スピン塗布によりレジストの被膜を形成する場合、無駄となってしまうレジスト材料が存在し、さらに、必要に応じて端面洗浄の工程が増えてしまう。また、真空装置を用いて、基板上に薄膜を成膜する際には、チャンバー内を真空にする特別な装置や設備が必要で、製造コストが高くなってしまう。本発明は、絶縁表面を有する基板上に、ＣＶＤ法、蒸着法又はスパッタ法により選択的に導電層を形成するステップと、前記導電層に接するように、組成物を吐出してレジストマスクを形成するステップと、前記レジストマスクを用いて、大気圧又は大気圧近傍下で、プラズマ発生手段により前記導電層をエッチングするステップと、大気圧又は大気圧近傍下で、前記プラズマ発生手段により前記レジストマスクをアッシングするステップを有することを特徴とする。上記特徴により、材料の利用効率を向上させて、製造コストの低減を実現する。
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【課題】安定した放電を維持し、付着力の高い良質のダイヤモンドライクカーボン膜を形成する。
【解決手段】排気系を備えた真空槽の中に、不活性ガスによってプラズマ放電を起こすようになされているイオン源２０と、成膜ガス導入機構２とを具備してなり、この成膜ガス導入機構２は、イオン源２０を基準として支持体１の走行方向の、下流側に設けられているものとした成膜装置１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】高い平坦性で膜を形成することができる。不純物含有量の少ない膜を形成することができる。
【解決手段】本発明の有機ニッケル化合物は、Ｎｉ（Ｒ-Ｃｐ）₂で表される有機ニッケル化合物である。但し、式中のＣｐはシクロペンタジエニル基を示し、Ｒは水素又は炭素数が１〜４の直鎖若しくは分岐状アルキル基をそれぞれ示す。また、本発明のニッケル含有膜の製造方法は、上記有機ニッケル化合物を用いてＭＯＣＶＤ法によりニッケル含有膜を作製することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機金属化学蒸着法により高い平坦性で膜を形成することができる有機ニッケル化合物の提供。
【解決手段】本発明の有機ニッケル化合物は、Ｎｉ（Ｒ¹Ｒ²Ｎ）₂で表される有機ニッケル化合物である。但し、式中のＲ¹及びＲ²は水素又は炭素数が１〜４の直鎖若しくは分岐状アルキル基をそれぞれ示し、Ｒ¹とＲ²は互いに同一又は異なっていてもよい。また、本発明のニッケル含有膜の製造方法は、上記有機ニッケル化合物を用いてＭＯＣＶＤ法によりニッケル含有膜を作製することを特徴とする。 （もっと読む）

後に酸素含有環境に晒されるときに下地の金属層の特性及び形態を維持する不動態化された金属層を形成する方法が提供される。当該方法は、処理チャンバー（１）内に基板（５０、３０２、４０３、５１０）を設置する工程、化学的気相堆積法にて基板（５０、３０２、４０３、５１０）上にレニウム金属層（３０４、４０８、５８０）を堆積するために、レニウム−カルボニル前駆体を含有する処理ガスに基板（５０、３０２、４０３、５１０）を晒す工程、及びレニウム金属表面でのレニウム含有ノジュール（３０６）の酸素誘起成長を抑制するために、レニウム金属層（３０４、４０８、５８０）上にパッシベーション層（４１４、５９０）を形成する工程を有する。
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【課題】ナノクリスタルを有する不揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板を準備する段階と、前記半導体基板上にトンネル絶縁膜を形成する段階とを具備する。続いて、前記トンネル絶縁膜を有する半導体基板を原子層蒸着装置内に入れて、原子層蒸着工程サイクルを進行して前記トンネル絶縁膜上にナノクリスタルを形成する。前記ナノクリスタルの大きさを確認しながら、前記原子層蒸着工程サイクルを複数回繰り返して要求する大きさの前記ナノクリスタルを形成する。前記ナノクリスタルを有する半導体基板上に制御ゲート絶縁膜を形成して、前記制御ゲート絶縁膜を有する半導体基板上に制御ゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】 これまでのＴｉＳｉ_２やＣｏＳｉ_２では奏することが出来ない優れた特長を奏するＮｉＳｉ膜を基板に損傷を与えることなく形成できる技術を提供することである。
【解決手段】 ニッケルシリサイト膜またはニッケル膜を形成する為の膜形成材料であって、
前記膜のＮｉ源がＮｉ（ＰＦ₃）₄である。 （もっと読む）

