【課題】本発明は半導体ウエハ等の被処理体に形成された凹凸部内にタングステン膜を形成するタングステン膜の形成方法に関し、Ｓｉ基板上に形成された凹凸内に良好にタングステンの埋めこみを行うことを課題とする。
【解決手段】処理容器５０内にＭＯ−ＴｉＮ膜からなるバリア膜３が形成されたＳｉ基板Ｗを載置する工程と、処理容器５０にＷＦ_６ガスとＳｉＨ_４ガスとを交互に繰り返して供給する繰り返し工程を含み、前記バリア膜３上に第一のタングステン膜５を形成する工程と、処理容器５０にＷＦ_６ガスとＨ_２ガスとを同時に供給し、第一のタングステン膜５上に第二のタングステン膜６を形成する工程とを含むタングステン膜の形成方法であって、前記繰り返し工程では、Ｓｉ基板Ｗの温度を１５０℃以上３５０℃以下に維持すると共に、前記ＷＦ_６ガスの供給量を１３３Pa sec以上１０ｋPa sec以下とし、ＷＦ_６ガスのバリア膜３上への吸着量を飽和させる。 （もっと読む）

【課題】被加工品および／または材料に良好に付着した被覆を提供する。
【解決手段】本発明は、被加工品および／または材料に被覆をする方法であって、以下の工程を含む方法に関する：接着層の塗布、および高強度の最上層のプラズマ被覆による塗布。
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【課題】トラップ手段で捕捉した排気物を確実に除去することにより再生を確実に行うことが可能なトラップ装置を用いた処理システムを提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して処理を行う処理室１０からの排気ガスを排出する排気路２２に設けられ、前記排気ガス中から排気物を捕捉するためのトラップ装置において、前記排気路に介設される筐体４２と、前記筐体内に設けられて前記排気物を捕捉するトラップ手段４８と、前記トラップ手段を加熱するトラップ加熱手段５４と、前記筐体内へ冷媒を導入する冷媒導入手段６０と、前記冷媒を排出するための冷媒排出部６２と、前記トラップ手段で捕捉した前記排出物を除去するために前記トラップ加熱手段により前記トラップ手段を加熱した状態で前記冷媒導入手段より前記冷媒を導入するように制御する制御部８８とを備えたことを特徴とするトラップ装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は原料ガスを交互に供給することにより成膜を行なう薄膜の形成方法に関し、インキュベーションタイムを短くしてスループットの向上を図ることを課題とする。
【解決手段】半導体ウエハＷをチャンバ３０内に載置する工程と、チャンバ３０に設けられたシャワーヘッド２０を介し、金属含有ガスと反応ガスとを交互にチャンバ３０内に複数回供給し、ＡＬＤ法により薄膜を形成するＡＬＤ工程とを有する薄膜の形成方法であって、前記ＡＬＤ工程に先立って、シャワーヘッド２０を介して金属含有ガスと反応ガスとをチャンバ３０内に同時に供給する前処理工程を行なう。 （もっと読む）

