【課題】ＣＶＤ法により、Ｃ、Ｎ含有量が低く、Ｔａ／Ｎ組成比が高く、Ｃｕ膜との密着性が確保されているバリア膜として有用な低抵抗タンタル窒化物膜を形成する方法の提供。
【解決手段】成膜室内に、Ｔａ元素の周りにＮ＝(Ｒ,Ｒ')(Ｒ及びＲ'は、炭素原子数１〜６個のアルキル基を示し、それぞれが同じ基であっても異なった基であってもよい)が配位した配位化合物からなる原料ガス及びＮＨ_３ガスを同時に導入して基板上で反応させて、Ｔａ−ＮＮ_３を有する還元化合物を生成し、次いでＨ原子含有ガスを導入してタンタルリッチのタンタル窒化物膜を形成する。また、得られた膜中にスパッタリングによりタンタル粒子を打ち込み、さらにタンタルリッチとする。 （もっと読む）

【課題】Ｃ、Ｎ含有量が低く、Ｔａ／Ｎ組成比が高く、Ｃｕ膜との密着性が確保されているバリア膜として有用な低抵抗タンタル窒化物膜の形成方法の提供。
【解決手段】真空チャンバ内に、Ｔａ元素の周りにＮ＝(Ｒ,Ｒ')(Ｒ及びＲ'は、炭素原子数１〜６個のアルキル基を示し、それぞれが同じ基であっても異なった基であってもよい)が配位した配位化合物からなる原料ガスを導入して基板上に吸着させた後に、ハロゲンガスを導入してＴａＮ_ｘ(Ｈａｌ)_ｙ(Ｒ,Ｒ')_ｚ化合物(Ｈａｌは、ハロゲン原子を表す)を生成し、次いで活性化した反応ガスを導入してＴａに結合したＮ、Ｎに結合したＨａｌ、Ｎに結合したＲ(Ｒ')基を切断除去し、Ｔａリッチのタンタル窒化物膜を形成する。また、得られた膜中にスパッタリングによりタンタル粒子を打ち込み、さらにタンタルリッチとする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により、Ｃ、Ｎ含有量が低く、Ｔａ／Ｎ組成比が高く、Ｃｕ膜との密着性が確保されているバリア膜として有用な低抵抗タンタル窒化物膜を形成する方法の提供。
【解決手段】成膜室内に、Ｔａ元素の周りにＮ＝(Ｒ,Ｒ')(Ｒ及びＲ'は、炭素原子数１〜６個のアルキル基を示し、それぞれが同じ基であっても異なった基であってもよい)が配位した配位化合物からなる原料ガス及び酸素原子含有ガスを導入して基板上で反応させて、ＴａＯ_ｘＮ_ｙ(Ｒ,Ｒ')_ｚを生成し、次いでＨ原子含有ガスを導入してタンタルリッチのタンタル窒化物膜を形成する。また、得られた膜中にスパッタリングによりタンタル粒子を打ち込み、さらにタンタルリッチとする。 （もっと読む）

【課題】Ｃ、Ｎ含有量が低く、Ｔａ／Ｎ組成比が高く、Ｃｕ膜との密着性が確保されているバリア膜として有用な低抵抗タンタル窒化物膜の形成方法の提供。
【解決手段】真空チャンバ内に、Ｔａ元素の周りにＮ＝(Ｒ,Ｒ')(Ｒ及びＲ'は、炭素原子数１〜６個のアルキル基を示し、それぞれが同じ基であっても異なった基であってもよい)が配位した配位化合物からなる原料ガスを導入して基板上に吸着させた後に、酸素原子含有ガスを導入してＴａＯ_ｘＮ_ｙ(Ｒ,Ｒ')_ｚを生成し、次いで活性化した反応ガスを導入してＴａに結合した酸素を還元し、かつ、Ｎに結合したＲ(Ｒ')基を切断除去し、Ｔａリッチのタンタル窒化物膜を形成する。また、得られた膜中にスパッタリングによりタンタル粒子を打ち込み、さらにタンタルリッチとする。 （もっと読む）

