【課題】ステップカバレジと成膜レートとを共に高く維持することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４内に、高融点金属有機原料ガスと窒素含有ガスあるいはシリコン含有ガスあるいは炭素含有ガスのいずれか１つ、或いは複数よりなるガスとを供給して被処理体の表面に高融点金属の窒化、珪化、炭化のいずれか１つ、或いは複数よりなる膜である金属化合物膜の薄膜を形成する成膜方法において、前記高融点金属有機原料ガスを供給する工程と前記窒素含有ガス或いはシリコン含有ガス或いは炭素含有ガスのいずれか１つ、或いは複数よりなるガスを供給する工程とを交互に行うと共に、前記被処理体の温度を前記高融点金属有機原料の分解開始温度以上の温度に維持する。これにより、ステップカバレジと成膜レートとを共に高く維持する。 （もっと読む）

【課題】従来技術の化合物が有する欠点のない、あるいは明らかな改良を少なくとももたらす、タンタル又はニオブ含有被覆形成用の新規前駆体化合物を提供する。
【解決手段】式：


（式中、Mは、Ta又はNbを表す。R¹及びR²は、(シクロ)アルキル基、アリール基、1-、2-又は3-アルケニル、トリオルガノシリル基又はアミノ基を表す。R³は、(シクロ)アルキル基、アリール基、又はSiR₃又は NR₂を表す。R⁴は、ハロゲン、NH-R⁵、O-R⁶、-SiR₃、BH₄、アリル基又はインデニル基、ベンジル基、シクロペンタジエニル基、又は-NR-NR'R''(ヒドラジド(-1)、若しくはCH₂SiMe₃、偽ハライド又はシリルアミドを表す。R⁷及びR⁸は、水素、(シクロ)アルキル基又はアリール基を表す。）
で示される化合物。 （もっと読む）

【課題】高性能の切削工具インサートに関し、低合金鋼、炭素鋼及び靭性のある硬化鋼などの鋼を高切削速度で旋削加工用工具を提供する。
【解決手段】超硬合金を母在とし、５０〜３９０Ｍｐａの低引張応力レベルを有するＴｉＣ_ＸＮ_Ｙ層と、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）技術によって測定される平均Ｒａが０．１２μｍ以下の高い表面平滑度を有するＡｌ_２Ｏ_３と備えるＣＶＤ被覆切削工具の被膜に、非常に激しい湿潤吹き付け処理を施す。 （もっと読む）

一実施形態では、誘電材料を形成する方法が提供され、この方法は、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス中に酸化金属を形成しながら、基板を金属含有前駆物質および酸化ガスに連続的に露出させるステップと、次に、基板を不活性プラズマプロセスおよび熱アニーリングプロセスに連続的に露出させるステップとを含む。一般的に、酸化金属はハフニウム、タンタラム、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、ランタン、またはこれらの組合せを含有する。一例では、基板は、窒素を含まない、または実質的に窒素を含まない不活性プラズマガスに露出される。次に、熱アニーリングプロセス中に、基板が酸素の環境に露出される。別の例では、ＡＬＤプロセス中に、基板を金属前駆物質と、水蒸気を含有した酸化ガスとに連続的に露出することで、酸化金属材料が形成される。水蒸気は、水素源および酸素源を消費する触媒水蒸気生成器によって形成されてもよい。 （もっと読む）

【課題】
高温、かつ、還元性ガスや反応性ガス雰囲気下で、長時間使用された場合であっても消耗等に起因するクラックや剥離等の損傷が生じることがなく、耐久性に優れた炭素複合材料を提供すること。
【解決手段】
炭素基材と前記炭素基材の表面に形成された炭化タンタル層とからなる炭素複合材料であって、前記炭化タンタル層を構成する結晶のＸ線回折による分析で、（２００）面に相当するピークと（１１１）面に相当するピークとのピーク強度比：Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）が、０．２〜０．５であるか、又は、（１１１）面に相当するピークと（２００）面に相当するピークとのピーク強度比：Ｉ（１１１）／Ｉ（２００）が、０．２〜０．５であることを特徴とする炭素複合材料。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ法と、最適化されたプロセス状態で高品質ＡＬＤ層を形成するためのリアクタを提供する。
【解決手段】ａ）半導体基板をリアクタ中に配置する工程と、ｂ）第１前駆体ガスのパルスを、第１温度のリアクタ中に供給する工程と、ｃ）第２前駆体ガスの第１パルスを、第２温度のリアクタ中に供給する工程と、ｄ）第２前駆体ガスの第２パルスを、第２温度より低い第３温度で供給する工程と、ｅ）選択的に、工程ｂ）から工程ｄ）を、所望の膜厚が得られるまで、少なくとも１回繰り返す工程とを含むＡＬＤ法、およびこの方法に適したリアクタ。 （もっと読む）

