ｓ）、１．１６（１２Ｈ，ｔ）、３．５０（４Ｈ，ｄ）、３．５９（１２Ｈ，ｍ）、５．４０（２Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６６、１５９６、１６０６、１５３２、１４９９、１４２９、１３８９、１３６１、１２７２、１２２５、１１７４、１１２３、１０８０、１０１９、８６１、７９４、７３５、４７５
元素分析（Ｃ３０Ｈ５４Ｏ８Ｓｒ）；炭素：５７．４％、水素：８．７％、ストロンチウム：１３．８％（理論値；炭素：５７．２％、水素：８．６％、ストロンチウム：１３．９％）
融点；４０℃
【００７４】
実施例４（ビス（１−ｎ−プロポキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）（ストロンチウム錯体（Ａ５）；以下、ストロンチウム錯体（５）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、水酸化ストロンチウム８水和物２．７２ｇ（１０．２ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン２０ｍｌを加えた。次いで、ｎ−プロポキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン４．９ｇ（２０．１ｍｍｏｌ）を水冷下にて滴下させて１時間反応させた。
【００７５】
反応終了後、反応液を減圧下にて濃縮し、濃縮物にヘキサン４０ｍｌを加えた。得られた溶液を濾過後、濾液を濃縮した後に、濃縮物を減圧蒸留（３１０℃、１８Ｐａ）して、黄色高粘性液体として、ビス（１−ｎ−プロポキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）３．９ｇを得た（単離収率：６７．４％）。
【００７６】
ビス（１−ｎ−プロポキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【００７７】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；０．８３（６Ｈ，ｔ）、１．０４〜１．０７（３０Ｈ，ｍ）、１．５４（４Ｈ，ｍ）、３．３５（８Ｈ，ｍ）、５．５０（２Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６３、２８７３、１５９５、１５０２、１４２７、１３５９、１２２３、１１２２、１０７３、８６８、７９０、７４９、４７４
元素分析（Ｃ２８Ｈ５０Ｏ６Ｓｒ）；炭素：６０．０％、水素：８．９％、ストロンチウム：１５．２％（理論値；炭素：５９．０％、水素：８．８％、ストロンチウム：１５．４％）
【００７８】
実施例５（熱安定性の評価）
本発明のビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）（ストロンチウム錯体（３））、及び一般的に広く使用されているビス（ジピバロイルメタナト）ストロンチウム（ＩＩ）（Ｓｒ（ｄｐｍ）２；市販品を昇華精製して使用した）の熱安定性の評価を行った。その結果を図１に示した。
【００７９】
図１のＴＧデータの結果より、本発明のストロンチウム錯体（３）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。
【００８０】
また、本発明のビス（１−ｎ−プロポキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）（ストロンチウム錯体（５））の熱安定性の評価を行った。その結果を図２に示した。
【００８１】
図２のＴＧデータの結果より、本発明のストロンチウム錯体（５）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。
【００８２】
実施例６〜９（蒸着実験；ストロンチウム含有薄膜の製造）
実施例１〜４で得られた有機ストロンチウム錯体を用いて、ＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。
【００８３】
評価試験には、図３に示す装置を使用した。気化器５（ガラス製アンプル）にあるストロンチウム錯体７は、ヒーター６で加熱されて気化し、マスフローコントローラー１Ａを経て導入されたヘリウムガスに同伴し気化器５を出る。気化器５を出たガスは、マスフローコントローラー１Ｂで導入された酸素ガスとともに反応器１１に導入される。反応系内圧力は真空ポンプ手前のバルブ１４の開閉により、所定圧力にコントロールされ、圧力計１２によってモニターされる。ガラス製反応器の中央部はヒーター１０で加熱可能な構造となっている。反応器に導入されたストロンチウム錯体は、反応器内中央部にセットされ、ヒーター１０で所定の温度に加熱された被蒸着基板９の表面上で反応分解し、基板９上に酸化ストロンチウム膜が析出する。反応器１１を出たガスは、トラップ１３、真空ポンプを経て、大気中に排気される構造となっている。
【００８４】
蒸着結果（成膜特性）を表１に示す。なお、ストロンチウム含有薄膜の製造における共通蒸着条件は以下の通りである。
【００８５】
ストロンチウム錯体気化温度；２２０℃
Ｈｅキャリアー流量；３０ｍｌ／ｍｉｎ．
酸素流量；３５０ｍｌ／ｍｉｎ．
蒸着基板；ＳｉＯ２／Ｓｉ（６ｍｍ×２０ｍｍサイズ）
基板温度；５２５℃
反応系内圧力；３９９０Ｐａ
蒸着時間；３０分
【００８６】
【表１】
【００８７】
該結果より、本発明の有機ストロンチウム錯体（アルコキシアルキル基を有するβ−ジケトナトを配位子とするストロンチウム錯体）を用いることにより、優れた特性を有するストロンチウム含有薄膜を製造することが可能であることが分かる。
【００８８】
実施例１０（ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ニッケル（ＩＩ）（ニッケル錯体（Ｂ３）；以下、ニッケル錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、２８％のナトリウムメトキシド・メタノール溶液３．６２ｇ（１８．８ｍｍｏｌ）を加えた後、室温にて、１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン４．３５ｇ（１９．０ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下終了後、塩化ニッケル６水和物２．２２g（９．３４ｍｍｏｌ）をメタノール１５ｍｌに溶かしたメタノール溶液を滴下し、その後、攪拌しながら５分間反応させた。反応終了後、水３０ｍｌ及びメチルシクロヘキサン５０ｍｌを加えて分液し、得られた有機層を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（２００℃、１５Ｐａ）し、粘性のある暗緑色粘性液体として、ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ニッケル（ＩＩ）４．４１ｇを得た（単離収率；９２％）。
【００８９】
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６７、２９３１、２９０３、２８６７、１５８７、１５２８、１５０１、１４１９、１３６０、１１１１、１０６９、８７５、７９１、７５５、４８７
元素分析（Ｃ２６Ｈ４６Ｏ６Ｎｉ）；炭素：６０．７％、水素：９．００％、ニッケル：１１％（理論値；炭素：６０．８％、水素：９．０３％、ニッケル：１１．４％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；５１２、４５５、２８６、５７
【００９０】
実施例１１（熱安定性の評価）
本発明のビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ニッケル（ＩＩ）（ニッケル錯体（３））の熱安定性の評価を行った。その結果を図４に示した。
【００９１】
図４のＴＧデータの結果より、本発明のニッケル錯体（３）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。
【００９２】
実施例１２〜１４（蒸着実験；ニッケル含有薄膜の製造）
実施例１０で得られたニッケル錯体を用いて、ＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。
【００９３】
評価試験には、図５に示す装置を使用した。気化器３（ガラス製アンプル）にあるニッケル錯体２０は、ヒーター１０Ｂで加熱されて気化し、マスフローコントローラー１Ａを経て予熱器１０Ａで予熱後導入されたヘリウムガスに同伴し気化器３を出る。気化器３を出たガスは、マスフローコントローラー１Ｂ、ストップバルブ２を経て導入された酸素ガス、水素ガスもしくはアンモニアガスとともに反応器４に導入される。反応系内圧力は真空ポンプ手前のバルブ６の開閉により、所定圧力にコントロールされ、圧力計５によってモニターされる。反応器の中央部はヒーター１０Ｃで加熱可能な構造となっている。反応器に導入されたニッケル錯体は、反応器内中央部にセットされ、ヒーター１０Ｃで所定の温度に加熱された被蒸着基板２１の表面上で酸化熱分解もしくは還元分解され、基板２１上にニッケル含有薄膜が析出する。反応器４を出たガスは、トラップ７、真空ポンプを経て、大気中に排気される構造となっている。
【００９４】
蒸着条件及び蒸着結果（成膜特性）を表２に示す。なお、被蒸着基板としては、６ｍｍ×２０ｍｍサイズの矩形のものを使用した。
【００９５】
【表２】
【００９６】
該結果より、本発明の有機ニッケル錯体（アルコキシアルキル基を有するβ−ジケトナトを配位子とする有機ニッケル錯体）を用いることにより、優れた特性を有するニッケル含有薄膜を製造することが可能であることが分かる。
【００９７】
実施例１５（（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）リチウム（Ｉ）（リチウム錯体（Ｃ３）；以下、リチウム錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液５．０５ｇ（２６．２ｍｍｏｌ）及びメタノール１０ｍｌを加え、氷冷下、１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン６．０６ｇ（２６．５ｍｍｏｌ）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化リチウム（Ｉ）１．０８ｇ（２５．５ｍｍｏｌ）をメタノール１０ｍｌに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら３０分間反応させた。その後、メチルシクロヘキサン４０ｍｌ及び水４０ｍｌを加え、有機層を分液し、水洗した有機層を濃縮した。その濃縮物を減圧蒸留（１８５℃、２３Ｐａ）し、黄色固体として、（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）リチウム（Ｉ）１．５８ｇを得た（単離収率：２６．５％）。
【００９８】
（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）リチウム（Ｉ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【００９９】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；１．０９（９Ｈ，ｓ）、１．１３〜１．１６（９Ｈ，ｍ）、３．３６（２Ｈ，ｓ）、３．６４（２Ｈ，ｑ）、５．５３（１Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６５、２８６８、１６０９、１５０３、１４３２、１３８９、１３６２、１３０３、１２２３、１１２１、１０９０、８６７、７９０、７４８、６１３、５５７、５１８
元素分析（Ｃ１３Ｈ２３Ｏ３Ｌｉ）；炭素：６７．０％、水素：１０．０％、リチウム：２９．８％（理論値；炭素：６６．７％、水素：９．９％、リチウム：３０．０％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；５１０、４５３、２４１、１８３、５７
融点；７８〜８１℃
【０１００】
実施例１６（熱安定性の評価）