【課題】前駆体の循環堆積によって三成分金属ケイ素窒化物膜を製造するための改善された方法を提供する。
【解決手段】金属アミドと、ＮＨ及びＳｉＨ官能性の両方を有するケイ素源とを前駆体として使用することにあり、それによりこのような金属−ＳｉＮ膜が形成される。これらの前駆体は、循環堆積によって基材表面に逐次的に適用される。例示的なケイ素源は、以下の式、即ち、（Ｒ¹ＮＨ）_nＳｉＲ²_mＨ_4-n-m（ｎ＝１、２；ｍ＝０、１、２；ｎ＋ｍ≦３）；及び（Ｒ³₂Ｎ−ＮＨ）_xＳｉＲ⁴_yＨ_4-x-y（ｘ＝１、２；ｙ＝０、１、２；ｘ＋ｙ≦３）によって表されるモノアルキルアミノシラン及びヒドラジノシランであり、式中、Ｒ^1-4が同じであるか又は異なり、アルキル、ビニル、アリル、フェニル、環状アルキル、フルオロアルキル、シリルアルキルからなる群より独立して選択される。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、熱拡散法によって形成した傾斜機能材層よりも高温揮発減耗を抑制し、電極チップの高温強度を向上させることで火花減耗に対する耐久性を向上させること及び更なる細径化を図り貴金属使用量を抑えて安価であることを実現するスパークプラグ用電極チップを提供することである。
【解決手段】
本発明に係るスパークプラグ用電極チップは、イリジウム又はイリジウム合金からなる芯材の表面に、イリジウムとロジウムを主成分とする合金からなる保護被膜を被覆する際に、保護被膜を気相法によって形成し、保護被膜の組成を、芯材の表面上においてはイリジウムのみ又はイリジウムを主成分とし、膜成長方向に沿ってロジウム含有量が連続的及び／又は段階的に増加すると共にイリジウム含有量が連続的及び／又は段階的に減少し、且つ、最表面においてはロジウムを７５〜１００質量％含有する組成とする。 （もっと読む）