【課題】半導体堆積室において形成された堆積残渣で汚染されているツール部品を清浄化する方法を提供すること。
【解決手段】ツール部品の清浄化方法が、堆積残渣で汚染されたツール部品を半導体堆積室から取り出すことと、ツール部品をオフラインのガス反応室に案内することと、堆積残渣を揮発性種に変換するための条件下、ツール部品に反応性ガスを接触させることと、オフラインのガス反応室から揮発性種を除去することと、堆積残渣を本質的に有しないツール部品をオフラインのガス反応室から回収することと、ツール部品を半導体堆積室で使用することとを含んでなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。
【解決手段】 真空チャンバを、スパッタリング法を実施できるスパッタ室１１ａと、化学的成膜法を実施できる化学的成膜室１１ｂとに左右に区画し、スパッタ室内及び化学的成膜室の各成膜位置の間で処理基板Ｓを移動自在とする基板搬送手段３を設ける。この場合、スパッタ室内で処理基板とこの処理基板に対向して配置されるターゲットと間の距離に対し、化学的成膜室内で処理基板とこの処理基板に対向した化学的成膜室の内壁との間の距離を０．０７〜０．３の範囲に設定する。 （もっと読む）

【課題】 同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。
【解決手段】 真空チャンバ内に基板ステージ１２を配置し、ターゲット４１ａを有するスパッタリング成膜手段を、基板ステージの中心軸に対し所定の角度で傾斜させて設けると共に、化学的成膜手段を設ける。ターゲットと基板ステージとの間に、前記ターゲットを設けた真空チャンバの上方領域を隔絶するように遮蔽手段５を回転自在に設け、この遮蔽手段の所定の位置に前記ターゲットが臨む開口部５１を形成する。 （もっと読む）

【課題】高ｋゲート絶縁膜上のドープされたシリコンゲート間に短絡をもたらす欠陥、トラッピングを回避する、前記高ｋゲート絶縁膜および前記高ｋゲート絶縁膜上のシリコンオキサイド膜の製造法を提供する。
【解決手段】原子層堆積プロセスを用いて基板上に高ｋゲート絶縁材料を堆積することを包含する、半導体基板上に集積回路構造を形成するための方法。シリコンオキサイドキャッピング層は、高速熱化学蒸着プロセスにおいてゲート絶縁材料上に堆積される。ゲート電極は、シリコンオキサイドキャッピング層上に形成される。 （もっと読む）

【課題】 同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。
【解決手段】 真空チャンバ内の基板ステージ１２に対向させて設けたターゲット４１ｃを有するスパッタリング成膜手段４と、化学的成膜手段３とを設けると共に、ターゲットが存する第１空間１１ａと基板ステージが存する第２空間１１ｂとに仕切る仕切り板５を設ける。ターゲットを、このターゲットの水平方向の位置の変更を可能とする移動手段４１ａに装着し、仕切り板の所定の位置にターゲットが臨む開口部５１を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ用の原料溶液の流量を長時間にわたって精度よく制御することができるＣＶＤ用気化器、溶液気化式ＣＶＤ装置及びＣＶＤ用気化方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣＶＤ用気化器は、キャリアガス中に原料溶液を微粒子状又は霧状に分散させるオリフィス管と、前記オリフィス管の前記ガス通路に連通されたところの前記原料溶液を供給する原料溶液用通路２１〜２５と、前記オリフィス管に前記キャリアガスを供給するキャリアガス用通路３３と、前記オリフィス管で分散された前記原料溶液を気化する気化管３１と、前記気化管３１内に挿入され前記オリフィス管のガスを噴出する噴出部とを有し、前記オリフィス管は、円柱状のガス通路を備える。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜の絶縁性を向上させる。
【解決手段】 半導体基板の主面側に形成された絶縁膜１０を有し、該絶縁膜が、金属酸化物からなる複数の粒状絶縁領域１１と、隣接する粒状絶縁領域間に形成された非晶質絶縁物からなる粒間絶縁領域１２と、から構成され、粒状絶縁領域は、金属酸化物の結晶を少なくとも含んで構成され、粒間絶縁領域は、シリコン、酸素及び金属酸化物を構成する金属元素を少なくとも含んだ非晶質絶縁物で構成されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内の膜厚均一性を高める。
【解決手段】複数の処理ガスをウエハ１の表面に交互に供給してウエハ１の上に膜をＡＬＤ法によって形成するＡＬＤ装置は、複数のウエハ１を保持するボート２と、ウエハ１およびボート２を収容する処理室１２と、ウエハ１を加熱するヒータ１４と、処理室１２内に複数の処理ガスを交互に供給するガス供給管２１と、処理室１２内の雰囲気を排気する排気管１６と、ウエハ１の処理中にウエハを回転させるためにボート２を回転させる回転軸１９とを有する。
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プラズマ加速原子層成膜（ＰＥＡＬＤ）処理を用いて、基板上に膜を設置する方法であり、当該方法は、前記ＰＥＡＬＤ処理を行うことができるように構成された処理チャンバ内に、前記基板を配置するステップを有する。処理チャンバ内に、第１の処理材料が導入され、処理チャンバ内に、第２の処理材料が導入される。第２の処理材料の導入の間、処理チャンバには、６００Ｗを超える電磁力が結合され、基板の表面での第１および第２の処理材料の間の還元反応を促進するプラズマが発生する。第１の処理材料と第２の処理材料の交互の導入により、基板上に膜が形成される。
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【課題】 強誘電体膜厚が薄く、長期のデータ保持特性を有する強誘電体メモリー装置に用いられる半導体装置、その製造方法、その製造装置、強誘電体膜及び強誘電体膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】 強誘電体膜５７は、膜材料として、Ｓｒ、Ｔａ、及びＮｂを主成分とする強誘電体材料が用いられ、１０日以上のデータ保持時間を有する。強誘電体膜を製造する方法は、強誘電体膜５７を形成する膜形成工程と、前記強誘電体膜５７を酸素ラジカル５８によって酸化する酸素導入工程とを有する。 （もっと読む）

