【課題】金属窒化ケイ素ベース膜、金属酸化ケイ素又は金属酸窒化ケイ素ベース膜を形成させるために好適な前駆体の提供。
【解決手段】次の構造により表される有機金属錯体。


（式中、Ｍは、元素周期表の４族から選択される金属であり、そしてＲ^1〜4は、同一又は異なって、ジアルキルアミド、ジフルオロアルキルアミド、水素、アルキル、アルコキシ、フルオロアルキル及びアルコキシ、脂環式、並びにアリールから成る群から選択されることができるが、但しＲ¹及びＲ²が、ジアルキルアミド、ジフルオロアルキルアミド、アルコキシ、フルオロアルキル及びアルコキシである場合には、それらは連結して環を形成することができる。）。関連化合物もまた、開示されている。上記錯体を用いるＣＶＤ及びＡＬＤ堆積法がまた、含まれる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、プロセスガスがプロセス室内に導入され且つ真空加工システムの排気路を通して排出される、真空加工システムに関する。排気ガスによって形成される堆積物は、堆積物の影響を受ける装置の上流にて反応性気体を導入することにより減少し又は解消する。影響を受けた装置の上流及び下流にて排出された気体成分の気相濃度を測定し、また、これらの測定値から、影響を受けた装置上の堆積物にて成分が消費されているかどうかを決定することにより導入された反応性気体の量が制御される。 （もっと読む）

【課題】 産業廃棄物が大幅に低減され、環境負荷低減につながる除害装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 除害装置１００は、主に加熱反応部１０１、冷却部１０２、貯蔵部１０３を有する。加熱反応部１０１は、ＳＦ_６ガスをエッチングガスとしたドライエッチング装置からの排気を含む混合ガスＧ１を取り込む。加熱反応部１０１内には、Ｗの金属粒が置かれており、Ｆ系ガスとの反応を促進させる。これにより、混合ガスＧ１からＣＶＤメタルを形成するのに有用なＷＦ_６を再生成する。加熱反応部１０１から送出される混合ガスＧ２は、冷却部１０２に導入され、冷却過程でＷＦ_６を回収し、回収タンク、ＷＦ_６ボンベ等の貯蔵部１０３に集められる。 （もっと読む）

【課題】層形成に際して高真空および大きなチャンバを必要としない層形成方法および装置を提供する。
【解決手段】層形成装置は、０．０１Ｐａから常圧までの範囲における圧力下において固体または液体の有機金属材料を加熱し気化させることで該有機金属材料を含む原料ガスを生成する材料気化部１０８と、基材Ｗを保持する基材保持部１００と、基材Ｗの表面を、材料気化部１０８により気化させた有機金属材料の分解温度よりも高い温度に加熱する基材加熱部１０４と、原料ガスからなる雰囲気を基材Ｗの表面上に局所的に形成する材料供給部１０９とを備える。材料供給部１０９は、基材の表面の少なくとも一部を原料ガス雰囲気に暴露させることで基材Ｗの表面に金属層または金属化合物層を形成する。 （もっと読む）

加熱された基材上にナノ粒子薄膜もしくはナノコンポジット薄膜を製造するためのエアロゾル輸送操作の使用。 （もっと読む）

【課題】基板をより均一に加熱し、しかも、基板のエッジ及び裏面に堆積する物質を減らす、改良された基板処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内の基板支持体は、ヒーターペデスタル１６の形態であり、基板の下面を受けるための基板受容面を有する。この周囲を制限するシャドーリング２４は、ペデスタル６１の周囲に配置され、基板の端面エッジ部分を覆う。このシャドーリング２４はまた、基板の端面エッジでペデスタル６１とシャドーリング２４自身の間のキャビティーを画成し、操作に際しては、チャンバは第１の圧力で処理ガスを受容し、第１の圧力よりも高い第２の圧力で、シャドーリング２４とペデスタル６１との間のキャビティー内にパージガスが導入される。パージガスの流れを基板の端面エッジからより遠ざけるために、流体導管７４が具備される。 （もっと読む）

【課題】平坦かつ薄いバリア膜またはRu膜をダマシン構造で形成する。
【解決手段】金属配線構造を形成する方法は、(i)露出した配線層及び露出した絶縁層を含む多層構造を反応空間内に与える工程と、(ii)還元雰囲気中で、絶縁層の少なくとも露出面上に-NH2または>NHターミナルを導入する工程と、(iii)反応空間へ還元剤を導入し、その後反応空間をパージする工程と、(iv)反応空間へハロゲン化金属化合物を導入し、その後反応空間をパージする工程と、(v) N及びHを含むガスを導入し、その後反応空間をパージする工程と、(vi)金属含有バリア層を製造するべく工程(iii)から(v)を連続して繰り返す工程と、(vii)金属含有バリア層上に金属膜を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

