【課題】欠陥密度が低く、かつ反りの少ないIII族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】サファイア基板６１上に第一のＧａＮ層６２を成長させ、つづいて金属Ｔｉ膜６３を形成した後、窒化処理して、微細孔を有するＴｉＮ膜６４を形成する。その後、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６を成長する。金属Ｔｉ膜６３およびＴｉＮ膜６４の作用により、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６中には空隙部６５が形成される。この空隙部６５の箇所からサファイア基板６１を剥離除去する。 （もっと読む）

例えば層間絶縁膜として使用されるフッ素添加カーボン膜について、弾性率及び機械的強度の大きいフッ素添加カーボン膜を得ること。
【解決手段】処理容器内に基板を載置する載置台と周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材とを対向して設け、導波管からのマイクロ波を前記平面アンテナ部材を介して処理容器内に供給する。一方処理容器の上部からＡｒガスなどのプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスの供給口とは異なる位置からＣ_５Ｆ_８ガスを供給することでこれらガスをプラズマ化し、更に載置台の上面の単位面積当たりに供給されるバイアス用の高周波電力が０．３２Ｗ／ｃｍ^２ 以下となるように、前記載置部にバイアス用の高周波電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】有機金属化合物の提供。
【解決手段】イミノ錯体の形態の有機金属化合物が提供される。かかる錯体は蒸着前駆体としての使用に特に適している。かかる化合物を用い、例えばＡＬＤおよびＣＶＤなどによりの薄膜を堆積させる方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】高速論理回路素子に利用される配線構造において、連続したルテニウム（Ｒｕ）薄膜を容易に形成する方法を提供する。
【解決手段】 ルテニウム（Ｒｕ）薄膜を基板上に堆積する方法は、（ｉ）基板表面を有機金属前駆体で処理する工程と、（ｉｉ）処理した基板表面にルテニウム前駆体を吸着させる工程と、（ｉｉｉ）吸着させたルテニウム前駆体を励起させた還元性ガスで処理する工程と、そして（ｉｖ）工程（ｉｉ）および（ｉｉｉ）を繰り返すことにより、ルテニウム薄膜を基板上に形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】有機金属化合物の提供。
【解決手段】ホスホアミジネートリガンドを含有する有機金属化合物が提供される。かかる化合物は蒸着前駆体としての使用に特に好適である。かかる化合物を用いた、ＡＬＤおよびＣＶＤなどによる薄膜を堆積させる方法も提供される。 （もっと読む）

金属炭化物薄膜を形成する方法が提供される。好ましい実施形態によれば、金属炭化物薄膜は、反応空間中で基板を、金属源化学物質、還元剤および炭素源化学物質の空間的にかつ時間的に分離された気相パルスと交互的かつ逐次的に接触させるステップによって、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスで形成される。この還元剤は、好ましくは水素の励起された種およびケイ素含有化合物からなる群から選択される。 （もっと読む）

式(Ia)または式(Ib)の化合物：
【化１】


【化２】


これら新規な前駆体は、電極および/またはhigh k層、および/または銅拡散バリア層などを作るための、純金属、金属酸化物、酸窒化物、窒化物および/または珪化物膜の堆積のために有用である。
（もっと読む）

【課題】スパッタリング法等のプラズマを用いる気相成長法により膜を成膜する成膜方法において、良質な膜を安定的に成膜することを可能とする。
【解決手段】成膜温度Ｔｓ（℃）と、成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）とフローティング電位Ｖｆ（Ｖ）との差であるＶｓ−Ｖｆ（Ｖ）と、成膜される膜の特性との関係に基づいて、成膜条件を決定する。１種又は複数種のＰｂ含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電膜では、下記式（１）及び（２）を充足する範囲で成膜条件を決定することが好ましい。
Ｔ（℃）≧４００・・・（１）、
−０．２Ｔｓ＋１００＜Ｖｓ−Ｖｆ（Ｖ）＜−０．２Ｔｓ＋１３０・・・（２） （もっと読む）

