【課題】半導体素子の銅配線形成において、バリア膜として比抵抗が低く、バラツキの小さい窒化タングステン薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】下地膜２２、絶縁膜２３に形成された孔３１を有する基板２０をＣＶＤ装置に搬入する。アンモニアガスを導入し、電離した窒素及び水素を含むプラズマで基板表面２０をクリーニングする。この後プラズマを消滅させ、アンモニアガスに加えて六フッ化タングステンガスを導入し基板表面に窒化タングステン薄膜２４を成長する。さらにアンモニアガスに替えシランガスを導入し、タングステン薄膜２５を成長する。これにより積層構造のバリア膜３３を得る。低温でクリーニング後直ちに窒化タングステン薄膜の成長が開始でき、またこの積層構造のバリア膜はバリア性が高く比抵抗が低い。この後バリア膜の上に銅２６を成長しＣＭＰにより平坦化し銅配線２７とする。 （もっと読む）

【課題】ガスシャワーヘッドなどと呼ばれているガス供給装置において、基板の中心部から外周部に向かうガス流について周方向の間の流速分布を従来に比べて揃えることで、例えば十文字状のパーティクルの密集領域の発生を抑え、しかもプロセス条件の自由度を広げられるようにすること。
【解決手段】ガス供給装置のシャワープレートに穿設されるガス供給孔の配列パターンを、多数の同心円上に配列するようにし、かつ同心円上のガス供給孔と内側に隣り合う同心円及び外側に隣り合う同心円の各直近のガス供給孔とが同心円の半径上に並ばないように設定する。 （もっと読む）

【課題】複雑なプロセスを経ることなく十分な還元性をもって酸化還元反応によるＣＶＤにより金属膜を成膜することができるＣＶＤ成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー２１内のサセプタ２２上にウエハＷを配置し、ガス供給機構５０の金属化合物ガス供給部５１から金属化合物ガスを、還元性有機化合物ガス供給部５２から還元性有機化合物ガスを連続的にチャンバー１２１内に供給することによりウエハＷの表面に金属膜を形成する。 （もっと読む）

