【課題】優れた結晶性を有する窒化物半導体を再現性良く形成することができる窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】ｃ面を主面とするサファイア基板とアルミニウムを含有するターゲットとを距離をあけて配置する工程と、サファイア基板とターゲットとの間にＤＣ−ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ方式により電圧を印加して行なわれるＤＣマグネトロンスパッタ法によりサファイア基板の表面上にアルミニウム含有窒化物中間層を形成する工程と、を含み、アルミニウム含有窒化物中間層上に（００４）面を主面とする窒化物半導体を形成する工程とを含む窒化物半導体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】相対的に高い変換効率を持つ新規なカルコゲナイト系化合物半導体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】以下の構成を備えたカルコゲナイト系化合物半導体及びその製造方法。（１）カルコゲナイト系化合物半導体は、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、元素Ｘ₃（＝Ｓ及び／又はＳｅ）、及び、Ｏを必須元素として含む。（２）カルコゲナイト系化合物半導体は、（ａ）Ｃｕ、Ｚｎ及びＳｎを含み、（ｂ）Ｃｕ、Ｚｎ及びＳｎから選ばれるいずれか１以上の元素を含む、１種又は２種以上の非結晶の酸化物及び／又は水酸化物を含む前駆体を硫化及び／又はセレン化することにより得られる。前駆体は、大気開放型ＣＶＤ装置にＣｕ源、Ｚｎ源及びＳｎ源を含むＣＶＤ原料を供給し、ＣＶＤ原料を同時に気化させることにより形成するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 良好な結晶品質を確保しながら能率よく成長することができる、エピタキシャルウエハの製造方法および当該エピタキシャルウエハを得る。
【解決手段】 半導体の基板を準備する工程と、基板の上に、ペアをなす一方の層または両方の層にアンチモン（Ｓｂ）を含むタイプＩＩの多重量子井戸構造を、ペア数５０以上７００以下で、形成する工程と、ＩｎＰ表面層を形成する工程とを備え、多重量子井戸構造の形成工程の開始からＩｎＰ表面層の形成工程の終了まで、再成長界面が含まれないように一つの成長槽内で処理し、すべての層を有機金属原料を用いる全有機気相成長法により形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サファイア、ＧａＡｓ、シリコンまたは炭化ケイ素といった異種基板上で第３族窒化物の半導体材料の層を１層以上成長させる上で遭遇する、少なくともいくつかの問題に対処する。
【解決手段】ラミネート基板システムは、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（５）と支持基板材料（４）（または当該材料と一般化学組成が同一である材料）とが交互に積層された多数の層からなる変成遷移領域（２）を含む。転位密度が低い第３族窒化物半導体素子（２）がラミネート基板システム上に形成される。変成遷移領域（２）の多数の層（４、５）は、格子定数が支持基板（１）（支持基板付近）の格子定数から素子（３）（素子付近）の格子定数へと成長方向に沿って変化する超格子構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工において硬質被覆層がすぐれた耐チッピング、耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬合金、ＴｉＣＮ基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）Ｔｉ化合物層からなる下部層、（ｂ）酸化アルミニウム層からなる上部層、からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、上記上部層の層厚方向に０．１μｍの厚み幅間隔で、各厚み幅領域に存在する孔径２〜３０ｎｍの空孔の空孔密度を測定した場合に、空孔密度が２００〜５００個／μｍ^２の厚み幅領域と空孔密度が０〜２０個／μｍ^２の厚み幅領域とが、上部層の層厚方向に沿って、交互に少なくとも複数領域形成されている空孔分布形態を有する。 （もっと読む）

