【課題】装置構成を複雑にせずに、成膜初期の核形成が短時間でなされ、表面平滑性およびステップカバレッジが良好な膜を得ることができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜方法は、基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内の基板温度が処理容器内に導入される際の原料ガスの温度よりも低い段階で処理容器内に原料ガスを導入し、基板表面に原料ガスを集積させる工程と、原料ガスの導入を継続しつつ基板温度を成膜温度まで上昇させる過程で、基板上に膜形成のための核付を行う工程と、原料ガスの導入を継続しつつ基板温度を成膜温度に保持して基板上に所定の膜を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及びその製造方法について、ホウ素含有タングステン層を核形成層とする場合に、コンタクト抵抗値の増大を抑制する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板１０１上に形成された第１絶縁膜１０３と、第１絶縁膜１０３に埋め込まれた導電膜１０９を含み且つ半導体基板１０１に達するコンタクト１１０と、半導体基板１０１及び第１絶縁膜１０３のそれぞれと、導電膜１０９との間に形成され、高融点金属を含む第１バリア層１０７とを備える。更に、第１バリア層１０７と導電膜１０９との間に形成され、第１バリア層１０７よりも水分透過性の低い第２バリア層１１８を備える。 （もっと読む）

【課題】金属カルボニルを原料に用いて金属膜の成膜する場合であっても、均一な膜厚を持つ金属膜を成膜可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】可逆反応を生じる金属Ａと官能基Ｂとの化合物ＡｘＢｙを原料に用いて、金属Ａの膜を被処理基板Ｗ上に成膜する成膜方法であって、化合物ＡｘＢｙを含むガス３１を被処理基板Ｗの表面に供給し、化合物ＡｘＢｙを被処理基板Ｗの表面近傍において金属Ａと官能基Ｂとに分解させるとともに、不活性ガス４１を、前記被処理基板Ｗの中央部分の成膜速度と前記被処理基板Ｗの外周部分の成膜速度とが均衡するように前記被処理基板Ｗの外周部分近傍に供給し、前記金属Ａの膜を前記被処理基板Ｗ上に成膜する。 （もっと読む）

【課題】成膜すべき薄膜と同じ材料のコーティング膜を母材の表面に形成した触媒体により還元ガスを活性化することにより、不純物元素の汚染がない低抵抗のタングステン膜を効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｓの表面に薄膜を形成する成膜方法において、真空排気が可能になされた処理容器内へタングステン含有ガスと還元ガスとを供給すると共に、還元ガスを、触媒作用を有する母材９４Ａの表面に薄膜と同じ材料よりなるコーティング膜９４Ｂが形成されて通電により加熱された触媒体９４により活性化させて成膜する成膜工程を行うようにする。これにより、不純物元素の汚染がない低抵抗のタングステン膜を効率的に形成する。 （もっと読む）

低粗度と高反射率を有する低抵抗率のタングステンバルク層の製法を提供する。平滑で高度に反射性のタングステン層は従来例の低抵抗率のタングステン層よりフォトパタニングが容易である。本発明の方法では交互の窒素ガスパルスの存在下でタングステンのＣＶＤ堆積が実施され、フィルムの交互の部分がＣＶＤにより窒素の存在なしと存在下で堆積される。種々の実施形態において、フィルムの全体の厚さの２０−９０％の範囲が窒素存在下のＣＶＤで堆積される。 （もっと読む）

【課題】クリーニング処理開始前の被処理体の処理枚数に関係なく、ジャストエッチの時点を自動的に確実に把握することにより、エッチング処理の適正な終点時点を決定することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理チャンバー１６と、所定の処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台２０と、処理チャンバーへ必要なガスを供給するガス供給手段４０と、途中に真空ポンプが介設されて処理チャンバー内の雰囲気を真空引きする排気系６とを有す処理装置において、排気ガス中に含まれるパーティクル数を計測するために前記排気系に設けられたパーティクル計測手段８と、処理チャンバー内にクリーニングガスを流してクリーニング処理を行う時にパーティクル計測手段の計測値に基づいてクリーニング処理の終点時点を決定するクリーニング終点決定手段１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 真空ポンプを備えた真空排気系内で故障の原因となる不要な膜が生成されることを防止することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置において、被処理体を収容する処理容器２２と、処理容器内へ原料ガスを供給する原料ガス供給系５０と、処理容器内へ反応性ガスを供給する反応性ガス供給系５２と、真空ポンプ４４、４６を有する真空排気系３６と、処理容器を迂回させるために原料ガス供給系と真空排気系とを連通す原料ガスバイパス系６２と、処理容器を迂回させるために反応性ガス供給系と真空排気系とを連通する反応性ガスバイパス系６６と、原料ガスバイパス系内に介設されて原料ガスの流出を防止する原料ガス流出防止開閉弁Ｘ１と、反応性ガスバイパス系内に介設されて反応性ガスの流出を防止する反応性ガス流出防止開閉弁Ｙ１とを備え、真空排気系内に原料ガスと反応性ガスとが同時に流れ込まないようにする。 （もっと読む）

