本発明は一般的に、材料の堆積のための方法を提供し、さらに詳細には、本発明の実施形態は、障壁層、シード層、導電材料および誘電材料を堆積するために、光励起技術を利用する化学気相堆積処理および原子層堆積処理に関する。本発明の実施形態は一般的に、支援型処理の方法および装置を提供し、支援型処理は、均一に堆積される材料を提供するために行われてもよい。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜キャパシタにおいて、強誘電体膜の組成が膜厚方向において不均一になることを防止して、良好な電気的特性を有するキャパシタを実現する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下部電極を形成する（Ｓ５１）。次に、第１の原料ガスを用いたＣＶＤ法により、下部電極上に第１の強誘電体膜を形成する（Ｓ５３ａ）。次に、第２の原料ガスを用いたＣＶＤ法により、第１の強誘電体膜上に第２の強誘電体膜を形成する（Ｓ５３ｂ）。次に、第２の強誘電体膜上に上部電極を形成する（Ｓ５４）。ここで、第１の強誘電体膜を形成する工程（Ｓ５３ａ）で用いた第１の原料ガスに含まれる酸素の濃度は、第２の強誘電体膜を形成する工程（Ｓ５３ｂ）で用いた第２の原料ガスに含まれる酸素の濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】 極めて薄い状態で金属の拡散防止と金属との密着性を保持したバリアメタル膜２３を作成する。
【解決手段】 表層のTaN 層のＮ原子を除去してバリアメタル膜２３の母材内部と比べて表層の窒素含有量を相対的に低減させる表面処理を施して表層に実質的に金属層２３ａを形成し、実質的な金属層２３ａと金属窒化物の層２３ｂとを一層の厚さで形成し、極めて薄い状態で金属の拡散防止と金属との密着性を保持したバリアメタル膜２３を作成し、金属配線のプロセスを安定させる。 （もっと読む）

【課題】 堆積システムのパーティクルコンタミネーションを減少するように構成された排気装置を提供することである。
【解決手段】 基板上の蒸着のための方法およびシステムであって、処理システムの移送空間から分離（アイソレーション）された処理システムの処理空間に基板を配置し、移送空間から分離が維持されている間、処理空間の第１の位置または第２の位置のいずれかで基板を処理し、前記第１の位置または第２の位置のいずれかで前記基板に材料を堆積させる。さらに、システムは、処理空間に組み合わせられるように構成された装置を排気する高いコンダクタンスを含み、それによって、堆積システムで処理される基板の粒子汚染が最小にされる。 （もっと読む）

【課題】高性能化および／又は低消費電力化等の優れた特性を有する電子デバイスのための優れた膜質の絶縁膜を与えることが可能な絶縁膜の改質方法を提供する。
【解決手段】電子デバイス用基材上に配置された気相堆積に基づく絶縁膜に対して、酸素原子含有ガスを少なくとも含む処理ガスに基づくプラズマを照射して、該絶縁膜を改質する。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】低抵抗の窒化物薄膜を低い成膜温度で形成する。
【解決手段】真空雰囲気中に高融点金属を有する原料ガスと窒素原子を有する含窒素還元ガスを導入し、高融点金属の窒化物薄膜２４を形成する際、窒素を有しない補助還元ガスを導入する。補助還元ガスによって析出した高融点金属が、析出した窒化物の高融点金属の不足分を補償し、化学量論組成比に近く、低比抵抗の窒化物薄膜２４を成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン及び窒素を含まないタンタル含有薄膜の形成が可能な新規なタンタル化合物とその製造方法、及び膜の形成方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表されるタンタル化合物を、テトラハロシクロペンタジエニルタンタル誘導体とメチル化金属化合物とを反応させることにより製造し、このタンタル化合物を原料としてタンタル含有薄膜を形成させる。


