【課題】 選択性の破れを防いで、有用なＷキャップ膜を形成する選択Ｗ−ＣＶＤ法及びＣｕ多層配線の製作法の提供。
【解決手段】 絶縁膜のホール等の構造内にＣｕ系配線膜を埋め込んだ基板に対して原料ガスを供給し、この配線膜上に選択的にＷキャップ膜を形成する前に、Ｎ原子、Ｈ原子及びＳｉ原子から選ばれた原子を化学式中に含んだ化合物のガスを所定の状態で用いて３００℃以下で絶縁膜表面とＣｕ系配線膜表面の前処理を行う。前処理後、Ｃｕ系配線膜表面上に選択的にＷキャップ膜を形成し、その後さらに上層Ｃｕ配線を製作する。 （もっと読む）

基板上に薄膜を堆積させる装置内の露出表面を不動態化する方法が開示される。堆積チャンバーおよびその堆積チャンバーと連通している導管の内部表面が堆積プロセス中で使用される反応体および反応生成物が上記内部表面に吸着または化学吸着しないように不動態化される。これらの内部表面は、この目的にために、表面処理、ライニング、温度調節またはそれらの組み合わせによって不動態化することができる。ある表面を反応体および反応生成物の蓄積を最低限に抑えるように保持する温度または温度範囲を決める方法も開示される。堆積チャンバーおよびガス流路内に不動態化表面を有する堆積装置も開示される。
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【課題】押し上げピンの昇降の際に、パーティクルを発生させるような接触や破損するような衝突や摺動を防止することができる処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷを載置する載置台２０２に複数設けられたピン挿入孔３１２に押し上げピン３１１が嵌入されている。押し上げピン３１１は、上端面が平坦であり、下端には貫通しない範囲で嵌合穴３１４が形成されている。嵌合穴３１４には位置決め駆動ピン３１５の上端部分が挿入され、位置決め駆動ピン３１５の下端は押し上げ部材３１６に貫装して固定されている。押し上げピン３１１の外径は、ピン挿入孔３１２内径よりもやや小さくなっており、僅かな隙間３１３ができるようにする。ピン挿入孔３１２はウエハＷの裏面と載置２０２の上面との間の空間Ｓ１と、載置台２０２の裏面側（下方）の空間Ｓ２とを隙間３１３を介して連通している。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、熱拡散法によって形成した傾斜機能材層よりも高温揮発減耗を抑制し、電極チップの高温強度を向上させることで火花減耗に対する耐久性を向上させること及び更なる細径化を図り貴金属使用量を抑えて安価であることを実現するスパークプラグ用電極チップを提供することである。
【解決手段】
本発明に係るスパークプラグ用電極チップは、イリジウム又はイリジウム合金からなる芯材の表面に、イリジウムとロジウムを主成分とする合金からなる保護被膜を被覆する際に、保護被膜を気相法によって形成し、保護被膜の組成を、芯材の表面上においてはイリジウムのみ又はイリジウムを主成分とし、膜成長方向に沿ってロジウム含有量が連続的及び／又は段階的に増加すると共にイリジウム含有量が連続的及び／又は段階的に減少し、且つ、最表面においてはロジウムを７５〜１００質量％含有する組成とする。 （もっと読む）

処理容器内の被処理基板に成膜する成膜方法であって、ハロゲン元素を含まない有機金属化合物からなる第１の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第１の原料ガスを前記処理容器内から除去する第１の工程と、水素または水素化合物を含む第２の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第２の原料ガスを前記処理容器内から除去する第２の工程とを繰り返してなる第１の膜成長工程と、金属ハロゲン化物からなる第３の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第３の原料ガスを前記被処理基板から除去する第３の工程と、水素または水素化合物を含む第４の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第４の原料ガスを前記処理容器内から除去する第４の工程とを繰り返してなる第２の膜成長工程からなる成膜方法を用いた。
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金属含有ガスを処理するための方法および装置が、プラズマチャンバ内にトロイダルプラズマを発生することを伴う。金属含有ガスが、プラズマチャンバ内に導入されて、トロイダルプラズマと反応する。トロイダルプラズマと金属含有ガスとの相互作用が、金属材料、金属酸化物材料、または金属窒化物材料の少なくとも１つを生成する。
