第１材料／第２材料のナノコンポジットを製造するための方法が開示される。本方法は、電気化学的に活性な及び電気化学的に不活性な材料を含有する前駆体を用意する工程を含むことができる。その後、前駆体は、エアロゾルガス中に懸濁されてエアロゾルを生成することができ、高磁場領域を有するプラズマを提供することができる。エアロゾルはプラズマの高磁場領域を通過することができ、エアロゾル中の前駆体の少なくとも一部が気化する。続いて、高磁場領域において気化した前駆体は、高磁場領域から取り出され、そして少なくとも１つの電気化学的に活性な材料を含有する第１材料／第２材料のナノコンポジットに凝縮される。
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【課題】 原料供給サイクルに同期させたプラズマを用いる時分割的な原料供給ＣＶＤ法により半導体またはフラット表示素子の基板上に優れた特性を有する金属酸化物、金属窒化物及び金属の薄膜を形成する方法を提供すること。
【解決手段】 プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率絶縁膜の下地となる金属膜の酸化を抑制し、成膜処理の生産性を向上させる。
【解決手段】 基板を収容した処理室内に原料を供給し排気する工程と、処理室内に第１酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に第１の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、処理室内に原料を供給し排気する工程と、処理室内に第１酸化源とは異なる第２酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、第１の高誘電率絶縁膜上に第２の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｈｉｇｈ−ｋ金属ゲート・トランジスタに対するスレショルド電圧制御および駆動電流改良のための方法および構造体を提供する。
【解決手段】デバイスを形成する方法は、基板を用意するステップと、基板上に界面層を形成するステップと、界面層上にＨｉｇｈ−ｋ誘電体層を堆積するステップと、Ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層上に酸素除去層を堆積するステップと、アニールを実施するステップとを含む。Ｈｉｇｈ−ｋ金属ゲート・トランジスタは、基板と、基板上の界面層と、界面層上のＨｉｇｈ−ｋ誘電体層と、Ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層上の酸素除去層とを含む。 （もっと読む）

【課題】表面性状が良好でかつ高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を下地に対して高い密着性をもって成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー１内にウエハＷを収容し、チャンバー１内にカルボン酸第１銅錯体、例えばＣＨ_３ＣＯＯＣｕとこれを還元する還元剤とを気相状態で導入して、ウエハＷ上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマ原子層堆積法（プラズマＡＬＤ法）の下地の絶縁膜の絶縁性能を低下させず、プラズマＡＬＤ法での膜形成により高精度の抵抗素子の形成を可能にする。
【解決手段】表面が絶縁性（例えば絶縁層１２）を有する基板１０に、熱的原子層堆積法によって第１抵抗層２１を形成する第１工程と、プラズマ原子層堆積法によって前記第１抵抗層２１上に前記第１抵抗層２１と同種の第２抵抗層２２を形成する第２工程を有する。 （もっと読む）

【課題】キャリアガスを効率良く冷却することができ、ガス通路５出口付近での材料目詰り発生防止効果を向上し得て、メンテナンス時期の長期化並びに稼動効率の向上に貢献することができ、しかも、より一層均一な分散効果を奏することができる気化器を提供する。
【解決手段】分散器２に形成されたキャリアガス導入穴に挿入されてその内壁との協働によりガス通路５を形成するセンターロッド３５と、分散器２のキャリアガス導入穴の外周側に配置されてガス通路５内を冷却する冷却部と、前記センターロッドの軸線方向に沿い且つ前記センターロッドの略全長に跨って形成された冷却部材挿入穴と、該冷却部材挿入穴内に配置されて前記センターロッドを冷却する冷却部材と、を備えていることを特徴とする気化器。 （もっと読む）

【課題】 ビアホールの微細化及び高アスペクト比化が進むと、銅からなるシード層でビアホールの内面を連続的に覆うことが困難になる。
【解決手段】 半導体基板(10)の上に絶縁膜(20)が形成されている。絶縁膜に凹部(21)が形成されている。凹部の内面を第１の導電膜(22)が覆う。島状組織(25)が、第１の導電膜の表面に離散的に分布する。島状組織は、銅に対して、第１の導電膜の濡れ性よりも高い濡れ性を有する。凹部が、銅または銅合金からなる導電部材(31)で充填されている。 （もっと読む）