プラズマ加速原子層成膜（ＰＥＡＬＤ）処理を用いて、基板上に膜を設置する方法であり、当該方法は、前記ＰＥＡＬＤ処理を行うことができるように構成された処理チャンバ内に、前記基板を配置するステップと、前記処理チャンバ内に第１の処理材料を導入するステップと、前記処理チャンバ内に第２の処理材料を導入するステップとを有する。さらに当該方法は、前記基板の表面での前記第１および第２の処理材料の間の還元反応を助長させるプラズマを発生させるため、前記第２の処理材料の導入の間、前記処理チャンバに電磁力を結合するステップを有する。前記処理チャンバ内に、反応性ガスが導入され、該反応性ガスは、前記処理チャンバ内で汚染物質と化学的に反応して、処理チャンバ構成部材または前記基板のうちの少なくとも一つから、前記汚染物質を放出する。
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【課題】 触媒源で発生したラジカルの失活を防いで、原料ガスとラジカルとの反応を効率よく行って所望の膜を形成することができる成膜装置及び成膜方法の提供。
【解決手段】 成膜室４４及び基板Ｓに対向するよう設けられた触媒源４８を備えた触媒室４６からなる真空チャンバー４２において、成膜室４４と触媒室４６とが開口部４７を介して接続されており、成膜室内に載置される基板の周縁部と開口部の周縁部との最短距離を結ぶ直線が基板となす角度をωとし、基板の周縁部と触媒源の縁部との最短距離を結ぶ直線が基板となす角度をθとした場合に、触媒源が、ω≧θを満たす位置に配置されること。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、薄膜蒸着方法を提供することにある。
【解決手段】 チャンバ内に第２反応ガスを連続的に供給する第２反応ガス連続供給段階Ｓ１２の進行中に、第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａとチャンバ内の基板に吸着されない第１反応ガスをパージする第１反応ガスパージ段階Ｓ１３ｂとからなるサイクルを繰り返し行う。第２反応ガス連続供給段階Ｓ１２は、第１反応ガスパージ段階Ｓ１３ｂの進行中に行われ、かつ第２反応ガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給される第２反応ガスインパルス供給段階Ｓ１２ａを含む。 （もっと読む）

【課題】下地との密着性が高くて膜剥がれの発生を抑制でき、しかも、微細化が進んでもステップカバレジを十分に高くすることができ、更には合金種の元素を十分に拡散させることができる薄膜の積層構造の形成方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４内で被処理体の表面に複数の薄膜を堆積して薄膜の積層構造を形成する方法において、合金種としての第１の金属を含む原料ガスと還元ガスとを用いて第１の金属よりなる合金種膜１０４を形成する合金種膜形成工程と、前記第１の金属とは異なる母材としての第２の金属を含む原料ガスと還元ガスとを用いて第２の金属よりなる母材膜１０６を前記合金種膜よりも厚く形成する母材膜形成工程とを、それぞれ１回以上交互に行うようにする。 （もっと読む）