金属炭化物膜を形成する方法が提供される。いくつかの実施形態では、基体は、遷移金属種およびアルミニウム炭化水素化合物（ＴＭＡ、ＤＭＡＨ、またはＴＥＡなど）の交互のパルスに曝露される。このアルミニウム炭化水素化合物は、アルミニウム濃度、抵抗率、接着および耐酸化性などのその金属炭化物膜の所望の特性を達成するように選択される。いくつかの実施形態では、この方法は、フラッシュメモリにおける制御ゲートの仕事関数を決定する金属炭化物層を形成するために使用される。 （もっと読む）

【課題】貴金属薄膜を作製するため、ダメージを抑える金属膜（特に高融点金属）を基板の、特に微細な穴の底面だけに、均一にしかも高速に作製することができる金属膜作製装置とする。
【解決手段】タンタル（Ｔａ）製の被エッチング部材１１が備えられたチャンバ１内にハロゲンを含有する原料ガスとしてのＣｌ₂ガスを供給し、被エッチング部材１１に対してプラズマを発生させＣｌ₂ガスで被エッチング部材１１をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれるＴａ成分とＣｌ₂ガスとの前駆体ＴａＣｌを生成し、表面に微細穴（トレンチ）が形成された基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低くし、トレンチの（底面の金属被覆厚／壁面の金属被覆厚）である被覆率を１より大きくするような状態にＣｌ₂ガス成分量を調整してトレンチの底面だけにＴａ成分を成膜させる。 （もっと読む）

【課題】成膜される膜厚の均一性が優れた金属膜作製装置及び金属膜作製方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１に基板３を設置し、チャンバ１内に配設された金属部材１１の近傍に、ハロゲンを含有する原料ガスを供給すると共に、原料ガスのプラズマ１５を発生させて、ハロゲンのラジカルを生成し、ハロゲンのラジカルにより、金属部材１１をエッチングして、金属部材に含まれる金属成分とハロゲンからなる前駆体１６を生成し、金属部材１１より低い温度に基板３を制御すると共に、基板３の面内の温度分布を、周縁部で低く、中央部で高くし、基板３に前駆体１６を吸着させると共に、吸着された前駆体１６をハロゲンのラジカルにより還元して、金属膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が速く、安価な材料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない金属膜を成膜することができ、しかも、チャンバ及び導入容器の内壁に付着した金属膜を除去することができるようにする。
【解決手段】チャンバ１内で原料ガス５と銅製の噴射板９により前駆体３０を生成し、前駆体３０からＣｌを還元除去しＣｕ活性種にして基板１２に当てることでＣｕ薄膜３３を生成し、クリーニング時に噴射板９を冷却すると共にＣｌ₂ガスをプラズマ化してチャンバ１の内壁に付着したＣｕ成分を離脱させ、成膜速度が速く、安価な材料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない金属膜を成膜することができ、しかも、チャンバ及び導入容器の内壁に付着した金属膜を除去することができるようにする。 （もっと読む）

【課題】窒化金属膜及び該窒化金属膜を作製する窒化金属膜作製装置及び作製方法を提供する。
【解決手段】基板３を支持台２に載置して収容したチャンバ１の内部において、ヘリウムで希釈した塩素ガスプラズマにより、タンタルで形成した被エッチング部材１４をエッチングして塩化タンタルガスからなる前駆体１７を生成し、基板３の温度を被エッチング部材１４の温度よりも低くして前駆体１７を基板３に吸着させ、塩素ガスプラズマにより吸着した前駆体１７を還元してタンタル成分を基板３に成膜する際に、窒素ガスをプラズマ化して得られる窒素ガスプラズマによりタンタル成分を窒化して、基板３に窒化金属膜１８を成膜する窒化金属膜作製方法において、窒素ガスの供給量を制御して窒素ガス／ハロゲンガス流量比を０より大きく０．１以下とし、窒化金属膜１８の窒素原子と金属原子の原子組成比であるＮ／Ｍ比を０より大きく１以下となるようする。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体膜厚が薄く、長期のデータ保持特性を有する強誘電体メモリー装置に用いられる半導体装置、その製造方法、その製造装置、強誘電体膜及び強誘電体膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】 強誘電体膜５７は、膜材料として、Ｓｒ、Ｔａ、及びＮｂを主成分とする強誘電体材料が用いられ、１０日以上のデータ保持時間を有する。強誘電体膜を製造する方法は、強誘電体膜５７を形成する膜形成工程と、前記強誘電体膜５７を酸素ラジカル５８によって酸化する酸素導入工程とを有する。 （もっと読む）