本発明の（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）リチウム（Ｉ）（リチウム錯体（３））の熱安定性の評価を行った。その結果を図６に示した。
【０１０１】
図６のＴＧデータの結果より、本発明のリチウム錯体（３）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。
【０１０２】
実施例１７（ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）銅（ＩＩ）（銅錯体（Ｄ３）；以下、銅錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、水酸化銅１．２４ｇ（１２．７ｍｍｏｌ）、１，２−ジメトキシエタン１２ｍｌ、１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン３．２６ｇ（１４．３ｍｍｏｌ）及び水１ｍｌを入れ、室温下、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、濾過を行い、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１７０℃、２７Ｐａ）し、粘性のある暗緑色粘性液体として、ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）銅（ＩＩ）０．２８ｇを得た（単離収率：７．６％）。
【０１０３】
ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）銅（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【０１０４】
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６８、２８６８、１５５２、１５０４、１４０５、１３６１、１２７３、１２２７、１１７６、１１１５、８７７、７９３、７５７
元素分析（Ｃ２６Ｈ４６Ｏ６Ｃｕ）；炭素：６１．０％、水素：９．１％、銅：１２．２％（理論値；炭素：６０．３％、水素：９．０％、銅：１２．３％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；５１７、４６０、２８９、２３３、１０１、５７
【０１０５】
実施例１８（熱安定性の評価）
本発明のビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）銅（ＩＩ）（銅錯体（３））の熱安定性の評価を行った。その結果を図７に示した。
【０１０６】
図７のＴＧデータの結果より、本発明の銅錯体（３）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。
【０１０７】
実施例１９（ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（ＩＩ）（亜鉛錯体（Ｅ３）；以下、亜鉛錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、水酸化ナトリウム０．６０ｇ（１２．０ｍｍｏｌ）、メタノール１３ｍｌ及び水１ｍｌを加え、氷冷下、１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン３．６０ｇ（１５．８ｍｍｏｌ）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化亜鉛（ＩＩ）１．０６ｇ（７．８ｍｍｏｌ）をメタノール１３ｍｌに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら３０分間反応させた。その後、メチルシクロヘキサン３０ｍｌ及び水３０ｍｌを加え、有機層を分液し、水洗後有機層を濃縮した。その濃縮物を減圧蒸留（１７０℃、２４Ｐａ）し、粘性のある淡黄色液体として、ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（ＩＩ）１．１７ｇを得た（単離収率：３０．０％）。
【０１０８】
ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【０１０９】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；１．１３〜１．１９（３６Ｈ，ｍ）、３．４１（４Ｈ，ｓ）、３．４５〜３．５０（４Ｈ，ｍ）、５．８０（２Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６９、２８６８、１５５１、１５０５、１３８８、１３５９、１２２４、１１１４、８７５、７９５
元素分析（Ｃ２６Ｈ４５Ｏ６Ｚｎ）；炭素：６０．２％、水素：９．０％、亜鉛：１２．４％（理論値；炭素：６０．１％、水素：８．９％、亜鉛：１２．６％）
【０１１０】
実施例２０（熱安定性の評価）
本発明のビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（ＩＩ）（亜鉛錯体（３））の熱安定性の評価を行った。その結果を図８に示した。
【０１１１】
図８のＴＧデータの結果より、本発明の亜鉛錯体（３）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。
【０１１２】
実施例２１（ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）マグネシウム（ＩＩ）（マグネシウム錯体（Ｆ３）；以下、マグネシウム錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、水酸化マグネシウム０．５２ｇ（８．９ｍｍｏｌ）及びメタノール１３ｍｌ、１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン５．０６ｇ（２２．２ｍｍｏｌ）及び水５ｍｌを入れ、室温下、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、反応液を濃縮し、濃縮物を減圧蒸留（２３０℃、２７Ｐａ）し、白色固体として、ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）マグネシウム（ＩＩ）３．１１ｇを得た（単離収率：７３．０％）。
【０１１３】
ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）マグネシウム（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【０１１４】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；１．０６〜１．１７（３６Ｈ，ｍ）、３．４０（４Ｈ，ｓ）、３．４６〜３．５３（４Ｈ，ｍ）、５．５８（２Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６７、２８６５、１５９５、１５２９、１５０５、１４３５、１３８７、１３５７、１１２６、１０６９、８７６、７９５、７５５
元素分析（Ｃ２６Ｈ４６Ｏ６Ｍｇ）；炭素：６５．０％、水素：９．５％、マグネシウム：１２．０％（理論値；炭素：６５．２％、水素：９．７％、マグネシウム：５．１％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；５１０、４２１、３７７、２５１、１８３、１０１、５７
融点；６５〜６８℃
【０１１５】
実施例２２（熱安定性の評価）
本発明のビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）マグネシウム（ＩＩ）（マグネシウム錯体（３））の熱安定性の評価を行った。その結果を図９に示した。
【０１１６】
図９のＴＧデータの結果より、本発明のマグネシウム錯体（３）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。
【０１１７】
実施例２３（トリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）アルミニウム（ＩＩＩ）（アルミニウム錯体（Ｇ３）；以下、アルミニウム錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液３．０４ｇ（１５．８ｍｍｏｌ）及びメタノール１０ｍｌを加え、氷冷下、１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン３．８０ｇ（１６．６ｍｍｏｌ）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化アルミニウム（ＩＩＩ）０．６７ｇ（５．０ｍｍｏｌ）をメタノール１０ｍｌに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら３０分間反応させた。その後、メチルシクロヘキサン３０ｍｌ及び水３０ｍｌを加え、有機層を分液し、水洗後有機層を濃縮した。その濃縮物を減圧蒸留（１８０℃、２３Ｐａ）し、白色固体として、トリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）アルミニウム（ＩＩＩ）２．４６ｇを得た（単離収率：６９．１％）。
【０１１８】
トリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）アルミニウム（ＩＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【０１１９】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；１．０５〜１．１３（５４Ｈ，ｍ）、３．４１〜３．４５（１２Ｈ，ｍ）、５．６７（３Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６８、２８６８、１５７９、１５４０、１５１０、１４３４、１３９８、１２８０、１１７５、１１４９、１１１６、８８０、７９５、６５９、５３５
元素分析（Ｃ３９Ｈ６９Ｏ９Ａｌ）；炭素：６６．０％、水素：９．８％、アルミニウム：３．８％（理論値；炭素：６６．１％、水素：９．８％、アルミニウム：３．８％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；７０８、４８１、４２２、５７
融点；７７〜８８℃
【０１２０】
実施例２４（熱安定性の評価）
本発明のトリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）アルミニウム（ＩＩＩ）（アルミニウム錯体（３））の熱安定性の評価を行った。その結果を図１０に示した。
【０１２１】
図１０のＴＧデータの結果より、本発明のアルミニウム錯体（３）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。
【０１２２】
実施例２５（トリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ランタン（ＩＩＩ）（ランタン錯体（Ｈ３）；以下、ランタン錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液３．０１ｇ（１５．６ｍｍｏｌ）及びメタノール５ｍｌを加え、氷冷下、１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン３．６９ｇ（１６．２ｍｍｏｌ）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化ランタン（ＩＩＩ）７水和物１．８９ｇ（５．１ｍｍｏｌ）をメタノール１０ｍｌに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら３０分間反応させた。その後、メチルシクロヘキサン３０ｍｌ及び水３０ｍｌを加え、有機層を分液し、水洗後有機層を濃縮した。その濃縮物を減圧蒸留（２２０℃、２３Ｐａ）し、淡黄色の粘性液体として、トリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ランタン（ＩＩＩ）３．７９ｇを得た（単離収率：９０．７％）。