処理容器内の被処理基板に成膜する成膜方法であって、ハロゲン元素を含まない有機金属化合物からなる第１の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第１の原料ガスを前記処理容器内から除去する第１の工程と、水素または水素化合物を含む第２の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第２の原料ガスを前記処理容器内から除去する第２の工程とを繰り返してなる第１の膜成長工程と、金属ハロゲン化物からなる第３の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第３の原料ガスを前記被処理基板から除去する第３の工程と、水素または水素化合物を含む第４の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第４の原料ガスを前記処理容器内から除去する第４の工程とを繰り返してなる第２の膜成長工程からなる成膜方法を用いた。
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Ｔａ_２Ｏ_５含有層の形成方法を提供する。蒸着室内へ基板を配置する。ＴａＦ_５とＨ_２Ｏ及びＯ_３の少なくとも一方を含むガス状前駆物質を、基板上へＴａ_２Ｏ_５含有層を蒸着するのに有効な条件下で蒸着室内へ送り込む。基板を蒸着室内へ配置する。第一種物質を蒸着室内で基板上へ化学吸着してＴａＦ_５を含むガス状第一前駆物質から第一種物質単層を形成する。化学吸着された第一種物質をＨ_２Ｏ及びＯ_３の少なくとも一方を含むガス状第二前駆物質と接触させて第一種物質と反応させＴａ及Ｏを含む単層を形成する。化学吸着及び接触を、Ｔａ_２Ｏ_５を含む基板上へ材料塊を形成させるのに有効な条件下で連続反復する。
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【課題】クリーニング処理開始前の被処理体の処理枚数に関係なく、ジャストエッチの時点を自動的に確実に把握することにより、エッチング処理の適正な終点時点を決定することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理チャンバー１６と、所定の処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台２０と、処理チャンバーへ必要なガスを供給するガス供給手段４０と、途中に真空ポンプが介設されて処理チャンバー内の雰囲気を真空引きする排気系６とを有す処理装置において、排気ガス中に含まれるパーティクル数を計測するために前記排気系に設けられたパーティクル計測手段８と、処理チャンバー内にクリーニングガスを流してクリーニング処理を行う時にパーティクル計測手段の計測値に基づいてクリーニング処理の終点時点を決定するクリーニング終点決定手段１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ励起を要する成膜方法において、清浄で安定な成膜を実現する。
【解決手段】 被処理基板を保持する保持台を内部に備えた処理容器と、前記処理容器内に成膜のための処理ガスを供給し、当該処理容器内にプラズマを励起するための高周波電力が印加されるシャワーヘッド部と、を有する成膜装置による成膜方法であって、前記被処理基板上に金属を含む薄膜を形成する成膜工程と、前記成膜工程の前に前記シャワーヘッド部に別の金属を含む保護膜を形成する保護膜形成工程と、を有することを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】 セルフリミッティングな表面反応を阻害していた、余分な堆積種を除去する工程を設けた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１の原料ガスと、第２の原料ガスと、を反応炉内に交互に供給することにより基体の上に薄膜を形成する工程を備え、前記第１の原料ガスを供給した後であって前記第２の原料ガスを供給する前と、前記第２の原料ガスを供給した後であって前記第１の原料ガスを供給する前と、の少なくともいずれかにおいて、前記基体の表面にプラズマを照射することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】超臨界状態の媒体の自然対流を抑制することができ、被処理基板の成膜面に均一に成膜することのできる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器１０内には、被処理基板である半導体ウエハＷを、その成膜面が下向きになるように保持する基板保持機構１１が設けられている。基板保持機構１１には、同心状の領域に複数に分割されたヒータ１２及びこれらの各領域に配置された複数の温度センサ１３が設けられ、制御装置１４によって、複数の領域毎に温度制御することができるよう構成されている。処理容器１０内の底部には、処理容器１０内に、超臨界状態の媒体と成膜原料物質とを含む処理媒体を、複数の供給口１６から供給する処理媒体供給機構１５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 格子整合性が劣る基板を用いても、欠陥やクラックの内在しない、良質な薄膜結晶を有する誘電体素子を提供する。
【解決手段】 基板１と、基板１上に形成された誘電体薄膜ＫＴａ_ｘＮｂ_１−ｘＯ_３（０≦ｘ≦１）からなる誘電体素子において、基板１と誘電体薄膜３との間に、成長方向において組成ｙが変化するバッファ層ＫＴａ_ｙＮｂ_１−ｙＯ_３（０≦ｙ≦１）を有する。組成ｙは、バッファ層２の基板１と接合する面の格子定数Ｘｆと、基板１の表面に表出する面の格子定数を自然数で除したＸとが、２｜Ｘｆ−Ｘ｜／｜Ｘｆ＋Ｘ｜＜０．０５となるような組成から、誘電体薄膜３の組成ｘまで変化する。 （もっと読む）

【課題】窒化金属膜及び該窒化金属膜を作製する窒化金属膜作製装置及び作製方法を提供する。
【解決手段】基板３を支持台２に載置して収容したチャンバ１の内部において、ヘリウムで希釈した塩素ガスプラズマ１６により、タンタルで形成した被エッチング部材１４をエッチングして塩化タンタルガスからなる前駆体１７を生成し、基板３の温度を被エッチング部材１４の温度よりも低くして前駆体１７を基板３に吸着させ、塩素ガスプラズマにより吸着した前駆体１７を還元してタンタル成分を基板３に成膜する際に、窒素ガスをプラズマ化して得られる窒素ガスプラズマによりタンタル成分を窒化して、基板３に窒化金属膜１８を成膜する窒化金属膜作製方法において、窒素ガスの供給量を制御して窒素ガス／ハロゲンガス流量比を０より大きく０．１以下とし、窒化金属膜１８の窒素原子と金属原子の原子組成比であるＮ／Ｍ比を０より大きく１以下となるようする。 （もっと読む）