【課題】 化合物層および炭素膜の厚みを増すことなく窒化層のみを選択的に厚くし、金型表面に形成される炭素膜の耐久性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】 本願は、第１工程と第２工程と第３工程をこの順序で行う金型の表面処理方法を開示する。第１工程は、金型材料の窒化層が形成される条件下で有機ガスとともに金型を熱処理することによって、カーボンナノコイル、カーボンナノチューブおよびカーボンナノフィラメントからなる群から選ばれる少なくとも１種のナノカーボン類を含むナノカーボン炭素膜を形成するナノカーボン炭素膜形成工程と、ナノカーボン炭素膜の表面にフラーレン類を塗布するフラーレン類塗布工程と、炭素膜が形成された金型を４００℃以上に加熱する焼成工程とをこの順序で行う工程である。第２工程は、第１工程によって形成された炭素膜の表面にショットブラスト処理を行う工程である。第３工程は、第２工程後の金型を、ナノカーボン炭素膜形成工程と、フラーレン類塗布工程と、焼成工程とをこの順序で行う工程である。 （もっと読む）

【課題】基板の表面における酸二無水物及びジアミンのそれぞれのガスの供給量の変動を防止し、酸二無水物とジアミンとの重合反応により成膜されるポリイミド膜を連続して安定に成膜できる成膜装置を提供する。
【解決手段】内部の圧力が圧力調整可能に設けられており、固体状態の第１の原料を気化させ、気化した第１の原料ガスを基板に供給するための第１の気化器２１と、内部の圧力が圧力調整可能に設けられており、液体状態の第２の原料を気化させ、気化した第２の原料ガスを基板に供給するための第２の気化器４１と、第１の気化器２１の内部の圧力と第２の気化器４１の内部の圧力とを調整することによって、第１の原料ガスの供給量と第２の原料ガスの供給量との比が一定になるように、第１の気化器２１及び第２の気化器４１を制御する制御部６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層がすぐれた靭性、耐チッピングを備え、長期の使用にわたってすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬合金、ＴｉＣＮ基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）改質ＴｉＣＮ層を含むＴｉ化合物層からなる下部層、（ｂ）酸化アルミニウム層からなる上部層、からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、上記改質ＴｉＣＮ層の膜厚方向に、０．０２μｍの厚み幅間隔で、各厚み幅領域における平均粒径Ｄの膜厚方向変化を調べた場合に、平均粒径Ｄが０．５〜１．５μｍである厚み幅領域と、平均粒径Ｄが０．０５〜０．３μｍである厚み幅領域とが、上記改質ＴｉＣＮ層の膜厚方向に沿って、交互に少なくとも複数領域形成されていることによって、下部層の上記改質ＴｉＣＮ層の平均粒径Ｄが膜厚方向に沿って０．５μｍ〜５μｍの周期で周期的に変化する結晶粒組織構造を備える。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、下部層として少なくともＴｉＣＮ層を含むＴｉ化合物層、上部層としてＺｒ含有κ−Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒とＺｒ含有α−型Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒との混合相からなるＺｒ含有Ａｌ_２Ｏ_３層が形成された表面被覆切削工具において、下部層には、ＴｉＣＮ｛１１０｝結晶粒とＴｉＣＮ｛１１２｝結晶粒が合計面積割合で６０％以上形成され、また、ＴｉＣＮ｛１１０｝結晶粒の上方には上部層のＺｒ含有κ−Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒が、また、ＴｉＣＮ｛１１２｝結晶粒の上方には上部層のＺｒ含有α−Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒が夫々形成され、Ｚｒ含有α−Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒のうちの３０％以上はＡｌ_２Ｏ_３{０００１}結晶粒で構成され、Ｚｒ含有α−Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒のクラック密度はＺｒ含有κ−Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒のそれよりも高い。 （もっと読む）

【課題】 極薄膜状態であっても、物理的な特性及び電気的な特性に優れている窒化シリコン膜を成膜することが可能な窒化シリコン膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 被処理体の表面上に窒化シリコン膜を成膜する窒化シリコン膜の成膜方法であって、窒化シリコン膜を被処理体の表面上に成膜する前に、少なくともアミノシラン系ガスを用いて、被処理体の表面上に窒化シリコン膜のシードとなるシード層を形成する（ステップ２〜４）。 （もっと読む）

