【課題】デバッグ等のために、完成した半導体集積回路装置の配線をＦＩＢ加工を用いて事後的に修正する場合がある。修正配線は配線として最適に材料を使用すべきである。しかし、たとえば、比抵抗の低い金属は、比較的その後の検査・試験環境に弱い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、ほぼ完成した半導体集積回路装置の配線を変更するために、ＦＩＢ加工を用いて半導体集積回路チップの配線を修正するに当たり、半導体集積回路チップの主面上の絶縁膜に金属修正配線をＦＩＢＣＶＤにより形成後、その上を覆うように、金属修正配線よりも耐酸化性または耐腐食性の高い金属被覆膜を、ＦＩＢＣＶＤにより形成するものである。 （もっと読む）

【課題】酸化タングステン材料を利用することによりマイクロメートル領域の形状を持つ金型部品の耐久性を向上し、それを用いた微小部品生産を実現する。
【解決手段】微細加工用超硬材料工具は、加工工具部の材料が炭化タングステンを主材料とした超硬材料からなり、その表面に２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の厚さを持つ酸化タングステン５を主材料とした薄膜構造２を持たせ、酸化タングステン５を主材料とした薄膜構造２は、単結晶、多結晶構造及びアモルファス構造６のいずれか１つ、又は単結晶、多結晶構造及びアモルファス構造６の混合状態からなり、酸化タングステンを主材料とした薄膜構造は、酸化触媒効果を持つ金ナノ粒子７を含有し、打ち抜き用金型工具、絞り用金型工具、曲げ用金型工具のいずれかとして使用される。 （もっと読む）

【課題】基板の回転中心で温度が局所的に低下するのを抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、被処理用の基板を回転させる回転機構と、前記基板を加熱する複数のランプユニット３００，４００とを備える。各ランプユニット３００，４００は、複数のフィラメントから構成され、前記各フィラメント同士が互いに接続される１又は２以上の接続部を有する発熱体と、前記発熱体を覆うバルブと、前記バルブに設けられ、前記バルブにガスを封入するためのチップと、を有する。複数のランプユニット３００，４００は、前記基板の回転中心部５００に対し対称に配置される。回転中心部５００に最も近い位置に配置されたランプユニット３００ａ，３００ｉ，４００ａ，４００ｉでは、前記基板の回転軸と直交する直線Ｌ１，Ｌ２と当該ランプユニットとの直交点Ｐ１，Ｐ２に最も近い接続部、又は前記チップが、直交点Ｐ１，Ｐ２から離間している。 （もっと読む）

【課題】原料ガスを用いて基板に熱ＣＶＤにより金属薄膜を成膜するにあたって、基板間で基板の面内温度分布を揃え、これにより基板間における成膜処理のばらつきを抑えること。
【解決手段】載置台の下部側を支持している支持部材として、処理容器内に装着される前からその外周面が前記金属薄膜の放射率と同等の放射率を有する金属層で覆われている支持部材を用いる。このため、金属薄膜の成膜処理を重ねることで載置台の支持部材の外周面に金属薄膜が堆積しても、支持部材の外周面は、元々前記金属薄膜の放射率と同等の放射率を有する金属で覆われているため、支持部材の放射率が安定し、載置台の温度の経時変化が抑えられる。 （もっと読む）

基板を用意する工程、該基板に堆積阻害材料を適用する工程、ここで、該堆積阻害材料は、有機化合物又はポリマーであり、そして工程（ｂ）の後又は該堆積阻害材料を適用するのと同時に、該堆積阻害材料をパターン化して、該堆積阻害材料を事実上有さない選択された基板領域を提供する工程を含んで成るパターン付き薄膜を形成するための原子層堆積法。無機薄膜材料は、該堆積阻害材料を有さない選択された該基板領域内だけに実質的に堆積される。
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【課題】他の処理チャンバからの汚染をもたらさず、スループットを低下させずに各処理チャンバで処理を行うことができる真空処理システムを提供すること。
【解決手段】真空処理システム１は、ウエハＷを搬送する第１の搬送室１１にＰＶＤ処理チャンバ１２〜１５を接続してなる第１の処理部２と、ウエハを搬送する第２の搬送室２１にＣＶＤ処理チャンバ２２，２３を接続してなる第２の処理部と、第１の搬送室１１および第２の搬送室１２の間にゲートバルブＧを介して設けられ、ウエハＷを収容し、かつ圧力調整可能なバッファ室５ａと、バッファ室５ａが第１の搬送室１１および第２の搬送室１２のいずれか一方に対して選択的に連通し、その内部の圧力が連通した搬送室内の圧力と適合するようにゲートバルブＧの開閉およびバッファ室５ａの圧力を制御する制御部１１０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 ガス吐出機構を加熱する際に、高効率で加熱することができるガス処理装置を提供すること。
【解決手段】 ガス処理装置は、被処理基板を収容する処理容器と、処理容器内に配置され、被処理基板が載置される載置台と、載置台上の被処理基板と対向する位置に設けられ、処理容器内へ処理ガスを吐出する処理ガス吐出機構と、処理容器内を排気する排気手段とを具備し、処理ガス吐出機構は、ガスを吐出する吐出孔を有するガス吐出部３５と、このガス吐出部３５を支持するベース部３９と、ガス吐出部３５に設けられたヒーター３８と、ガス吐出部３５とベース部３９との間に設けられた空間層１３５とを有する。 （もっと読む）