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本発明は、有機金属化合物ガスを用いた成膜において、安定した流量で処理容器内に均一に有機金属化合物原料ガスの供給を可能とすることを目的とする。そのため、本発明は、成膜装置の処理容器上に設けられ、前記処理容器内に設けられた基板保持台に保持される被処理基板に有機金属化合物ガスを含む処理ガスを供給する処理ガス供給機構であって、前記処理ガスを導入する処理ガス導入口と、前記処理ガス導入口から導入した前記処理ガスを拡散させる拡散室と、前記処理ガス拡散室を画成する処理ガス供給機構本体と前記処理ガスを前記拡散室から前記処理容器内の前記被処理基板上の処理空間へと供給する処理ガス供給穴を有し、前記処理ガス供給穴の形状を、前記処理ガスが前記処理ガス供給穴を通過する場合のペクレ数が０．５〜２．５となるようにしたことを特徴とする処理ガス供給機構を用いる。
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【課題】 薄くて軽い基材の上に所定膜種の膜を成膜し、半導体素子等を製造することができる素子製造装置を提供する。
【解決手段】 基材２に対向配置される筐体３と、基材２上に成膜される所定膜種の膜の材料となる原料ガスＧを、基材２と筐体３との間に供給するガス供給手段１８と、筐体３に配置され、基材２に励起線Ｅを照射する複数の励起線源１７と、基材２と励起線Ｅとを相対移動させる移動手段１５，１６，２４と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クリーニング処理開始前の被処理体の処理枚数に関係なく、ジャストエッチの時点を自動的に確実に把握することにより、エッチング処理の適正な終点時点を決定することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理チャンバー１６と、所定の処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台２０と、処理チャンバーへ必要なガスを供給するガス供給手段４０と、途中に真空ポンプが介設されて処理チャンバー内の雰囲気を真空引きする排気系６とを有す処理装置において、排気ガス中に含まれるパーティクル数を計測するために前記排気系に設けられたパーティクル計測手段８と、処理チャンバー内にクリーニングガスを流してクリーニング処理を行う時にパーティクル計測手段の計測値に基づいてクリーニング処理の終点時点を決定するクリーニング終点決定手段１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】超臨界状態の媒体の自然対流を抑制することができ、被処理基板の成膜面に均一に成膜することのできる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器１０内には、被処理基板である半導体ウエハＷを、その成膜面が下向きになるように保持する基板保持機構１１が設けられている。基板保持機構１１には、同心状の領域に複数に分割されたヒータ１２及びこれらの各領域に配置された複数の温度センサ１３が設けられ、制御装置１４によって、複数の領域毎に温度制御することができるよう構成されている。処理容器１０内の底部には、処理容器１０内に、超臨界状態の媒体と成膜原料物質とを含む処理媒体を、複数の供給口１６から供給する処理媒体供給機構１５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ励起を要する成膜方法において、清浄で安定な成膜を実現する。
【解決手段】 被処理基板を保持する保持台を内部に備えた処理容器と、前記処理容器内に成膜のための処理ガスを供給し、当該処理容器内にプラズマを励起するための高周波電力が印加されるシャワーヘッド部と、を有する成膜装置による成膜方法であって、前記被処理基板上に金属を含む薄膜を形成する成膜工程と、前記成膜工程の前に前記シャワーヘッド部に別の金属を含む保護膜を形成する保護膜形成工程と、を有することを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】窒化金属膜及び該窒化金属膜を作製する窒化金属膜作製装置及び作製方法を提供する。
【解決手段】基板３を支持台２に載置して収容したチャンバ１の内部において、ヘリウムで希釈した塩素ガスプラズマ１６により、タンタルで形成した被エッチング部材１４をエッチングして塩化タンタルガスからなる前駆体１７を生成し、基板３の温度を被エッチング部材１４の温度よりも低くして前駆体１７を基板３に吸着させ、塩素ガスプラズマにより吸着した前駆体１７を還元してタンタル成分を基板３に成膜する際に、窒素ガスをプラズマ化して得られる窒素ガスプラズマによりタンタル成分を窒化して、基板３に窒化金属膜１８を成膜する窒化金属膜作製方法において、窒素ガスの供給量を制御して窒素ガス／ハロゲンガス流量比を０より大きく０．１以下とし、窒化金属膜１８の窒素原子と金属原子の原子組成比であるＮ／Ｍ比を０より大きく１以下となるようする。 （もっと読む）

【課題】 成膜される膜厚の均一性が優れた金属膜作製装置及び金属膜作製方法を提供する。
