【課題】低不純物で、段差被覆性がよく、高真空を使わない金属薄膜の製膜方法を提供する。
【解決手段】有機金属化合物原料を真空チャンバー内に載置された製膜対象物上に搬送する原料搬送工程と、反応性ガスを、加熱された金属触媒体に接触させた後に、前記真空チャンバー内に載置された前記製膜対象物上に搬送する反応性ガス搬送工程と、を有することを特徴とする金属薄膜の製膜方法を提供する。また、有機金属化合物原料または／および反応性ガスが、炭素原子、窒素原子、水素原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子および金属原子から選択される１または２以上の原子のみからなることを特徴とする金属薄膜の製膜方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 β−ジケトネート配位子を有する有機金属組成物を含むような、ＣＶＤ前駆物質に対して広い効用を有する新規な溶剤組成物を提供すること
【解決手段】 溶剤種Ａ、Ｂ及びＣの混合物を含む、有機金属前駆物質の液体供給化学蒸着のための溶剤組成物であって、前記混合物の全容量に対して、Ａが約３〜約７容量部であり、Ｂが約２〜約６容量部であり、Ｃが約３容量部まで存在しているＡ：Ｂ：Ｃの比率を有し、ＡがＣ_６−Ｃ_８アルカンであり、ＢがＣ_８−Ｃ_１２アルカンであり、Ａ及びＢが互いに異なっており、Ｃがグライムを主成分とする溶剤（グライム、ジグライム、及びテトラグライム）及びポリアミンからなる群から選択される溶剤組成物。およそ５：４：１の重量比のオクタン、デカン及びポリアミンを含有する特定の溶剤組成物が、ＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９フィルムの形成に特に有効に使用される。 （もっと読む）

塩素、臭素又はヨウ素と反応しやすい誘電体材料にフッ素を含むパッシベーション層を堆積する方法が本明細書に開示される。パッシベーション層は、反応しやすい誘電体層を保護することができ、それにより、パッシベーション層に塩素、臭素又はヨウ素を含む前駆体を用いて堆積が可能となる。 （もっと読む）

【課題】形成する抵抗体薄膜の抵抗率の制御性を高くして、高抵抗素子の形成を容易にする。
【解決手段】金属アルキルアミド（ＴＥＭＡＺ）を金属前駆体とし、シリコンアルキルアミド（ＴＥＭＡＳｉＨ）をシリコン前駆体として、前駆体を同時に反応容器１０３に供給してＡＬＤ（原子層堆積）を行う。ＡＬＤに際して、同時に供給されるＴＥＭＡＺとＴＥＭＡＳｉＨの供給比率をＡｒガス流量比や加熱温度等で制御して、当該供給比率に応じた抵抗率の金属シリコン窒化膜を抵抗体薄膜として成膜する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の新たな用途展開の一環として、用途にあわせて太陽電池の意匠性、特に表面色のコントロール性に優れた太陽電池ユニットとその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に設けられた透明電極と対極の間にｐ型有機半導体材料とｎ型有機半導体材料とを含有する光電変換層を有する有機光電変換素子からなる太陽電池ユニットであって、光入射側の基材の透明電極とは反対側の面に少なくとも複数の異なる屈折率を有する材料から構成される可視光反射層を有すことを特徴とする太陽電池ユニット。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の第１の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】凹部２を有する絶縁層１２２が表面に形成された被処理体Ｗに第１の金属を含む薄膜を形成する成膜方法において、絶縁層の表面に親水化処理を施して親水性の表面にする親水化工程と、親水化処理の行われた絶縁層の表面に第１の金属を含む第１の金属含有原料を用いて成膜処理を施すことにより第１の金属を含む薄膜を形成する薄膜形成工程とを有する。これにより、比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の第１の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成する。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率絶縁膜の下地となる金属膜の酸化を抑制し、成膜処理の生産性を向上させる。
【解決手段】 基板を収容した処理室内に原料を供給し排気する工程と、処理室内に第１酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に第１の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、処理室内に原料を供給し排気する工程と、処理室内に第１酸化源とは異なる第２酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、第１の高誘電率絶縁膜上に第２の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【化１】