【０１２３】
トリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ランタン（ＩＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【０１２４】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；０．９７〜１．１６（５４Ｈ，ｍ）、３．３８（６Ｈ，ｓ）、３．４３〜３．５２（６Ｈ，ｑ）、５．６７（３Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６９、２８６７、１５７４、１５３３、１５０３、１４１２、１３５９、１２２４、１１７４、１１１９、８７０、７９２、７５１、４７５
元素分析（Ｃ３９Ｈ６９Ｏ９Ｌａ）；炭素：５７．２％、水素：８．６％、ランタン：１６．７％（理論値；炭素：５７．１％、水素：８．５％、ランタン：１６．９％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；８２０、７１９、５９３、５１０、４１１、３５３、１２７、５７
【０１２５】
実施例２６（熱安定性の評価）
本発明のトリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ランタン（ＩＩＩ）（ランタン錯体（３））の熱安定性の評価を行った。その結果を図１１に示した。
【０１２６】
図１１のＴＧデータの結果より、本発明のランタン錯体（３）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。
【０１２７】
実施例２７（トリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）イットリウム（ＩＩＩ）（イットリウム錯体（Ｉ３）；以下、イットリウム錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液３．１０ｇ（１６．１ｍｍｏｌ）及びメタノール３ｍｌを加え、氷冷下、１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン３．８０ｇ（１６．６ｍｍｏｌ）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化イットリウム（ＩＩＩ）６水和物１．５８ｇ（５．２ｍｍｏｌ）をメタノール１０ｍｌに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら３０分間反応させた。その後、メチルシクロヘキサン３０ｍｌ及び水３０ｍｌを加え、有機層を分液し、水洗後有機層を濃縮した。その濃縮物を減圧蒸留（１９０℃、２８Ｐａ）し、淡黄色の粘性液体として、トリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）イットリウム（ＩＩＩ）３．２６ｇを得た（単離収率：８１．２％）。
【０１２８】
トリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）イットリウム（ＩＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【０１２９】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；１．０３〜１．１５（５４Ｈ，ｍ）、３．３９（６Ｈ，ｓ）、３．４２〜３．４８（６Ｈ，ｑ）、５．７４（３Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６６、２８６８、１５７５、１５３８、１５０６、１４２２、１３５９、１２２６、１１７４、１１０８、８７２、７９３、７５９、４７５
元素分析（Ｃ３９Ｈ６９Ｏ９Ｙ）；炭素：６１．１％、水素：９．２％、イットリウム：１６．４％（理論値；炭素：６０．８％、水素：９．０％、イットリウム：１１．５％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；７７０、７１３、６６９、６２５、５４３、４９９、４４１、３２８、１７１、１２７、５７
【０１３０】
実施例２８（熱安定性の評価）
本発明のトリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）イットリウム（ＩＩＩ）（イットリウム錯体（３））の熱安定性の評価を行った。その結果を図１２に示した。
【０１３１】
図１２のＴＧデータの結果より、本発明のイットリウム錯体（３）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。
【０１３２】
実施例２９（ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）コバルト（ＩＩ）（コバルト錯体（Ｊ３）；以下、コバルト錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液３．０８ｇ（１６．０ｍｍｏｌ）及びメタノール５ｍｌを加え、氷冷下、１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン３．７６ｇ（１６．５ｍｍｏｌ）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化コバルト（ＩＩ）１．０２ｇ（７．９ｍｍｏｌ）をメタノール１０ｍｌに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら３０分間反応させた。その後、メチルシクロヘキサン３０ｍｌ及び水３０ｍｌを加え、有機層を分液し、水洗後有機層を濃縮した。その濃縮物を減圧蒸留（１７０℃、２７Ｐａ）し、暗赤色の粘性液体として、ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）コバルト（ＩＩ）３．８３ｇを得た（単離収率：９５．０％）。
【０１３３】
ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）コバルト（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【０１３４】
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６７、２８６５、１５８４、１５３５、１５０２、１４４９、１４２４、１３５８、１１２３、１０６１、８７４、７９３、７５４、６１０、４８３
元素分析（Ｃ２６Ｈ４６Ｏ６Ｃｏ）；炭素：６１．０％、水素：９．１％、コバルト：１１．３％（理論値；炭素：６０．８％、水素：９．０％、コバルト：１１．５％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；５１３、５１０、４５６、３８５、２８６、１７１、１０１、５７
【０１３５】
実施例３０（熱安定性の評価）
本発明のビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）コバルト（ＩＩ）（コバルト錯体（３））の熱安定性の評価を行った。その結果を図１３に示した。
【０１３６】
図１３のＴＧデータの結果より、本発明のコバルト錯体（３）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【０１３７】
本発明により、ＣＶＤ法による成膜に適した新規な有機金属錯体を提供することができる。また、当該金属錯体を用いて、ＣＶＤ法により金属含有薄膜を製造する方法を提供することができる。
【符号の説明】
【０１３８】
（図３）
４ バルブ
５ 気化器
１１ 反応器
６ 気化器ヒーター
１０ 反応器ヒーター
７ 原料ストロンチウム錯体
９ 基板
（図５）
１ バルブ
３ 気化器
４ 反応器
１０Ｂ 気化器ヒーター
１０Ｃ 反応器ヒーター
２０ 原料有機ニッケル錯体
２１ 基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な有機金属錯体、及び当該金属錯体を用いて、化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法；以下、ＣＶＤ法と称する）により金属含有薄膜を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ストロンチウム含有膜の一つである酸化ストロンチウム薄膜は、ＤＲＡＭキャパシタの高誘電体膜や不揮発性メモリの強誘電体膜（ＳＴＯ、ＳＢＴ）等に用いられている。このような酸化ストロンチウム薄膜を得る方法としては、例えば、ゾルゲル法、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等の方法が開発されているが、最近では、均一な薄膜を製造し易いＣＶＤ法によるストロンチウム含有薄膜の製造法が最も盛んに検討されている。
【０００３】
従来、ＣＶＤ法によるストロンチウム含有薄膜を製造するためのストロンチウム錯体としては、例えば、シクロペンタジエニル誘導体を配位子に用いたストロンチウム錯体（例えば、特許文献１及び２参照）、β−ジケトナト誘導体を配位子としたストロンチウム錯体（例えば、特許文献３及び４参照）、更に、室温で液体のビス（１−（２−メトキシエトキシ）−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（例えば、特許文献３参照）が開示されている。
【０００４】
また、近年、トランジスタの高性能化に伴い、ゲート絶縁膜の材料として、誘電率がシリコン酸化膜の３倍程度ある窒素添加ハフニウムシリケートの採用が本格化している。それに伴い、ソースとドレイン部の拡散層の浅接合化およびゲート電極のメタル化の検討がなされており、それらに対する新材料が要求されている。その新材料としては、コバルトシリサイドやニッケルシリサイド等が候補とされ、拡散層の深さを考慮して、ニッケルシリサイドが有力視されている。このニッケルシリサイドの形成技術に、ニッケルの薄膜形成が要求されている。又、抵抗変化型不揮発メモリ用途として、酸化ニッケル薄膜の形成も要求されている。一方、薄膜形成方法としては、スパッタ法、ＣＶＤ法が用いられるが、スパッタ法は周辺半導体素子へのダメージ、又はトランジスタ構造の微細化から、ＣＶＤ法での膜形成がより有用であるとされている。
【０００５】
従来、ＣＶＤ法によるニッケル含有薄膜を形成するためのニッケル錯体としては、例えば、シクロペンタジエニル誘導体を配位子に用いたニッケル錯体（例えば、特許文献５〜７参照）、β−ケトイミナトニッケル錯体（例えば、特許文献８参照）、ニッケルアミノアルコキシド錯体（例えば、特許文献９参照）、ニッケルアミド錯体（例えば、特許文献１０参照）やテトラキス（トリフルオロホスフィン）ニッケル錯体（例えば、特許文献１１参照）が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−３０１６４号公報
【特許文献２】特開２００９−４０７０７号公報
【特許文献３】特許３９０４２５５号公報
【特許文献４】特許３９６４９７６号公報
【特許文献５】特開２００５−９３７３２号公報
【特許文献６】特開２００６−１２４７４３号公報
【特許文献７】国際公開第２００９／０８１７９７号パンフレット
【特許文献８】特開２００７−３０２６５６号公報
【特許文献９】特表２００８−５３７９４７号公報
【特許文献１０】特開２００６−１２４２９１号公報
【特許文献１１】特開２００８−２３１４７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１及び２記載のシクロペンタジエニル誘導体を配位子に用いたストロンチウム錯体は、酸素との反応が激し過ぎるために、ストロンチウム含有薄膜製造時の制御に問題があった。又、特許文献３及び４記載のβ−ジケトナト誘導体を配位子としたストロンチウム錯体、例えば、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ノナンジオナト）ストロンチウムは、高融点の固体であるために、一定の供給量を保つことが困難である上に、配管閉塞を引き起こす恐れがあるという問題があった。