【解決手段】 チャンバ１に基板３を設置し、チャンバ１内に配設された金属部材１１の近傍に、ハロゲンを含有する原料ガスを供給すると共に、原料ガスのプラズマ１５を発生させて、ハロゲンのラジカルを生成し、ハロゲンのラジカルにより、金属部材１１をエッチングして、金属部材に含まれる金属成分とハロゲンからなる前駆体１６を生成し、金属部材１１より低い温度に基板３を制御すると共に、基板３の面内の温度分布を、周縁部で低く、中央部で高くし、基板３に前駆体１６を吸着させると共に、吸着された前駆体１６をハロゲンのラジカルにより還元して、金属膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】アルミ配線層間をタングステンプラグによって電気的に接続する構成において、スルーホール内面全面にバリアメタル層が形成され、タングステンプラグとアルミ配線層との電気的接続の信頼性が高く、接触抵抗が低い半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スルーホール９の内面にチタン膜１０および窒化チタン膜１１の２層構造で構成されるバリアメタル層を形成する。なお、チタン膜１０および窒化チタン膜１１は、層間絶縁膜７の主面上にも形成される。このバリアメタル層の形成に際しては、チタンターゲットを用いた高指向性スパッタリングが可能で、かつ、高周波電圧を半導体基板にバイアスする基板バイアス機構を備え、チタンターゲットからのスパッタ粒子を半導体基板に引き付けることで、窒化チタン膜１１をアモルファス金属膜とすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】多光子吸収過程を利用した成膜が可能であり、また成膜後の膜質が良好な光気相化学成長法及び光気相化学成長装置を提供する。
【解決手段】原料ガス雰囲気中において、パルス幅が１ｐｓ以下のパルスレーザ光を、開口数ＮＡが０．７を超える対物レンズ１４を用いて被成膜体１３上に照射して、成膜を行う。 （もっと読む）

ｎｍオーダの空中配線を作製することができる製造方法およびその製造装置を提供する。コンピュータパターン描画装置（９）にあらかじめ記憶された３次元位置データとビームの照射位置、照射方向、照射時間に基づきビームを照射し、ビーム励起反応を利用してＣＶＤプロセスにより空中配線（３）を作製する。
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気体を活性化し解離する方法及び装置であって、チャンバの中のプラズマを用いて活性化気体を発生するステップを含む。下流気体入力をチャンバの出力に対して配置することにより、気体入力によって導かれる下流気体の解離を容易化し、解離された下流気体がチャンバの内側表面と実質的に相互作用しないようにする。
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金属カルボニル前駆体（５２、１５２）の気相原料を一酸化炭素ガスと混合することにより、金属カルボニル前駆体（５２、１５２）からの金属層の堆積速度を増大する方法（３００）が開示される。この方法（３００）は、堆積システム（１、１００）のプロセスチャンバ（１０、１１０）に基板（２５、１２５）を提供する工程と、金属カルボニル前駆体の気相原料を含むプロセスガスを生成する工程と、熱化学気相堆積プロセスによって基板（２５、１２５、４００、４０２）に金属層（４４０、４６０）を堆積するために基板（２５、１２５、４００、４０２）をプロセスガスに晒す工程とを含む。
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固相先駆体（３５０）の曝露された表面領域を増大させることによって、成膜速度を増大させるための、高コンダクタンスの蒸気分配システム（４０，１４０）と結合する、高コンダクタンスの、マルチトレイの固相先駆体気化システム（５０，１５０，３００，３００’）について説明する。多重トレイの固相先駆体気化システム（５０，１５０，３００，３００’）は、１つ以上の上部トレイ（３４０）を有する底部トレイ（３３０）を有する。各トレイ（３３０，３４０）は、膜の先駆体（３５０）を、固体の粉末状又は固体の錠剤状に支持及び維持するように備えられている。それに加えて、各トレイ（３３０，３４０）は、膜の先駆体（３５０）にわたって高コンダクタンスのガス流を供する一方で、膜の先駆体（３５０）は加熱される。たとえばキャリアガスは、膜の先駆体（３５０）上の内側を流れ、積層可能なトレイ（３４０）内部のフローチャネル（３１８）を垂直上方に流れ、かつ固相先駆体気化システム（５０，１５０，３００，３００’）内の排気口（３２２）を流れる。
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ルテニウムカルボニル（Ｒｕ_３（ＣＯ）_１２）またはレニウムカルボニル（Ｒｅ_２（ＣＯ）_１０）などの特に蒸気圧の低い前駆体を用いる堆積装置において、前駆体蒸気圧を正確に測定するよう改善された測定方法を提供する。一の実施形態において、システム（１、１００）は、流量を測定するため、差圧マノメータを含んでいる。測定および較正の方法もまた提供される。
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