フッ素から誘導されるガスまたはガス混合物から分子フッ素を含むガスまたはガス混合物を製造する方法および装置であって、フッ素化されたガスまたはガス、特に３フッ化窒素ＮＦ₃の混合物をフッ素化されたガスの分子のプラズマ中で分解作用により分解し、その分解作用により得られる原子フッ素と他の化学種の混合物を作り、その場合に前記混合物を続いて必要であれば５００℃未満の温度で高速に（２４）冷却し、そうして、それにより生成する少なくとも５０％の原子フッ素についての分子フッ素の生成をもたらし、前記分解作用から生じる他の生成物とフッ素原子の再結合を最小化し、そしてフッ素化ガスまたはガス混合物を再生し、Ｆ₂を含むガス混合物を回収する方法および装置。
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【課題】耐摩耗性に優れるとともに、押圧抵抗を軽減して高度な成形性を実現することが可能なハニカム構造体成形用口金を提供する。
【解決手段】本発明のハニカム構造体成形用口金１は、少なくとも二つの面８，９を有し、一方の面８に成形原料を導入する裏孔３が形成されるとともに、他方の面９に裏孔３と連通するスリット４が形成された板状の口金基体２を備えたハニカム構造体成形用口金１であって、口金基体２上の、裏孔３及びスリット４を構成する部位の少なくとも一部を覆うように配設された下地層５と、下地層５の少なくとも一部を覆うように配設された、Ｗ₃Ｃを主成分とする平均粒径５μｍ以下のタングステンカーバイド粒子から構成された中間層６と、中間層６の少なくとも一部を覆うように配設されたダイヤモンド及び／又はダイヤモンド状炭素から構成された表面層７とをさらに備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 複数のガスを用いて被処理基板に成膜を行う場合に、ガスの供給路で複数のガスが混合することを防止し、パーティクルの発生を抑制した安定で清浄な成膜を可能とする。
【解決手段】 被処理基板を保持する保持台を内部に備えた処理容器に、金属を含む第１の処理ガスと、当該第１の処理ガスを還元する第２の処理ガスを供給し、前記被処理基板上に前記金属を含む膜を成膜する成膜方法であって、第１のガス供給路から前記処理容器に前記第１の処理ガスを供給する第１の工程と、第２のガス供給路から前記処理容器に前記第２の処理ガスを供給し、前記処理容器に設けられたプラズマ励起手段によって当該第２の処理ガスをプラズマ励起する第２の工程と、を有し、前記第２の工程では、前記第１のガス供給路から前記処理容器に、Ｈ_２またはＨｅよりなる逆流防止ガスが供給されることを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、特性に優れる無機物膜を形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された無機物膜、この無機物膜を備える電子部品および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、基材５上に、無機物膜８の構成材料である膜材料８１’と膜材料以外の部分とで構成される化合物を膜材料前駆体８０として用いて、化学的気相成膜法により無機物膜８を形成する成膜方法であり、膜材料前駆体８０を収納した収納部７と、基材５とを空間を介して対向させた状態で、膜材料前駆体８０をガス状またはミスト状として、基材５に向かって供給し、前記空間において、ガス状またはミスト状の膜材料前駆体８１を加熱して、基材５に到達する前に、その少なくとも一部を熱分解させて、膜材料以外の部分を分解・除去することにより、膜材料８１’を前記基材に到達させて無機物膜８を形成させるものである。 （もっと読む）

【課題】 真空系内への導入ガスによる真空度の低下等に起因する電子線源等の粒子線源への上記のような悪影響を排除し、特に走査型あるいは透過型の電子顕微鏡に適用した場合にも通常の電子顕微鏡に改造を加えることなく、原料ガスの供給を行うことができる、粒子線を用いたガスデポジション法における原料ガス供給方法及び供給装置を提供する。
【解決手段】 構造物の原料となる元素を含んだ原料ガスを基板材料上に流しながら、粒子線を基板材料上の所望位置に向かって照射することにより、基板材料上に微細構造物を作製するガスデポジション法のための原料ガス供給方法であって、穴を有する容器内に、構造物の原料となる元素を含んだ原料ガスを発生する固体物質を入れ、固体物質を入れた容器を基板材料の近傍に配置し、容器の穴から基板材料上に原料ガスを供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高速原子層堆積装置及び使用方法
【解決手段】処理チャンバ（１００）と、前記処理チャンバ内に設けられた基板ホルダ（１２０）と、前記処理チャンバ（１００）に、第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスを供給するように構成されたガス注入装置（１４０）とを含む、原子層堆積（ＡＬＤ）を実行する処理システム（１００）。前記ガス注入装置（１４０）は、前記第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスを、前記処理チャンバ（１００）の第１の位置及び第２の位置から導入するように構成されており、前記第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスの少なくとも一方は、前記第１の位置と第２の位置とから、交互にかつ連続に導入される。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ−ＦＥＴの駆動力を向上させる高性能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＣＭＯＳ−ＦＥＴ回路を備える半導体装置において、ＮＭＯＳ形成領域周辺の素子分離膜（１０２）の一部に設けられ引張応力を有する引張応力膜（１１９）と、ＰＭＯＳ形成領域周辺の素子分離膜（１０２）の一部に設けられ圧縮応力を有する圧縮応力膜（１２０）と、の少なくとも一方を備えている。 （もっと読む）