【課題】ＣＦＲＰ、Ａｌ合金等の難削材の高速切削加工で、すぐれた耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金からなる工具基体表面に、直接あるいはＴｉ化合物層からなる密着下地層を介して、組成式：Ｗ（Ｃ_１−ＸＮ_Ｘ）を満足する組成（但し、Ｘは原子比で０．００１≦Ｘ≦０．１）を有するＷＣＮ層からなる下部層を設け、この上に、粗粒多結晶ダイヤモンド皮膜及び微粒多結晶ダイヤモンド皮膜のいずれか単層または２層以上の複層からなるダイヤモンド皮膜層を設ける。 （もっと読む）

【課題】被処理体の凹部の径が小さくても、例えばバリヤ層として機能する薄膜が凹部の側壁へ堆積することを抑制しつつ、凹部の底部に効率的に堆積させることが可能な薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】表面に凹部６が形成されている被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する成膜方法において、凹部の内面を含む被処理体の表面にチタン化合物ガスと還元ガスとを用いてチタン膜１００を形成するチタン膜形成工程と、窒化ガスを用いてチタン膜を全て窒化して第１の窒化チタン膜１０４を形成する窒化工程と、凹部の内面を含む被処理体の表面に第２の窒化チタン膜１０６を堆積させて形成する窒化チタン膜堆積工程と、を有する。これにより、被処理体の凹部の径が小さくても、薄膜が凹部の側壁へ堆積することを抑制しつつ、凹部の底部に効率的に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に形成された孔に対するタングステン膜の埋め込み性を向上させ、タングステン膜の結晶粒を大きくすることができ、かつ生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜に孔を成膜する（Ｓ１０）。次いで、半導体基板を３３０℃以上４００℃以下に加熱して（Ｓ２０）、Ｂ₂Ｈ₆ガス及びＳｉＨ₄ガスの少なくとも一方、並びにタングステン含有ガスを反応室内に導入することにより、第１のタングステン膜を成膜する（Ｓ３０）。次いで、反応室内にＨ₂ガス及び不活性ガスの少なくとも一方を導入し、かつ３０秒以上の時間をかけて半導体基板を３７０℃以上４１０℃以下に昇温して（Ｓ４０）、タングステン含有ガスを反応室内に導入することにより、第１のタングステン膜上に第２のタングステン膜を成膜する（Ｓ５０）。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中の不純物を可及的に低減し得る金属膜の作製における成膜反応を促進させる金属膜作製装置を提供する。
【解決手段】 銅板部材７と基板３との温度及び温度差を所定通に制御することにより、チャンバ１内のＣｌ₂ガスプラズマで前記銅板部材７をエッチングしてＣｕ成分とＣｌ₂ガスとの前駆体を形成し、この前駆体のＣｕ成分を基板３に析出させてＣｕの成膜を行う場合において、チャンバ１内に連通してＣｌ₂ガスを流通させる通路２４の励起室２５でＣｌ^*を形成し、このＣｌ^*をチャンバ１内に供給することにより基板３に吸着状態となっている前記前駆体からＣｌ₂ガスを引き抜いてＣｕ膜の成膜反応を促進させるようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】クリーニング処理開始前の被処理体の処理枚数に関係なく、ジャストエッチの時点を自動的に確実に把握することにより、エッチング処理の適正な終点時点を決定することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理チャンバー１６と、所定の処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台２０と、処理チャンバーへ必要なガスを供給するガス供給手段４０と、途中に真空ポンプが介設されて処理チャンバー内の雰囲気を真空引きする排気系６とを有す処理装置において、排気ガス中に含まれるパーティクル数を計測するために前記排気系に設けられたパーティクル計測手段８と、処理チャンバー内にクリーニングガスを流してクリーニング処理を行う時にパーティクル計測手段の計測値に基づいてクリーニング処理の終点時点を決定するクリーニング終点決定手段１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】外周部の腐食を抑制可能なセラミックスヒータを提供する。
【解決手段】セラミックスヒータは、プレート１０と、シャフト３６とを備える。プレート１０は、第１基体１２と、第１基体に接合される第２基体１４とを備える。第１基体１２の載置面１２ｂには、載置された基板と接触する表面を有する第１領域２２と、基板５０により覆われる位置に、第１領域を囲むよう設けられたパージ溝２０と、パージ溝２０を囲む表面を有する第２領域２３とが定義される。第１基体１２は、載置された基板を第１領域の表面上に吸着する手段と、パージ溝２０の底面から第１基体１２の下面まで貫通する複数のパージ孔２４とを有する。パージ溝２０には、複数のパージ孔２４を介してパージガスが供給される。第２領域２３の表面は、第１領域２２の表面よりも低い。 （もっと読む）

