【課題】従来の熱酸化技術ないしプラズマ酸化技術を用いて、薄い下地膜を直接に電子デバイス用基材上に成膜速度や面内均一性を制御しながら形成することは、極めて困難であった。
【解決手段】電子デバイス用基材上に配置された絶縁膜の表面に、少なくとも酸素原子含有ガスを含む処理ガスに基づくプラズマを照射して、該絶縁膜と電子デバイス用基材との界面に下地膜を形成する。絶縁膜と、電子デバイス用基材との間の界面に、該絶縁膜の特性を向上させるべき良質な下地膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】良好な蒸気圧を持ち、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法等によってニオブ又はタンタル含有薄膜を製造するための原料となる新規なニオブあるいはタンタル錯体、その製造方法、それを用いた金属含有薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表されるイミド錯体を、例えばＭ^１（ＮＲ^１）Ｘ_３（Ｌ）_ｒ（２）とアルカリ金属アルコキシド（３）との反応等により製造し


（式中、Ｍ^１はニオブ原子又はタンタル原子を示し、Ｒ^１は炭素数１から１２のアルキル基を示し、Ｒ^２は炭素数２から１３のアルキル基を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｌが１，２−ジメトキシエタン配位子のとき、ｒは１であり、Ｌがピリジン配位子のとき、ｒは２であり、Ｍ^２はアルカリ金属を示す。）、そのイミド錯体（１）を原料として用いることにより、ニオブ又はタンタル含有薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】トラップ手段で捕捉した排気物を確実に除去することにより再生を確実に行うことが可能なトラップ装置を用いた処理システムを提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して処理を行う処理室１０からの排気ガスを排出する排気路２２に設けられ、前記排気ガス中から排気物を捕捉するためのトラップ装置において、前記排気路に介設される筐体４２と、前記筐体内に設けられて前記排気物を捕捉するトラップ手段４８と、前記トラップ手段を加熱するトラップ加熱手段５４と、前記筐体内へ冷媒を導入する冷媒導入手段６０と、前記冷媒を排出するための冷媒排出部６２と、前記トラップ手段で捕捉した前記排出物を除去するために前記トラップ加熱手段により前記トラップ手段を加熱した状態で前記冷媒導入手段より前記冷媒を導入するように制御する制御部８８とを備えたことを特徴とするトラップ装置である。 （もっと読む）

high-k膜を堆積させるための方法および組成物がここに記載される。一般に、開示された方法はTaまたはNbを含む前駆体化合物を利用する。より具体的には、開示された前駆体化合物は、揮発性を増大させるために、1-メトキシ-2-メチル-2-プロパノラート (mmp)のようなTaおよび/またはNbに結合される幾つかの配位子を利用する。さらに、TaドープHfまたはNbドープHfおよび/またはTaドープZrまたはNbドープZrを堆積させるために、Hfおよび/またはZr前駆体の使用とともに、TaまたはNb化合物を堆積させる方法が開示される。本方法および組成物はCVD、ALD、またはパルスCVD堆積プロセスにおいて使用され得る。 （もっと読む）

【課題】 高速スイッチングバルブを用いずにかつ高い生産性で、ＡＬＤ法を利用することができる成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを収容するチャンバー１１内に、複数の基板Ｗを平面的に円周状に配置された状態で支持する基板支持部材１２を設け、ＴｉＣｌ_４を吐出する第１の処理ガス吐出ノズル２０と、ＮＨ_３を吐出する第２の処理ガス吐出ノズル２１とを複数交互に配置し、基板Ｗ上に吐出されたＴｉＣｌ_４およびＮＨ_３を基板Ｗ上で交互に走査させ、ＴｉＣｌ_４およびＮＨ_３を交互に吸着させて、基板Ｗに、ＴｉＣｌ_４による単原子層とＮＨ_３による単原子層とを交互に形成する。 （もっと読む）

【課題】 高速スイッチングバルブを用いずにかつ高い生産性で、ＡＬＤ法を利用することができる成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー１１内に、複数の基板Ｗを支持する基板支持部材１２と、ＴｉＣｌ_４を吐出する第１の処理ガス吐出ノズル２０と、ＮＨ_３を吐出する第２の処理ガス吐出ノズル２１と、ＴｉＣｌ_４とＮＨ_３とを分離するパージガス吐出ノズル２２とを設け、パージガス吐出ノズル２２の吐出口と基板Ｗ表面との距離が、第１の処理ガス吐出ノズル２０および第２の処理ガス吐出ノズル２１の吐出口と基板Ｗ表面との距離よりも大きくなるようにパージガス吐出部２２を配置し、基板Ｗに対し、ＴｉＣｌ_４、ＮＨ_３、パージガスを走査させることにより、基板ＷにＴｉＣｌ_４とＮＨ_３とを交互に吸着させる。 （もっと読む）