【課題】 原子層堆積を実行するための方法およびシステムを提供することである。
【解決手段】 原子層堆積（ＡＬＤ）を実行するためのプラズマ処理システムは、処理チャンバと、処理チャンバ内で提供される基板ホルダと、処理チャンバに第１のガスおよび第２のガスを供給するように構成されたガス注入システムとを具備する。システムは、処理チャンバに連続的に第１のガス流れを流し、第１の時間に処理チャンバに第２のガス流れをパルス化して流すガス注入システムを制御するコントローラを含む。コントローラは、第２の時間に基板ホルダにＲＦ電力をパルス化する。 （もっと読む）

形態が向上した金属層を基材の上に形成する方法および処理ツールが提供される。本方法は、プラズマの中で励起された化学種に基材を曝すことによって基材を前処理するステップと、金属カルボニル前駆物質を含有するプロセスガスに前処理された基材を曝すステップと、金属層を前処理された基材の上に化学蒸着法で形成するステップとを含む。金属カルボニル前駆物質は、Ｗ（ＣＯ）_６、Ｎｉ（ＣＯ）_４、Ｍｏ（ＣＯ）_６、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８、Ｒｈ_４（ＣＯ）_１２、Ｒｅ_２（ＣＯ）_１０、Ｃｒ（ＣＯ）_６、またはＲｕ_３（ＣＯ）_１２、もしくはこれらの任意の組合せを含み、金属層は、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｃｒ、またはＲｕ、もしくはこれらの任意の組合せをそれぞれ含み得る。
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【課題】トランジスターを劣化させるゲート酸化物ラップアラウンド現象を解消する。
【解決手段】
マスク材料は、タングステン、窒化チタン及び非晶炭素のうちの少なくとも一種を含んでいる。開口部が、マスク材料を通って半導体基板内に至るように形成されている。トレンチ分離材料が、分離トレンチを過剰充填する効果量で形成されている。トレンチ分離材料は、マスク材料のタングステン、窒化チタン及び非晶炭素のうちの少なくとも一種の少なくとも最外側面に至るまで研磨される。タングステン、窒化チタン及び非晶炭素のうちの少なくとも一種は基板からエッチング除去される。 （もっと読む）

【課題】類似の方法を、低スループット等の弱点が十分に回避されかつそれにもかかわらず原子層成膜が可能なように、さらに改良することである。
【解決手段】本発明は、プロセスチャンバ内で少なくとも１つの膜を少なくとも１つの基板上に堆積する方法であって、膜が少なくとも１つの成分からなり、少なくとも第１の金属成分が、液体の又は液体に溶解した第１の原料を不連続に吐出する使用のもと、特に温度調節されたキャリアガス内で蒸発し、少なくとも第２の成分の化学反応原料が供給される方法に関する。原料が切換えられてプロセスチャンバ内に供給され、２番目の原料が化学反応ガス又は化学反応溶液であることが、本質的である。 （もっと読む）

差動装置（１０）の耐久性を改良するための方法であって、作動装置（１０）は、ピニオンシャフト（１２）と、ピニオン（１３）の内径の表面と接触するピニオン（１２ａ）とを有する。本方法は、ピニオンシャフト（１２）又はピニオン（１３）又は両方の表面の、ピニオンシャフト（１２）とピニオン（１３）との間の接触面に、ピニオン（１３）の材料と接触する際にピニオンシャフト（１２）の材料より低い摩擦係数及び高い焼き付き抵抗を有するコーティングＣを結合すること、を備える。

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総括的には本発明は、限定ではないが、高誘電率ゲート誘電体膜などの高誘電率誘電体膜又は層の堆積方法を提供する。１つの実施形態では、オゾンが別個のサイクルのチャンバに選択的に運ばれて、属酸化物層が最小厚さの界面酸化物層を有する基板の表面上に金属酸化物層を形成する原子層堆積（ＡＬＤ）サイクルが実施される。 （もっと読む）

【課題】 金属−カルボニルプリカーサからの金属層の低圧堆積を提供することである。
【解決手段】 半導体基板上に熱化学気相成長（ＴＣＶＤ）プロセスによって金属層を堆積させる方法は、処理チャンバに金属カルボニルプリカーサを含むプロセスガスを導入することと、基板上に金属層を堆積させることとを含む。ＴＣＶＤプロセスは、低い抵抗率の金属層を形成するように、基板上方の処理ゾーン内のガス種の短い滞留時間を利用する。本発明の実施形態において、金属カルボニルプリカーサは、Ｗ（ＣＯ）_６、Ｎｉ（ＣＯ）_４、Ｍｏ（ＣＯ）_６、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８、Ｒｈ_４（ＣＯ）_１２、Ｒｅ_２（ＣＯ）_１０、Ｃｒ（ＣＯ）_６、およびＲｕ_３（ＣＯ）_１２のプリカーサの少なくとも１つから選ぶことができる。 （もっと読む）