【課題】バリア性に優れたバリア膜を提供する。
【解決手段】真空槽内に基板を搬入して(Ｓ₁)、昇温させ(Ｓ₂)、含窒素ガスと含高融点金属ガスのうち、一方のガスを導入し(Ｓ₃)、該一方のガスを真空排気した後(Ｓ₄)、他方のガスを導入し(Ｓ₅)、該他方のガスを真空排気する(Ｓ6)。この工程を複数回繰り返して行うと(Ｓ₉)、基板表面に吸着された一方のガスと、後から導入された他方のガスとの間でＣＶＤ反応が生じるので、コンタクトホール内にバリア膜がコンフォーマルに成長し、ステップカバレージのよいバリア膜を得ることができる。ＣＶＤ反応を行う毎にパージガスを導入し(Ｓ₇)、真空排気すると(Ｓ₈)、基板や真空槽に吸着された副生成物ガスや未反応ガスがパージガスと交換されるので、より高純度なバリア膜を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】
スループット向上に有利な縦型バッチ処理装置を用いたＡＬＤ成膜では、半導体基板上に形成されているキャパシタ用などの孔が微細化され深くなるほど、孔底に形成される誘電体の信頼性が低下する問題を解決する。
【解決手段】
原料ガスおよび反応ガス供給後のパージステップを真空パージとガスパージの２段階パージとし、且つ、反応ガス供給ステップをさらに細分化したガスフローシーケンスからなるＡＬＤ成膜法により誘電体を形成するようにした。深い孔底でも信頼性の高い誘電体を形成でき、キャパシタおよび半導体装置の信頼性向上に寄与する。 （もっと読む）

【課題】ガスシャワーヘッドなどと呼ばれているガス供給装置において、基板の中心部から外周部に向かうガス流について周方向の間の流速分布を従来に比べて揃えることで、例えば十文字状のパーティクルの密集領域の発生を抑え、しかもプロセス条件の自由度を広げられるようにすること。
【解決手段】ガス供給装置のシャワープレートに穿設されるガス供給孔の配列パターンを、多数の同心円上に配列するようにし、かつ同心円上のガス供給孔と内側に隣り合う同心円及び外側に隣り合う同心円の各直近のガス供給孔とが同心円の半径上に並ばないように設定する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用することなく成膜装置の処理チャンバの壁に付着した窒化タンタルまたはタンタルを含む堆積物を高いエッチングレートで均一に除去し得る成膜装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】窒化タンタルまたはタンタルの薄膜の形成に使用した後の成膜装置の処理チャンバに堆積した窒化タンタルまたはタンタルを含む堆積物を除去する成膜装置のクリーニング方法であって、
前記成膜装置の処理チャンバ内にフッ素ガスを含む処理ガスを供給する工程と、
前記処理チャンバを加熱する工程と
を含むことを特徴とする成膜装置のクリーニング方法。 （もっと読む）

【課題】複雑なプロセスを経ることなく十分な還元性をもって酸化還元反応によるＣＶＤにより金属膜を成膜することができるＣＶＤ成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー２１内のサセプタ２２上にウエハＷを配置し、ガス供給機構５０の金属化合物ガス供給部５１から金属化合物ガスを、還元性有機化合物ガス供給部５２から還元性有機化合物ガスを連続的にチャンバー１２１内に供給することによりウエハＷの表面に金属膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの生成室と処理室との間のコンダクタンス調整手段の温度上昇を防止し、プラズマ処理時の処理再現性、処理精度を向上させるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ生成室１０１と、被処理基体１０３が設置されるプラズマ処理室１０２と、その双方の間を仕切って処理用ガスが通過するコンダクタンス調整手段１０８とを有するプラズマ処理装置であって、コンダクタンス調整手段１０８を、少なくとも３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する部材（シリコン）から構成し、かつ、コンダクタンス調整手段１０８を支持する部分を第１の温度に冷却する冷却手段１１１と、冷却された冷媒をコンダクタンス調整手段１０８内を循環させる冷却手段（図示せず）とを備える。 （もっと読む）