【課題】 微細な接続孔内等に発生した酸化膜をドライエッチングにより効率良く除去できる表面処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 表面に酸化膜が発生している被処理体Ｗは、処理容器１０内に搬入され、該処理容器内は真空に維持され、Ｎ₂ とＨ₂ との混合ガスがプラズマ発生部３０に導入され、プラズマ化され、それぞれの活性ガス種が形成される。活性化ガス種は被処理体に向けてフローされ、これにＮＦ₃ ガスが添加され、活性化されたガスが形成される。被処理体は所定温度以下に冷却手段２２により冷却され、活性化されたＮＦ₃ ガスに曝され、該ガスと反応し、酸化膜は変質して反応膜が被処理体Ｗの表面に形成される。Ｎ₂ 、Ｈ₂ 及びＮＦ₃ ガスの供給が停止され、加熱手段１９で被処理体は所定の温度に加熱され、反応膜が昇華して除去される。 （もっと読む）

【課題】目詰まりなどを起こすことがなく長期使用が可能であり、かつ、反応部への安定的な原料供給が可能な気化器を提供すること。
【解決手段】分散部本体１の内部に形成されたガス通路２と、ガス通路２に加圧されたキャリアガス３を導入するガス導入口４と、ガス通路２を通過するキャリアガスに原料溶液５を供給するための手段６と、分散された原料溶液５を含むキャリアガスを気化部２２に送るためのガス出口７と、ガス通路２内を流れるを冷却する手段１８と、を有する分散部８と、装置の反応部と分散部８のガス出口７に接続された気化管２０と、気化管２０を加熱するヒータ２１と、を有し、原料溶液が分散されたキャリアガスを加熱・気化させる気化部２２と、を有し、反応部の圧力は、気化管の圧力より低く設定されるようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストの表面処理方法を提供して、電子装置の試作等に要するコストを削減する。
【解決手段】エネルギービーム照射手段４１２と、ガス排気手段と、基板１０を保持可能な基板保持手段４１８と、を内部に備える真空処理室４０２と、ガス供給手段と、ガス排気手段と、基板１０を保持可能な基板保持手段４１８と、を備え、基板保持手段４１８で保持された基板１０上に液材を供給する液材供給手段４２２とを備える液材供給室４０４と、真空処理室４０２と液材供給室４０４との間を連絡する搬送路と、上記通路を開閉するゲートバルブと、真空処理室４０２と液材供給室４０４との間を基板１０を搬送可能な搬送手段４３６と、上記真空処理室および上記液材処理室の少なくともどちらか一方に連通する基板搬入口４３８と、を備えることを特徴とする電子装置の製造装置。 （もっと読む）

【課題】処理効率が高く、高品質の半導体装置が製造できる処理装置及び移載装置を提供する。
【解決手段】複数の被処理基体を収容する基体容器を載置する基体容器載置台と、前記基体容器載置台に隣設され、内部を所定の気圧に維持し得る移載室と、前記移載室の周囲に複数配設され、被処理基体を処理する処理ユニットと、前記移載室内に配設され、被処理基体を移載する複数の移載アームとを具備し、複数の前記移載アームは、伸縮および旋回が可能であり、かつ、前記移載アーム同士で前記被処理基体の受け渡しを行う少なくとも一方の前記移載アームは、前記伸縮の方向線に対して非対称の形状の被処理基体支持部材を有することを特徴とする処理装置。 （もっと読む）

【課題】目詰まりなどを起こすことがなく長期使用が可能であり、かつ、反応部への安定的な原料供給が可能な気化器を提供する。
【解決手段】分散部本体１の内部に形成されたガス通路２と、ガス通路２に加圧されたキャリアガス３を導入するガス導入口４と、ガス通路２を通過するキャリアガスに原料溶液を供給するための手段６と、分散された原料溶液を含むキャリアガスを気化部２２に送るためのガス出口７と、ガス通路２内を流れるを冷却する手段１８と、を有する分散部８と、装置の反応部と分散部８のガス出口７に接続された気化管２０と、気化管２０を加熱するヒータ２１と、を有し、原料溶液が分散されたキャリアガスを加熱・気化させる気化部２２と、を有し、ガス出口７の外側に細孔１０１を有する輻射防止部１０２を設けてある。 （もっと読む）

【課題】 高速スイッチングバルブを用いずにかつ高い生産性で、ＡＬＤ法を利用することができ、チャンバー内クリーニングが可能な成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを収容するチャンバー１１と、チャンバー１１内で複数の基板Ｗを平面的に支持する基板支持部材１２と、チャンバー１１内に設けられ、ＴｉＣｌ_４を吐出する第１の処理ガス吐出ノズル２０と、ＮＨ_３を吐出する第２の処理ガス吐出ノズル２１と、チャンバー１１内にクリーニングガスを吐出するクリーニングガス吐出手段３１，３５，４６，４７，４８と、基板支持部材１２を回転させる回転機構１４と、基板Ｗを加熱するヒーター１６とを具備し、基板支持部材１２を回転させながら、基板Ｗ上に、Ｔｉの単原子層と、Ｎの単原子層とを交互に形成し、クリーニングガスにより前記チャンバー内をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】導電窒化タンタル膜を制御可能に形成する方法を提供すること。
【解決手段】タンタルソース物質、水素のプラズマ励起種、及び窒素ソース物質の交互的パルスを順に、反応空間内で基板と接触させるステップを含む。水素のプラズマ励起種はタンタルの酸化状態を低減し、それによって、基板上に実質的に導電性の窒化タンタル膜を形成する。いくつかの実施の形態では、水素のプラズマ励起種は、形成された金属の膜の中のハロゲン化残留物と反応し、該残留物を除去する。 （もっと読む）