プラズマ増強原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）を使用して誘電体層上に導電性の金属層を形成する方法を、関連する組成物および構造と共に提供する。ＰＥＡＬＤによって導電層を堆積する前に、非プラズマ原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスによって誘電体層上にプラズマバリア層を堆積する。プラズマバリア層は、誘電体層上のＰＥＡＬＤプロセスにおけるプラズマ反応物質の有害作用を減少させるか、または防止し、接着を増強することができる。非プラズマＡＬＤプロセスおよびＰＥＡＬＤプロセスの双方において、同じ金属反応物質を使用することができる。 （もっと読む）

【課題】ウィンドウ特性の向上とリテンション特性の向上とを同時に図ることのできる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１０上に、トンネル酸化膜１１１、チャージトラップ膜１１２、ブロッキング酸化膜１１３、ゲート電極１１４が、下側からこの順で形成された積層構造を有する半導体装置であって、ブロッキング酸化膜１１３が、チャージトラップ膜１１２側に設けられた結晶質膜１１３ａと、当該結晶質膜１１３ａの上層に設けられたアモルファス膜１１３ｂとを具備している。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体発光素子及び化合物半導体発行素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】、Ｓｉ−Ａｌ合金基板１０１と、このＳｉ−Ａｌ合金基板１０１の上面及び下面に設けられた保護層１２０と、このＳｉ−Ａｌ合金基板１０１の上面に設けられた保護層１２０上に順に積層されているｐ型半導体層１０４、活性層１０５及びｎ型半導体層１０６とを含む化合物半導体発光素子１００を提供する。また、化合物半導体発行素子１００の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】装置構成を複雑にせずに、成膜初期の核形成が短時間でなされ、表面平滑性およびステップカバレッジが良好な膜を得ることができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜方法は、基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内の基板温度が処理容器内に導入される際の原料ガスの温度よりも低い段階で処理容器内に原料ガスを導入し、基板表面に原料ガスを集積させる工程と、原料ガスの導入を継続しつつ基板温度を成膜温度まで上昇させる過程で、基板上に膜形成のための核付を行う工程と、原料ガスの導入を継続しつつ基板温度を成膜温度に保持して基板上に所定の膜を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内の膜厚均一性を高める装置と方法を提供する。
【解決手段】処理ガスをウエハ１に供給してウエハ１の上に膜をＣＶＤ法によって形成する成膜装置は、複数のウエハ１を互いに上下方向に離間して保持するボート２と、ウエハ１およびボート２を収容する処理室１２と、ウエハ１を加熱するホットウオール形構造のヒータ１４と、処理室１２内に処理ガスを供給するガス供給管２１と、処理室１２内の雰囲気を排気する排気管１６と、ウエハ１の処理中にウエハを回転させるためにボート２を回転させる回転軸１９とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の金属配線として用いられる銅層が塊状になるのを抑え、さらに拡散バリア層との密着性を向上させるため、改良された付着方法、又はメタライゼーション方法を提供する。
【解決手段】銅シード層とバリア層の間に密着促進層を被着する。コンピュータを用いたシミュレーションで銅膜の塊状化が起こる状況および銅層の密着性に関する評価を行い、密着促進層材料にクロム合金を用いることで、銅膜の密着性を著しく高める。さらにポリデンテートβ−ケトイミネートのクロム含有錯体を密着促進層材料のクロム合金を作るためのクロム含有前駆物質とする。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、原子層堆積（ＡＬＤ）または化学気相堆積（ＣＶＤ）などの気相堆積プロセス中に、プロセッシングチャンバの内面を処理し、材料を堆積させる方法を提供する。一実施形態では、前処理プロセス中に、プロセッシングチャンバの内面および基板を、水素化配位子化合物などの試薬にさらすことができる。この水素化配位子化合物は、次の堆積プロセス中に使用される有機金属前駆体から形成される遊離配位子と同じ配位子とすることができる。この遊離配位子は、堆積プロセス中に、通常、水素化または熱分解によって形成される。一例では、プロセッシングチャンバおよび基板は、ペンタキス（ジメチルアミノ）タンタル（ＰＤＭＡＴ）などのアルキルアミノ配位子を有する有機金属化学前駆体を利用した気相堆積プロセスを行う前に、前処理プロセス中に、アルキルアミン化合物（例えば、ジメチルアミン）にさらされる。
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半導体デバイス用のアルミニウムがドープされた金属（タンタル又はチタン）炭窒化物ゲート電極の作製方法が記載されている。当該方法は、上に誘電層を有する基板を供する工程、及びプラズマが存在しない状態で前記誘電層上に前記ゲート電極を作製する工程を有する。前記ゲート電極は、金属炭窒化物を堆積する堆積工程、及び前記金属炭窒化物上にアルミニウム前駆体の原子層を吸着させる吸着工程によって作製される。前記堆積工程及び前記吸着工程は、前記アルミニウムがドープされた金属炭窒化物ゲート電極が所望の厚さを有するまで、必要な回数だけ繰り返されて良い。
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【課題】膜密度及び膜硬度が高い金属酸化薄膜及び製膜速度の速いその製造方法を提供することにある。
【解決手段】大気圧または大気圧近傍の圧力下において、対向する２種の電極間に高周波電圧を印加して反応空間に放電させることにより、反応性ガスをプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に金属酸化薄膜を形成する金属酸化薄膜の製造方法において、前記反応空間に酸解離定数ｐＫａが３．５以下の酸を導入することを特徴とする金属酸化薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【化１】


