【課題】ソースガスコンパートメントおよびパージガスコンパートメントがサセプタのサセプタ回転方向において交互して与えられる処理ターゲット上に薄膜を堆積するための装置および方法を提供する。
【解決手段】 処理ターゲット上に薄膜を堆積するための装置が：反応空間；上下に移動可能であり、かつその中心軸周りに回転可能であるサセプタ１；および、ソースガスコンパートメントおよびパージガスコンパートメントを含む複数のコンパートメントＣ１〜Ｃ４に反応空間を分割するための分離壁３を含み、それにおいて膜の堆積のためにサセプタが上昇されたとき、サセプタと分離壁の間に小さいギャップが作られ、それによってそれぞれのコンパートメントの間にガス分離が設定される。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】低抵抗の窒化物薄膜を低い成膜温度で形成する。
【解決手段】真空雰囲気中に高融点金属を有する原料ガスと窒素原子を有する含窒素還元ガスを導入し、高融点金属の窒化物薄膜２４を形成する際、窒素を有しない補助還元ガスを導入する。補助還元ガスによって析出した高融点金属が、析出した窒化物の高融点金属の不足分を補償し、化学量論組成比に近く、低比抵抗の窒化物薄膜２４を成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】気相原料分散システムにおけるパーティクル汚染を低減する方法およびシステムを提供する。
【解決手段】気相原料分散システム３０は、膜前駆体の気相原料を成膜システム１のプロセスチャンバ１０へ導入するよう構成される複数の開口を備える気相原料分散ヘッド３４と、ハウジングとを備える。ハウジングと気相原料分散ヘッド３４により、膜前駆体蒸発システム５０と結合され、蒸発システム５０からの膜前駆体５２の気相原料を受けてこの気相原料を複数の開口を通してプロセスチャンバ１０へ分散するよう構成されるプレナム３２が形成される。パーティクル汚染を低減するため、気相原料分散システム３０は、プレナム３２の圧力と成膜システムの圧力との差または比を低減するよう構成される。たとえば、プレナム３２の圧力は、プロセス空間３３の圧力の２倍未満、または、プロセス空間３３の圧力よりも５０ｍＴｏｒｒ、３０ｍＴｏｒｒもしくは２０ｍＴｏｒｒ低い。 （もっと読む）

【課題】 処理システムのためのシーリングのデバイスおよび方法を提供することである。
【解決手段】 処理システムの移送空間から真空分離された処理システムの処理空間内で基板を処理するための方法、コンピュータ読み取り可能なメディアおよびシステムが示される。シーリングデバイスは、処理空間を規定するように構成された第１のチャンバアセンブリと、移送空間を規定するように構成された第２のチャンバアセンブリとの間に配置される。シーリングデバイスが係合するときに、真空アイソレーションは、処理空間と、移送空間との間に提供される。シーリングデバイスは、２つ以上の接触突起を備え、その接触突起は、その間に形成される１つ以上のポケットを有している。シーリングデバイスが、第１のチャンバアセンブリと、第２のチャンバアセンブリとの間に係合するとき、ガスは、１つ以上のポケット内に閉じ込められる。 （もっと読む）

【課題】 収束した荷電ビームを用いたＣＶＤでデバイスを形成した場合、生産性が低く同一のものを安く大量に生産することが難しかった。
【解決手段】 複数の荷電ビームをレンズで収束し、且つ、偏向器で偏向して試料に照射する手段と、試料室にガスを導入する手段を備えた荷電ビーム装置において、加工条件に基づいて導入ガスを制御する手段と複数の荷電ビームを制御する手段により、試料表面に材料堆積、または、エッチング反応により構造体を形成する。 （もっと読む）

【課題】ヒータの設定温度の補正を充分に高い精度で行うことが出来る成膜装置の調整方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、チャンバ１０と、チャンバ１０内に配されたウエハ９０を加熱するヒータ２０とを備えており、ＡＬＤ法によりウエハ９０上に被形成膜を成膜するものである。成膜装置１においては、後述する調整方法によって、ヒータ２０の設定温度が補正されている。この調整方法は、概括すると、下記ステップ（ａ）および（ｂ）を含むものである。（ａ）被形成膜を構成する元素を含む原料ガスの反応が自己停止する、ヒータ２０の設定温度の範囲である自己停止温度範囲の上限値を取得するステップ（ｂ）上記上限値に基づいて、ヒータ２０の設定温度を補正するステップ （もっと読む）

【課題】高精度なデバイスプロセスを実現する半導体装置の製造方法、およびそれに用いるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】例えば、インピーダンス測定器をノードＮ１に接続し、マッチングボックス１５の経路を遮断した状態でチャンバ１０等を含むプラズマ処理装置を計測する。プラズマ処理装置は等価回路によって表現でき、この計測結果を用いて等価回路の各パラメータを算出する。算出した各パラメータの内、主にチャンバ１０に対応した容量パラメータＣ’が規格に適合するようにチャンバ１０の内壁関連の状態（例えば、チャンバ下部カバーリング１４ａやチャンバ下部カバー１１ａの寸法、材質等）を調整する。そして、この調整が行われた状態で半導体装置を製造する。なお、プラズマ処理装置に、予めチャンバ１０の内壁関連の状態を可変調整できる機能を設けておくことも可能である。 （もっと読む）

