【課題】形成される膜の膜質及び膜厚が均一となる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池の製造方法では、ガス供給口を有する導電性基板からなるシャワープレートと、第２の電極に対向する前記シャワープレートの面上にガス供給口を覆うように設けられた導電性多孔質材料からなる凸部を有する第１の電極を備え、この凸部より原料ガスを供給するプラズマ処理装置を用いる。そして、基板上に基板側電極を形成する工程と、基板側電極上にこのプラズマ処理装置を用いて光電変換ユニットを形成する工程と、光電変換ユニット上に裏面側電極を形成する工程と、を用いて太陽電池を製造する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの流れ方向におけるサセプタにかかる領域で、上流側での原料ガスの消費を抑え、エピ厚さのウェハ面内の均一性を向上させることができる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体結晶基板１１上に、化合物半導体結晶を気相エピタキシャル成長させる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置１０において、反応炉１８内で原料ガス流路Ｇを形成する反応管１６内にスロープ２３を有する。 （もっと読む）

【課題】基板加熱用ヒータと電極部品との接続部へのプロセスガスの回り込みによる劣化を抑制し、半導体装置の高性能化や信頼性の向上、低コスト化を図ることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室１１にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構１２と、前記反応室より前記プロセスガスを排出するガス排出機構１３と、前記反応室にウェーハＷを載置するウェーハ支持部材１５と、該ウェーハ支持部材を載置するリング１６と、該リングと接続され、前記ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構１７と、前記リング内に設置され、前記ウェーハを所定の温度に加熱するために設けられ、平面度０〜０．０１ｍｍの電極接触面１８ｃを有するヒータ１８ａと、該ヒータの前記電極接触面と、平面度０〜０．０１ｍｍの接触面１９ａで接続され、前記ヒータに電力を供給する電極部品１９と、を備える半導体製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置を用いて得られた膜の膜厚及び膜質が、基板の面内で均一とはならない場合がある。
【解決手段】 基板を保持することが可能な第１電極と、第１電極と対向するように設置され、第１電極と対向する部分に複数のガス供給口が形成されるとともに高周波電力が印加される第２電極とを備え、複数のガス供給口は同心円に沿って設けられると共に、１つの同心円に沿って設けられたガス供給口について、隣接する複数のガス供給口を結んだ弧の長さが内周側と外周側とで異なるプラズマ処理装置を用いた光起電力素子の製造方法であって、基板上に導電性を有する透明電極を形成するステップと、透明導電膜上にプラズマ処理装置を用いて非晶質シリコン半導体または微結晶シリコン半導体を含む光電変換層を形成するステップと、光電変換層上に導電性を有する裏面電極を形成するステップと、を備えることで、上記課題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】 膜質の均一性に優れた堆積膜を有する電子写真感光体を製造する方法を提供する。
【解決手段】 真空気密可能な反応空間を有する反応容器内に、導電性の基体ホルダーに保持された導電性の円筒状基体および導電性の円筒状補助基体を設置し、該反応容器内に堆積膜形成用の原料ガスと高周波電力を導入してプラズマを生成することにより、該円筒状基体の表面に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造方法において、該円筒状基体の端部と該円筒状補助基体の端部とが導電性材料を介して相接している状態で、該堆積膜の形成を行う。 （もっと読む）

【課題】 高品質なシリコン膜を高速で結晶成長させる技術を提供する。
【解決手段】 １２００℃〜１４００℃に加熱されているとともに１５００ｒｐｍ〜３５００ｒｐｍで回転している基板６に向けて、基板の表面に直交する方向から、塩化シランガス１８を供給する。このときの塩化シランガス１８の供給量を、基板６の表面１ｃｍ^２当たり２００μｍｏｌ／分以上とする。 （もっと読む）

【課題】均一な膜厚、膜質の膜を形成できるプラズマ処理装置、及び均一な膜厚、膜質を有する光起電力素子を提供する。
【解決手段】基板を保持することが可能な第１電極３と、第１電極と対向するように設置され、第１電極と対向する部分に複数のガス供給口４ａが形成されるとともに高周波電力が印加される第２電極４とを備え、第２電極は、複数のガス供給口が同心円に沿って設けられると共に、隣接する同心円間の距離が内周側と外周側とで異なるプラズマ処理装置１を用いて、透明導電膜上に非晶質シリコン半導体または微結晶シリコン半導体を含む光電変換層を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハとエピタキシャル層との界面におけるボロン量を抑えるのに好適なエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶をスライス１１して得られたスライスウェーハをラッピング又は研削１１し化学エッチング１２し鏡面研磨１３し洗浄１４した後保管１６されたボロンがウェーハに付着したシリコンウェーハ上にエピタキシャル成長する方法において、保管１６されたシリコンウェーハをＨ₂Ｏ−Ｈ₂Ｏ₂−ＮＨ₄ＯＨの混合液で洗浄１７し、洗浄１７したシリコンウェーハをエピタキシャル成長装置内に搬入１８し、搬入１８したシリコンウェーハの表面に１０００〜１２００℃の温度で塩化水素ガスを流して、エッチング取り代が０．１〜０．５μｍとなるようにウェーハ表面の気相エッチング１９を行い、続いて成長装置内に原料ガスをキャリアガスとともに流して気相エッチングされたウェーハ表面にエピタキシャル層を形成２０する。 （もっと読む）

