【課題】欠陥等が無く均質化され同じ内部応力の半導体薄膜を、基板の両面に同時に結晶成長させることができ、しかも、製造工程が簡単で、歩留まりも高い半導体薄膜の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体薄膜の製造方法は、基板３の表面３ａに第１の半導体薄膜を、この基板３の裏面３ｂに第２の半導体薄膜を、同時に形成する半導体薄膜の製造方法であり、基板３の表面３ａを赤外線ランプ１５で加熱するとともに、この表面３ａに第１の原料ガスｇ１を導入し、この表面３ａに第１の半導体薄膜を成長させ、同時に、この基板３の裏面３ｂに第２の原料ガスｇ２を導入し、この裏面３ｂに第２の半導体薄膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】平坦度や膜厚均一性が向上した不純物ドープトシリコン膜を成膜できる基板処理技術を提供する。
【解決手段】金属膜と該金属膜の表面の少なくとも一部に金属酸化膜が形成された基板を処理室内へ搬入する工程と、前記基板を収容した処理室内へ不純物含有ガスを供給し、前記金属酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、前記処理室内に前記不純物含有ガスおよびシリコン含有ガスを供給し、前記金属膜上に不純物が添加されたシリコン含有膜を形成するシリコン含有膜形成工程と、前記シリコン含有膜が形成された基板を処理室内から搬出する工程とから、半導体装置の製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼板の表面に微細な粗面化テクスチャーを均一に形成させる技術であって、特に薄膜Ｓｉ太陽電池の基板に好適な技術を提供する。
【解決手段】フェライト系ステンレス鋼板を、ｐＨが１１.０以上の水溶液中で−０.５〜−２.２Ｖｖｓ.ＳＣＥの電位で陰極電解することにより、不動態皮膜の膜厚を４.０ｎｍ以下とする工程（陰極電解工程）、
前記陰極電解工程を終えた鋼板を、ＦｅＣｌ₃濃度２〜５０質量％、ＨＣｌ濃度０.１〜２０質量％の塩化第二鉄＋塩酸混合水溶液中に浸漬することにより表面にピットを発生させ、表面に占めるピット発生部分の投影面積の割合（ピット占有面積率）を４０％以上、かつ平均面粗さＳＰａを０.０５〜０.３０μｍ未満とする工程（エッチング工程）、
を有する微細粗面化ステンレス鋼板の製造法。 （もっと読む）

【課題】表面処理における基板の面内均一性を維持しながら、基板に供給する原料流体の使用量を低減する表面処理装置を提供する。
【解決手段】回転する基板１８面に垂直方向を軸方向とした時の基板１８に対する前記原料流体の軸方向速度分布に基づいて算出された流量で、前記原料流体が基板１８に向かって縦型流として供給され、基板１８の径（ｄ）に対する原料流体供給流路部２８の流入口の径（Ｄ）の割合（Ｄ／ｄ）が、１〜１．１２５の範囲である表面処理装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】表面処理時では被処理物以外の箇所に副生成物が堆積することを抑制し、クリーニング処理時では堆積した副生成物が効率的に除去される表面処理装置を提供する。
【解決手段】筐体部１０内に設けられる円筒状の試料保持台１２上の基板１８に対して表面処理に利用される原料流体が供給される際には、試料保持台１２の側方周囲に設けられる隔壁１４は、試料保持台１２の側面を覆う位置に移動し、基板１８に対して筐体部１０内のクリーニング処理に利用されるクリーニング流体が供給される際には、隔壁１４は、試料保持台１２の側面が露出する位置に移動する表面処理装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳトランジスタのソース−ドレイン置換技術に関し、装置一式を利用して基板材料に窪みをエッチングして、その後、応力を有する異なる材料を堆積することに関し、大気に曝すことなく、エッチングとその後の堆積とを行う方法の提供。
【解決手段】エッチングおよびデポジションによりＣＭＯＳトランジスタの接合領域を形成する方法であって、
第１接合領域２７０を形成すべくゲート電極１９０の隣の基板１２０の第１箇所と、前記基板１２０に第２接合領域２８０を形成すべく前記ゲート電極１９０を介して前記第１箇所とは反対側に位置する前記基板１２０の第２箇所とを除去する工程と、前記第１接合領域２７０と前記第２接合領域２８０とに結晶質材料のエピタキシャル厚みを有する層を形成する工程とを含み、前記除去する工程と前記形成する工程は同一のチャンバ内で前記チャンバの封止を破ることなく行う。 （もっと読む）