半導体デバイスの製造に選択的低温Ru堆積を統合することで、バルクCu金属中でのエレクトロマイグレーション及びストレスマイグレーションを改善する方法。当該方法は、誘電体層(304)中に凹部を有するパターニング基板を供する工程であって、前記凹部は平坦化されたバルクCu金属(322)によって少なくとも実質的に充填されている工程、H₂、N₂、若しくはNH₃、又はこれらの混合気体が存在する中で前記バルクCu金属及び前記誘電体膜を熱処理する工程、並びに、前記の熱処理されたバルクCu金属上にRu金属膜を選択的に堆積する工程、を有する。
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【課題】本発明は洗浄周期が長く、生産性が高い原子層蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明による原子層蒸着装置は、基板を支持する基板支持台、該支持台上に形成されて基板支持台と接触した状態で反応室を規定する反応室壁、反応室内に工程気体を流入させる気体流入管、基板支持台と共に反応領域を規定して、気体流入管と連結されて反応領域に気体を供給するための複数の噴射孔を有する気体分散器具、気体分散器具上に配置されて絶縁物質からなる気体分散器具絶縁板、該絶縁板と反応室壁との間に配置されている気体流動調節板、反応室の内部の気体を流出させるための気体流出口、そして高周波電力を印加するために気体分散器具に連結されている高周波接続端子を含み、気体分散器具と気体分散器具絶縁板との間、該絶縁板と気体流動調節板との間、そして気体流動調節板と反応室壁との間に気体が通過することができる気体通路が形成されている。 （もっと読む）

【課題】表面全体にわたる十分な厚さの内部空洞壁のコーティングを得ることを可能にすること。
【解決手段】本発明は、ターボ機械の金属部品の高温での酸化から保護する気相堆積のアルミ被覆方法に関し、上記部品は外側からアクセスすることのできる開口部を備える空洞を含み、
この方法によれば、ハロゲンとアルミニウムを含む金属ドナーとの間の反応によってハロゲン化物が形成され、次いで、ハロゲン化物はキャリアガスによって運ばれて上記金属部品に接触し、上記金属ドナーは少なくとも部分的に上記空洞に置かれ、
金属ドナーは金属粉の混合物の圧力下の高温焼結によって得られるペレットの形である。 （もっと読む）

【課題】 金属薄膜上に金属酸化膜を形成する際に、金属薄膜の酸化を抑制させる。
【解決手段】 表面に金属薄膜が形成された基板上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、金属薄膜の酸化が起こらない温度であって、かつ、金属酸化膜がアモルファス状態となる第１温度で形成する第１ステップと、第１ステップで形成した金属酸化膜上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、第１温度を超える第２温度で、目標の膜厚まで形成する第２ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】金属ケイ酸塩又は酸化物のＣＶＤ又はＡＬＤのための塩素を含まない前躯体を提供する。
【解決手段】反応性金属アミド、アルキル又はアルコキシドと一緒にアルコキシシラノール又はアルキリホスフェートの蒸気を反応させ、加熱された基板上に金属ケイ酸塩又はリン酸塩を被着させる。例えば、トリス−（ｔｅｒｔ−ブトキシ）シラノールの蒸気がテトラキス（エチルメチルアミド）ハフニウムの蒸気と反応して、３００℃に加熱された表面上にケイ酸ハフニウムを被着させる。製品膜は、反応装置全体にわたり非常に均一な化学量論量を有する。同様にして、ジイソプロピルホスフェートの蒸気はリチウムビス（エチルジメチルシリル）アミドの蒸気と反応して、２５０℃に加熱した基板上にリン酸リチウム膜を被着させる。交互のパルスの形で蒸気を供給することにより、非常に均一な厚み分布及び優れたステップカバレッジでこれらの同じ組成物が生産される。 （もっと読む）

【課題】液体原料中から気泡を分離することができるのみならず、メンテナンス完了時における液体原料の再注入時に気泡の排出を促進することができると共に、気泡が液中に混入されることを防止し、更に気密性を高くして貯留されている液体原料の品質劣化を防止することが可能なバッファタンクを提供する。
【解決手段】液体原料３４を圧送する原料通路３８の途中に設けられるバッファタンク８において、前記液体原料を一時的に貯留すると共に、その底部の内面が下向きに凸状となるような曲面形状に成形されているタンク本体７６と、前記タンク本体の側部に形成された原料入口７８と、前記タンク本体の側部又は下部に形成された原料出口８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】金属アミド、ケイ素前駆体及び窒素源ガスガスを前駆体として用いてプラズマ雰囲気下で循環式膜被着によって金属ケイ素窒化物膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】金属アミド前駆体をパルス送りする工程、未反応金属アミドをパージ除去する工程、プラズマ雰囲気下で反応チャンバ内に窒素源ガスを導入する工程、未反応窒素源ガスをパージ除去する工程、ケイ素前駆体をパルス送りする工程、未反応ケイ素前駆体をパージ除去する工程、プラズマ雰囲気下で反応チャンバ内に窒素源ガスを導入する工程、及び未反応窒素源ガスをパージ除去する工程を含む被着方法。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤモードとＣＶＤモードの利点を組み合わせる方法を提供すること。
【解決手段】原子層堆積法（ＡＬＤ）により１つの層を堆積し、パルス化学気相堆積法（ＣＶＤ）により別の層を堆積する。ＡＬＤ部分では、反応物の逐次的かつ交互のパルスを流す。パルスＣＶＤ部分では、２つのＣＶＤ反応物を流す。少なくとも第１のＣＶＤ反応物はパルスとして流され、このパルスは第２のＣＶＤ反応物のフローと少なくとも部分的にオーバーラップする。本発明により、例えばナノラミネート膜を形成することができる。好ましくは、第１ＣＶＤ反応物より長い合計持続時間の間、第２ＣＶＤ反応物を反応チャンバへ流すことによって高品質の層が形成される。いくつかの実施形態では、第３反応物のパルスは、パルスの長さの少なくとも約１．７５倍の持続時間によって分離されている。好ましくは、第１ＣＶＤ反応物１パルス当たり約８分子層未満の材料が堆積される。 （もっと読む）