【課題】 被覆層の耐チッピング性に優れて、耐欠損性に優れる切削工具等の被覆部材を提供する。
【解決手段】 基体の表面を被覆層で被覆した被覆部材であって、前記被覆層はＴｉＣＮ層とＡｌ_２Ｏ_３層が順に積層されており、１００μｍ^２領域で観察した際に、前記ＴｉＣＮ層は、平均粒子幅が３〜６μｍで、各粒子の粒径分布が標準偏差σで前記平均粒子幅の０．３倍以下のＴｉＣＮ粒子からなり、前記Ａｌ_２Ｏ_３層は、粒径３〜６μｍのＡｌ_２Ｏ_３巨大粒子が１０−３０面積％と、粒径０．３〜１．５μｍのＡｌ_２Ｏ_３微細粒子が７０−９０面積％とからなる切削工具１等の被覆部材である。 （もっと読む）

【課題】バッチ式の縦型炉を用いてプラズマアシストＡＬＤ法により窒化膜を形成する際、炉底部付近でのローディング効果を抑制する。
【解決手段】反応容器１０２内に複数段にウエハを載置可能なボート１０１と、前記反応容器の側面に沿ってＲＦ電極１０６で挟まれたプラズマ空間１０５と、該プラズマ空間から前記反応容器内の前記各段のウエハに略均等にガスを供給可能な供給口Ｆ１，Ｆ２と、を備えたバッチ式の縦型炉１００を用いて、窒化すべきガスの導入、吸着、パージ、プラズマ励起された窒化ガスの導入による前記窒化すべき吸着ガスの窒化およびパージ、を１サイクルとして所定の膜厚までサイクルを繰り返すプラズマアシストＡＬＤ法において、前記窒化すべきガス導入時のキャリアガス量よりも前記窒化ガス導入時のキャリアガス流量を少なくし、特に窒化ガスとしてのＮＨ３とキャリアガスとしてのＮ２の流量比をＮＨ３の５０に対してＮ２を３以下とする。 （もっと読む）

【課題】誘電特性及び漏れ電流特性を向上させることのできる半導体素子の誘電体膜の形成方法及びキャパシタの形成方法を提供する。
【解決手段】誘電体膜は、原子層堆積法により、ウェーハ上に酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）及び酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）で構成された誘電体膜を形成する方法であって、チャンバー内に、１つのＺｒと１つのＡｌ原子とが１つの分子を構成しているソースガスを注入し、ウェーハ上に、ＺｒＯ_２とＡｌ_２Ｏ_３とからなる［ＺｒＯ_２］ｘ［Ａｌ_２Ｏ_３］ｙ（ここで、ｘ及びｙは正数である）膜を形成するステップを繰り返すことにより、ＺｒＯ_２とＡｌ_２Ｏ_３とで構成された厚さ３０Å〜５００Åの誘電体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】低温下で、面間方向での膜厚均一性の良好な薄膜を形成することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して反応管２内をロード温度に加熱した後に反応管２内に半導体ウエハＷを収容する。次に、制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して半導体ウエハＷを収容した反応管２内を成膜温度に加熱した後、処理ガス導入管１７から反応管２内に成膜用ガスを供給して半導体ウエハＷに薄膜を形成する。また、制御部１００は、ロード温度を成膜温度よりも高い温度に設定する。 （もっと読む）

【課題】成膜温度が１８０℃以下で形成される絶縁膜の絶縁性を高めることの可能な絶縁膜の形成方法及び該絶縁膜を形成する成膜装置を提供する。
【解決手段】
マスフローコントローラＭＦＣ１から原料タンクＴＫにＡｒガスを供給することによって押し出されたＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスと、マイクロ波プラズマ源ＰＬで励起することによって活性状態にされた酸素原子を含むガスとを、シャワープレート３６に設けられた複数の孔から別々に基板Ｓ表面の空間に供給する。この際、活性状態にされた酸素原子を含むガスの供給を連続的に行う間に、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４昇華ガスの供給を間欠的に複数回行ってもよい。これにより、ジルコニウムと、ホウ素と、酸素とを含む絶縁膜であるＺｒＢＯ膜を基板Ｓの表面及び該基板Ｓの有する貫通孔の内面に形成する。 （もっと読む）