【課題】堆積プロセスの効率が低下しない、真空コーティング装置の動作方法を提供する。
【解決手段】フェーズＩでは、コーティングチャンバ１１がフッ素を含むガスによって洗浄された後、残留物１３がチャンバ壁に付着している。フェーズＩＩでは、ＰＥＣＶＤ法を用いて基板なしで堆積ステップが行われ、コーティングチャンバ１１の内壁全体に拡散防止層１５が形成される。拡散防止層１５は、フェーズＩで残った残留物１３の全てを覆い、当該の残留物１３がチャンバ内へ拡散することを阻止する。フェーズＩＩＩでは、拡散防止層１５によって完全に覆われたコーティングチャンバ１１に、ソーラーセルを製造するための基板１７が配置され、従来のコーティングステップが開始される。Ｓｉを含む層を１回または複数回析出した後、再び、フッ素を含むガスによる洗浄ステップが行われ、その際に拡散防止層１５が除去され、初期の状態（フェーズＩ）が達成される。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いて基板に薄膜を形成するとき、従来に比べて成膜速度が向上する薄膜形成装置および薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置は、減圧状態で基板載置面に載置した基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜空間内の前記基板載置面の上方において、前記基板載置面に対して対向する面に分散した複数のガス導入孔を通して前記成膜空間内に薄膜用原料ガスを導入する原料ガス導入部と、前記原料ガス導入部の上方に設けられ、電流が一方の端面から他方の端面に流れる板部材をプラズマ生成素子として有し、前記薄膜用原料ガスを用いて前記成膜空間においてプラズマを生成させるプラズマ電極部と、前記基板載置面に、負電圧のバイアス電圧を印加するバイアス電圧部と、を有する。この装置を用いて、薄膜を基板に形成する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて品質特性がより高いＳi薄膜をより低コストで形成する薄膜形成装置及び方法を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置は、原料ガスと希釈ガスとクリプトンガスの流量を調整することにより得られる第１のガスを成膜空間に供給する工程と、前記第１のガスが供給された前記成膜空間において、電極板に高周波電力を供給してプラズマを生成するとともに、前記載置台にバイアス電圧を印加することにより、前記基板に処理を施す工程と、前記原料ガスと前記希釈ガスの流量を調整することにより得られる第２のガスを前記成膜空間に供給する工程と、前記第２のガスが供給された前記成膜空間において、前記電極板に高周波電力を供給してプラズマを生成することにより、前記基板に薄膜を形成する工程と、を行う。前記第１のガスにおける前記原料ガスと前記希釈ガスの合計流量に対する前記原料ガスの流量の比は、前記第２のガスの前記比に比べて小さい。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高い精度でＳｉＨ_４ガスなどのガスの濃度を測定することができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、レーザ光照射窓を備える成膜容器と、薄膜の原料である原料ガスを成膜容器に供給する原料ガス供給部と、原料ガスに希ガスを添加する希ガス添加部と、成膜容器の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、レーザ光照射窓から成膜容器の内部にレーザ光を照射するレーザ光照射部と、レーザ光照射部から照射されたレーザ光による、成膜容器の内部の空間の応答を検出する検出部と、検出部が検出した結果に基づいて、原料ガス供給部が供給する原料ガスの流量を制御する制御部と、を備えることを特徴とする薄膜形成装置。 （もっと読む）

【課題】長期間使用しても均一な薄膜の形成を維持することができ、さらに、形成される薄膜に薄膜の特性を低下するような不純物が含まれ難い薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置は、成膜容器と、前記成膜容器の成膜空間内に薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間内の基板を載置する載置台の上部に、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向くプラズマ生成用電極板が設けられ、前記成膜空間内の前記ガスを用いて前記成膜空間内でプラズマを生成させるプラズマ電極部と、前記成膜空間に向く前記電極板の面の一部を遮蔽する第１の誘電体板と、前記電極板の面の残りの部分を遮蔽する交換可能な第２の誘電体板と、を含む電極板遮蔽部と、を有する。前記第２の誘電体板は、前記電極板の電流が流れる端面間の経路長の中央の位置に対して少なくとも上流側に位置する領域に設けられる。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板外周部であって、サセプタの裏面側の上段座ぐり部に対応する位置の温度を下げ、基板裏面における外周部と内周部との熱的条件を一定にし、基板裏面における裏面デポの発生を抑制できるサセプタ及びそのサセプタを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することで問題の解決を試みた。
【解決手段】 エピタキシャル層の気相成長を行う際に半導体基板を支持するサセプタであって、サセプタの上面には、内部に半導体基板が配置される座ぐりが形成され、該座ぐりは、半導体基板の外周縁部を支持する上段座ぐり部と、該上段座ぐり部よりも下段でかつ中心側に形成された下段座ぐり部とを有する二段構造を成し、下段座ぐり部には、前記サセプタの裏面まで貫通し、気相成長を行う際にも開放状態となる貫通孔が形成されており、サセプタの裏面側には、上段座ぐり部に対応する位置に溝が設けられたものであることを特徴とするサセプタ。 （もっと読む）