本発明は、金属基板への気相における化学的蒸着による、炭化クロム、チッ化クロム、または炭チッ化クロムあるいは化学的特性がクロムの化学的特性に近い金属元素を基材とする非酸化物セラミックタイプの被覆の蒸着方法であって、主として、ａ） ビス（アレン）群に属し分解温度が３００℃から５５０℃の間に含まれる、蒸着すべき金属の前駆分子化合物であって酸素原子のない溶媒に溶解された化合物を含む溶液を用意するステップと、ｂ） エアロゾルの形態の前記前駆体溶液を、溶媒の沸騰温度と前駆体の分解温度との間に含まれる温度に熱せられた蒸発装置（３）内に投入するステップと、ｃ）蒸発装置（３）およびＣＶＤ反応装置（１０）に大気圧がかかっている状態で、蒸発装置（３）の中性ガス束により、前駆体および気化エアロゾルを、被覆すべき基板を支持し前駆体の分解温度より高い温度であって最高でも５５０℃までの温度に熱せされたサセプタ（１３）を備える冷壁ＣＶＤ反応装置（１０）側に移動させるステップとを含むことを特徴とする方法を対象とする。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性および耐摩耗性を発揮する表面被覆サーメット製切削工具を提供する。
【解決手段】 硬質被覆層がＴｉ化合物層の下部層と、（Ａｌ，Ｃｒ）₂Ｏ₃層の上部層で構成された被覆サーメット工具において、前記下部層に層間介在層として改質ＷＣ層を介在させ、前記上部層を、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、前記結晶粒の結晶面である（０００１）面および（１０-１０）面の法線がなす傾斜角を測定し、この測定値から、構成原子共有格子点分布グラフを作成した場合に、Σ３に最高ピークが存在し、かつ前記Σ３のΣＮ＋１全体に占める分布割合が６０％以上である構成原子共有格子点分布グラフを示す改質（Ａｌ，Ｃｒ）₂Ｏ₃層で構成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に堆積された膜組成物及びその半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】基板を少なくとも１つの付着性材料に、この材料が基板上に吸着するのに十分な露出を行うことによってイニシエーション層を形成する。イニシエーション層は第１の反応性部位を与え、この部位を第１の反応材料と、原子層堆積条件下で化学的に反応させて第２の反応性部位を形成する。第２の反応性部位を第２の反応材料と、イニシエーション層上に反応層を形成するのに十分なプロセス条件下で化学的に反応させる。このプロセスを繰り返して、連続的な反応層をイニシエーション層上に形成することができる。イニシエーション層を構成する付着性材料は、原子層堆積法によって劣化しないものである。イニシエーション層は、１つまたは複数の反応層とともに最終的な膜を構成する。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性および耐摩耗性を発揮する表面被覆サーメット製切削工具を提供する。
【解決手段】 硬質被覆層がＴｉ化合物層の下部層と、（Ａｌ，Ｃｒ）₂Ｏ₃層の上部層で構成された被覆サーメット工具において、工具基体と前記下部層の間に改質ＷＣ層を介在させ、前記上部層を、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、前記結晶粒の結晶面である（０００１）面および（１０-１０）面の法線がなす傾斜角を測定し、この測定値から、構成原子共有格子点分布グラフを作成した場合に、Σ３に最高ピークが存在し、かつ前記Σ３のΣＮ＋１全体に占める分布割合が６０％以上である構成原子共有格子点分布グラフを示す改質（Ａｌ，Ｃｒ）₂Ｏ₃層で構成する。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が難削材の高速切削加工ですぐれた耐チッピング性および耐摩耗性を発揮する被覆サーメット工具を提供する。
【解決手段】硬質被覆層がＴｉ化合物層の下部層と、α型Ａｌ₂Ｏ₃層の上部層で構成された被覆サーメット工具において、工具基体と前記下部層の間に改質ＷＣ層を介在させ、前記上部層を、電界放出型走査電子顕微鏡と電子後方散乱回折像装置を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記結晶粒の各結晶面の法線が表面研磨面の法線と交わる角度を測定し、この測定結果から（０００１）面および｛１０−１０｝面を選び出し、さらに、選び出した（０００１）面および｛１０−１０｝面において、それぞれ隣接する結晶粒相互の界面（結晶粒界面単位）における（０００１）面の法線同士および{１０−１０}面の法線同士の交わる角度が１５度以下の結晶粒界面単位が全体の４５％以上を占める結晶粒界面配列を示す改質α型Ａｌ₂Ｏ₃層で構成する。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が難削材の高速切削加工ですぐれた耐チッピング性および耐摩耗性を発揮する被覆サーメット工具を提供する。
【解決手段】硬質被覆層がＴｉ化合物層の下部層と、α型Ａｌ₂Ｏ₃層の上部層で構成された被覆サーメット工具において、前記下部層に層間介在層として改質ＷＣ層を介在させ、前記上部層を、電界放出型走査電子顕微鏡と電子後方散乱回折像装置を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記結晶粒の各結晶面の法線が表面研磨面の法線と交わる角度を測定し、この測定結果から（０００１）面および｛１０−１０｝面を選び出し、さらに、選び出した（０００１）面および｛１０−１０｝面において、それぞれ隣接する結晶粒相互の界面（結晶粒界面単位）における（０００１）面の法線同士および{１０−１０}面の法線同士の交わる角度が１５度以下の結晶粒界面単位が全体の４５％以上を占める結晶粒界面配列を示す改質α型Ａｌ₂Ｏ₃層で構成する。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性および耐摩耗性を発揮する表面被覆サーメット製切削工具を提供する。
【解決手段】硬質被覆層がＴｉ化合物層の下部層と、α型Ａｌ₂Ｏ₃層の上部層で構成された被覆サーメット工具において、前記下部層に層間介在層として改質ＷＣ層を介在させ、前記上部層を、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、前記結晶粒の結晶面である（０００１）面および（１０-１０）面の法線がなす傾斜角を測定し、この測定値から、構成原子共有格子点分布グラフを作成した場合に、Σ３に最高ピークが存在し、かつ前記Σ３のΣＮ＋１全体に占める分布割合が６０％以上である構成原子共有格子点分布グラフを示す改質α型Ａｌ₂Ｏ₃層で構成する。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、基板の表面にシード膜等の薄膜を均一に成膜できるようにする。
【解決手段】金属またはその化合物とカルボン酸とをカルボン酸蒸気を含む雰囲気下で加熱反応させ、金属またはその化合物とカルボン酸との反応生成物を飛散させて、金属またはその化合物からなる薄膜を基板の表面に成膜する。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性および耐摩耗性を発揮する表面被覆サーメット製切削工具を提供する。
【解決手段】 硬質被覆層がＴｉ化合物層の下部層と、α型Ａｌ₂Ｏ₃層の上部層で構成された被覆サーメット工具において、工具基体と前記下部層の間に改質ＷＣ層を介在させ、前記上部層を、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、前記結晶粒の結晶面である（０００１）面および（１０-１０）面の法線がなす傾斜角を測定し、この測定値から、構成原子共有格子点分布グラフを作成した場合に、Σ３に最高ピークが存在し、かつ前記Σ３のΣＮ＋１全体に占める分布割合が６０％以上である構成原子共有格子点分布グラフを示す改質α型Ａｌ₂Ｏ₃層で構成する。 （もっと読む）