【課題】 金属−カルボニルプリカーサから金属層を堆積させる方法を提供することである。
【解決手段】 熱化学気相成長（ＴＣＶＤ）プロセスによって半導体基板上に金属層を堆積させる方法を提供する。ＴＣＶＤプロセスは、金属層を堆積させるように金属−カルボニルプリカーサを含む希釈したプロセスガスの大流量を利用する。本発明の１つの実施形態では、金属−カルボニルプリカーサは、Ｗ（ＣＯ）_６、Ｎｉ（ＣＯ）_４、Ｍｏ（ＣＯ）_６、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８、Ｒｈ_４（ＣＯ）_１２、Ｒｅ_２（ＣＯ）_１０、Ｃｒ（ＣＯ）_６、およびＲｕ_３（ＣＯ）_１２の少なくとも１つから選ばれることができる。本発明の別の実施形態では、約４１０℃の基板温度および約２００ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力で、Ｗ（ＣＯ）_６プリカーサを含むプロセスガスよりＷ層を堆積させる方法は、提供される。 （もっと読む）

【課題】 間欠的なプリカーサガスフロープロセスを使用して金属層を形成する方法を提供することである。
【解決手段】 間欠的なプリカーサガスフロープロセスを使用して基板上に金属層を形成する方法は、提供される。方法は、金属−カルボニルプリカーサガスのパルスに基板を曝すと共に、還元ガスに基板を曝すことを含む。所望の厚さを有する金属層が基板上に形成されるまで、プロセスは実行される。金属層は、基板上に形成されることができ、または、交互に、金属層は、金属核生成層上に形成されることができる。 （もっと読む）

【課題】 シーケンシャル流量堆積を使用して金属層を堆積させる方法を提供することである。
【解決手段】 シーケンシャル流量堆積を使用して良好な表面モホロジを有する金属層を堆積させる方法は、処理チャンバ内の基板を交互に金属−カルボニル前駆ガスと、還元ガスとに曝すことを含む。金属−カルボニルプリカーサガスにさらされる間、薄い金属層は、熱分解によって基板上に堆積され、その後の還元ガスに金属層を曝すことは、金属層から反応副生成物の除去するのを助ける。所望の厚さを有する金属層が達成されるまで、金属−カルボニルプリカーサガスと、還元ガスとの曝露ステップは、繰り返されることができる。 （もっと読む）

本発明は、薄膜蒸着方法を提供する。ウェーハブロック上に基板をローディングする基板ローディングステップと、基板ローディング後に第１反応ガス及び熱的に活性化された第２反応ガスを、第１噴射孔及び第２噴射孔を介して基板上に噴射することによって薄膜を蒸着する薄膜蒸着ステップと、薄膜蒸着ステップ以後、水素原子を含む熱処理ガスを流して、薄膜内に含まれた不純物の含量を減らす後処理ステップと、後処理ステップ以後、薄膜が蒸着された基板をウェーハブロックでアンローディングするアンローディングステップと、を含み、ここで、第２反応ガスは、ガス加熱流路部を経る前にＴ_１の温度を、そして、そのガス加熱流路部を経た後にＴ_２の温度を有するとき、Ｔ_２が前記Ｔ_１より大きく、熱処理ガスは、ガス加熱流路部を経る前のＴ_１の温度を、そして、そのガス加熱流路部を経た後にＴ_３の温度を有するとき、Ｔ_３がＴ_１と同じであるか、または大きいことを特徴とする。
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集積回路デバイス製造のための半導体基板のような基板上への、超臨界流体を利用した物質の蒸着。蒸着は、基板表面に蒸着される物質の前駆体を含む、超臨界流体をベースとする組成物を使用して行われる。そのようなアプローチにより、気相蒸着工程に必要な揮発性および搬送性がないために、蒸着への適用には全く不適切であった前駆体の使用が可能になる。 （もっと読む）

１以上の物質層のバリヤ層を原子層堆積により堆積させるために基板を処理する方法が提供される。一態様においては、金属含有化合物の１以上のパルスと窒素含有化合物の１以上のパルスを交互に導入することにより基板表面の少なくとも一部上に金属窒化物バリヤ層を堆積させるステップと、金属含有化合物の１以上のパルスと還元剤の１以上のパルスを交互に導入することにより金属窒化物バリヤ層の少なくとも一部上に金属バリヤ層を堆積させるステップとを含む基板を処理する方法が提供される。金属窒化物バリヤ層及び/又は金属バリヤ層の堆積前に基板表面上で浸漬プロセスが行われてもよい。 （もっと読む）