【課題】高温下の還元性ガス（特に、アンモニア、水素、炭化水素ガスなど）に対して、優れた耐食性および耐熱衝撃性を有する炭化タンタル被覆炭素材料およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】炭素基材１と、前記炭素基材１上に形成されかつ（２２０）面に配向した炭化タンタルの結晶から実質的になる被覆膜２とを有する、炭化タンタル被覆炭素材料１０。被覆膜２のＸ線回折パターンにおいて、好ましくは、炭化タンタルの（２２０）面に基く回折強度が最大の強度を示しかつ２番目に大きな強度の回折強度の４倍以上の強度を示し、また、好ましくは、炭化タンタルの（２２０）面に基く回折強度の半価幅が０．２°以下である。
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【課題】
最小限の炭素およびハロゲン化物の混入ならびにシリコン基板上への堆積時の最小限のＳｉＯ_２中間層を有する高誘電率薄膜を堆積させるためのＣＶＤ前駆体およびＣＶＤ法を提供すること。
【解決手段】
式Ｍ（ＮＲ^１Ｒ^２）_ｘまたは（Ｉ）〔式中、Ｍは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｚ、Ｌａ、ランタニド系列元素、Ｔａ、Ｔｉ、またはＡｌであり、Ｎは窒素であり、Ｒ^１およびＲ^２のそれぞれは、同一であるかまたは異なっており、独立して、Ｈ、アリール、ペルフルオロアリール、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_８ペルフルオロアルキル、アルキルシリルから選択され、ｘは金属Ｍの酸化状態である。〕で示される金属アミド化合物と、式Ｈ_ｘＳｉＡ_ｙ（ＮＲ^１Ｒ^２）_{４−ｘ−ｙ}または（ＩＩ）〔式中、Ｈは水素であり、ｘは０〜３であり、Ｓｉはケイ素であり、Ａはハロゲンであり、Ｙは０〜３であり、Ｎは窒素であり、Ｒ^１およびＲ^２のそれぞれは、同一であるかまたは異なっており、独立して、Ｈ、アリール、ペルフルオロアリール、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル、およびＣ_１〜Ｃ_８ペルフルオロアルキルからなる群より選択され、ｎは１〜６である。〕で示されるアミノシラン化合物と、を用いて、基板上にゲート誘電体薄膜を形成するＣＶＤ法。標準的なＳｉＯ_２ゲート誘電体材料と比較して、これらのゲート誘電体材料を用いると、炭素およびハロゲン化物の不純物レベルが低くなる。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンより比誘電率の高い酸化物を含んで構成されるゲート絶縁膜を備えたＭＩＳトランジスタのトランジスタ特性を向上する。
【解決手段】基板ＳＵＢの主面上に酸化ハフニウムから構成される高誘電体層ＨＫ１を形成した後、基板ＳＵＢの主面を非酸化性雰囲気中で熱処理する。次いで、高誘電体層ＨＫ１上に、ＡＬＤ法によって堆積された酸化ハフニウムから構成され、かつ、高誘電体層ＨＫ１より薄い酸素供給層ＨＫ２を形成し、さらに、窒化タンタルから構成されるキャップ層ＣＬを形成した後、基板ＳＵＢの主面を熱処理する。 （もっと読む）

金属膜を堆積させるための方法または組成物がここに開示される。一般に、開示された方法は金、銀、または銅を含む前駆体化合物を利用する。より具体的には、開示された前駆体混合物は、熱安定性を高めるために、金属に結合されたペンタジエニル配位子を利用する。さらに、銅、金、または銀を堆積させる方法が、金属膜を堆積させるための他の前駆体の使用と共に開示される。該方法および組成物が種々の堆積プロセスに使用され得る。 （もっと読む）

本発明は封入層を高分子繊維及び弾道抵抗性布帛の表面上に蒸着するための方法を提供する。さらに詳しくは、本発明は、非半導性高分子繊維及び布帛への材料の原子層蒸着により塗被されたコンフォーマルな封入層を有する布帛を提供する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波を導波させる導波管の両側でプラズマ処理を行うことができるようにする。
【解決手段】マイクロ波の腹の位置に対応して配置されたスリット１３ａ、１３ｂを導波管１２の両面にそれぞれ設け、ガス導入管１７ａ、１７ｂを介してチャンバ１１内にプロセスガスを導入し、マイクロ波を導波管１２内に導波させ、スリット１３ａ、１３ｂをそれぞれ介してマイクロ波を導波管１２の両側から放射させることにより、導波管１２の両側に表面波プラズマを発生させ、基板１８ａ、１８ｂのプラズマ処理を行う。 （もっと読む）