【課題】複数のガスにより成膜を行う際に、ガスの利用効率を高めるとともに成膜特性を良好にする。
【解決手段】成膜装置１００は、成膜処理を行う反応室１０２と、第１の原料ＡおよびガスＢをそれぞれ反応室１０２に供給する第１のガス供給ライン１１２および第２のガス供給ライン１５２と、反応室１０２に供給されるガスをプラズマ励起する励起部１０６とを含む。このような構成の成膜装置１００において、第１の原料Ａ由来のガスおよびガスＢを反応室１０２に供給して、第１の原料Ａ由来のガスを基板上に吸着させて堆積層を形成する第１の工程と、第２のガスを反応室１０２に供給して、プラズマ励起した状態で、堆積層に作用させる第２の工程と、により成膜処理を行う。 （もっと読む）

【課題】膜前駆体（３５０）の露出表面積を向上させることにより成膜速度を向上するため、高伝導性の気相供給システム（４０）に結合された、高伝導性のマルチトレー膜前駆体蒸発システム（５０、３００）を示した。
【解決手段】マルチトレー膜前駆体蒸発システムは、１または２以上のトレー（３３０、３４０）を有する。各トレーは、例えば、固体粉末状または固体タブレット状の膜前駆体を支持し、保持するように構成される。また、膜前駆体が加熱されている間、各トレーは、膜前駆体の上部に流れるキャリアガスに、高い導電性が提供されるように構成されても良い。例えば、キャリアガスは、膜前駆体の上方から内方に流れ、積層可能なトレー内の流束溝を介して垂直に上方に流れ、固体前駆体蒸発システム（３００）の出口（３２２）から排出される。 （もっと読む）

【課題】配線基板を有するディスプレイ装置の、膜質の劣化を回避しながらもタクトの増加を抑制することが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、共通の導電部材を構成する第１及び第２の導電膜をレーザＣＶＤ法によって形成する結線膜で電気的に連結する第１工程と、窒素ガス（Ｎ_２）及び酸素ガス（Ｏ_２）の一方を雰囲気に加えて結線膜の表面にレーザＣＶＤ法によって結線保護膜を形成する第２工程とを含む複数の工程によって、配線基板の製造を行う。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッド部の表面に不要な付着膜が堆積しても、その輻射率の変動を抑えて被処理体毎の温度変化を抑制することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】排気可能になされた処理容器４と、前記処理容器内に設けられて被処理体Ｗを載置するための載置台２４と、前記被処理体を加熱するための加熱手段３０と、前記載置台と対向するように前記処理容器の天井部に設けられて成膜用の原料ガスを供給するシャワーヘッド部６と、を有して前記被処理体の表面に所定の薄膜を堆積する成膜装置において、前記シャワーヘッド部の表面を、表面処理により輻射率が０．５以上になるように設定する。これにより、シャワーヘッド部の表面に不要な付着膜が堆積しても、その輻射率の変動を抑えるようにする。 （もっと読む）

【課題】Ｗを材質とするコンタクトプラグあるいはビアプラグを有する半導体装置およびその製造方法であって、コンタクトプラグあるいはビアプラグ内のバリアメタル膜を薄く形成する場合であっても、バリアメタル膜の下層に影響を与えにくい半導体装置およびその製造方法を実現する。
【解決手段】コンタクトホールまたはビアホール内に、ＴｉＮ膜等のバリアメタル膜を形成する。その後、ＷＦ₆ガスをＢ₂Ｈ₆ガスにより還元させるＣＶＤ法により、Ｗ核付け膜をバリアメタル膜上に形成する。そして、ＣＶＤ法によりＷ核付け膜上にコンタクトプラグまたはビアプラグとしてＷプラグを形成する。 （もっと読む）

【課題】更なる新規の前駆物質、特にＷＮ層用の前駆物質であって、明細書中に記載の欠点を有さず又は少なくとも公知の前駆物質に対する明らかな向上をもたらす前駆物質に大きな要望があった。
【解決手段】一般式（Ｉ）
【化１】


［式中、Ｍ、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は明細書中の意味を有する］で示される化合物によって解決される。 （もっと読む）