【課題】金属銅膜や金属タングステン膜に対して有効なバリアメタルを提供する。
【解決手段】半導体集積装置のバリアメタル１４として、ＷＮｘ或いはＷＳｉＮｘを用いる。これにより、金属銅膜や金属タングステン膜に対して有効にバリア機能を発揮させる。 （もっと読む）

【課題】成膜される膜厚の均一性が優れた金属膜作製装置及び金属膜作製方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１に基板３を設置し、チャンバ１内に配設された金属部材１１の近傍に、ハロゲンを含有する原料ガスを供給すると共に、原料ガスのプラズマ１５を発生させて、ハロゲンのラジカルを生成し、ハロゲンのラジカルにより、金属部材１１をエッチングして、金属部材に含まれる金属成分とハロゲンからなる前駆体１６を生成し、金属部材１１より低い温度に基板３を制御すると共に、基板３の面内の温度分布を、周縁部で低く、中央部で高くし、基板３に前駆体１６を吸着させると共に、吸着された前駆体１６をハロゲンのラジカルにより還元して、金属膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が速く、安価な材料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない金属膜を成膜することができ、しかも、チャンバ及び導入容器の内壁に付着した金属膜を除去することができるようにする。
【解決手段】チャンバ１内で原料ガス５と銅製の噴射板９により前駆体３０を生成し、前駆体３０からＣｌを還元除去しＣｕ活性種にして基板１２に当てることでＣｕ薄膜３３を生成し、クリーニング時に噴射板９を冷却すると共にＣｌ₂ガスをプラズマ化してチャンバ１の内壁に付着したＣｕ成分を離脱させ、成膜速度が速く、安価な材料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない金属膜を成膜することができ、しかも、チャンバ及び導入容器の内壁に付着した金属膜を除去することができるようにする。 （もっと読む）

【課題】窒化金属膜及び該窒化金属膜を作製する窒化金属膜作製装置及び作製方法を提供する。
【解決手段】基板３を支持台２に載置して収容したチャンバ１の内部において、ヘリウムで希釈した塩素ガスプラズマにより、タンタルで形成した被エッチング部材１４をエッチングして塩化タンタルガスからなる前駆体１７を生成し、基板３の温度を被エッチング部材１４の温度よりも低くして前駆体１７を基板３に吸着させ、塩素ガスプラズマにより吸着した前駆体１７を還元してタンタル成分を基板３に成膜する際に、窒素ガスをプラズマ化して得られる窒素ガスプラズマによりタンタル成分を窒化して、基板３に窒化金属膜１８を成膜する窒化金属膜作製方法において、窒素ガスの供給量を制御して窒素ガス／ハロゲンガス流量比を０より大きく０．１以下とし、窒化金属膜１８の窒素原子と金属原子の原子組成比であるＮ／Ｍ比を０より大きく１以下となるようする。 （もっと読む）

集積回路のための相互接続構造体に、銅線の核形成、成長及び接着を促進する窒化コバルトの層が組み込まれる。銅の拡散バリヤーとして機能し、かつ窒化コバルトと下地の絶縁体の間の接着性も増加させる、窒化タングステン又は窒化タンタルなどの耐熱性の金属窒化物又は金属炭化物層上に窒化コバルトを堆積してよい。窒化コバルトは、新規なコバルトアミジナート前駆体からの化学気相成長により形成され得る。窒化コバルト上に堆積された銅層は、高い電気伝導度を示し、マイクロエレクトロニクスにおける銅伝導体の電気化学的な堆積のための種層として機能できる。 （もっと読む）

【課題】 載置台における温度分布の面内均一性を高く保持して処理の面内均一性を向上させることが可能な枚葉式の処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器３６内に設けられた薄板状の載置台５８にリフトピン７０を昇降させることによって被処理体Ｗを載置し、前記載置台をその下方に配置した加熱ランプ１０８により加熱することにより前記被処理体を間接的に加熱して所定の処理を施すようにした枚葉式の処理装置において、前記被処理体の周辺のエッジ部を支持できるように前記リフトピンを配置すると共に、前記載置台には前記エッジ部に対応する部分に前記昇降するリフトピンを通すためのピン挿通部６０が形成される。これにより、ピン挿通部を通過する加熱ランプからの照射光が載置台の加熱温度の分布特性に与える悪影響を大幅に抑制する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗率を有するタングステン膜の均一性および接着性を高める方法を提供する。
【解決手段】低抵抗率のタングステン膜は、タングステンのバルク層を形成する前に、タングステンの核生成層を一連のパルス状還元剤にさらすことにより形成される。さまざまな実施形態によれば、方法は、異なる流量、異なるパルス時間、および、異なるインターバル時間を有する還元剤パルスを含む。 （もっと読む）