【課題】 長時間連続運転しても安定で良好な気化特性を示し、均一組成を再現性良く製造できるＣＶＤ原料。
【解決手段】 有機金属化合物を１，２−エポキシシクロヘキサンを含む溶媒に溶解して得られる薄膜用ＣＶＤ原料であり、好ましくは有機金属化合物が金属のジピバロイルメタナト、ペンタフルオロプロパノイルピバロイルメタナト、ジイソブチリルメタナト、イソブチリルピバロイルメタナト、アセチルアセトナト、ヘキサフルオロアセチルアセトナト、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−オクタンジオナト、ジオラート、ジアルキルアミド錯体、アルコキシド、シクロペンタジエニル又はそれらの誘導体の少なくとも１種であり、金属がＢｉ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｌａ、Ｎｂ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｎｄ及びＺｒの群から選ばれた少なくとも一種である薄膜用ＣＶＤ原料、ならびにそれを用いて溶液ＣＶＤ法により成膜された薄膜。 （もっと読む）

【課題】 成膜速度が速く、成膜時のダメージが小さい金属系膜の作製方法及び作製装置及び積層膜作製装置を提供する。
【解決手段】 圧力制御可能なチャンバ１に基板３を設置し、チャンバ１内に配設され、３ｄ遷移金属からなる被エッチング部材１０の上方から、Ｂ又はＳｉを含有するハロゲン系の原料ガスを供給すると共に、原料ガスのプラズマ１９を発生させて、ハロゲンのラジカルを生成し、ハロゲンのラジカルにより、被エッチング部材１０をエッチングして、被エッチング部材に含まれる３ｄ遷移金属成分の前駆体２０を生成し、被エッチング部材１０より低い温度に制御された基板３に、前駆体２０を成膜させると共に、成膜された前駆体２０をハロゲンのラジカルにより還元して、基板３上に３ｄ遷移金属、又は、Ｂ若しくはＳｉを含有する３ｄ遷移金属の金属系膜を作製する。 （もっと読む）

金属層を基板の表面に接着させるための方法及びそれにより得られた構造体が記載されている。該方法は、金属層を基板上に堆積する前に、該基板表面に犠牲酸性有機層を適用する工程を含む。金属層の堆積時、この犠牲酸性有機層はほぼ消費され、それにより優れた接着特性を有する金属／基板界面が残る。
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形態が向上した金属層を基材の上に形成する方法および処理ツールが提供される。本方法は、プラズマの中で励起された化学種に基材を曝すことによって基材を前処理するステップと、金属カルボニル前駆物質を含有するプロセスガスに前処理された基材を曝すステップと、金属層を前処理された基材の上に化学蒸着法で形成するステップとを含む。金属カルボニル前駆物質は、Ｗ（ＣＯ）_６、Ｎｉ（ＣＯ）_４、Ｍｏ（ＣＯ）_６、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８、Ｒｈ_４（ＣＯ）_１２、Ｒｅ_２（ＣＯ）_１０、Ｃｒ（ＣＯ）_６、またはＲｕ_３（ＣＯ）_１２、もしくはこれらの任意の組合せを含み、金属層は、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｃｒ、またはＲｕ、もしくはこれらの任意の組合せをそれぞれ含み得る。
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【課題】 金属−カルボニルプリカーサから金属層を堆積させる方法を提供することである。
【解決手段】 熱化学気相成長（ＴＣＶＤ）プロセスによって半導体基板上に金属層を堆積させる方法を提供する。ＴＣＶＤプロセスは、金属層を堆積させるように金属−カルボニルプリカーサを含む希釈したプロセスガスの大流量を利用する。本発明の１つの実施形態では、金属−カルボニルプリカーサは、Ｗ（ＣＯ）_６、Ｎｉ（ＣＯ）_４、Ｍｏ（ＣＯ）_６、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８、Ｒｈ_４（ＣＯ）_１２、Ｒｅ_２（ＣＯ）_１０、Ｃｒ（ＣＯ）_６、およびＲｕ_３（ＣＯ）_１２の少なくとも１つから選ばれることができる。本発明の別の実施形態では、約４１０℃の基板温度および約２００ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力で、Ｗ（ＣＯ）_６プリカーサを含むプロセスガスよりＷ層を堆積させる方法は、提供される。 （もっと読む）