【課題】気相原料を使った金属膜の成膜技術であって、半導体ウェハ周辺部への金属膜の堆積を確実に抑制できる技術を提供する。
【解決手段】被処理基板表面に金属カルボニル原料の気相分子を供給し、前記被処理基板表面近傍において分解させることにより、前記被処理基板表面に金属膜２１を堆積する成膜方法において、前記処理基板表面に金属層を堆積する際に、前記被処理基板の外周部に隣接する領域において前記金属カルボニル原料を優先的に分解させ、前記被処理基板外周部近傍において、雰囲気中のＣＯ濃度を局所的に増大させ、前記外周部への金属膜の堆積を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 高速スイッチングバルブを用いずにかつ高い生産性で、ＡＬＤ法を利用することができる成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを収容するチャンバー１１内に、複数の基板Ｗを平面的に円周状に配置された状態で支持する基板支持部材１２を設け、ＴｉＣｌ_４を吐出する第１の処理ガス吐出ノズル２０と、ＮＨ_３を吐出する第２の処理ガス吐出ノズル２１とを複数交互に配置し、基板Ｗ上に吐出されたＴｉＣｌ_４およびＮＨ_３を基板Ｗ上で交互に走査させ、ＴｉＣｌ_４およびＮＨ_３を交互に吸着させて、基板Ｗに、ＴｉＣｌ_４による単原子層とＮＨ_３による単原子層とを交互に形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の面内温度分布を基板間で揃え、これにより基板間における成膜処理のばらつきを抑えることのできる成膜方法などを提供する。
【解決手段】本成膜方法は、ステージ１２の載置面の放射率分布を多数作成し（Ｓ１）、これらに基づき成膜処理時の基板の温度分布を推測した後（Ｓ２）、処理枚数ごとに成膜処理時の基板の温度分布を実測して（Ｓ３）、推測結果と実測結果とをマッチングし、基板処理枚数ごとのステージ１２の放射率分布を求める（Ｓ４）。そしてこれらの放射率分布に基づいて処理枚数ごとの基板表面の温度分布が１枚目処理時のものと揃うように、ヒータ２ａ、２ｂの電力供給比を決定し、これを供給比テーブル５３に記憶した後（Ｓ５）、この供給比テーブル５３を参照しながらヒータ２ａ、２ｂの電力比制御を行って成膜処理を実行する（Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】ヘッドに対する耐磨耗性の低下や特性低下が少なく、保護層のカバレッジ性の低下による磁気記録層からの金属溶出、耐腐食性低下の少ない磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ディスク基板上に情報を記録する磁気記録層と記録機能をもたない溝部が交互に配列してなる凹凸パターンが形成された磁気記録媒体にＡＬＤ法を用いてＡＬＤ保護層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法およびディスク基板上に情報を記録する磁気記録層と記録機能をもたない溝部が交互に配列してなる凹凸パターン形状を有し、さらに該凹凸パターン形状の上に保護層を有する磁気記録媒体において、前記保護層がＡＬＤ法を用いてＡＬＤ保護層からなることを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】導電プラグとなる導電膜が半導体基板に加える応力を小さくすることができ、かつ導電プラグの埋込不良の発生を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、素子分離膜２上及び半導体素子上に層間絶縁膜８を形成する工程と、層間絶縁膜８に、半導体素子上に位置する接続孔８ａを形成する工程と、接続孔８ａに導電プラグ１０を埋め込む工程とを具備する。接続孔８ａに導電プラグ１０を埋め込む工程は、層間絶縁膜８上、並びに接続孔８ａの側壁上及び底面上に、導電膜１０ａ（又は１０ｂ）を形成する工程と、層間絶縁膜８上に位置する導電膜１０ａ（又は１０ｂ）を除去する工程とを複数回繰り返す工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内に金属フッ化物からなる副生成物が形成された場合でも、ＨＦ等の有毒なガスをほとんど発生させずに処理容器を大気開放することができる処理容器の大気開放方法を提供すること。
【解決手段】その中で所定の処理を行って金属フッ化物が付着した処理容器を大気開放する処理容器の大気開放方法であって、処理容器内に大気を導入し、金属フッ化物と大気中の水分とを反応させるのに十分な時間保持してから排気する第１の操作を複数回繰り返し、その後、処理容器内に大気を導入し、排気して、主に前記第１の操作により生成した反応生成物を排出する第２の操作を複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】 高速スイッチングバルブを用いずにかつ高い生産性で、ＡＬＤ法を利用することができる成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー１１内に、複数の基板Ｗを支持する基板支持部材１２と、ＴｉＣｌ_４を吐出する第１の処理ガス吐出ノズル２０と、ＮＨ_３を吐出する第２の処理ガス吐出ノズル２１と、ＴｉＣｌ_４とＮＨ_３とを分離するパージガス吐出ノズル２２とを設け、パージガス吐出ノズル２２の吐出口と基板Ｗ表面との距離が、第１の処理ガス吐出ノズル２０および第２の処理ガス吐出ノズル２１の吐出口と基板Ｗ表面との距離よりも大きくなるようにパージガス吐出部２２を配置し、基板Ｗに対し、ＴｉＣｌ_４、ＮＨ_３、パージガスを走査させることにより、基板ＷにＴｉＣｌ_４とＮＨ_３とを交互に吸着させる。 （もっと読む）

【課題】 微細な接続孔内等に発生した酸化膜をドライエッチングにより効率良く除去できる表面処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 表面に酸化膜が発生している被処理体Ｗは、処理容器１０内に搬入され、該処理容器内は真空に維持され、Ｎ₂ とＨ₂ との混合ガスがプラズマ発生部３０に導入され、プラズマ化され、それぞれの活性ガス種が形成される。活性化ガス種は被処理体に向けてフローされ、これにＮＦ₃ ガスが添加され、活性化されたガスが形成される。被処理体は所定温度以下に冷却手段２２により冷却され、活性化されたＮＦ₃ ガスに曝され、該ガスと反応し、酸化膜は変質して反応膜が被処理体Ｗの表面に形成される。Ｎ₂ 、Ｈ₂ 及びＮＦ₃ ガスの供給が停止され、加熱手段１９で被処理体は所定の温度に加熱され、反応膜が昇華して除去される。 （もっと読む）

【課題】処理効率が高く、高品質の半導体装置が製造できる処理装置及び移載装置を提供する。
【解決手段】複数の被処理基体を収容する基体容器を載置する基体容器載置台と、前記基体容器載置台に隣設され、内部を所定の気圧に維持し得る移載室と、前記移載室の周囲に複数配設され、被処理基体を処理する処理ユニットと、前記移載室内に配設され、被処理基体を移載する複数の移載アームとを具備し、複数の前記移載アームは、伸縮および旋回が可能であり、かつ、前記移載アーム同士で前記被処理基体の受け渡しを行う少なくとも一方の前記移載アームは、前記伸縮の方向線に対して非対称の形状の被処理基体支持部材を有することを特徴とする処理装置。 （もっと読む）