【課題】内部に基板支持体が配置されているプロセスチャンバを備える基板プロセス装置。
【解決手段】基板支持体は、加熱ペデスタルの形であり、それ自身とペデスタルの間の隙間を限定する除去可能なパージリングによって周囲を囲まれている。外側でペデスタルのエッジは、パージガスマニホールドで、パージリングとペデスタルの間の空洞の形である。マニホールドの低端は、加熱から膨張しパージリングの低端と接触するというプロセス温度で形成されるメカニカルシールの方法で密閉される。マニホールド上端は、パージリングとペデスタルによって限定される環帯内に対して開いている。マニホールドは、処理中に、パージガスが基板のエッジに対して放出されるように配置され、ガスはパージリングと基板支持体の間に限定される環帯を通して上むきに移動する。 （もっと読む）

【課題】単一のチャンバーで多様な工程を行うことができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】１つ以上のパターンを有する半導体基板に対して、互いに異なる多数の工程が行われる工程チャンバー６００、各工程を行うための工程ガスを工程チャンバーの内部に独立して提供されるガス供給部７１０、ガス供給部と連結され工程チャンバーの上部に配置される多数の上部電極７２０及び上部電極と一対一で対応するように工程チャンバーの下部に配置され上面に前記基板が搭載される多数の下部電極７３０及び上部電極に電源を供給する第１電源及び下部電極に電源を供給する第２電源を具備する電源供給部７４０を含む。このような構成を採用したことにより、真空断絶なしに互いに異なる工程を行うことにより工程欠陥を防止することができる。 （もっと読む）

【目的】コンタクトプラグを従来よりも低抵抗化する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、半導体基体上にＳｉＯ_２膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、ＳｉＯ_２膜にコンタクトホールを形成する工程（Ｓ１０４）と、コンタクトホール内にＴｉ膜を形成する工程（Ｓ１０６）と、Ｔｉ膜を窒化処理する工程（Ｓ１０８）と、コンタクトホール側壁に形成されたＴｉＮ膜を除去する工程（Ｓ１１０）と、コンタクトホール内にＷ膜を堆積させる工程（Ｓ１１４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発熱体ＣＶＤ（化学蒸着）法において、作成される薄膜中への不純物の混入を抑制する方法を提供する。
【解決手段】処理容器１内にガス供給系２によって供給された原料ガスが、エネルギー供給機構３０により所定の高温に維持された発熱体３の表面で分解及び又は活性化して基板９の表面に薄膜が作成される。発熱体３は、タングステン製の基体の表面に、不純物金属含有量が０．０１重量％以下のタングステン粉末を蒸発源とした電子ビーム蒸着法又は六フッ化タングステンの水素による還元反応を利用した化学蒸着法により、不純物金属含有量が０．０１重量％以下のタングステンの被覆膜を形成したものである。発熱体３からの不純物金属の放出が抑制され、作成される薄膜中への不純物金属の混入も抑制される。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤプロセスを使用して、均一性が良好で、ほとんどまたは全く汚染がなく、かつ導電率が高いつまり抵抗率が低いタングステン含有材料を堆積するための改良されたプロセスを提供する。
【解決手段】一実施形態では、プロセスチャンバ内に基板を位置決めするステップであって、該基板がこの上に配置されている下地層を含有するステップと、該基板をタングステン前駆体および還元ガスに順次曝してＡＬＤプロセス時に該下地層上にタングステン核形成層を堆積するステップであって、該還元ガスが約４０：１、１００：１、５００：１、８００：１、１，０００：１以上の水素／ハイドライド流量比を含有するステップと、該タングステン核形成層上にタングステンバルク層を堆積するステップとを含む、基板上にタングステン含有材料を形成するための方法が提供される。該還元ガスはジボラン、シランまたはジシランなどのハイドライド化合物を含有している。 （もっと読む）

【課題】 ガス吐出機構の温度を低く保つ必要がある２つの処理ガスを交互に供給して成膜する装置の場合に、大型のガス吐出機構であっても極低温チラー等の特別な設備を用いずに、ガス吐出機構の全体を所望の温度に冷却することができるガス処理装置を提供すること。
【解決手段】 第１および第２の処理ガス供給手段からそれぞれ第１の処理ガスおよび第２の処理ガスが供給されて処理容器２内へ第１の処理ガスと第２の処理ガスを吐出するガス吐出機構を具備し、第１の処理ガスと第２の処理ガスを交互に供給して被処理基板上でこれらを反応させてその上に所定の膜を形成するガス処理装置であって、ガス吐出機構は、第１および第２の処理ガスを吐出する複数のガス吐出孔４６、４７を有するガス吐出プレート３５´と、冷媒流路２１０ａ〜２１０ｃとを有し、冷媒流路２１０ａ〜２１０ｃを、ガス吐出プレート３５´のガス吐出孔形成領域に設ける。 （もっと読む）