【０００８】
その中でも室温で液体のストロンチウム錯体の提案もなされているが、当該ストロンチウム錯体は、蒸気圧が低く、ストロンチウム含有薄膜製造時のストロンチウム錯体の供給が難しくなってしまう問題があった。
【０００９】
以上のように、上記いずれのストロンチウム錯体も何らかの問題を有しており、それらを用いたストロンチウム含有薄膜の製造法は工業的な製造法としては有利ではなかった。
【００１０】
また、ＣＶＤ法で用いられるニッケル錯体のうち、シクロペンタジエニル系ニッケル錯体やテトラキス（トリフルオロホスフィン）ニッケル錯体は、蒸気圧が高いものの、空気、水分又は熱に対して不安定であるために取り扱いが難しく、多量に使用する工業的な生産の際には問題であった。又、β−ケトイミナトニッケル錯体やニッケルアミド錯体は高融点の固体であるために、ＣＶＤ原料用途としては気化量変動の問題があり、更にはＣＶＤでの途中、配管内で閉塞を起こす可能性もある。一方、ニッケルアミノアルコキシド錯体は、一部の錯体で低融点であるものの、その多くは固体であり、水分に対して不安定であるため、その製造や取り扱いに問題があった。
【００１１】
以上のように、上記いずれの有機ニッケル錯体も問題を有しており、当該有機ニッケル錯体を用いたニッケル含有薄膜の製造方法は工業的な製造方法としては採用し難かった。
【００１２】
また、他の金属錯体に関しても、半導体、電子部品、光学部品など、様々な分野の材料として多くの研究と開発がなされており、特にＣＶＤ法による成膜に適した有機金属錯体が求められている。
【００１３】
本発明の課題は、即ち、上記問題点を解決し、低融点を有し、且つ熱に対しての安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による成膜に適した有機金属錯体を提供することにある。又、本発明の課題は、当該有機金属錯体を用いた金属含有薄膜の製造法を提供するものでもある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は以下の事項に関する。
【００１５】
１． 一般式（１）
【００１６】
【化１】
（式中、Ｍは、金属原子を示し、Ｘは、一般式（２）
【００１７】
【化２】
で示されるアルコキシアルキル基（式中、ｎ＝０又は１、Ｒａ、Ｒｃ及びＲｄは、それぞれ独立に、炭素原子数１〜５の直鎖又は分枝状のアルキル基を示し、Ｒｂは、炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキレン基を示す。）、Ｙは、一般式（２）で示される基又は炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基、Ｚは、水素原子又は炭素原子数１〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。ｍは、配位子の数を示し、金属Ｍの価数に等しい。
但し、ＭがＳｒであり、ｎ＝１であり、Ｒａ、Ｒｃ及びＲｄが全てメチル基、Ｒｂがメチレン基、Ｙがｔ−ブチル基であって、Ｚが水素原子であることを同時に満たす場合を除く。）
で示されるアルコキシアルキル基を有するβ−ジケトナトを配位子とすることを特徴とする有機金属錯体。
【００１８】
２． Ｍが、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌａ、Ｃｏ又はＹである上記１記載の有機金属錯体。
【００１９】
３． 上記１に記載の有機金属錯体、又は上記１に記載の有機金属錯体の溶媒溶液を金属供給源として用いた化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。
【００２０】
４． 上記１に記載の有機金属錯体、又は上記１に記載の有機金属錯体の溶媒溶液と、酸素源とを用いた上記３記載の化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。
【００２１】
５． 酸素源が酸素ガスである上記４記載の金属含有薄膜の製造法。
【００２２】
６． 上記１に記載の有機金属錯体、又は上記１に記載の有機金属錯体の溶媒溶液と、還元性ガスとを用いた上記３記載の化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。
【００２３】
７． 還元性ガスが水素ガス又はアンモニアガス、もしくはそれらの混合ガスである上記６記載の金属含有薄膜の製造法。
【００２４】
８． 使用する溶媒が、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類及びエーテル類からなる群より選ばれる少なくとも１種の溶媒である上記３乃至７のいずれか１項に記載の化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の有機金属錯体は、低融点を有し、且つ熱に対しての安定性に優れており、ＣＶＤ法による成膜に適している。また、本発明の有機金属錯体を用いて、ＣＶＤ法により、良好な成膜特性で、金属含有薄膜を成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明のストロンチウム錯体（３）、及びビス（ジピバロイルメタナト）ストロンチウム（ＩＩ）（Ｓｒ（ｄｐｍ）２）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。
【図２】本発明のストロンチウム錯体（５）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。
【図３】有機ストロンチウム錯体と酸素ガスとを用いてストロンチウム含有薄膜を製造する蒸着装置の構成を示す図である。
【図４】本発明のニッケル錯体（３）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。
【図５】有機ニッケル錯体を用いてニッケル含有薄膜を製造する蒸着装置の構成を示す図である。
【図６】本発明のリチウム錯体（３）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。
【図７】本発明の銅錯体（３）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。
【図８】本発明の亜鉛錯体（３）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。
【図９】本発明のマグネシウム錯体（３）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。
【図１０】本発明のアルミニウム錯体（３）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。
【図１１】本発明のランタン錯体（３）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。
【図１２】本発明のイットリウム錯体（３）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。
【図１３】本発明のコバルト錯体（３）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明の有機金属錯体は、アルコキシアルキル基を有するβ−ジケトナトを配位子とする金属錯体であり、前記の一般式（１）で示される。
【００２８】
前記の一般式（１）において、Ｍは、金属原子を示し、例えばＳｒ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌａ、Ｃｏ又はＹである。
【００２９】
好ましい配位子は金属（Ｍ）によって異なり、ＭがＳｒの場合は、ｎ＝１であり、Ｒａ、Ｒｃ及びＲｄが全てメチル基、Ｒｂがメチレン基、Ｙがｔ−ブチル基であって、Ｚが水素原子であることは好ましくない。
【００３０】
前記の一般式（１）において、Ｘは、前記の一般式（２）で示されるアルコキシアルキル基を示し、一般式（２）中、ｎ＝０又は１であり、Ｒａ、Ｒｃ及びＲｄは、それぞれ独立に、炭素原子数１〜５の直鎖又は分枝状のアルキル基を示し、Ｒｂは、炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキレン基を示す。Ｙは、一般式（２）で示される基又は炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基、Ｚは、水素原子又は炭素原子数１〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。但し、ＭがＳｒの場合は、ｎ＝１であり、Ｒａ、Ｒｃ及びＲｄが全てメチル基、Ｒｂがメチレン基、Ｙがｔ−ブチル基であって、Ｚが水素原子であることを同時に満たす場合を除く。
【００３１】
なお、ｎ＝０の場合、２つの−Ｒｂ−Ｏ−Ｒａは同一でも異なっていてもよく、また、Ｙが一般式（２）で示される基である場合、ＸとＹは同一でも異なっていてもよい。
【００３２】
Ｒａとしては、炭素原子数１〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基がより好ましく、エチル基が特に好ましい。
【００３３】
Ｒｂとしては、炭素原子数１〜３の直鎖又は分枝状のアルキレン基が好ましく、炭素原子数１〜２の直鎖又は分枝状のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が特に好ましい。
【００３４】
Ｒｃ及びＲｄとしては、炭素原子数１〜３の直鎖又は分枝状のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
【００３５】
Ｙとしては、一般式（２）で示される基、又は炭素原子数１〜５の直鎖又は分枝状のアルキル基が好ましく、炭素原子数３〜５の直鎖又は分枝状のアルキル基がより好ましく、ｔｅｒｔ−ブチル基が特に好ましい。
【００３６】
Ｚとしては、水素原子が好ましい。
【００３７】
前記の一般式（１）において、ｍは、配位子の数を示し、金属Ｍの価数に等しい。
【００３８】
本発明の有機ストロンチウム錯体の具体例としては、例えば、式（Ａ３）から式（Ａ１４）で示される。
【００３９】
【化３】
【００４０】
本発明の有機ニッケル錯体の具体例としては、例えば、式（Ｂ３）から式（Ｂ１４）で示される。
【００４１】
【化４】
【００４２】
本発明のリチウム錯体の具体例としては、例えば、式（Ｃ３）から式（Ｃ１４）で示される。
【００４３】
【化５】
本発明の銅錯体の具体例としては、例えば、式（Ｄ３）から式（Ｄ１４）で示される。
【００４４】
【化６】
本発明の亜鉛錯体の具体例としては、例えば、式（Ｅ３）から式（Ｅ１４）で示される。
【００４５】
【化７】
本発明のマグネシウム錯体の具体例としては、例えば、式（Ｆ３）から式（Ｆ１４）で示される。
【００４６】
【化８】
本発明のアルミニウム錯体の具体例としては、例えば、式（Ｇ３）から式（Ｇ１４）で示される。
【００４７】
【化９】
本発明のランタン錯体の具体例としては、例えば、式（Ｈ３）から式（Ｈ１４）で示される。
【００４８】
【化１０】
本発明のイットリウム錯体の具体例としては、例えば、式（Ｉ３）から式（Ｉ１４）で示される。
【００４９】
【化１１】
本発明のコバルト錯体の具体例としては、例えば、式（Ｊ３）から式（Ｊ１４）で示される。
【００５０】
【化１２】
本発明の有機金属錯体は、低融点であり、しかも熱安定性が高いため、ＣＶＤ法での使用におけるバブリング時の長期の加熱においても問題なく使用できる。
【００５１】
本発明の有機金属錯体の配位子であるβ−ジケトナトは対応するβ−ジケトンから得られるが、これらのβ−ジケトンは、例えば、式（Ａ３）のストロンチウム錯体および式（Ｂ３）のニッケル錯体の配位子であるβ−ジケトナトに対応するβ−ジケトン、１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオンは、下記式で示される方法等によって容易に得ることが出来る。
【００５２】
【化１３】
なお、本発明の金属錯体は、公知のβ−ジケトナトを配位子とする金属錯体の製造方法を参考にして、例えば、溶媒中で、金属酸化物、金属塩化物、金属水酸化物等の金属化合物と対応するβ−ジケトンとを反応させることにより製造することができる。