基板上にタンタル含有層を形成する方法であって、少なくとも以下の工程：ａ）式Ｃｐ（Ｒ¹）_mＴａ（ＮＲ²₂）₂（＝ＮＲ³） （Ｉ）：の少なくとも１種の前駆体化合物を有する蒸気を供給する工程と：ここで：Ｒ¹は有機配位子であって、各々がＨ、１ないし６個の炭素原子を有する直鎖または分枝ヒドロカルビル基からなる群において独立して選択され；Ｒ²は有機配位子であって、各々がＨ、１ないし６個の炭素原子を有する直鎖または分枝ヒドロカルビル基からなる群において独立して選択され；Ｒ³はＨ、１ないし６個の炭素原子を有する直鎖または分枝ヒドロカルビル基からなる群において選択される有機基である；ｂ）式（Ｉ）の少なくとも１種の化合物を有する蒸気を、原子層堆積プロセスに従って基板と反応させて、基板の少なくとも１つの表面上にタンタル含有錯体の層を形成する工程とを有する方法。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中の不純物を可及的に低減し得る金属膜の作製における成膜反応を促進させる金属膜作製装置を提供する。
【解決手段】 銅板部材７と基板３との温度及び温度差を所定通に制御することにより、チャンバ１内のＣｌ₂ガスプラズマで前記銅板部材７をエッチングしてＣｕ成分とＣｌ₂ガスとの前駆体を形成し、この前駆体のＣｕ成分を基板３に析出させてＣｕの成膜を行う場合において、チャンバ１内に連通してＣｌ₂ガスを流通させる通路２４の励起室２５でＣｌ^*を形成し、このＣｌ^*をチャンバ１内に供給することにより基板３に吸着状態となっている前記前駆体からＣｌ₂ガスを引き抜いてＣｕ膜の成膜反応を促進させるようにしたものである。 （もっと読む）

堆積反応炉内の加熱された基板上に順次自己飽和表面反応によって材料を堆積させるように構成された前駆体ソースを備えるALD(原子層堆積)装置などの装置。本装置は、前駆体ソースからの前駆体蒸気を反応室に供給するための供給管路と、前駆体ソースと反応室との間で前駆体蒸気が液相または固相に凝縮することを防ぐために反応室加熱器からの熱を利用するように構成された構造とを備える。複数のパルス送出弁、前駆体ソース、複数の前駆体カートリッジ、および複数の方法も提示される。 （もっと読む）