式Ｃｐ（Ｒ¹）_mＭ（ＮＲ²₂）₂（＝ＮＲ³）（Ｉ）の化合物であって：Ｍはバナジウム（Ｖ）またはニオブ（Ｎｂ）から独立して選択される金属でありｍ≦５であり；Ｒ¹は有機配位子であって、各々がＨ、１ないし６個の炭素原子を含む直鎖または分枝のヒドロカルビル基からなる群において独立して選択され；Ｒ²は有機配位子であって、各々がＨ、１ないし６個の炭素原子を含む直鎖または分枝のヒドロカルビル基からなる群において独立して選択され；Ｒ³はＨ、１ないし６個の炭素原子を含む直鎖または分枝のヒドロカルビル基からなる群において選択される有機配位子である化合物。 （もっと読む）

【課題】膜密度及び膜硬度が高い金属酸化薄膜及び製膜速度の速いその製造方法を提供することにある。
【解決手段】大気圧または大気圧近傍の圧力下において、対向する２種の電極間に高周波電圧を印加して反応空間に放電させることにより、反応性ガスをプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に金属酸化薄膜を形成する金属酸化薄膜の製造方法において、前記反応空間に酸解離定数ｐＫａが３．５以下の酸を導入することを特徴とする金属酸化薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
高いガスバリア性を実現すると同時に従来並の柔軟性をも確保できるガスバリアフィルムを製造するための製造方法、及び該製造方法により得られるガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】
基材となるプラスチックフィルムの表面に、ウェットコーティング法又は気相化学堆積法によりバッファー層を積層するバッファー層積層工程と、前記バッファー層積層工程を終えたバッファー層のさらに表面にガスバリア性を備えたガスバリア層を積層するガスバリア層積層工程と、を備えてなるガスバリアフィルムの製造方法であって、前記バッファー層はテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、パーヒドロポリシラザン（ＰＨＰＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、等を利用して積層してなる、ガスバリアフィルムの製造方法、及びかかる製造方法により得られるガスバリアフィルムとした。 （もっと読む）

【課題】窒化金属膜及び該窒化金属膜を作製する窒化金属膜作製装置及び作製方法を提供する。
【解決手段】基板３を支持台２に載置して収容したチャンバ１の内部において、ヘリウムで希釈した塩素ガスプラズマにより、タンタルで形成した被エッチング部材１４をエッチングして塩化タンタルガスからなる前駆体１７を生成し、基板３の温度を被エッチング部材１４の温度よりも低くして前駆体１７を基板３に吸着させ、塩素ガスプラズマにより吸着した前駆体１７を還元してタンタル成分を基板３に成膜する際に、窒素ガスをプラズマ化して得られる窒素ガスプラズマによりタンタル成分を窒化して、基板３に窒化金属膜１８を成膜する窒化金属膜作製方法において、窒素ガスの供給量を制御して窒素ガス／ハロゲンガス流量比を０より大きく０．１以下とし、窒化金属膜１８の窒素原子と金属原子の原子組成比であるＮ／Ｍ比を０より大きく１以下となるようする。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体膜厚が薄く、長期のデータ保持特性を有する強誘電体メモリー装置に用いられる半導体装置、その製造方法、その製造装置、強誘電体膜及び強誘電体膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】 強誘電体膜５７は、膜材料として、Ｓｒ、Ｔａ、及びＮｂを主成分とする強誘電体材料が用いられ、１０日以上のデータ保持時間を有する。強誘電体膜を製造する方法は、強誘電体膜５７を形成する膜形成工程と、前記強誘電体膜５７を酸素ラジカル５８によって酸化する酸素導入工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】有機層を用いることなく、耐熱性を向上させた反射防止膜を有するプラスチックレンズおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】プラスチックレンズ基材の表面に直接または他の層を介して多層反射防止膜を有するプラスチックレンズ。前記多層反射防止膜は、金属元素が同一であり、かつ酸素含有量が異なる少なくとも２つの金属酸化物層を隣接して有する複合層を含む。上記のプラスチックレンズの製造方法。前記複合層を構成する各金属酸化物層は、同一の蒸発源を用い、かつ隣接する層同士は、反応性酸素ガス分圧が異なる条件下で蒸着することで形成されることを含む。 （もっと読む）