（式中、Ｍｅはメチル基を、ｎは１から５の整数を、Ｒはアルキル基を示す。） （もっと読む）

【課題】 処理システムのためのシーリングのデバイスおよび方法を提供することである。
【解決手段】 処理システムの移送空間から真空分離された処理システムの処理空間内で基板を処理するための方法、コンピュータ読み取り可能なメディアおよびシステムが示される。シーリングデバイスは、処理空間を規定するように構成された第１のチャンバアセンブリと、移送空間を規定するように構成された第２のチャンバアセンブリとの間に配置される。シーリングデバイスが係合するときに、真空アイソレーションは、処理空間と、移送空間との間に提供される。シーリングデバイスは、２つ以上の接触突起を備え、その接触突起は、その間に形成される１つ以上のポケットを有している。シーリングデバイスが、第１のチャンバアセンブリと、第２のチャンバアセンブリとの間に係合するとき、ガスは、１つ以上のポケット内に閉じ込められる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの不所望付着物をより容易に確実に除去可能であり、ターゲット自体の損傷を防止可能な、基板処理装置のクリーニング方法の提供。
【解決手段】耐酸容器３１中にターゲット１１を設置し、フッ硝酸系水溶液を注入し、耐酸容器に超音波発生器３０を用いて超音波による物理的刺激を加え、不所望付着物を硝酸の作用により酸化して、フッ酸の作用によりターゲット１１から浮かせ、浮かせた不所望付着物を超音波の刺激によってターゲットから分離させる工程を同一水溶液中で同時に行い、より容易に確実に不所望付着物を除去する。 （もっと読む）

【課題】ヒータの設定温度の補正を充分に高い精度で行うことが出来る成膜装置の調整方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、チャンバ１０と、チャンバ１０内に配されたウエハ９０を加熱するヒータ２０とを備えており、ＡＬＤ法によりウエハ９０上に被形成膜を成膜するものである。成膜装置１においては、後述する調整方法によって、ヒータ２０の設定温度が補正されている。この調整方法は、概括すると、下記ステップ（ａ）および（ｂ）を含むものである。（ａ）被形成膜を構成する元素を含む原料ガスの反応が自己停止する、ヒータ２０の設定温度の範囲である自己停止温度範囲の上限値を取得するステップ（ｂ）上記上限値に基づいて、ヒータ２０の設定温度を補正するステップ （もっと読む）

【課題】膜前駆体（３５０）の露出表面積を向上させることにより成膜速度を向上するため、高伝導性の気相供給システム（４０）に結合された、高伝導性のマルチトレー膜前駆体蒸発システム（５０、３００）を示した。
【解決手段】マルチトレー膜前駆体蒸発システムは、１または２以上のトレー（３３０、３４０）を有する。各トレーは、例えば、固体粉末状または固体タブレット状の膜前駆体を支持し、保持するように構成される。また、膜前駆体が加熱されている間、各トレーは、膜前駆体の上部に流れるキャリアガスに、高い導電性が提供されるように構成されても良い。例えば、キャリアガスは、膜前駆体の上方から内方に流れ、積層可能なトレー内の流束溝を介して垂直に上方に流れ、固体前駆体蒸発システム（３００）の出口（３２２）から排出される。 （もっと読む）

高コンダクタンスな蒸気供給システム（40）に結合された、高コンダクタンスのマルチトレイ膜前駆体蒸発システム（1）は、膜前駆体の露出表面積を増大させることにより、成膜速度が高められる。マルチトレイ膜前駆体蒸発システム（50）は、1または2以上のトレイ（340）を有する。各トレイは、例えば固体粉末形態または固体タブレット形態の膜前駆体（350）を支持し、保持するように構成される。また、各トレイは、膜前駆体を加熱したまま、膜前駆体の上部に、キャリアガスの高コンダクタンスな流れを提供するように構成される。例えば、キャリアガスは、固体前駆体蒸発システム内の積層可能なトレイ内で、膜前駆体の上部を内側に流れ、その後、フローチャネル（318）を介して、上方に垂直に流れ、出口（322）を介して排出される。
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【課題】シャワーヘッド部の表面に不要な付着膜が堆積しても、その輻射率の変動を抑えて被処理体毎の温度変化を抑制することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】排気可能になされた処理容器４と、前記処理容器内に設けられて被処理体Ｗを載置するための載置台２４と、前記被処理体を加熱するための加熱手段３０と、前記載置台と対向するように前記処理容器の天井部に設けられて成膜用の原料ガスを供給するシャワーヘッド部６と、を有して前記被処理体の表面に所定の薄膜を堆積する成膜装置において、前記シャワーヘッド部の表面を、表面処理により輻射率が０．５以上になるように設定する。これにより、シャワーヘッド部の表面に不要な付着膜が堆積しても、その輻射率の変動を抑えるようにする。 （もっと読む）