洗浄されるべき構造物に洗浄液を接触させる洗浄プロセスのエンドポイントを決定するための装置及び方法を提供する。当該洗浄プロセスは、洗浄されるべき構造物に洗浄液を接触させる工程と、当該構造物の洗浄の程度に対応してセンシブルヒートサーマルエネルギ特性を有する洗浄排出物を生成する工程と、上記洗浄排出物のセンシブルヒートサーマルエネルギ特性を示すレスポンスを発生させるため、上記洗浄液中に、上記洗浄排出物と相互作用する目的物を浸漬させる工程と、洗浄が完了した時点を決定するため上記レスポンスをモニタリングする工程と、を備える。エンドポイントアルゴリズム及びエンドポイントモニタリング、並びに効果的で再現可能な方法でエンドポイント条件を決定するために有益なエンドポイントモニタセンサエレメントについても記載されている。
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【課題】新規な窒化チタンコーティングなどの窒化物コーティング法を提供する。
【解決手段】コーティングする基材を金属チタン粉末などの窒化物形成能を有する物質の粉末中に埋め込み、マイクロ波を照射して交番電界中に曝すことにより、該金属チタン粉末などの窒化物形成能を有する物質の粉末を固相の状態で大気中の窒素成分と反応させ窒化させると同時に、基材表面に生成した窒化チタンなどの窒化物をコーティングすることができる。大気にはチタンなどの自己燃焼反応を起こさない範囲で窒素を富化してもよい。 （もっと読む）

【課題】 成膜装置の処理容器内を効率よく清浄に保持し、生産性が良好となる成膜方法と、当該成膜方法をコンピュータに動作させるプログラムを記憶した記録媒体の提供。
【解決手段】 加熱手段を有する保持台を有する成膜装置による基板処理方法であって、前記処理容器に成膜ガスを供給して成膜する工程と、前記成膜工程後に、プラズマ励起されたクリーニングガスを前記処理容器に供給して前記処理容器内をクリーニングをする工程と、前記クリーニング工程後に前記処理容器内にコーティング成膜を行う工程と、を有し、前記クリーニング工程では、プラズマ励起された前記クリーニングガス中のラジカルが再結合した分子によるクリーニングが支配的となるよう前記処理容器内の圧力が制御される高圧工程を含み、前記コーティング工程では、前記成膜工程の前記被処理基板への成膜の場合より前記保持台の温度を下げて前記コーティング成膜が行われる低温成膜工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 固体原料を昇華させた気体原料を成膜装置に供給する原料供給装置であって、パーティクルの発生が抑制された原料供給装置と、当該原料供給装置を用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】 固体原料を昇華させた気体原料を成膜装置に供給する原料供給装置であって、内部に前記固体原料を保持する原料容器と、前記原料容器の第１の側に設置された第１の加熱手段と、前記原料容器の第２の側に設置された第２の加熱手段と、前記第２の側より前記第１の側の温度を高くし、前記第１の側で前記固体原料が昇華するよう前記第１の加熱手段および前記第２の加熱手段を制御する第１の処理を行う第１の温度制御手段と、前記第１の側より前記第２の側の温度を高くし、前記第２の側で前記固体原料が昇華するよう前記第１の加熱手段および前記第２の加熱手段を制御する第２の処理を行う第２の温度制御手段と、を有することを特徴とする原料供給装置。 （もっと読む）

【課題】原子層蒸着法を利用したステップカバレージが優秀で、所望する抵抗及び伝導度を容易に決定することができ、酸素の拡散を防止できる金属層形成方法、および前記金属層形成方法によって形成された金属層を障壁金属層、キャパシタの下部電極または上部電極として備えた半導体素子を提供する。
【解決手段】反応性金属Ａ、窒素Ｎ、反応性金属と窒素との非晶質結合用元素Ｂの各ソースガスを、原子層蒸着法によって交互にチャンバー内に注入して各原子層を交互に積層させる金属層形成方法、およびこの方法によって形成された金属層を半導体素子の障壁金属層、下部電極または上部電極として備えてなる半導体素子。 （もっと読む）

【課題】成膜処理装置において処理容器内の隅々まで成膜時に各部に付着した不所望な被膜を効果的にクリーニングすること。
【解決手段】成膜工程において、反応ガスの分解生成物または反応生成物の大部分は半導体ウエハ１４の表面に堆積するが、一部はサセプタ１２の外周縁部やウエハ保持部材に付着し、処理容器１０の内壁面にもわずかであるが付着する。成膜工程が所定回数実施されると、処理容器１０内に半導体ウエハ１４が入っていない状態で、Ｈ2 ガスまたはＮ2 ガス等によるパージングが行われ、パージング工程の終了後にクリーニング工程が行われる。クリーニング工程においては、クリーニングガス供給系２４よりＣｌＦ3 ガスをＮ2 ガスで所定の濃度に希釈したクリーニングガスが多孔板１８より処理容器１０内に供給される。 （もっと読む）