【課題】金属アミド、ケイ素前駆体及び窒素源ガスガスを前駆体として用いてプラズマ雰囲気下で循環式膜被着によって金属ケイ素窒化物膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】金属アミド前駆体をパルス送りする工程、未反応金属アミドをパージ除去する工程、プラズマ雰囲気下で反応チャンバ内に窒素源ガスを導入する工程、未反応窒素源ガスをパージ除去する工程、ケイ素前駆体をパルス送りする工程、未反応ケイ素前駆体をパージ除去する工程、プラズマ雰囲気下で反応チャンバ内に窒素源ガスを導入する工程、及び未反応窒素源ガスをパージ除去する工程を含む被着方法。 （もっと読む）

【課題】 良好な均一性を持つ導電層を堆積する。
【解決手段】 基板表面にタングステン層を形成する方法が提供される。一態様によると、その方法は、処理チャンバ（１００）内に基板表面を位置決めするステップと、基板表面をホウ化物（１２０）に晒すステップと、を備える。交互にタングステン含有化合物（１３０）と、シラン（ＳｉＨ_４）、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）、ジクロルシラン（ＳｉＣｌ_２Ｈ_２）、その誘導体、更に、これらの組合せから成る群から選択された還元性ガス（１５０）を律動的に送ることにより、その後、核形成層が同一の処理チャンバ内の基板表面上に堆積される。その後、周期的堆積、化学気相堆積、又は、物理的気相堆積技術を用いて、タングステンのバルクフィルが核形成層上に堆積されてもよい。 （もっと読む）

【課題】 ストレスマイグレーション耐性およびエレクトロマイグレーション耐性に優れ、下部配線と上部配線との接続信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】 この半導体装置１において、Ｃｕを主成分とするＣｕ配線２３とＷからなるＷプラグ３２との間には、積層バリア膜３０が介在されている。積層バリア膜３０は、Ｔａバリア膜４２、ＴａＮバリア膜４３、Ｔｉバリア膜４４およびＴａＮバリア膜４５が積層されてなる４層構造を有している。そして、Ｔａバリア膜４２は、ビアホール２８の側面およびＣｕ配線２３の上面に被着されている。また、ＴｉＮバリア膜４５は、積層バリア膜３０の最上層をなし、Ｗプラグ３２の表面に接触形成されている。 （もっと読む）

【課題】工程数を少なくし、ステップカバレジも良好にし、しかも、Ｔｉ膜とシリコン層との界面部分の抵抗値の増加を抑制することが可能なバリヤ層の形成方法を提供する。
【解決手段】表面の少なくとも一部にシリコン層６が露出している被処理体Ｗの表面に、Ｔｉ膜とＴｉＮ膜よりなるバリヤ層１４を形成するバリヤ層の形成方法において、被処理体の表面に、シリコン層と接する部分がシリサイド化しないような温度でＴｉ膜を形成するＴｉ膜形成工程と、Ｔｉ膜上に前記シリコン層と接する部分がシリサイド化するような温度でＴｉＮ膜を形成するＴｉＮ膜形成工程とを有する。これにより、工程数を少なくでき、ステップカバレジも良好にし、しかも、Ｔｉ膜とシリコン層との界面部分の抵抗値の増加も抑制する。 （もっと読む）

【課題】酸化物イオンの表面交換速度及び拡散率を向上させ且つ低コスト化した固体酸化物形燃料電池を提供する。
【解決手段】本発明の燃料電池は、第１の多孔質電極及び第２の多孔質電極を含み、前記多孔質電極は、電子伝導性の多孔質非貴金属からなる層を有する。前記多孔質非貴金属層は、ガス拡散層である。前記多孔質電極は、前記非貴金属層上に堆積された少なくとも１つの触媒金属原子層を更に含み、前記第１の多孔質電極と前記第２の多孔質電極との間に電解質層が配置されている。前記電解質層は、第１の高密度イオン伝導性ドープ酸化膜層と、前記第１のドープ酸化膜層上に堆積された第２の高密度イオン伝導性ドープ酸化膜層とを含む。前記電子伝導性の多孔質非金属層上の前記触媒金属層は、酸化物イオンの表面交換速度及び拡散率を向上させ且つ燃料電池の材料コストを低減した。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波を導波させる導波管の両側でプラズマ処理を行うことができるようにする。
【解決手段】マイクロ波の腹の位置に対応して配置されたスリット１３ａ、１３ｂを導波管１２の両面にそれぞれ設け、ガス導入管１７ａ、１７ｂを介してチャンバ１１内にプロセスガスを導入し、マイクロ波を導波管１２内に導波させ、スリット１３ａ、１３ｂをそれぞれ介してマイクロ波を導波管１２の両側から放射させることにより、導波管１２の両側に表面波プラズマを発生させ、基板１８ａ、１８ｂのプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

本発明は封入層を高分子繊維及び弾道抵抗性布帛の表面上に蒸着するための方法を提供する。さらに詳しくは、本発明は、非半導性高分子繊維及び布帛への材料の原子層蒸着により塗被されたコンフォーマルな封入層を有する布帛を提供する。 （もっと読む）