【課題】原子層成長と気相化学成長を連続して同一の反応装置に実行することにより、従来できなかった高品質膜を形成する。
【解決手段】上部室と、上部室の下側に配置され、シャワーヘッドの軸方向に見て上部室により覆われ、かつ上部室とガス連通しない下部室とを含むシャワーヘッドを使って、基板上に薄膜を形成する方法は、原子層成長（ALD）膜及び化学気相成長（CVD）膜を連続して形成するか、または熱ALD膜及びプラズマALD膜を連続して形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリ素子の製造方法に関するものであり、タングステンシリサイド膜の抵抗を減少させながらタングステンシリサイド膜とポリシリコン膜との界面特性を向上させること、タングステンシリサイド膜内のフッ素による誘電体膜の劣化を防止することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の上部にトンネル酸化膜１２及び第１ポリシリコン膜１３を形成した後、パターニングする段階と、全体構造の上部に誘電体膜１４、第２ポリシリコン膜１５及びタングステンシリサイド膜１６を形成する段階と、酸化工程を実施して上記タングステンシリサイド膜１６内の剰余シリコンを上記タングステンシリサイド膜１６の上部の表面に移動させた後、酸化させて酸化膜１７を形成する段階と、上記酸化膜１７を除去する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の電気的特性を損なうことがないように、金属系膜中の炭素濃度を低減できる脱炭素処理方法および成膜方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板であるＳｉ基板１上に、ゲート絶縁膜２を形成し、次いでゲート絶縁膜２上に、Ｗ（ＣＯ）_６ガスを含む成膜ガス用いたＣＶＤによって、Ｗ系膜３ａを形成する。その後、還元性ガスの存在下で酸化処理し、Ｗ系膜３ａ中のＷは酸化させずにＣのみを選択的に酸化させてＷ系膜３ａ中に含まれるＣ濃度を減少させる。その後、必要に応じて熱処理を施した後、レジスト塗布、パターニング、エッチング等を行い、さらにイオン注入等によって不純物拡散領域１０を形成し、ＭＯＳ構造の半導体装置を形成する。 （もっと読む）

【課題】 熱およびプラズマ増強蒸着のための装置および操作方法を提供することである。
【解決手段】 基板上の蒸着のための方法、コンピュータ読み取り可能なメディアおよびシステムであって、処理システムの移送空間から真空アイソレーションされた処理システムの処理空間に基板を配置し、移送空間から真空アイソレートが維持されている間、処理空間の第１の位置または第２の位置のいずれかで基板を処理し、前記第１の位置または第２の位置のいずれかで前記基板に材料を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】低蒸気圧原料を使用したＣＶＤ法による成膜においても、キャリアガス中のソースガスの濃度を高精度且つ迅速に調整できる、ＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜室に固体または液体原料から発生されたソースガスをキャリアガスにより搬送する原料供給装置を備えた成膜装置は、上記原料供給装置は、上記ソースガスの濃度を測定する濃度測定手段と、上記ソースガスの測定濃度に基づいて、上記ソースガスを搬送中の上記キャリアガスに付加する不活性ガスの流量を増減する不活性ガス質量流量制御手段と、を含み、前記不活性ガス質量流量制御手段は、前記測定濃度が成膜処理に適正な濃度範囲の上限値を上回った場合には前記不活性ガスの流量を増加し、前記測定濃度が前記適正な濃度範囲の下限値を下回った場合には、前記不活性ガスの流量を低減する制御を行い、前記ソースガス濃度の前記適正な濃度範囲からの逸脱を修正することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スループットをほとんど低下させることなく、成膜処理時における膜厚等の熱処理の再現性も高く維持することができる熱処理方法を提供する。
【解決手段】 排気可能になされた処理容器１４内の載置台２０上に被処理体Ｗを載置し、該被処理体を加熱手段４６により所定の設定温度まで昇温すると共に、前記処理容器内に所定のガスを流して所定の熱処理を施すようにした熱処理方法において、前記被処理体に対して前記所定の熱処理を施す直前に、前記被処理体が前記所定の温度に維持されている時に前記加熱手段に印加される電力よりも大きな電力を前記加熱手段に短時間だけ印加する短時間大電力供給工程を少なくとも１回行うようにする。これにより、スループットをほとんど低下させることなく、成膜処理時における膜厚等の熱処理の再現性も高く維持する。 （もっと読む）

【課題】金属窒化ケイ素ベース膜、金属酸化ケイ素又は金属酸窒化ケイ素ベース膜を形成させるために好適な前駆体の提供。
【解決手段】次の構造により表される有機金属錯体。


（式中、Ｍは、元素周期表の４族から選択される金属であり、そしてＲ^1〜4は、同一又は異なって、ジアルキルアミド、ジフルオロアルキルアミド、水素、アルキル、アルコキシ、フルオロアルキル及びアルコキシ、脂環式、並びにアリールから成る群から選択されることができるが、但しＲ¹及びＲ²が、ジアルキルアミド、ジフルオロアルキルアミド、アルコキシ、フルオロアルキル及びアルコキシである場合には、それらは連結して環を形成することができる。）。関連化合物もまた、開示されている。上記錯体を用いるＣＶＤ及びＡＬＤ堆積法がまた、含まれる。 （もっと読む）