【課題】 シングルチャンバ内で異なる堆積プロセスを実行する方法およびシステムを提供することである。
【解決手段】 第１の蒸着プロセスに係る処理空間に第１のプロセスガス組成を導入し、基板上に第１の膜を堆積させ、第１の処理空間よりサイズが異なる第２の処理空間に第２のプロセスガス組成を導入し、そして第２のプロセスガス組成から基板上に第２の膜を堆積させる基板上への蒸着のための方法、コンピュータ読み取り可能なメディア、およびシステムである。このように、システムは、第１のボリュームを有する第１の処理空間を含む処理チャンバを有する。処理チャンバは、更に、第１の処理空間の少なくとも一部を含んで、第１のボリュームと異なる第２のボリュームを有する第２の処理空間を含む。 （もっと読む）

【課題】良質なペロブスカイト型酸化物薄膜を得ることのできる成膜方法、該成膜方法により成膜した薄膜からなる圧電体を有する酸化物薄膜素子を提供する。
【解決手段】Ａサイト及びＢサイトの少なくとも一方のサイトが複数種の元素で構成され、少なくとも一方のサイトの前記複数種の元素は価数の異なる元素を同サイト内に有するペロブスカイト型酸化物の薄膜を基板上に成膜する方法であって、
前記価数の異なる元素が同じグループに属するように、前記Ａサイト及びＢサイトに属する元素を複数のグループに分け、該グループに属する元素を含む原料を、前記グループ毎にそれぞれ別工程で前記基板上に供給することを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】良質なペロブスカイト型酸化物薄膜を得ることのできる成膜方法、該成膜方法により成膜した薄膜からなる圧電体を有する圧電素子、該圧電素子を有する液体吐出ヘッドおよび該液体吐出ヘッドを有する液体吐出装置を提供する。
【解決手段】（Ａ１_x，Ａ２_y，Ａ３_z）（Ｂ１_j，Ｂ２_k，Ｂ３_l，Ｂ４_m，Ｂ５_n）Ｏ_pで表される組成を有するペロブスカイト型酸化物の薄膜を基板上に成膜する方法であって、前記元素を含む原料を前記基板上に供給する工程を複数種有し、前記元素Ａ１〜Ａ３、Ｂ１〜Ｂ５を複数のグループに分け、該グループに属する元素を含む原料を、前記グループ毎にそれぞれ別工程で前記基板上に供給することを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

ガス貯蔵コンテナーの内部にコーティングする方法であって、上記方法は化学蒸着のための前駆物質を上記貯蔵コンテナーに供給する工程、および金属コーティングを上記コンテナーの内部表面上に形成する工程を含み、上記コーティングは化学蒸着のための前駆物質より形成される、方法。また、内部表面を有するガス貯蔵容器を含むガス貯蔵コンテナーであって、上記貯蔵容器の上記内部表面上に形成されたライナーを有する、ガス貯蔵コンテナー。上記ライナーは約９９重量％またはそれ以上の純度のタングステン金属を含み得る。さらに、化学蒸着前駆物質発生器および上記前駆物質をガス貯蔵コンテナー中に輸送するための前駆物質注入アセンブリを含み得る金属ライニングされたガス貯蔵コンテナーを作製するためのシステム。上記システムは、上記ガス貯蔵容器からガス状の蒸着生成物を除くための排気出口も含み得る。
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処理空間に気体状の薄膜前駆体を導入し、処理空間の容積を第１の大きさから第２の大きさまで拡大して拡大処理空間を形成し、拡大処理空間に還元ガスを導入し、且つ還元ガスから還元プラズマを形成する、基板上での気相堆積のための方法、コンピュータ読み取り可能媒体、及びシステムが開示される。気相堆積用システムは処理チャンバーを含んでおり、処理チャンバーは、第１の容積を有する第１の処理空間を含み、更に、第１の処理空間を含み且つ第１の容積より大きい第２の容積を有する第２の処理空間を含む。第１の処理空間は原子層堆積用に構成され、第２の処理空間は第１の処理空間で堆積された層のプラズマ還元用に構成される。
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本発明は、工具又は工具部品、特にブレードのような切削要素を被覆するための方法に関し、当該方法においては、基体が与えられ、１つ又は複数の層が当該基体に塗布され、少なくとも１つの層は、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオビウム、タンタル及び／又はクロムの金属のうちの１つ又は複数の金属炭窒化物から形成され、メタン、窒素及び１つ又は複数の金属化合物を含むガスを用いて堆積される。強い接着力によってさらなる層を上に堆積することができると共に高い耐磨耗性を有する金属炭窒化物層を得るために、本発明によれば、金属炭窒化物から成る層の堆積は、８５０℃〜９５０℃の基体の温度で開始し、その後、基体の温度は少なくとも４０℃だけ上昇し、堆積は、少なくとも一時的にその上昇温度において続くことが提案される。さらに本発明は、物体に塗布される金属炭窒化物層と、１つ又は複数の層が塗布される基体を備える、工具又は工具部品、特にブレードのような切削要素であって、少なくとも１つの層は、ナノコンポジット構造を有する金属炭窒化物層である、工具又は工具部品、特にブレードのような切削要素とを対象とする。 （もっと読む）