【００５３】
ＣＶＤ法においては、薄膜形成のために有機金属錯体を気化させる必要があるが、本発明の有機金属錯体を気化させる方法としては、例えば、有機金属錯体自体を気化室に充填又は搬送して気化させる方法だけでなく、有機金属錯体を適当な溶媒（例えば、ヘキサン、オクタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類；トルエン等の芳香族炭化水素類；テトラヒドロフラン、ジブチルエーテル等のエーテル類等が挙げられる。）に希釈した溶液を液体搬送用ポンプで気化室に導入して気化させる方法（溶液法）も使用出来る。
【００５４】
成膜対象物上へのストロンチウム含有薄膜の蒸着方法としては、公知のＣＶＤ法で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、ストロンチウム錯体蒸気を酸素源（例えば、酸素、オゾン等の酸化性ガス；水；メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノール等のアルコール類）と共に加熱した成膜対象物上に送り込んでストロンチウム含有薄膜を蒸着させる方法が使用出来る。なお、これらのガス（気化した液体も含む）は不活性ガス等で希釈されていても良い。又、同様な原料供給により、プラズマＣＶＤ法でストロンチウム含有薄膜を蒸着させることも出来る。
【００５５】
本発明の有機ストロンチウム錯体を用いてストロンチウム含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応系内の圧力は、好ましくは１Ｐａ〜２００ｋＰａ、更に好ましくは１０Ｐａ〜１１０ｋＰａ、成膜対象物温度は、好ましくは５０〜９００℃、更に好ましくは１００〜６００℃、有機ストロンチウム錯体を気化させる温度は、好ましくは６０〜４００℃、更に好ましくは１００〜３００℃である。
【００５６】
なお、ストロンチウム含有薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する酸素源（例えば、酸化性ガス、水蒸気又はアルコール蒸気、もしくはこれらの混合ガス）の含有割合としては、好ましくは３〜９９容量％、更に好ましくは５〜９８容量％である。
【００５７】
成膜対象物上へのニッケル含有薄膜の蒸着方法としては、公知のＣＶＤ法で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、有機ニッケル錯体蒸気を酸素源（例えば、酸素、オゾン等の酸化性ガス；水；メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノール等のアルコール類）又は還元性ガス（例えば、水素ガス、アンモニアガス）と共に加熱した成膜対象物上に送り込んでニッケル含有薄膜を蒸着させる方法が使用出来る。なお、これらのガス（気化した液体も含む）は不活性ガス等で希釈されていても良い。又、同様な原料供給により、プラズマＣＶＤ法でニッケル含有薄膜を蒸着させることも出来る。
【００５８】
本発明の有機ニッケル錯体を用いてニッケル含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応系内の圧力は、好ましくは１Ｐａ〜２００ｋＰａ、更に好ましくは１０Ｐａ〜１１０ｋＰａ、成膜対象物温度は、好ましくは５０〜９００℃、更に好ましくは１００〜６００℃、有機ニッケル錯体を気化させる温度は、好ましくは３０〜２５０℃、更に好ましくは６０〜２００℃である。
【００５９】
なお、ニッケル含有薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する酸素源（例えば、酸化性ガス、水蒸気又はアルコール蒸気、もしくはこれらの混合ガス）又は還元性ガス（例えば、水素ガス又はアンモニアガス、もしくはこれらの混合ガス）の含有割合としては、好ましくは３〜９９容量％、更に好ましくは５〜９８容量％である。
【００６０】
他の金属含有薄膜も、上記のストロンチウム含有薄膜及びニッケル含有薄膜と同様にして成膜することができる。
【実施例】
【００６１】
次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。
【００６２】
実施例１（ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）（ストロンチウム錯体（Ａ３）；以下、ストロンチウム錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、酸化ストロンチウム０．４ｇ（３．９ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン１０ｍｌを加えた。次いで、１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン１．７ｇ（６．１ｍｍｏｌ）を水冷下にて滴下させた後、水０．２ｇを滴下して１時間反応させた。
【００６３】
反応終了後、反応液を減圧下にて濃縮し、濃縮物にヘキサン１０ｍｌを加えた。得られた溶液を濾過後、濾液を濃縮した後に、濃縮物を減圧蒸留（３１０℃、１６Ｐａ）して、黄色固体として、ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）１．３ｇを得た（単離収率：６２．５％）。
【００６４】
ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【００６５】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；１．０４〜１．１１（３６Ｈ，ｍ）、３．３２（４Ｈ，ｓ）、３．４７（４Ｈ，ｑ）、５．５０（２Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６７、２８６８、１５９６、１５０３、１４２７、１３５９、１２２３、１１７９、１１２３、１０６８、８７０、７９０、７４９、４７４
元素分析（Ｃ２６Ｈ４６Ｏ６Ｓｒ）；炭素：５７．４％、水素：８．８％、ストロンチウム：１６．０％（理論値；炭素：５７．６％、水素：８．６％、ストロンチウム：１６．２％）
融点；４０〜４４℃
【００６６】
実施例２（ビス（２，２−ビス（メトキシメチル）−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）（ストロンチウム錯体（Ａ１３）；以下、ストロンチウム錯体（１３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、酸化ストロンチウム０．２ｇ（１．９ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン５ｍｌを加えた。次いで、２，２−ビス（メトキシメチル）−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオン０．７ｇ（２．９ｍｍｏｌ）を水冷下にて滴下させた後、水０．２ｇを滴下して１時間反応させた。
【００６７】
反応終了後、反応液を減圧下にて濃縮し、濃縮物にヘキサン１０ｍｌを加えた。得られた溶液を濾過後、濾液を濃縮した後に、濃縮物を減圧蒸留（３２０℃、１６Ｐａ）して、黄色固体として、ビス（２，２−ビス（メトキシメチル）−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）０．５ｇを得た（単離収率：６１．０％）。
【００６８】
ビス（２，２−ビス（メトキシメチル）−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【００６９】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；１．０３（２４Ｈ，ｍ）、３．３６（１６Ｈ，ｍ）、３．５７（４Ｈ，ｄ）、５．３８（２Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６６、１５９６、１６０６、１５３２、１４９９、１４２９、１３８９、１３６１、１２７２、１２２５、１１７４、１１２３、１０８０、１０１９、８６１、７９４、７３５、４７５
元素分析（Ｃ２６Ｈ４６Ｏ８Ｓｒ）；炭素：５４．６％、水素：８．２％、ストロンチウム：１５．１％（理論値；炭素：５４．４％、水素：８．１％、ストロンチウム：１５．３％）
融点；７５〜７９℃
【００７０】
実施例３（ビス（２，２−ビス（エトキシメチル）−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）（ストロンチウム錯体（Ａ１４）；以下、ストロンチウム錯体（１４）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、酸化ストロンチウム０．２ｇ（１．９ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン１０ｍｌを加えた。次いで、２，２−ビス（エトキシメチル）−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオン０．８ｇ（２．９ｍｍｏｌ）を水冷下にて滴下させた後、水０．２ｇを滴下して１時間反応させた。
【００７１】
反応終了後、反応液を減圧下にて濃縮し、濃縮物にヘキサン１０ｍｌを加えた。得られた溶液を濾過後、濾液を濃縮した後に、濃縮物を減圧蒸留（３２０℃、３５Ｐａ）して、黄色固体として、ビス（２，２−ビス（エトキシメチル）−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）０．４ｇを得た（単離収率：４３．２％）。
【００７２】
ビス（２，２−ビス（エトキシメチル）−６，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【００７３】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；１．０２（２４Ｈ，ｓ）、１．１６（１２Ｈ，ｔ）、３．５０（４Ｈ，ｄ）、３．５９（１２Ｈ，ｍ）、５．４０（２Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６６、１５９６、１６０６、１５３２、１４９９、１４２９、１３８９、１３６１、１２７２、１２２５、１１７４、１１２３、１０８０、１０１９、８６１、７９４、７３５、４７５
元素分析（Ｃ３０Ｈ５４Ｏ８Ｓｒ）；炭素：５７．４％、水素：８．７％、ストロンチウム：１３．８％（理論値；炭素：５７．２％、水素：８．６％、ストロンチウム：１３．９％）
融点；４０℃
【００７４】
実施例４（ビス（１−ｎ−プロポキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）（ストロンチウム錯体（Ａ５）；以下、ストロンチウム錯体（５）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、水酸化ストロンチウム８水和物２．７２ｇ（１０．２ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン２０ｍｌを加えた。次いで、ｎ−プロポキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン４．９ｇ（２０．１ｍｍｏｌ）を水冷下にて滴下させて１時間反応させた。
【００７５】
反応終了後、反応液を減圧下にて濃縮し、濃縮物にヘキサン４０ｍｌを加えた。得られた溶液を濾過後、濾液を濃縮した後に、濃縮物を減圧蒸留（３１０℃、１８Ｐａ）して、黄色高粘性液体として、ビス（１−ｎ−プロポキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）３．９ｇを得た（単離収率：６７．４％）。
【００７６】
