【課題】表面全体にわたる十分な厚さの内部空洞壁のコーティングを得ることを可能にすること。
【解決手段】本発明は、ターボ機械の金属部品の高温での酸化から保護する気相堆積のアルミ被覆方法に関し、上記部品は外側からアクセスすることのできる開口部を備える空洞を含み、
この方法によれば、ハロゲンとアルミニウムを含む金属ドナーとの間の反応によってハロゲン化物が形成され、次いで、ハロゲン化物はキャリアガスによって運ばれて上記金属部品に接触し、上記金属ドナーは少なくとも部分的に上記空洞に置かれ、
金属ドナーは金属粉の混合物の圧力下の高温焼結によって得られるペレットの形である。 （もっと読む）

基板を用意する工程、該基板に堆積阻害材料を適用する工程、ここで、該堆積阻害材料は、有機化合物又はポリマーであり、そして工程（ｂ）の後又は該堆積阻害材料を適用するのと同時に、該堆積阻害材料をパターン化して、該堆積阻害材料を事実上有さない選択された基板領域を提供する工程を含んで成るパターン付き薄膜を形成するための原子層堆積法。無機薄膜材料は、該堆積阻害材料を有さない選択された該基板領域内だけに実質的に堆積される。
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【課題】高い耐久性と十分な本物感とが有利に表現され得る加飾樹脂成形品を提供する。
【解決手段】基材１２の意匠面１８に、物理蒸着法又は化学蒸着法により金属薄膜２０を直接に形成して、金属調の加飾を施すと共に、該金属薄膜２０に対して、該基材１２と該金属薄膜２０の両方に付着する特性を備えた透明な塗膜からなるトップコート層２２を１０〜４０μｍの厚さで形成して、構成した。 （もっと読む）

【課題】微細径で且つ高アスペクト比の貫通配線を有するマイクロデバイス用基板及びその製造方法並びにマイクロデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板本体３１と、この基板本体３１を厚さ方向に貫通する貫通孔３２と、この貫通孔３２内に埋め込まれ且つＩＶ族元素と該ＩＶ族元素との化合物を形成する金属との化合物を含む貫通配線３７とを具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、ルテニウム含有薄膜を下層金属膜とした、平坦な連続金属含有薄膜及びその製造法を提供するものでもある。
【解決手段】 本発明の課題は、有機ルテニウム錯体を化学気相蒸着法によりルテニウム含有薄膜を製造させた後、次いで、そのルテニウム含有薄膜の上に、有機金属錯体をＣＶＤ法により金属含有の薄膜を形成させることを特徴とする、ルテニウム含有薄膜を下層金属膜とした金属含有薄膜の製造法によって解決される。 （もっと読む）

無機多孔質基材、及びベース基板に堆積させたナノ粒子を用いた無機多孔質基材の製造方法である。無機多孔質基材は生物学的応用、例えば、ＤＮＡ、ＲＮＡ、蛋白質等の生体分子の固定に有益である。また、無機多孔質基材は細胞増殖の分野でも有益である。
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【課題】結晶性や配向性が良好な多元系金属酸化物膜を得ることが可能な被処理体の処理方法を提供する。
【解決手段】表面に酸化対象となる金属膜が形成されている被処理体Ｗの表面に、複数の有機金属原料を用いて多元系金属酸化物膜を形成するようにした被処理体の処理方法において、前記金属膜が形成されている前記被処理体に対して第１のチャンバ４ａ内で酸化処理を施すことにより前記金属膜を酸化して金属酸化膜１００を形成する酸化工程と、前記金属酸化膜が形成された前記被処理体に対して前記第１のチャンバ４ａとは異なる第２のチャンバ４ｂ、４ｃ内で成膜処理を施すことにより前記金属酸化膜上に前記多元系金属酸化物膜を形成する成膜工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物イオンの表面交換速度及び拡散率を向上させ且つ低コスト化した固体酸化物形燃料電池を提供する。
【解決手段】本発明の燃料電池は、第１の多孔質電極及び第２の多孔質電極を含み、前記多孔質電極は、電子伝導性の多孔質非貴金属からなる層を有する。前記多孔質非貴金属層は、ガス拡散層である。前記多孔質電極は、前記非貴金属層上に堆積された少なくとも１つの触媒金属原子層を更に含み、前記第１の多孔質電極と前記第２の多孔質電極との間に電解質層が配置されている。前記電解質層は、第１の高密度イオン伝導性ドープ酸化膜層と、前記第１のドープ酸化膜層上に堆積された第２の高密度イオン伝導性ドープ酸化膜層とを含む。前記電子伝導性の多孔質非金属層上の前記触媒金属層は、酸化物イオンの表面交換速度及び拡散率を向上させ且つ燃料電池の材料コストを低減した。 （もっと読む）