【課題】キャパシタにおけるリーク電流を低減することができる半導体装置の製造方法を
提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、（Ａ）基板１０上にキャパシタ６０
の下部電極２０を形成する工程と、（Ｂ）上記（Ａ）工程の後、原子層蒸着装置内で、少
なくとも下部電極２０を含む下地層１に対して熱処理を行う工程と、（Ｃ）上記（Ｂ）工
程に続いて、原子層蒸着装置のチャンバを大気開放することなく、原子層蒸着法によって
下地層１上に誘電膜４０を形成する工程と、（Ｄ）誘電膜４０上にキャパシタ６０の上部
電極５０を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】炭素濃度を十分に高くすることが可能な高融点金属の金属化合物膜よりなる薄膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４内に、高融点金属有機材料ガスと窒素含有ガスとを供給して被処理体の表面に高融点金属の金属化合物膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、前記薄膜中に含まれる炭素濃度を高めるために前記窒素含有ガスの分圧を、全圧の１０％以下となるように設定して成膜工程を行うようにする。これにより、炭素濃度を十分に高くし、トランジスタのゲート電極の閾値を低減させる。 （もっと読む）

【課題】液体原料供給配管を洗浄する洗浄溶媒の使用量を減らし、液体原料供給配管の洗浄能力を高めることが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する処理容器４と、液体原料を気化する気化器３と、液体原料を気化器３に供給する液体原料供給配管１３と、液体原料を気化したガスを処理容器４内に供給する原料ガス供給配管１７と、液体原料供給配管１３に設けられ液体原料供給配管１３内の流体を排出する少なくとも１つの排出配管と、排出配管に設けられ排出配管のコンダクタンスを調整するコンダクタンス調整機構と、液体原料供給配管１３内に洗浄用溶媒を供給する溶媒供給機構２９とを有する。 （もっと読む）

【課題】平坦かつ薄いバリア膜またはRu膜をダマシン構造で形成する。
【解決手段】金属配線構造を形成する方法は、(i)露出した配線層及び露出した絶縁層を含む多層構造を反応空間内に与える工程と、(ii)還元雰囲気中で、絶縁層の少なくとも露出面上に-NH2または>NHターミナルを導入する工程と、(iii)反応空間へ還元剤を導入し、その後反応空間をパージする工程と、(iv)反応空間へハロゲン化金属化合物を導入し、その後反応空間をパージする工程と、(v) N及びHを含むガスを導入し、その後反応空間をパージする工程と、(vi)金属含有バリア層を製造するべく工程(iii)から(v)を連続して繰り返す工程と、(vii)金属含有バリア層上に金属膜を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

本発明は、式（Ｃｐ（Ｒ’）_ｘ）_ｙＭ（Ｈ）_ｚ−ｙによって表される有機金属前駆体化合物、この有機金属前駆体化合物を製造する方法及びこの有機金属前駆体化合物の熱又はプラズマ強化解離によって、例えばＣＶＤ又はＡＬＤ技法によって、基板上に金属及び／又は金属炭化物層、例えばＴａ金属及び／又はＴａＣ層を堆積させるための方法に関する。この金属及び／又は金属炭化物層は、集積回路の製造において導電性金属及び高誘電率材料のライナ又は障壁層として有用である。 （もっと読む）

【課題】 成膜装置の処理容器内を効率よく清浄に保持し、生産性が良好となる成膜方法と、当該成膜方法をコンピュータに動作させるプログラムを記憶した記録媒体の提供。
【解決手段】 加熱手段を有する保持台を有する成膜装置による基板処理方法であって、前記処理容器に成膜ガスを供給して成膜する工程と、前記成膜工程後に、プラズマ励起されたクリーニングガスを前記処理容器に供給して前記処理容器内をクリーニングをする工程と、前記クリーニング工程後に前記処理容器内にコーティング成膜を行う工程と、を有し、前記クリーニング工程では、プラズマ励起された前記クリーニングガス中のラジカルが再結合した分子によるクリーニングが支配的となるよう前記処理容器内の圧力が制御される高圧工程を含み、前記コーティング工程では、前記成膜工程の前記被処理基板への成膜の場合より前記保持台の温度を下げて前記コーティング成膜が行われる低温成膜工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン元素等を含まないタンタル含有膜及び目的とする元素を含んだ各種タンタル含有膜の作り分けが可能な新規なタンタル化合物及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）