【課題】広範囲に亘ってＳｉ濃度を高精度で制御することができるＴａＳｉＮ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、前記処理容器にＴａ＝Ｎ結合を有する有機Ｔａ化合物ガスと、Ｓｉ含有ガス、Ｎ含有ガスを導入してＴａＳｉＮ膜を成膜するに際し、処理容器内のＳｉ含有ガスの分圧、処理容器内の全圧、成膜温度、およびＮ含有ガスの分圧の少なくとも１つを制御することにより膜中Ｓｉ濃度を制御する。 （もっと読む）

プラズマを使用せずに、高いエッチング速度で膜形成装置のプロセスチャンバーの壁に付着した窒化タンタル、窒化チタン、タンタルまたはチタンを含有する堆積物を均一に除去することができる膜形成装置のクリーニング方法の提供。
窒化タンタル、窒化チタン、タンタルまたはチタンで作られた薄膜を形成するために使用された後の膜形成装置のプロセスチャンバー上に堆積された窒化タンタル、窒化チタン、タンタルまたはチタンを含有する堆積物を除去するための膜形成装置のクリーニング方法であって、前記クリーニング方法は、フッ素ガスを含むプロセスガスを前記プロセスチャンバーに供給する工程と、前記プロセスチャンバーを加熱する工程とを含む。
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【課題】凹凸形状の微細加工に適し、製造効率を向上させた複合金属箔、複合金属箔の製造方法、成形金属箔及び成形金属箔の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】凹凸形状を有する複合金属箔ならびに成形金属箔の製造において、作製すべき複合金属箔ならびに成形金属箔の凹凸形状に対応する凹凸形状をキャリア基材表面に形成する工程と、前記凹凸形状が形成されたキャリア基材の表面に沿うようにして気相成長法を用いて被覆金属層を形成する工程とを含む製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】目詰まりなどを起こすことがなく長期使用が可能であり、かつ、反応部への安定的な原料供給が可能な気化器を提供する。
【解決手段】分散部本体１の内部に形成されたガス通路２と、ガス通路２に加圧されたキャリアガス３を導入するガス導入口４と、ガス通路２を通過するキャリアガスに原料溶液５を供給するための手段６と、分散された原料溶液５を含むキャリアガスを気化部２２に送るためのガス出口７と、ガス通路２内を冷却する手段１８と、を有する分散部８と、装置の反応部と分散部８のガス出口７に接続された気化管２０と、気化管２０を加熱するヒータ２１と、を有し、原料溶液が分散されたキャリアガスを加熱・気化させる気化部２２と、を有し、ガス出口７の外側に細孔１０１を有する輻射防止部１０２を設けてある。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングにより付着された混合層で被覆された抗菌性基板（ガラス、セラミックまたは金属製）を提供する。
【解決手段】 この混合層は金属酸化物、オキシ窒化物、オキシ炭化物または窒化物の中から選ばれた結合物質に混合された少なくとも一つの抗菌物質を含む。この基板は抗菌性を与える。もし焼入れされかつ抗菌性のガラスが要求されるなら、同じコスパッタリング法が使用されることができ、任意に下層が付加されることができる。抗菌性は焼入れ工程後でさえ維持される。 （もっと読む）

プロセスツールのプロセスチャンバにおいて原子層堆積（ALD）法を用いる材料層の形成方法を開示する。一実施形態例では、本方法は、材料層の標的特性を特定するステップと、材料層に標的特性を作り出すために、ALD法の最中にプロセスチャンバに前駆体ガスを導入するための前駆体パルス時間を決定するステップと、決定された前駆体パルス時間にわたってチャンバに前駆体ガスを導入し、その結果材料層を形成する複数のステップを含むALD法を行うステップと、を含む。
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