【課題】気相原料を使った金属膜の成膜技術であって、半導体ウェハ周辺部への金属膜の堆積を確実に抑制できる技術を提供する。
【解決手段】被処理基板表面に金属カルボニル原料の気相分子を供給し、前記被処理基板表面近傍において分解させることにより、前記被処理基板表面に金属膜２１を堆積する成膜方法において、前記処理基板表面に金属層を堆積する際に、前記被処理基板の外周部に隣接する領域において前記金属カルボニル原料を優先的に分解させ、前記被処理基板外周部近傍において、雰囲気中のＣＯ濃度を局所的に増大させ、前記外周部への金属膜の堆積を抑制する。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ，Ｐｔ，ＮｉＰｔ，ＮｉＳｉ，ＰｔＳｉ等の膜を綺麗に、即ち、段差被覆性良く形成できる技術を提供することである。
【解決手段】膜をＣＶＤにより形成する方法であって、
Ｍ（ＰＦ_３）_４（ＭはＮｉ又はＰｔ）を膜形成室に供給するＭ（ＰＦ_３）_４供給工程と、ＰＦ_３を膜形成室に供給するＰＦ_３供給工程と、前記膜形成室に供給された化合物を分解させ、基板上に堆積させてＭ系膜を形成する膜形成工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が低く、かつ反りの少ないIII族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】サファイア基板６１上に第一のＧａＮ層６２を成長させ、つづいて金属Ｔｉ膜６３を形成した後、窒化処理して、微細孔を有するＴｉＮ膜６４を形成する。その後、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６を成長する。金属Ｔｉ膜６３およびＴｉＮ膜６４の作用により、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６中には空隙部６５が形成される。この空隙部６５の箇所からサファイア基板６１を剥離除去する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体プロセスに関する。より具体的には、本発明は、化学気相成長法によって形成される金属含有膜を半導体素子に集積する方法に関する。
【解決手段】 たとえばゲートスタックのような、半導体素子中の金属含有膜を集積する方法。一の実施例では、当該方法は、処理チャンバ内に基板を供する手順、その基板をタングステンカルボニル含有ガスに曝露することによって、その基板上に、第１基板温度でタングステン含有膜を成膜する手順、第１基板温度よりも高温である第２基板温度でタングステン含有膜を熱処理することで、そのタングステン含有膜から一酸化炭素を除去する手順、及びその熱処理されたタングステン含有膜上にバリヤ層を形成する手順、を有する。タングステン含有膜の例には、Ｗ、ＷＮ、ＷＳｉ、及びＷＣが含まれる。他の実施例は、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｃｒ又はＲｕを含む金属含有膜を、各金属元素に対応した金属カルボニル先駆体から堆積する手順を有する。 （もっと読む）