（式中Ｒ^１は炭素数２から６の直鎖状アルキル基。）等で表されるタンタル化合物。 （もっと読む）

【課題】新規な窒化チタンコーティングなどの窒化物コーティング法を提供する。
【解決手段】コーティングする基材を金属チタン粉末などの窒化物形成能を有する物質の粉末中に埋め込み、マイクロ波を照射して交番電界中に曝すことにより、該金属チタン粉末などの窒化物形成能を有する物質の粉末を固相の状態で大気中の窒素成分と反応させ窒化させると同時に、基材表面に生成した窒化チタンなどの窒化物をコーティングすることができる。大気にはチタンなどの自己燃焼反応を起こさない範囲で窒素を富化してもよい。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜及び強誘電体キャパシタ形成方法そして強誘電体キャパシタを提供する。
【解決手段】強誘電体膜及び強誘電体キャパシタ形成方法及び強誘電体キャパシタを提供する。反応チャンバに強誘電体を形成するための適切な比率で複数の有機金属ソース化合物を供給して強誘電体膜を形成する。有機金属ソース化合物はＮ_ｙＯ_ｘの嵩比が少なくとも５０％であるＮ_ｙＯ_ｘ／Ｏ_２混合酸化ガスと反応する。有機金属ソース化合物と混合酸化ガスは強誘電体膜を形成する蒸着時間の間、反応チャンバ内で蒸着温度及び蒸着圧力を維持される。その結果、強誘電体膜の均一度、例えば、下部電極との界面附近での均一度を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】原子層蒸着法を利用したステップカバレージが優秀で、所望する抵抗及び伝導度を容易に決定することができ、酸素の拡散を防止できる金属層形成方法、および前記金属層形成方法によって形成された金属層を障壁金属層、キャパシタの下部電極または上部電極として備えた半導体素子を提供する。
【解決手段】反応性金属Ａ、窒素Ｎ、反応性金属と窒素との非晶質結合用元素Ｂの各ソースガスを、原子層蒸着法によって交互にチャンバー内に注入して各原子層を交互に積層させる金属層形成方法、およびこの方法によって形成された金属層を半導体素子の障壁金属層、下部電極または上部電極として備えてなる半導体素子。 （もっと読む）

【課題】 炭化タンタル膜や炭窒化タンタル膜を化学気相成長法により形成するための原料として、供給しやすく、高い蒸気圧を有する化合物を提供し、さらに、その製造方法およびそれを用いた炭化タンタル膜または炭窒化タンタル膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 ＴａＣｌ₅とＮａ（ＥｔＣｐ）とＮａＢＨ₄とをＴＨＦ中で反応させ、未反応原料を水で失活させた後、溶媒留去し、真空蒸留することにより、蒸気圧が０．１Ｔｏｒｒ／９５℃、融点が３８℃である新規化合物ビス（エチルシクロペンタジエニル）トリヒドロタンタル（Ｔａ（ＥｔＣｐ）₂Ｈ₃）が得られ、この化合物を原料として、化学気相成長法により、炭化タンタル膜または炭窒化タンタル膜を形成することができる。 （もっと読む）

本発明は一般的に、基板の電気的絶縁表面の上に電気相互接続特徴部などの金属化特徴部を選択的に形成するための装置および方法を提供する。本発明はまた、画成されたパターンの上または形状適合ブランケットフィルムとして、機械的に堅牢であり、接着性があり、別個または全面的な酸化耐性のある導電層を選択的に形成する方法を提供する。実施形態はまた、電気化学または無電解によってめっき可能なルテニウムを含有する接着および開始層を提供するための新たな化学作用、処理および装置を一般的に提供する。本発明の態様は、フラットパネルディスプレイ処理、半導体処理または太陽電池デバイス処理のために使用されてもよい。本明細書に記載される処理は、ラインサイズが半導体デバイスより一般的に大きい基板または形成される特徴部が密でない基板の上に電気相互接続部を形成するために特に有用である可能性がある。 （もっと読む）

【課題】 結晶構造が体心立方格子構造の金属、または、ルテニウムを確実且つ容易にエッチバック可能とした成膜方法及び電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜後に少なくともその一部がエッチングされる金属膜の成膜方法であって、
結晶構造が体心立方格子構造の金属またはルテニウムを含有するガスと水素ガスとを含むソースガスと、窒素ガスと、を基体上に流し前記ソースガスを分解することにより前記金属または前記ルテニウムからなる金属膜を前記基体の上に形成することを特徴とする成膜方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ステップカバレジと成膜レートとを共に高く維持することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４内に、高融点金属有機原料ガスと窒素含有ガスあるいはシリコン含有ガスあるいは炭素含有ガスのいずれか１つ、或いは複数よりなるガスとを供給して被処理体の表面に高融点金属の窒化、珪化、炭化のいずれか１つ、或いは複数よりなる膜である金属化合物膜の薄膜を形成する成膜方法において、前記高融点金属有機原料ガスを供給する工程と前記窒素含有ガス或いはシリコン含有ガス或いは炭素含有ガスのいずれか１つ、或いは複数よりなるガスを供給する工程とを交互に行うと共に、前記被処理体の温度を前記高融点金属有機原料の分解開始温度以上の温度に維持する。これにより、ステップカバレジと成膜レートとを共に高く維持する。 （もっと読む）