【課題】 金属−カルボニルプリカーサからの金属層の低圧堆積を提供することである。
【解決手段】 半導体基板上に熱化学気相成長（ＴＣＶＤ）プロセスによって金属層を堆積させる方法は、処理チャンバに金属カルボニルプリカーサを含むプロセスガスを導入することと、基板上に金属層を堆積させることとを含む。ＴＣＶＤプロセスは、低い抵抗率の金属層を形成するように、基板上方の処理ゾーン内のガス種の短い滞留時間を利用する。本発明の実施形態において、金属カルボニルプリカーサは、Ｗ（ＣＯ）_６、Ｎｉ（ＣＯ）_４、Ｍｏ（ＣＯ）_６、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８、Ｒｈ_４（ＣＯ）_１２、Ｒｅ_２（ＣＯ）_１０、Ｃｒ（ＣＯ）_６、およびＲｕ_３（ＣＯ）_１２のプリカーサの少なくとも１つから選ぶことができる。 （もっと読む）

【課題】 間欠的なプリカーサガスフロープロセスを使用して金属層を形成する方法を提供することである。
【解決手段】 間欠的なプリカーサガスフロープロセスを使用して基板上に金属層を形成する方法は、提供される。方法は、金属−カルボニルプリカーサガスのパルスに基板を曝すと共に、還元ガスに基板を曝すことを含む。所望の厚さを有する金属層が基板上に形成されるまで、プロセスは実行される。金属層は、基板上に形成されることができ、または、交互に、金属層は、金属核生成層上に形成されることができる。 （もっと読む）

【課題】 シーケンシャル流量堆積を使用して金属層を堆積させる方法を提供することである。
【解決手段】 シーケンシャル流量堆積を使用して良好な表面モホロジを有する金属層を堆積させる方法は、処理チャンバ内の基板を交互に金属−カルボニル前駆ガスと、還元ガスとに曝すことを含む。金属−カルボニルプリカーサガスにさらされる間、薄い金属層は、熱分解によって基板上に堆積され、その後の還元ガスに金属層を曝すことは、金属層から反応副生成物の除去するのを助ける。所望の厚さを有する金属層が達成されるまで、金属−カルボニルプリカーサガスと、還元ガスとの曝露ステップは、繰り返されることができる。 （もっと読む）

閉成状態の複数の部品からなるマンドレル（１０，３０，４０）の内面上へのニッケル蒸着を使用して、ニッケル成形品、即ちシェルを成形するための方法と装置。閉成状態の複数の部品からなるマンドレル（１０，３０，４０）は、別の蒸着チャンバの必要性を省き、ニッケル蒸着が、中空、若しくは部分的に中空のニッケル成形品（１２，３２，３３，３４）を得るように、複数の部品からなる完全な、若しくは部分的なマンドレルの内面の形状に、ニッケルシェル（１２，３２，３３，３４）を成形する。
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