ビス（１−ｎ−プロポキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【００７７】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；０．８３（６Ｈ，ｔ）、１．０４〜１．０７（３０Ｈ，ｍ）、１．５４（４Ｈ，ｍ）、３．３５（８Ｈ，ｍ）、５．５０（２Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６３、２８７３、１５９５、１５０２、１４２７、１３５９、１２２３、１１２２、１０７３、８６８、７９０、７４９、４７４
元素分析（Ｃ２８Ｈ５０Ｏ６Ｓｒ）；炭素：６０．０％、水素：８．９％、ストロンチウム：１５．２％（理論値；炭素：５９．０％、水素：８．８％、ストロンチウム：１５．４％）
【００７８】
実施例５（熱安定性の評価）
本発明のビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）（ストロンチウム錯体（３））、及び一般的に広く使用されているビス（ジピバロイルメタナト）ストロンチウム（ＩＩ）（Ｓｒ（ｄｐｍ）２；市販品を昇華精製して使用した）の熱安定性の評価を行った。その結果を図１に示した。
【００７９】
図１のＴＧデータの結果より、本発明のストロンチウム錯体（３）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。
【００８０】
また、本発明のビス（１−ｎ−プロポキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）（ストロンチウム錯体（５））の熱安定性の評価を行った。その結果を図２に示した。
【００８１】
図２のＴＧデータの結果より、本発明のストロンチウム錯体（５）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。
【００８２】
実施例６〜９（蒸着実験；ストロンチウム含有薄膜の製造）
実施例１〜４で得られた有機ストロンチウム錯体を用いて、ＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。
【００８３】
評価試験には、図３に示す装置を使用した。気化器５（ガラス製アンプル）にあるストロンチウム錯体７は、ヒーター６で加熱されて気化し、マスフローコントローラー１Ａを経て導入されたヘリウムガスに同伴し気化器５を出る。気化器５を出たガスは、マスフローコントローラー１Ｂで導入された酸素ガスとともに反応器１１に導入される。反応系内圧力は真空ポンプ手前のバルブ１４の開閉により、所定圧力にコントロールされ、圧力計１２によってモニターされる。ガラス製反応器の中央部はヒーター１０で加熱可能な構造となっている。反応器に導入されたストロンチウム錯体は、反応器内中央部にセットされ、ヒーター１０で所定の温度に加熱された被蒸着基板９の表面上で反応分解し、基板９上に酸化ストロンチウム膜が析出する。反応器１１を出たガスは、トラップ１３、真空ポンプを経て、大気中に排気される構造となっている。
【００８４】
蒸着結果（成膜特性）を表１に示す。なお、ストロンチウム含有薄膜の製造における共通蒸着条件は以下の通りである。
【００８５】
ストロンチウム錯体気化温度；２２０℃
Ｈｅキャリアー流量；３０ｍｌ／ｍｉｎ．
酸素流量；３５０ｍｌ／ｍｉｎ．
蒸着基板；ＳｉＯ２／Ｓｉ（６ｍｍ×２０ｍｍサイズ）
基板温度；５２５℃
反応系内圧力；３９９０Ｐａ
蒸着時間；３０分
【００８６】
【表１】
【００８７】
該結果より、本発明の有機ストロンチウム錯体（アルコキシアルキル基を有するβ−ジケトナトを配位子とするストロンチウム錯体）を用いることにより、優れた特性を有するストロンチウム含有薄膜を製造することが可能であることが分かる。
【００８８】
実施例１０（ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ニッケル（ＩＩ）（ニッケル錯体（Ｂ３）；以下、ニッケル錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、２８％のナトリウムメトキシド・メタノール溶液３．６２ｇ（１８．８ｍｍｏｌ）を加えた後、室温にて、１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン４．３５ｇ（１９．０ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下終了後、塩化ニッケル６水和物２．２２g（９．３４ｍｍｏｌ）をメタノール１５ｍｌに溶かしたメタノール溶液を滴下し、その後、攪拌しながら５分間反応させた。反応終了後、水３０ｍｌ及びメチルシクロヘキサン５０ｍｌを加えて分液し、得られた有機層を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（２００℃、１５Ｐａ）し、粘性のある暗緑色粘性液体として、ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ニッケル（ＩＩ）４．４１ｇを得た（単離収率；９２％）。
【００８９】
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６７、２９３１、２９０３、２８６７、１５８７、１５２８、１５０１、１４１９、１３６０、１１１１、１０６９、８７５、７９１、７５５、４８７
元素分析（Ｃ２６Ｈ４６Ｏ６Ｎｉ）；炭素：６０．７％、水素：９．００％、ニッケル：１１％（理論値；炭素：６０．８％、水素：９．０３％、ニッケル：１１．４％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；５１２、４５５、２８６、５７
【００９０】
実施例１１（熱安定性の評価）
本発明のビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ニッケル（ＩＩ）（ニッケル錯体（３））の熱安定性の評価を行った。その結果を図４に示した。
【００９１】
図４のＴＧデータの結果より、本発明のニッケル錯体（３）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。
【００９２】
実施例１２〜１４（蒸着実験；ニッケル含有薄膜の製造）
実施例１０で得られたニッケル錯体を用いて、ＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。
【００９３】
評価試験には、図５に示す装置を使用した。気化器３（ガラス製アンプル）にあるニッケル錯体２０は、ヒーター１０Ｂで加熱されて気化し、マスフローコントローラー１Ａを経て予熱器１０Ａで予熱後導入されたヘリウムガスに同伴し気化器３を出る。気化器３を出たガスは、マスフローコントローラー１Ｂ、ストップバルブ２を経て導入された酸素ガス、水素ガスもしくはアンモニアガスとともに反応器４に導入される。反応系内圧力は真空ポンプ手前のバルブ６の開閉により、所定圧力にコントロールされ、圧力計５によってモニターされる。反応器の中央部はヒーター１０Ｃで加熱可能な構造となっている。反応器に導入されたニッケル錯体は、反応器内中央部にセットされ、ヒーター１０Ｃで所定の温度に加熱された被蒸着基板２１の表面上で酸化熱分解もしくは還元分解され、基板２１上にニッケル含有薄膜が析出する。反応器４を出たガスは、トラップ７、真空ポンプを経て、大気中に排気される構造となっている。
【００９４】
蒸着条件及び蒸着結果（成膜特性）を表２に示す。なお、被蒸着基板としては、６ｍｍ×２０ｍｍサイズの矩形のものを使用した。
【００９５】
【表２】
【００９６】
該結果より、本発明の有機ニッケル錯体（アルコキシアルキル基を有するβ−ジケトナトを配位子とする有機ニッケル錯体）を用いることにより、優れた特性を有するニッケル含有薄膜を製造することが可能であることが分かる。
【００９７】
実施例１５（（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）リチウム（Ｉ）（リチウム錯体（Ｃ３）；以下、リチウム錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液５．０５ｇ（２６．２ｍｍｏｌ）及びメタノール１０ｍｌを加え、氷冷下、１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン６．０６ｇ（２６．５ｍｍｏｌ）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化リチウム（Ｉ）１．０８ｇ（２５．５ｍｍｏｌ）をメタノール１０ｍｌに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら３０分間反応させた。その後、メチルシクロヘキサン４０ｍｌ及び水４０ｍｌを加え、有機層を分液し、水洗した有機層を濃縮した。その濃縮物を減圧蒸留（１８５℃、２３Ｐａ）し、黄色固体として、（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）リチウム（Ｉ）１．５８ｇを得た（単離収率：２６．５％）。
【００９８】
（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）リチウム（Ｉ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【００９９】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；１．０９（９Ｈ，ｓ）、１．１３〜１．１６（９Ｈ，ｍ）、３．３６（２Ｈ，ｓ）、３．６４（２Ｈ，ｑ）、５．５３（１Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６５、２８６８、１６０９、１５０３、１４３２、１３８９、１３６２、１３０３、１２２３、１１２１、１０９０、８６７、７９０、７４８、６１３、５５７、５１８
元素分析（Ｃ１３Ｈ２３Ｏ３Ｌｉ）；炭素：６７．０％、水素：１０．０％、リチウム：２９．８％（理論値；炭素：６６．７％、水素：９．９％、リチウム：３０．０％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；５１０、４５３、２４１、１８３、５７
融点；７８〜８１℃
【０１００】
実施例１６（熱安定性の評価）
本発明の（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）リチウム（Ｉ）（リチウム錯体（３））の熱安定性の評価を行った。その結果を図６に示した。
【０１０１】
図６のＴＧデータの結果より、本発明のリチウム錯体（３）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。
【０１０２】
実施例１７（ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）銅（ＩＩ）（銅錯体（Ｄ３）；以下、銅錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、水酸化銅１．２４ｇ（１２．７ｍｍｏｌ）、１，２−ジメトキシエタン１２ｍｌ、１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン３．２６ｇ（１４．３ｍｍｏｌ）及び水１ｍｌを入れ、室温下、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、濾過を行い、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１７０℃、２７Ｐａ）し、粘性のある暗緑色粘性液体として、ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）銅（ＩＩ）０．２８ｇを得た（単離収率：７．６％）。
【０１０３】
ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）銅（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【０１０４】
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６８、２８６８、１５５２、１５０４、１４０５、１３６１、１２７３、１２２７、１１７６、１１１５、８７７、７９３、７５７