【課題】 金属薄膜上に金属酸化膜を形成する際に、金属薄膜の酸化を抑制させる。
【解決手段】 表面に金属薄膜が形成された基板上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、金属薄膜の酸化が起こらない温度であって、かつ、金属酸化膜がアモルファス状態となる第１温度で形成する第１ステップと、第１ステップで形成した金属酸化膜上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、第１温度を超える第２温度で、目標の膜厚まで形成する第２ステップと、を有する。 （もっと読む）

金属膜を堆積させるための方法または組成物がここに開示される。一般に、開示された方法は金、銀、または銅を含む前駆体化合物を利用する。より具体的には、開示された前駆体混合物は、熱安定性を高めるために、金属に結合されたペンタジエニル配位子を利用する。さらに、銅、金、または銀を堆積させる方法が、金属膜を堆積させるための他の前駆体の使用と共に開示される。該方法および組成物が種々の堆積プロセスに使用され得る。 （もっと読む）

【課題】良好な蒸気圧を持ち、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法等によってニオブ又はタンタル含有薄膜を製造するための原料となる新規なニオブあるいはタンタル錯体、その製造方法、それを用いた金属含有薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表されるイミド錯体を、例えばＭ^１（ＮＲ^１）Ｘ_３（Ｌ）_ｒ（２）とアルカリ金属アルコキシド（３）との反応等により製造し


（式中、Ｍ^１はニオブ原子又はタンタル原子を示し、Ｒ^１は炭素数１から１２のアルキル基を示し、Ｒ^２は炭素数２から１３のアルキル基を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｌが１，２−ジメトキシエタン配位子のとき、ｒは１であり、Ｌがピリジン配位子のとき、ｒは２であり、Ｍ^２はアルカリ金属を示す。）、そのイミド錯体（１）を原料として用いることにより、ニオブ又はタンタル含有薄膜を製造する。 （もっと読む）

high-k膜を堆積させるための方法および組成物がここに記載される。一般に、開示された方法はTaまたはNbを含む前駆体化合物を利用する。より具体的には、開示された前駆体化合物は、揮発性を増大させるために、1-メトキシ-2-メチル-2-プロパノラート (mmp)のようなTaおよび/またはNbに結合される幾つかの配位子を利用する。さらに、TaドープHfまたはNbドープHfおよび/またはTaドープZrまたはNbドープZrを堆積させるために、Hfおよび/またはZr前駆体の使用とともに、TaまたはNb化合物を堆積させる方法が開示される。本方法および組成物はCVD、ALD、またはパルスCVD堆積プロセスにおいて使用され得る。 （もっと読む）

【課題】原子層成長（ＡＬＤ）法を種々の成膜に適用すること及びスループットを向上させることを可能にし、同時に装置の小型化を実現することである。
【解決手段】原子層成長（ＡＬＤ）法を用いた成膜方法であって、基板Ｗを内部に保持する成膜室２内に、有機金属化合物からなる液体原料を液体原料噴射弁４１により直接噴射することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法。
【解決手段】反応チャンバに金属元素及びリガンドを含む第１反応物を注入して基板上に第１反応物を化学吸着させ、不活性ガスでパージして物理吸着された第１反応物を除去し、水酸化基を含まない第２反応物を注入して第１反応物と第２反応物との化学反応によって、第２反応物の酸素と金属元素が結合し、第１反応物からリガンドを分離して化学吸着された第１反応物を金属−酸素原子層とし、不活性ガスでパージして物理吸着された第２反応物を除去し、第３反応物を注入して化学吸着された第１反応物の残余分と第３反応物との化学反応によって第３反応物の構成要素である酸素と金属元素が結合し、第１反応物からリガンドを分離することにより化学吸着された第１反応物の残余分を金属−酸素原子層として、水酸化基の生成が抑止された状態で原子層単位の金属酸化膜を形成する。 （もっと読む）

薄膜材料を基体上に堆積させる方法であって、供給ヘッドの出力面から基体表面に向けて一連のガス流を同時に案内することを含み、一連のガス流が、少なくとも、第１反応性ガス状材料と、不活性パージガスと、第２反応性ガス状材料とを含み、第１反応性ガス状材料が、第２反応性ガス状材料で処理された基体表面と反応することができる方法を開示する。かかる方法を実施することのできるシステムも開示する。
（もっと読む）