【課題】主に大気圧プラズマコーティング技術により、粗面を有するハードコーティング層および当該粗面に形成された疎水性コーティング層が基材表面に順次に形成され、基材表面にハードコーティング層および疎水性コーティング層が含まれる疎水性構造を製造するための疎水性構造の製造方法を提供する。
【解決手段】従来技術に比較して、本発明に係る疎水性構造(1)にはハードコーティング層(11)および疎水性コーティング層(13)が含まれているため、疎水性構造の硬度および耐磨耗性が向上しており、さらにベース基材が保護され、透明度及び疎水性が向上するとともに、大気圧プラズマコーティング技術の応用により、製造コストが大幅に低下し、従来技術において存在した問題が解決されるようになる。 （もっと読む）

【課題】 熱およびプラズマ増強蒸着のための装置および操作方法を提供することである。
【解決手段】 第１の温度で蒸着システムの第１のアセンブリを維持し、第１の温度より低く低下された温度で蒸着システムの第２のアセンブリを維持し、基板を第２のアセンブリの移送空間から真空アイソレートされる第１のアセンブリの処理空間に配置し、基板上に材料を堆積させる、基板上の蒸着のための方法、コンピュータ読み取り可能なメディア、および、システムである。 （もっと読む）

【課題】原子層成長と気相化学成長を連続して同一の反応装置に実行することにより、従来できなかった高品質膜を形成する。
【解決手段】上部室と、上部室の下側に配置され、シャワーヘッドの軸方向に見て上部室により覆われ、かつ上部室とガス連通しない下部室とを含むシャワーヘッドを使って、基板上に薄膜を形成する方法は、原子層成長（ALD）膜及び化学気相成長（CVD）膜を連続して形成するか、または熱ALD膜及びプラズマALD膜を連続して形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 熱およびプラズマ増強蒸着のための装置および操作方法を提供することである。
【解決手段】 基板上の蒸着のための方法、コンピュータ読み取り可能なメディアおよびシステムであって、処理システムの移送空間から真空アイソレーションされた処理システムの処理空間に基板を配置し、移送空間から真空アイソレートが維持されている間、処理空間の第１の位置または第２の位置のいずれかで基板を処理し、前記第１の位置または第２の位置のいずれかで前記基板に材料を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】 基板上に既に形成された薄膜を熱により劣化させたり、プラズマダメージを生じさせたりせずに、基板表面に良質な薄膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】 ウエハＷを載置台に載置し、ウエハの温度調節を行なう工程と、成膜原料をウエハＷの表面に吸着させる吸着工程と、パージガスによってチャンバ内雰囲気を置換するパージ工程と、エネルギー媒体ガスによってウエハＷ表面の成膜原料に熱エネルギーを供給して成膜反応を起こさせる反応工程と、を繰り返し行なうことにより、ウエハＷ上に１層ずつ薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を抑制でき且つ高い比誘電率を維持できるＭＩＭキャパシタを備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極１６のうち容量絶縁膜１７と接する上層が例えばＭＯＣＶＤ法により成膜された非晶質の窒化チタン膜１６Ｂである。下部電極１６上に例えばＡＬＤ法により容量絶縁膜１７となるＨｆＯ_x 膜を成膜すると、下地が非晶質の窒化チタン膜１６Ｂであるため、容量絶縁膜１７となるＨｆＯ_x 膜は下地の結晶性を受け継ぐことなく非晶質の誘電体膜として成膜される。 （もっと読む）

本明細書には、半導体ディバイスのための相互接続構造における
誘電材料（２，１００）に埋設した銅線（３，１０７）の表面にバリア層（６，１１０）を形成する方法を記載する。このバリア層（６，１１０）を、蒸着ステップにより銅線（３，１０７）表面上に選択的に堆積し、また誘電体（２，１００）の表面は、蒸着ステップ中にバリア層の形成を抑止するように蒸着前に表面処理する。
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