元素分析（Ｃ２６Ｈ４６Ｏ６Ｃｕ）；炭素：６１．０％、水素：９．１％、銅：１２．２％（理論値；炭素：６０．３％、水素：９．０％、銅：１２．３％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；５１７、４６０、２８９、２３３、１０１、５７
【０１０５】
実施例１８（熱安定性の評価）
本発明のビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）銅（ＩＩ）（銅錯体（３））の熱安定性の評価を行った。その結果を図７に示した。
【０１０６】
図７のＴＧデータの結果より、本発明の銅錯体（３）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。
【０１０７】
実施例１９（ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（ＩＩ）（亜鉛錯体（Ｅ３）；以下、亜鉛錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、水酸化ナトリウム０．６０ｇ（１２．０ｍｍｏｌ）、メタノール１３ｍｌ及び水１ｍｌを加え、氷冷下、１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン３．６０ｇ（１５．８ｍｍｏｌ）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化亜鉛（ＩＩ）１．０６ｇ（７．８ｍｍｏｌ）をメタノール１３ｍｌに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら３０分間反応させた。その後、メチルシクロヘキサン３０ｍｌ及び水３０ｍｌを加え、有機層を分液し、水洗後有機層を濃縮した。その濃縮物を減圧蒸留（１７０℃、２４Ｐａ）し、粘性のある淡黄色液体として、ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（ＩＩ）１．１７ｇを得た（単離収率：３０．０％）。
【０１０８】
ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【０１０９】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；１．１３〜１．１９（３６Ｈ，ｍ）、３．４１（４Ｈ，ｓ）、３．４５〜３．５０（４Ｈ，ｍ）、５．８０（２Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６９、２８６８、１５５１、１５０５、１３８８、１３５９、１２２４、１１１４、８７５、７９５
元素分析（Ｃ２６Ｈ４５Ｏ６Ｚｎ）；炭素：６０．２％、水素：９．０％、亜鉛：１２．４％（理論値；炭素：６０．１％、水素：８．９％、亜鉛：１２．６％）
【０１１０】
実施例２０（熱安定性の評価）
本発明のビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（ＩＩ）（亜鉛錯体（３））の熱安定性の評価を行った。その結果を図８に示した。
【０１１１】
図８のＴＧデータの結果より、本発明の亜鉛錯体（３）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。
【０１１２】
実施例２１（ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）マグネシウム（ＩＩ）（マグネシウム錯体（Ｆ３）；以下、マグネシウム錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、水酸化マグネシウム０．５２ｇ（８．９ｍｍｏｌ）及びメタノール１３ｍｌ、１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン５．０６ｇ（２２．２ｍｍｏｌ）及び水５ｍｌを入れ、室温下、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、反応液を濃縮し、濃縮物を減圧蒸留（２３０℃、２７Ｐａ）し、白色固体として、ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）マグネシウム（ＩＩ）３．１１ｇを得た（単離収率：７３．０％）。
【０１１３】
ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）マグネシウム（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【０１１４】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；１．０６〜１．１７（３６Ｈ，ｍ）、３．４０（４Ｈ，ｓ）、３．４６〜３．５３（４Ｈ，ｍ）、５．５８（２Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６７、２８６５、１５９５、１５２９、１５０５、１４３５、１３８７、１３５７、１１２６、１０６９、８７６、７９５、７５５
元素分析（Ｃ２６Ｈ４６Ｏ６Ｍｇ）；炭素：６５．０％、水素：９．５％、マグネシウム：１２．０％（理論値；炭素：６５．２％、水素：９．７％、マグネシウム：５．１％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；５１０、４２１、３７７、２５１、１８３、１０１、５７
融点；６５〜６８℃
【０１１５】
実施例２２（熱安定性の評価）
本発明のビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）マグネシウム（ＩＩ）（マグネシウム錯体（３））の熱安定性の評価を行った。その結果を図９に示した。
【０１１６】
図９のＴＧデータの結果より、本発明のマグネシウム錯体（３）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。
【０１１７】
実施例２３（トリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）アルミニウム（ＩＩＩ）（アルミニウム錯体（Ｇ３）；以下、アルミニウム錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液３．０４ｇ（１５．８ｍｍｏｌ）及びメタノール１０ｍｌを加え、氷冷下、１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン３．８０ｇ（１６．６ｍｍｏｌ）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化アルミニウム（ＩＩＩ）０．６７ｇ（５．０ｍｍｏｌ）をメタノール１０ｍｌに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら３０分間反応させた。その後、メチルシクロヘキサン３０ｍｌ及び水３０ｍｌを加え、有機層を分液し、水洗後有機層を濃縮した。その濃縮物を減圧蒸留（１８０℃、２３Ｐａ）し、白色固体として、トリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）アルミニウム（ＩＩＩ）２．４６ｇを得た（単離収率：６９．１％）。
【０１１８】
トリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）アルミニウム（ＩＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【０１１９】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；１．０５〜１．１３（５４Ｈ，ｍ）、３．４１〜３．４５（１２Ｈ，ｍ）、５．６７（３Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６８、２８６８、１５７９、１５４０、１５１０、１４３４、１３９８、１２８０、１１７５、１１４９、１１１６、８８０、７９５、６５９、５３５
元素分析（Ｃ３９Ｈ６９Ｏ９Ａｌ）；炭素：６６．０％、水素：９．８％、アルミニウム：３．８％（理論値；炭素：６６．１％、水素：９．８％、アルミニウム：３．８％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；７０８、４８１、４２２、５７
融点；７７〜８８℃
【０１２０】
実施例２４（熱安定性の評価）
本発明のトリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）アルミニウム（ＩＩＩ）（アルミニウム錯体（３））の熱安定性の評価を行った。その結果を図１０に示した。
【０１２１】
図１０のＴＧデータの結果より、本発明のアルミニウム錯体（３）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。
【０１２２】
実施例２５（トリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ランタン（ＩＩＩ）（ランタン錯体（Ｈ３）；以下、ランタン錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液３．０１ｇ（１５．６ｍｍｏｌ）及びメタノール５ｍｌを加え、氷冷下、１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン３．６９ｇ（１６．２ｍｍｏｌ）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化ランタン（ＩＩＩ）７水和物１．８９ｇ（５．１ｍｍｏｌ）をメタノール１０ｍｌに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら３０分間反応させた。その後、メチルシクロヘキサン３０ｍｌ及び水３０ｍｌを加え、有機層を分液し、水洗後有機層を濃縮した。その濃縮物を減圧蒸留（２２０℃、２３Ｐａ）し、淡黄色の粘性液体として、トリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ランタン（ＩＩＩ）３．７９ｇを得た（単離収率：９０．７％）。
【０１２３】
トリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ランタン（ＩＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【０１２４】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；０．９７〜１．１６（５４Ｈ，ｍ）、３．３８（６Ｈ，ｓ）、３．４３〜３．５２（６Ｈ，ｑ）、５．６７（３Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６９、２８６７、１５７４、１５３３、１５０３、１４１２、１３５９、１２２４、１１７４、１１１９、８７０、７９２、７５１、４７５
元素分析（Ｃ３９Ｈ６９Ｏ９Ｌａ）；炭素：５７．２％、水素：８．６％、ランタン：１６．７％（理論値；炭素：５７．１％、水素：８．５％、ランタン：１６．９％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；８２０、７１９、５９３、５１０、４１１、３５３、１２７、５７
【０１２５】
実施例２６（熱安定性の評価）
本発明のトリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ランタン（ＩＩＩ）（ランタン錯体（３））の熱安定性の評価を行った。その結果を図１１に示した。
【０１２６】
図１１のＴＧデータの結果より、本発明のランタン錯体（３）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。
【０１２７】