元素金属Ｍ（０）膜を半導体基板上に堆積するための組成物および方法を開示する。開示されている方法の１つは、半導体基板を加熱して加熱された半導体基板を得ること；加熱された半導体基板を、金属前駆体、過剰量の中性不安定配位子、および超臨界溶媒を含む組成物に晒すこと；金属前駆体を、加熱された半導体基板において、またはその付近で、還元剤および／または熱エネルギーに晒すこと；還元剤および／または熱エネルギーを使用して金属前駆体を元素金属Ｍ（０）に還元すること；ならびに金属酸化物の形成を最小限にしながら元素金属Ｍ（０）膜を堆積することを含む。 （もっと読む）

【課題】原子層成長（ＡＬＤ）法を種々の成膜に適用すること及びスループットを向上させることを可能にし、同時に装置の小型化を実現することである。
【解決手段】原子層成長（ＡＬＤ）法を用いた成膜方法であって、基板Ｗを内部に保持する成膜室２内に、有機金属化合物からなる液体原料を液体原料噴射弁４１により直接噴射することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波プラズマ処理装置において、マイクロ波導入用誘電体窓表面に付着した反応生成物が成長後剥離し、パーティクルとして基板上に降りデバイス不良を生起する問題を解決する。また、放電条件により低下するプラズマ均一性を改善する。
【解決手段】 マイクロ波導入手段１０８と誘電体窓１０７の間に絶縁されたラジオ波電極１１４を設けるか、またはマイクロ波導入手段自体をラジオ波電極としても併用し、プラズマ発生用のマイクロ波にラジオ波を重畳する。これにより、従来は反応生成物が付着しやすかったマイクロ波プラズマの弱かった部分にも、より強いプラズマを発生させる。これはパーティクル抑制のみならず、プラズマの均一性改善にも効果がある。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ生成室１０２と基体１０４の処理室１０３との間にガスの流れを制御する仕切り板１１１を有する装置において仕切り板の交換なしにガスコンダクタンスの変更を行う。
【解決手段】 仕切り板１１１内部に仕切り板を加熱あるいは冷却する手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法。
【解決手段】反応チャンバに金属元素及びリガンドを含む第１反応物を注入して基板上に第１反応物を化学吸着させ、不活性ガスでパージして物理吸着された第１反応物を除去し、水酸化基を含まない第２反応物を注入して第１反応物と第２反応物との化学反応によって、第２反応物の酸素と金属元素が結合し、第１反応物からリガンドを分離して化学吸着された第１反応物を金属−酸素原子層とし、不活性ガスでパージして物理吸着された第２反応物を除去し、第３反応物を注入して化学吸着された第１反応物の残余分と第３反応物との化学反応によって第３反応物の構成要素である酸素と金属元素が結合し、第１反応物からリガンドを分離することにより化学吸着された第１反応物の残余分を金属−酸素原子層として、水酸化基の生成が抑止された状態で原子層単位の金属酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が低く、かつ反りの少ないIII族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】サファイア基板６１上に第一のＧａＮ層６２を成長させ、つづいて金属Ｔｉ膜６３を形成した後、窒化処理して、微細孔を有するＴｉＮ膜６４を形成する。その後、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６を成長する。金属Ｔｉ膜６３およびＴｉＮ膜６４の作用により、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６中には空隙部６５が形成される。この空隙部６５の箇所からサファイア基板６１を剥離除去する。 （もっと読む）

【課題】製造が容易な位相格子型の光学波長板を得る。
【解決手段】誘電体基板である石英ウエハ上に、プラズマＣＶＤ法を用いて、第１の誘電体媒質としてＳｉＯ₂膜の成膜を開始する（ステップＳ１）。ＳｉＯ₂膜を成膜開始後に、このＳｉＯ₂膜上にＳｉＯ₂とＴｉＯ₂から成る誘電体混合膜を成膜する（ステップＳ２）。そして、この誘電体混合中のＴｉＯ₂の割合が１００％となった状態において、所定の膜厚に至るまで第２の誘電体媒質であるＴｉＯ₂膜を成膜する（ステップＳ３）。ＴｉＯ₂膜上にＳｉＯ₂とＴｉＯ₂から成る誘電体混合膜を成膜し、徐々にＳｉＯ₂の割合を増加させ、表面において第１の誘電体媒質としてＳｉＯ₂の割合を１００％とする（ステップＳ４）。最後に、ステップＳ４で得られたＳｉＯ₂とＴｉＯ₂の混合膜にフォトリソグラフィプロセスによりレリーフ状格子を形成する（ステップＳ５）。 （もっと読む）