【課題】 加工対象物上の複数の下地層間の基板が露出した分離領域に対する薄膜の形成及び一部除去による加工を、下地層をエッチング除去するのみなどの通常の加工と共に、同時または連続的に行う。
【解決手段】 薄膜パターン形成装置１を、局所排気装置４と、原料供給手段５と、局所排気手段６とを有し、局所排気装置４内に設けられる第１流路７とによって構成し、第１流路７が、切換手段８によって、原料供給手段５と局所排気手段６とに交互に局所排気部１８に連結される構成とする。 （もっと読む）

本発明は一般的に、基板の電気的絶縁表面の上に電気相互接続特徴部などの金属化特徴部を選択的に形成するための装置および方法を提供する。本発明はまた、画成されたパターンの上または形状適合ブランケットフィルムとして、機械的に堅牢であり、接着性があり、別個または全面的な酸化耐性のある導電層を選択的に形成する方法を提供する。実施形態はまた、電気化学または無電解によってめっき可能なルテニウムを含有する接着および開始層を提供するための新たな化学作用、処理および装置を一般的に提供する。本発明の態様は、フラットパネルディスプレイ処理、半導体処理または太陽電池デバイス処理のために使用されてもよい。本明細書に記載される処理は、ラインサイズが半導体デバイスより一般的に大きい基板または形成される特徴部が密でない基板の上に電気相互接続部を形成するために特に有用である可能性がある。 （もっと読む）

【課題】 結晶構造が体心立方格子構造の金属、または、ルテニウムを確実且つ容易にエッチバック可能とした成膜方法及び電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜後に少なくともその一部がエッチングされる金属膜の成膜方法であって、
結晶構造が体心立方格子構造の金属またはルテニウムを含有するガスと水素ガスとを含むソースガスと、窒素ガスと、を基体上に流し前記ソースガスを分解することにより前記金属または前記ルテニウムからなる金属膜を前記基体の上に形成することを特徴とする成膜方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 基板加熱面上に噴出するガスの噴出量のばらつきを低減させることができ、基板の成長膜の生成等に影響を与えずに、基板加熱面上に反応膜が堆積することを抑制することができる加熱装置を提供する。
【解決手段】加熱装置１００は、基板が載置される基板加熱面１０ａ及び基板加熱面１０ａの反対側に位置する加熱部材裏面１０ｂを有し、抵抗発熱体１１が埋設された板状の加熱部材１０と、加熱部材１０の加熱部材裏面１０ｂ側に配置され、加熱部材裏面１０ｂと対向する対向面２０ａを有する補助部材２０とを備え、加熱部材裏面１０ｂと対向面２０ａとの間には、基板加熱面１０ａ上に噴出するガスの経路である面状ガス経路１４ａが形成されていることを特徴とする加熱装置。 （もっと読む）

【課題】ｐ，ｎの両方の仕事関数を達成可能なＷ系薄膜の成膜方法、およびそれを用いたゲート電極の形成方法を提供すること。
【解決手段】処理室内に基板を配置し、前記処理室にＷ（ＣＯ）_６ガスを導入してＷを堆積する工程と、前記処理室にＳｉ含有ガスを導入してＷを珪化またはＳｉを堆積する工程とを交互に繰り返してＷＳｉ膜を成膜し、その際に、Ｗ（ＣＯ）_６ガスの供給とＳｉ含有ガスの供給との間に前記処理室をパージする工程を介在させる。 （もっと読む）

【課題】 結晶構造をコントロールすることによって，従来以上に低い抵抗を有する金属系膜を形成する。
【解決手段】 金属系原料ガスとして例えばＷＦ_６ガスを供給するステップと水素化合物ガスとして例えばＳｉＨ_４ガスを供給するステップとを，不活性ガス例えばＡｒガス，Ｎ_２ガスを供給するパージステップを介在させて，交互に繰り返し実行することによって，非晶質を含む第１タングステン膜を成膜する第１タングステン膜成膜ステップと，第１タングステン膜上に，上記ＷＦ_６ガスと還元性ガスとして例えばＨ_２ガスを同時に供給することによって，第２タングステン膜を成膜する第２タングステン膜成膜ステップとを含む。ＳｉＨ_４ガスを供給するステップ後のパージステップの実行時間を変えることにより第１タングステン膜が含む非晶質の割合をコントロールする。 （もっと読む）

【課題】 ガス経路毎の噴出口から噴出されるガス噴出量を均一にし、反応膜の堆積を低減する加熱装置を提供する。
【解決手段】加熱装置１００は、ガス噴出口１２ｈが形成された基板加熱面１０ａと、ガスが供給されるガス供給口１８とを有し、抵抗発熱体１１が埋設されたセラミックスを含む材料によって構成される基体１０と、ガス供給口１８からガス噴出口１２ｈまで連通し、基体１０内に形成されたガス経路１２と、ガス経路１２の断面積を可変とする調整部とを備える。 （もっと読む）