実施例２７（トリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）イットリウム（ＩＩＩ）（イットリウム錯体（Ｉ３）；以下、イットリウム錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液３．１０ｇ（１６．１ｍｍｏｌ）及びメタノール３ｍｌを加え、氷冷下、１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン３．８０ｇ（１６．６ｍｍｏｌ）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化イットリウム（ＩＩＩ）６水和物１．５８ｇ（５．２ｍｍｏｌ）をメタノール１０ｍｌに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら３０分間反応させた。その後、メチルシクロヘキサン３０ｍｌ及び水３０ｍｌを加え、有機層を分液し、水洗後有機層を濃縮した。その濃縮物を減圧蒸留（１９０℃、２８Ｐａ）し、淡黄色の粘性液体として、トリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）イットリウム（ＩＩＩ）３．２６ｇを得た（単離収率：８１．２％）。
【０１２８】
トリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）イットリウム（ＩＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【０１２９】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；１．０３〜１．１５（５４Ｈ，ｍ）、３．３９（６Ｈ，ｓ）、３．４２〜３．４８（６Ｈ，ｑ）、５．７４（３Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６６、２８６８、１５７５、１５３８、１５０６、１４２２、１３５９、１２２６、１１７４、１１０８、８７２、７９３、７５９、４７５
元素分析（Ｃ３９Ｈ６９Ｏ９Ｙ）；炭素：６１．１％、水素：９．２％、イットリウム：１６．４％（理論値；炭素：６０．８％、水素：９．０％、イットリウム：１１．５％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；７７０、７１３、６６９、６２５、５４３、４９９、４４１、３２８、１７１、１２７、５７
【０１３０】
実施例２８（熱安定性の評価）
本発明のトリス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）イットリウム（ＩＩＩ）（イットリウム錯体（３））の熱安定性の評価を行った。その結果を図１２に示した。
【０１３１】
図１２のＴＧデータの結果より、本発明のイットリウム錯体（３）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。
【０１３２】
実施例２９（ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）コバルト（ＩＩ）（コバルト錯体（Ｊ３）；以下、コバルト錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液３．０８ｇ（１６．０ｍｍｏｌ）及びメタノール５ｍｌを加え、氷冷下、１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン３．７６ｇ（１６．５ｍｍｏｌ）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化コバルト（ＩＩ）１．０２ｇ（７．９ｍｍｏｌ）をメタノール１０ｍｌに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら３０分間反応させた。その後、メチルシクロヘキサン３０ｍｌ及び水３０ｍｌを加え、有機層を分液し、水洗後有機層を濃縮した。その濃縮物を減圧蒸留（１７０℃、２７Ｐａ）し、暗赤色の粘性液体として、ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）コバルト（ＩＩ）３．８３ｇを得た（単離収率：９５．０％）。
【０１３３】
ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）コバルト（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
【０１３４】
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９６７、２８６５、１５８４、１５３５、１５０２、１４４９、１４２４、１３５８、１１２３、１０６１、８７４、７９３、７５４、６１０、４８３
元素分析（Ｃ２６Ｈ４６Ｏ６Ｃｏ）；炭素：６１．０％、水素：９．１％、コバルト：１１．３％（理論値；炭素：６０．８％、水素：９．０％、コバルト：１１．５％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；５１３、５１０、４５６、３８５、２８６、１７１、１０１、５７
【０１３５】
実施例３０（熱安定性の評価）
本発明のビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）コバルト（ＩＩ）（コバルト錯体（３））の熱安定性の評価を行った。その結果を図１３に示した。
【０１３６】
図１３のＴＧデータの結果より、本発明のコバルト錯体（３）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【０１３７】
本発明により、ＣＶＤ法による成膜に適した新規な有機金属錯体を提供することができる。また、当該金属錯体を用いて、ＣＶＤ法により金属含有薄膜を製造する方法を提供することができる。
【符号の説明】
【０１３８】
（図３）
４ バルブ
５ 気化器
１１ 反応器
６ 気化器ヒーター
１０ 反応器ヒーター
７ 原料ストロンチウム錯体
９ 基板
（図５）
１ バルブ
３ 気化器
４ 反応器
１０Ｂ 気化器ヒーター
１０Ｃ 反応器ヒーター
２０ 原料有機ニッケル錯体
２１ 基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
（式中、Ｍは、金属原子を示し、Ｘは、一般式（２）
【化２】
で示されるアルコキシアルキル基（式中、ｎ＝０又は１、Ｒａ、Ｒｃ及びＲｄは、それぞれ独立に、炭素原子数１〜５の直鎖又は分枝状のアルキル基を示し、Ｒｂは、炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキレン基を示す。）、Ｙは、一般式（２）で示される基又は炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基、Ｚは、水素原子又は炭素原子数１〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。ｍは、配位子の数を示し、金属Ｍの価数に等しい。
但し、ＭがＳｒであり、ｎ＝１であり、Ｒａ、Ｒｃ及びＲｄが全てメチル基、Ｒｂがメチレン基、Ｙがｔ−ブチル基であって、Ｚが水素原子であることを同時に満たす場合を除く。）
で示されるアルコキシアルキル基を有するβ−ジケトナトを配位子とすることを特徴とする有機金属錯体。
【請求項２】
Ｍが、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌａ、Ｃｏ又はＹである請求項１記載の有機金属錯体。
【請求項３】
請求項１に記載の有機金属錯体、又は請求項１に記載の有機金属錯体の溶媒溶液を金属供給源として用いた化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。
【請求項４】
請求項１に記載の有機金属錯体、又は請求項１に記載の有機金属錯体の溶媒溶液と、酸素源とを用いた請求項３記載の化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。
【請求項５】
酸素源が酸素ガスである請求項４記載の金属含有薄膜の製造法。
【請求項６】
請求項１に記載の有機金属錯体、又は請求項１に記載の有機金属錯体の溶媒溶液と、還元性ガスとを用いた請求項３記載の化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。
【請求項７】
還元性ガスが水素ガス又はアンモニアガス、もしくはそれらの混合ガスである請求項６記載の金属含有薄膜の製造法。
【請求項８】
使用する溶媒が、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類及びエーテル類からなる群より選ばれる少なくとも１種の溶媒である請求項３乃至７のいずれか１項に記載の化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
（式中、Ｍは、金属原子を示し、Ｘは、一般式（２）
【化２】
で示されるアルコキシアルキル基（式中、ｎ＝０又は１、Ｒａ、Ｒｃ及びＲｄは、それぞれ独立に、炭素原子数１〜５の直鎖又は分枝状のアルキル基を示し、Ｒｂは、炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキレン基を示す。）、Ｙは、一般式（２）で示される基又は炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基、Ｚは、水素原子又は炭素原子数１〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。ｍは、配位子の数を示し、金属Ｍの価数に等しい。
但し、ＭがＳｒであり、ｎ＝１であり、Ｒａ、Ｒｃ及びＲｄが全てメチル基、Ｒｂがメチレン基、Ｙがｔ−ブチル基であって、Ｚが水素原子であることを同時に満たす場合を除く。）
で示されるアルコキシアルキル基を有するβ−ジケトナトを配位子とすることを特徴とする有機金属錯体。
【請求項２】
Ｍが、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌａ、Ｃｏ又はＹである請求項１記載の有機金属錯体。
【請求項３】
請求項１に記載の有機金属錯体、又は請求項１に記載の有機金属錯体の溶媒溶液を金属供給源として用いた化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。
【請求項４】
請求項１に記載の有機金属錯体、又は請求項１に記載の有機金属錯体の溶媒溶液と、酸素源とを用いた請求項３記載の化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。
【請求項５】
酸素源が酸素ガスである請求項４記載の金属含有薄膜の製造法。
【請求項６】
請求項１に記載の有機金属錯体、又は請求項１に記載の有機金属錯体の溶媒溶液と、還元性ガスとを用いた請求項３記載の化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。
【請求項７】
還元性ガスが水素ガス又はアンモニアガス、もしくはそれらの混合ガスである請求項６記載の金属含有薄膜の製造法。
【請求項８】
使用する溶媒が、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類及びエーテル類からなる群より選ばれる少なくとも１種の溶媒である請求項３乃至７のいずれか１項に記載の化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１１−２４６４３８（Ｐ２０１１−２４６４３８Ａ）
【公開日】平成２３年１２月８日（２０１１．１２．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２３０５１（Ｐ２０１１−２３０５１）
【出願日】平成２３年２月４日（２０１１．２．４）
【出願人】（００００００２０６）宇部興産株式会社 (2,022)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１２月８日（２０１１．１２．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年２月４日（２０１１．２．４）
【出願人】（００００００２０６）宇部興産株式会社 (2,022)
【Ｆターム（参考）】
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