【課題】有機金属化合物の提供。
【解決手段】ホスホアミジネートリガンドを含有する有機金属化合物が提供される。かかる化合物は蒸着前駆体としての使用に特に好適である。かかる化合物を用いた、ＡＬＤおよびＣＶＤなどによる薄膜を堆積させる方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法等のプラズマを用いる気相成長法により膜を成膜する成膜方法において、良質な膜を安定的に成膜することを可能とする。
【解決手段】成膜温度Ｔｓ（℃）と、成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）とフローティング電位Ｖｆ（Ｖ）との差であるＶｓ−Ｖｆ（Ｖ）と、成膜される膜の特性との関係に基づいて、成膜条件を決定する。１種又は複数種のＰｂ含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電膜では、下記式（１）及び（２）を充足する範囲で成膜条件を決定することが好ましい。
Ｔ（℃）≧４００・・・（１）、
−０．２Ｔｓ＋１００＜Ｖｓ−Ｖｆ（Ｖ）＜−０．２Ｔｓ＋１３０・・・（２） （もっと読む）

【課題】界面破壊現象が発生しない炭素ナノチューブ配線の形成方法及びこれを利用した半導体素子配線の形成方法が開示されている。
【解決手段】基板上に酸化金属膜を形成した後、前記酸化金属膜上に前記酸化金属膜の表面を露出させる開口を含む絶縁膜パターンを形成する。前記開口に露出された前記酸化金属膜を炭素ナノチューブの成長が可能な触媒金属膜パターンに形成する。前記触媒金属膜パターンから炭素ナノチューブを成長させて炭素ナノチューブ配線を形成する。前述した炭素ナノチューブ配線の形成方法は、前記絶縁膜パターンと触媒金属膜パターンとの間で炭素ナノチューブが成長する現象を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】カバレッジを良好に保つことができる配線修正方法。
【解決手段】半導体装置１１の修正配線を引き出す接続孔１を集束イオンビーム加工によって形成する配線修正方法において、接続孔１の側面のうち、下層配線４と上層配線３を接続する修正配線を引き出す側に傾斜面を形成する。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングにより付着された混合層で被覆された抗菌性基板（ガラス、セラミックまたは金属製）を提供する。
【解決手段】 この混合層は金属酸化物、オキシ窒化物、オキシ炭化物または窒化物の中から選ばれた結合物質に混合された少なくとも一つの抗菌物質を含む。この基板は抗菌性を与える。もし焼入れされかつ抗菌性のガラスが要求されるなら、同じコスパッタリング法が使用されることができ、任意に下層が付加されることができる。抗菌性は焼入れ工程後でさえ維持される。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、基板の表面にシード膜等の薄膜を均一に成膜できるようにする。
【解決手段】金属またはその化合物とカルボン酸とをカルボン酸蒸気を含む雰囲気下で加熱反応させ、金属またはその化合物とカルボン酸との反応生成物を飛散させて、金属またはその化合物からなる薄膜を基板の表面に成膜する。 （もっと読む）

【課題】金属含有膜を作製するために使用される多座β−ケトイミナートの金属含有錯体を提供する。
【解決手段】例えば、ビス（２，２−ジメチルー５−（ジメチルアミノエチルーイミノ）ー３ーヘキサノナートーＮ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムやトリス（２，２−ジメチルー５−（ジメチルアミノエチルーイミノ）ー３ーヘキサノナート）イットリウムなどの化合物が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】層成長速度が高速であり、均一厚さのニッケル層を任意形状の基礎構造体の表面に正確に倣って形成することができ、さらに、開放した空孔をニッケル層によって封止することができる、ロケット構造体の構成部品の製造方法を提供する。
【解決手段】基礎構造体の表面にＮＶＤ法によりニッケルを蒸着してニッケル層を形成するステップを含む。また、基礎構造体の形状に対応した形状の雌型の表面にＮＶＤ法によりニッケルを蒸着してニッケル層を形成するステップと、蒸着したニッケル層に加工を施すことによって構成部品を形成するステップと、を含む。また、中空の空間の形状と同一形状のロストコアを適当な材料で作製するステップと、該コア上にＮＶＤ法によりニッケルを蒸着してニッケル層を形成するステップと、コアを除去するステップと、蒸着したニッケル層に加工を施すことによって構成部品を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）