【課題】 高速スイッチングバルブを用いずにかつ高い生産性で、ＡＬＤ法を利用することができ、チャンバー内クリーニングが可能な成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを収容するチャンバー１１と、チャンバー１１内で複数の基板Ｗを平面的に支持する基板支持部材１２と、チャンバー１１内に設けられ、ＴｉＣｌ_４を吐出する第１の処理ガス吐出ノズル２０と、ＮＨ_３を吐出する第２の処理ガス吐出ノズル２１と、チャンバー１１内にクリーニングガスを吐出するクリーニングガス吐出手段３１，３５，４６，４７，４８と、基板支持部材１２を回転させる回転機構１４と、基板Ｗを加熱するヒーター１６とを具備し、基板支持部材１２を回転させながら、基板Ｗ上に、Ｔｉの単原子層と、Ｎの単原子層とを交互に形成し、クリーニングガスにより前記チャンバー内をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波プラズマ処理装置において、マイクロ波導入用誘電体窓表面に付着した反応生成物が成長後剥離し、パーティクルとして基板上に降りデバイス不良を生起する問題を解決する。また、放電条件により低下するプラズマ均一性を改善する。
【解決手段】 マイクロ波導入手段１０８と誘電体窓１０７の間に絶縁されたラジオ波電極１１４を設けるか、またはマイクロ波導入手段自体をラジオ波電極としても併用し、プラズマ発生用のマイクロ波にラジオ波を重畳する。これにより、従来は反応生成物が付着しやすかったマイクロ波プラズマの弱かった部分にも、より強いプラズマを発生させる。これはパーティクル抑制のみならず、プラズマの均一性改善にも効果がある。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ生成室１０２と基体１０４の処理室１０３との間にガスの流れを制御する仕切り板１１１を有する装置において仕切り板の交換なしにガスコンダクタンスの変更を行う。
【解決手段】 仕切り板１１１内部に仕切り板を加熱あるいは冷却する手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法。
【解決手段】反応チャンバに金属元素及びリガンドを含む第１反応物を注入して基板上に第１反応物を化学吸着させ、不活性ガスでパージして物理吸着された第１反応物を除去し、水酸化基を含まない第２反応物を注入して第１反応物と第２反応物との化学反応によって、第２反応物の酸素と金属元素が結合し、第１反応物からリガンドを分離して化学吸着された第１反応物を金属−酸素原子層とし、不活性ガスでパージして物理吸着された第２反応物を除去し、第３反応物を注入して化学吸着された第１反応物の残余分と第３反応物との化学反応によって第３反応物の構成要素である酸素と金属元素が結合し、第１反応物からリガンドを分離することにより化学吸着された第１反応物の残余分を金属−酸素原子層として、水酸化基の生成が抑止された状態で原子層単位の金属酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】加工物表面を損傷することなく荷電粒子で加工物を照射し処理する方法を提供する。
【解決手段】クラスタイオンビーム１０８を生成するクラスタイオン源１０２を使用して加工物１１２を処理する。クラスタイオンは同じ電荷をもつ単一のイオンと同じエネルギーを有するが、クラスタを形成する原子または分子は粒子当たりのエネルギーが低いので加工物の表面の数ナノメートル内に損傷を限定する。クラスタイオンはフラーレン、ビスマス、金、またはＸｅをを含む。クラスタイオンビームはガス注入システム１０４から供給されるガスを分解して堆積させ、またはガスを活性化させてエッチングすることもできる。好ましくは別の荷電粒子ビームを生成するカラム（電子ビームカラム１０６または集束イオンビームカラム）を備え、画像化、エッチング、堆積等の処理を行う。 （もっと読む）

【課題】窒化金属ケイ素膜を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】加熱された基材に金属アミドを収着させ、収着されなかった金属アミドをパージする、１つまたはそれ以上のＳｉ−Ｈ_３断片を有するケイ素含有源を加熱された基材と接触させ、収着された金属アミドと反応させる、ケイ素含有源は、下記の基の１つまたはそれ以上からなる群から選ばれた１つまたはそれ以上のＨ_３Ｓｉ−ＮＲ^０_２（Ｒ^０＝ＳｉＨ_３、Ｒ、Ｒ^１またはＲ^２は以下に定義される）基を含んでいる、


式中のＲおよびＲ^１は脂肪族基を表す。 （もっと読む）

【課題】 下地の膜質に悪影響を与えることなく、かつ膜質を低下させることなくＷＮを含むＷ系膜を成膜することができるＷ系膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板をＣＶＤ装置に搬入し、被処理基板を加熱しつつＷ（ＣＯ）_６ガスを多数のガス吐出孔を有するシャワーヘッドを介して供給することにより被処理基板上にＣＶＤによりＷ膜を成膜する工程と、真空を破ることなく被処理基板をプラズマ処理装置に搬入し、Ｗ膜の一部または全部をＮ_２ガスを含むガスのプラズマにより窒化する工程とを具備し、Ｗ膜の成膜において、シャワーヘッドの温度を２０〜１００℃に加熱して、前記Ｗ（ＣＯ）_６ガスを熱分解することにより、Ｗ膜が形成される。 （もっと読む）