【課題】 成膜される膜厚の均一性が優れた金属膜作製装置及び金属膜作製方法を提供する。
【解決手段】 チャンバ１に基板３を設置し、チャンバ１内に配設された金属部材１１の近傍に、ハロゲンを含有する原料ガスを供給すると共に、原料ガスのプラズマ１５を発生させて、ハロゲンのラジカルを生成し、ハロゲンのラジカルにより、金属部材１１をエッチングして、金属部材に含まれる金属成分とハロゲンからなる前駆体１６を生成し、金属部材１１より低い温度に基板３を制御すると共に、基板３の面内の温度分布を、周縁部で低く、中央部で高くし、基板３に前駆体１６を吸着させると共に、吸着された前駆体１６をハロゲンのラジカルにより還元して、金属膜を作製する。 （もっと読む）

タンタル含有材料、たとえば、タンタル、ＴａＮ、ＴａＳｉＮなどの基板上への化学蒸着に好適なタンタル前駆体を開示する。該タンタル前駆体は置換シクロペンタジエニルタンタル化合物である。本発明の一態様では、かかる化合物はタンタル／シリコン源試薬を構成するためにシリル化される。本発明の前駆体は、半導体デバイス構造の銅メタライゼーションに関連して拡散バリアを形成するために半導体製造用途で有利に使用される。
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【課題】 成膜時、エッチング時において、下地膜へのダメージが小さい金属系膜、金属系膜の作製方法、金属系膜作製装置、プラズマ処理方法及びエッチング装置を提供する。
【解決手段】 Ｃｌ₂を供給する前に、Ｘｅを供給して、プラズマを生成し、その後、Ｃｌ₂を含有するガスを所定流量まで漸増して供給すると共に、Ｃｌ₂のラジカル（Ｃｌ^*）生成し、Ｃｌ₂を所定流量まで漸増する際、Ｃｌ^*とＣｌ^*により生成される金属成分の前駆体とのモル比が所定値になるように、Ｘｅの流量を制御し、Ｃｌ₂を所定流量まで漸増した後、モル比を維持するように、Ｘｅの流量を漸減することで、成膜の初期において、Ｘｅ^*によりＣｌ^*が失活され、前駆体が所定数のＣｌ^*により還元され、下地膜へダメージを与えることなく、金属系膜が基板上に作製される。 （もっと読む）

【目的】 ｐ−ｌｏｗｋ膜上にバリアメタルを連続に形成することを目的とする。
【構成】 本発明の半導体装置の製造方法は、基体上に、表面にメチル（ＣＨ_３）基が結合している絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１０２〜Ｓ１０８）と、前記絶縁膜表面に、イミド系の高融点金属化合物を原料として、バリアメタル膜を形成するバリアメタル膜形成工程（１１４）と、を備えたことを特徴とする。そして、前記バリアメタル膜形成工程において、原子層気相成長法によりバリアメタル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 固体原料を効率よく気化させ、気化ガスを安定して供給できる固体原料気化装置を提供する。
【解決手段】 固体原料を収容する原料容器と、前記原料容器内にガスを導入するガス導入口と、 前記原料容器からガスを排出するガス出口と、を備え、前記原料容器の内部空間の側壁は、内側に向けて突出した部分を有することを特徴とする固体原料気化装置を提供する。 （もっと読む）

気体を活性化し解離する方法及び装置であって、チャンバの中のプラズマを用いて活性化気体を発生するステップを含む。下流気体入力をチャンバの出力に対して配置することにより、気体入力によって導かれる下流気体の解離を容易化し、解離された下流気体がチャンバの内側表面と実質的に相互作用しないようにする。
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