【課題】基板を保持するキャリアのクリーニングを行わなわずとも、高品質な被膜を基板に対して成膜することが可能であり、かつ、効率的な成膜を可能とする成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗがキャリア２１からヒータ（アノードユニット）９０に移載された後、キャリアは成膜室１１から搬出される。基板をヒータに渡した後のキャリアは、成膜中は、仕込・取出室内で待機すればよい。この後、成膜室と仕込・取出室とを隔てるドアバルブを閉状態にする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン膜の結晶成長の速度を速くする技術を提供する。
【解決手段】 気相成長装置１０は、気相成長室３６と、加熱室８と、混合室３８と、トリクロロシランガスを貯蔵する第１貯蔵庫４２と、塩酸ガスと反応するシラン系ガスを貯蔵する第２貯蔵庫４０を備えている。加熱室８は、第１貯蔵庫４２と混合室３８に連通しており、トリクロロシランガスを加熱した後に混合室３８に供給している。混合室３８は、第２貯蔵庫４０と気相成長室３６に連通しており、加熱室８から供給されたガスとシラン系ガスを混合させて、その混合ガス３４を気相成長室３６に供給している。加熱室８の室内温度は、混合室３８の室内温度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜を生産性高く作製する方法を提供する。また、該微結晶半導体膜を用いて、電気特性が良好な半導体装置を生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】反応室内に第１の電極及び第２の電極が備えられたプラズマＣＶＤ装置を用いて、堆積性気体及び水素を第１の電極及び第２の電極の間に配置された基板を含む反応室内に供給した後、第１の電極に高周波電力を供給することにより反応室内にプラズマを発生させて、基板に微結晶半導体膜を形成する。なお、プラズマが発生している領域において、基板端部と重畳する領域のプラズマ密度を、基板端部と重畳する領域より内側の領域のプラズマ密度より高くし、基板端部より内側の領域に微結晶半導体膜を形成する。また、上記微結晶半導体膜の作製方法を用いて、半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】互いに異なるガスをガス種に応じて適切にプラズマ化でき、高品質の薄膜を成膜できるプラズマ処理装置及び被処理体のプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空槽１と、真空槽１内に配置され、真空槽１の内部空間８を被処理体４が配置される第１の空間８ａと第２の空間８ｂとに仕切る仕切部７と、仕切部７に設けられ、第１の空間８ａに向けてガスを放出するガス放出孔７ｂ１と、ガス放出孔７ｂ１に真空槽１外から第１のガスを導入する第１のガス導入部と、第１の空間８ａに真空槽１外から第２のガスを導入する第２のガス導入部と、第２の空間８ｂ側に配置され、内部空間８に高周波放電によってプラズマを発生させるアンテナ５ｂを備えるプラズマ処理装置を用い、互いに異なるエネルギーでプラズマ化された第１のガスと第２のガスとにより被処理体４上に薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】シリコンなどの結晶層の中に、ボロンのデルタドープ層が容易に形成できるようにする。
【解決手段】励起光を、第１半導体層の表面に照射した状態で（ステップＳ１０１）、第１半導体層の上にボロン原子を含む第１ソースガスを導入してボロン導入層を形成し（ステップＳ１０２）、引き続き、励起光が照射されているボロン導入層の上に第２ソースガスを導入して第２半導体層を形成する（ステップＳ１０３）。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置内の堆積物のリモートプラズマクリーニング法に用いられるクリーニングガスにおいて、地球温暖化係数が低く、かつ、高いエッチング速度が得られるクリーニングガス、及びそれを用いるリモートプラズマクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ装置の反応チャンバー１内に堆積した、Ｓｉ含有物、Ｇｅ含有物、又は金属含有物を、リモートプラズマクリーニング法により除去するクリーニングガスにおいて、該ガスはＣＦｘＯｙ［但し、ｘは２又は４であり、ｘ＝２のときｙ＝１〜３の整数、ｘ＝４のときｙ＝１〜４の整数を表す。］とＮ_２が含有されている混合ガスである。 （もっと読む）

【課題】ＶＨＦ帯の高周波電力の供給を行って大面積の被処理基板を処理した場合でも均一なプラズマを得ることができるプラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法を得ること。
【解決手段】プラズマ成膜装置は、真空チャンバと第１の電極とで成膜室が形成され、前記成膜室内に前記第１の電極に対向して配置された第２の電極上に被成膜基板が載置され、前記第１の電極と前記第２の電極との間に発生させたプラズマを用いて成膜をおこなうプラズマ成膜装置であって、前記第１の電極における前記第２の電極に対向する第１の主面の反対側の第２の主面は複数の給電点を有し、前記複数の給電点のそれぞれには、パルス変調された高周波電力が給電され、前記高周波におけるパルスは、ｏｎ時間における第１の期間に第１の電力を有し、前記ｏｎ時間における前記第１の期間に続く第２の期間に第２の電力を有し、前記第１の電力は、前記第２の電力より５％以上高い。 （もっと読む）

【課題】面取り部の形状を再成形するとともに、裏面クラウンを完全に除去し、平坦性に優れた、パーティクルのほとんど無いエピタキシャルウェーハを製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】表裏の主面と該主面の外周の面取り部とからなるシリコン単結晶基板上にエピタキシャル層を成長させることによりエピタキシャルウェーハを製造する方法において、前記シリコン単結晶基板の前記裏面側の主面全面と前記裏面側の面取り部に裏面酸化膜を形成する工程と、該裏面酸化膜を形成したシリコン単結晶基板の表面側の主面上に、４０μｍ以上の膜厚のエピタキシャル層を成長させる工程と、該エピタキシャル層表面に保護酸化膜を形成する工程と、該保護酸化膜を形成したシリコン単結晶基板の面取り部を研削及び研磨する工程と、その後、前記保護酸化膜を除去して、仕上げの洗浄を行う工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）