【課題】一般的に、二酸化ケイ素を原子層堆積法によって堆積する方法であって、触媒としてピリジンを与えることによって、低温で堆積しつつ、水を酸化源として利用することができる方法を提供する。
【解決手段】基板を水にさらす前に、基板をピリジン浸漬プロセス３２０にさらし、更に、水をピリジンとともに別々のコンジットを通してチャンバに並流させ、チャンバに入る前の相互作用を減じる。変形例では、ピリジンをピリジンと反応しないシリコン前駆体とともに並流させてもよい。 （もっと読む）

【課題】クリーニング・プロセスの結果生じる副産物がウェファを汚染することを防止する、収集プロセスを提供すること。
【解決手段】装置及びそれを作動させる方法。この方法は、チャンバ（２００）を含む装置を準備するステップを含み、チャンバは、第１（２６０ａ）及び第２（２６０ｂ）の入口と、チャンバ内のアノード（２１０）及びカソード（２３０）構造体と、カソード構造体（２３０）上のウェファ（１００）とを含む。クリーニングガス（２６０ｂ）は、第１の入口を通じてチャンバ内に注入される。収集ガス（２６０ａ）は、第２の入口を通じてチャンバ内に注入される。クリーニング・ガスはイオン化されたときに、ウェファの上面をエッチングしてチャンバ内に副産物混合物をもたらす性質を有する。収集ガスは、副産物混合物がウェファの表面に再度堆積することを防止する性質を有する。 （もっと読む）

【課題】カーボン膜上に酸化物膜を形成しても、カーボン膜の膜厚減少を抑制することが可能な、カーボン膜上への酸化物膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体上にカーボン膜を形成する工程（ステップ１）と、前記カーボン膜上に被酸化体層を形成する工程（ステップ２）と、前記被酸化体層を酸化させながら、該被酸化体層上に酸化物膜を形成する工程（ステップ３）と、を具備する。前記ステップ２において、前記カーボン膜上にアミノシラン系ガスを供給しながら被処理体を加熱してシード層を形成し、続いて、前記シード層上にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給しながら被処理体を加熱する事で、前記被酸化体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】調整バルブが全開又は全閉である場合の材料ガスの濃度値や流量値が、設定値と略一致する場合であっても、濃度や流量の制御状態が異常であるかを診断できる材料ガス制御システムを提供する。
【解決手段】収容室１０と、キャリアガスを導入する導入管２０と、材料ガス及びキャリアガスからなる混合ガスを導出する導出管３０と、第１調整バルブ４５と、材料ガスの濃度又は流量を測定する測定計と、測定計で測定した測定濃度値又は測定流量値が、予め定められた設定値となるように、第１調整バルブ４５に開度制御信号を出力する第１バルブ制御部４６と、収容室１０内の圧力を測定する圧力計４４と、開度制御信号の値の時間変化量及び圧力計４４で測定した測定圧力値の時間変化量が、所定条件を満たす場合に、前記材料ガスの濃度又は流量の制御状態が異常であると診断する診断部４７とを具備するようにした。 （もっと読む）

【課題】７０ｎｍ以下の金属配線を有する次世代ＤＲＡＭで要求される容量および良好な漏れ電流特性を確保できるキャパシタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】キャパシタ形成方法は、ストレージ電極６５を形成するステップと、ストレージ電極６５の表面をプラズマ窒化６６Ａ処理するステップと、該表面がプラズマ窒化６６Ａ処理されたストレージ電極６５上にＺｒＯ_２薄膜６７を蒸着するステップと、ＺｒＯ_２薄膜６７の表面をプラズマ窒化処理して、表面が窒化６６ＢされたＺｒＯ_２薄膜を形成するステップと、窒化６６Ｂされた前記ＺｒＯ_２薄膜上にプレート電極６８を形成するステップとを含む。 （もっと読む）