プロセスツールのプロセスチャンバにおいて原子層堆積（ALD）法を用いる材料層の形成方法を開示する。一実施形態例では、本方法は、材料層の標的特性を特定するステップと、材料層に標的特性を作り出すために、ALD法の最中にプロセスチャンバに前駆体ガスを導入するための前駆体パルス時間を決定するステップと、決定された前駆体パルス時間にわたってチャンバに前駆体ガスを導入し、その結果材料層を形成する複数のステップを含むALD法を行うステップと、を含む。
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【課題】還元ガスを選択的に活性化することにより、不純物元素の混入が抑制された低抵抗のタングステン膜を効率的に形成することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】 被処理体Ｓの表面に薄膜を形成する成膜装置において、真空引き可能になされた処理容器１４と、前記処理容器内で前記被処理体を載置する載置台２０と、前記被処理体を加熱する加熱手段４４と、前記処理容器内へタングステン含有ガスと還元ガスとを供給するガス供給手段７０と、前記還元ガスを活性化するために通電により発熱する触媒体９４と、前記触媒体に通電を行うために接続された触媒用電源１０６とを備える。これにより、還元ガスを選択的に活性化することにより、不純物元素の混入が抑制された低抵抗のタングステン膜を効率的に形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体記憶装置のキャパシタ形成に際して、下部電極に接続するランディングパッドを簡易に形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜のコンタクト孔内に金属プラグを形成した後に、選択ＣＶＤ技術を用いて、タングステン膜を金属プラグと自己整合的に成長することにより、金属プラグに対応してランディングパッドを形成する。その上に下部電極、容量絶縁膜、及び、上部電極を順次に形成する。 （もっと読む）

【課題】金属含有膜を作製するために使用される多座β−ケトイミナートの金属含有錯体を提供する。
【解決手段】例えば、ビス（２，２−ジメチルー５−（ジメチルアミノエチルーイミノ）ー３ーヘキサノナートーＮ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムやトリス（２，２−ジメチルー５−（ジメチルアミノエチルーイミノ）ー３ーヘキサノナート）イットリウムなどの化合物が挙げられる。 （もっと読む）

本発明は一般的に、材料の堆積のための方法を提供し、さらに詳細には、本発明の実施形態は、障壁層、シード層、導電材料および誘電材料を堆積するために、光励起技術を利用する化学気相堆積処理および原子層堆積処理に関する。本発明の実施形態は一般的に、支援型処理の方法および装置を提供し、支援型処理は、均一に堆積される材料を提供するために行われてもよい。 （もっと読む）

【課題】金属カルボニル前駆体を用いて基板上に形成される金属薄膜のＣＯ中毒を抑制する方法及び装置を提供する。
【解決手段】金属薄膜８４０、８６０は、薄膜堆積システム１、１００の基板ホルダー２０、１２０上に載せられた基板２５、１２５上に形成される。基板ホルダー２０、１２０は、基板ホルダー２０、１２０の周辺端部に位置付けられて基板２５、１２５の周辺端部を取り囲む防御リング２１、１２４を有する。防御リング２１、１２４は基板２５、１２５の周辺端部でのＣＯ副生成物の生成を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 堆積システムのパーティクルコンタミネーションを減少するように構成された排気装置を提供することである。
【解決手段】 基板上の蒸着のための方法およびシステムであって、処理システムの移送空間から分離（アイソレーション）された処理システムの処理空間に基板を配置し、移送空間から分離が維持されている間、処理空間の第１の位置または第２の位置のいずれかで基板を処理し、前記第１の位置または第２の位置のいずれかで前記基板に材料を堆積させる。さらに、システムは、処理空間に組み合わせられるように構成された装置を排気する高いコンダクタンスを含み、それによって、堆積システムで処理される基板の粒子汚染が最小にされる。 （もっと読む）

【課題】高堆積レートで膜の均一性の良好な堆積システムを提供する。
【解決手段】供給ガスとして金属カルボニル先駆体（５２）及びＣＯを利用する堆積プロセスの初期化方法及びシステムについて説明する。プロセスチャンバ（１０）内での堆積プロセス前、気化系（５０）を介して先駆体を排気系へ輸送する、ＣＯを有する供給ガスの流れが確立される一方でプロセスチャンバ（１０）を通過する。ＣＯガス及び蒸気先駆体が排気系へ流れる間、たとえば不活性ガス、ＣＯ又はこれらを混合させたガスのようなパージガスが、プロセスチャンバ（１０）に導入されて良い。一旦安定したＣＯガス及び先駆体蒸気の流れが確立されると、ＣＯガス及び先駆体蒸気は、プロセスチャンバ（１０）に導入され、安定した基板上への金属層の堆積が実現する。 （もっと読む）