【課題】製膜室内で発生したパーティクルに起因した製膜室における内部リークの発生が防止され、良好な面内均一性を長期間、安定に実現可能な半導体膜製造装置および半導体膜製造方法を得ること。
【解決手段】製膜室５と、製膜室５の一側壁部に設けられて製膜室５へ基板２を搬入し且つ搬出するための搬入出ゲート１５と、搬入出ゲート１５を介して製膜室５と接続されて製膜室５へ基板２を搬入し且つ搬出するための減圧可能な搬送室２０と、一側壁部の搬送室２０側の側面における搬入出ゲート１５の周縁部の全周にシール材１１を挟んだ状態で搬入出ゲート１５を塞いで製膜室５を密閉可能な開閉自在のゲートバルブ１０と、搬入出ゲート１５に配置されて製膜室５内で発生したパーティクル８を捕捉するためのトラップ板９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 基板の面内方向のキャリア拡散と基板垂直方向のキャリア注入を高効率に行うことのできる、シリコン発光素子用の活性層および該活性層の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】 シリコン発光素子に用いる活性層であり、シリコン化合物からなる第１の層と、該第１の層よりもバンドギャップが大きいシリコン化合物からなる第２の層とが基板上に交互に積層された多層膜構造を有する。また、複数のシリコンナノ粒子が多層膜構造の中に設けられている。第１の層に含まれるシリコン原子の量は、第２の層に含まれるシリコン原子の量よりも多く、複数のシリコンナノ粒子のうちの少なくとも一つは、前記第１の層と前記第２の層との境界面のうち少なくとも一つの面を越えて存在する。 （もっと読む）

【課題】特性の良い半導体薄膜を高速且つ安価に製造することができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜製造装置は、成膜室３１に導入した複数の原料ガスをプラズマCVDにより基板上に成膜する薄膜製造装置において、前記複数の原料ガスを、各々の固体の原料をプラズマエッチングによりエッチングガスと反応させることで生成する原料ガス生成室１２及び２２と、前記原料ガス生成室１２及び２２内の圧力が、5000Pa以上大気圧以下、前記成膜室３１内の圧力が500Pa以下となるように、それぞれの圧力を調整する圧力コントローラ１９、２９及び３９と、前記原料ガス生成室１２及び２２と前記成膜室３１の圧力差を維持しつつ、前記原料ガス生成室で生成された原料ガスを前記成膜室に導入するためのニードルバルブ１７及び２７と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】誘電率が２．７以下であり、弾性計数および硬度の改善等、機械的特性を向上させた超低誘電率（ｋ）膜、および膜の製造方法を提供する。
【解決手段】多相超低ｋ誘電膜４４は、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨの原子を含み、誘電率が約２．４以下であり、ナノサイズの孔または空隙を有し、弾性係数が約５以上であり、硬度が約０．７以上である。好適な多相超低ｋ誘電膜４４は、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨの原子を含み、誘電率が約２．２以下であり、ナノサイズの孔または空隙を有し、弾性係数が約３以上であり、硬度が約０．３以上である。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のホール内に、良好なステップカバレッジを有する均一な膜厚の窒化シリコン層を形成する。
【解決手段】ホールを形成後、１回の第１サイクルと、１回以上の第２サイクルを行う。第１サイクルでは、ホールの上部内壁上に２原子層の第１のシリコン層、ホールの下部内壁上に１原子層の第１のシリコン層を形成後、ホール上部のシリコン層の表面を１分子層の第１の酸化シリコン層とする。ホールの下部内壁上の第１のシリコン層に更に、１原子層の第２のシリコン層を形成後、窒化処理によりホールの内壁全面に第１の窒化シリコン層を形成する。第２サイクルでは、ホール上部の窒化シリコン層上に１分子層の第２の酸化シリコン層を形成後、ホール下部の第１の窒化シリコン層上に１原子層の第４のシリコン層を形成する。この後、窒化処理により、ホールの内壁全面に第２の窒化シリコン層を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理に応じて、適切なイオンエネルギー分布を形成できるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びにプラズマ処理のバイアス電圧決定方法の提供。
【解決手段】載置台２が内部に配置された真空チャンバ１１と、載置台２にＤＣパルス電圧であるバイアス電圧を印加するＤＣパルス電圧発生部３と、を備える。ＤＣパルス電圧発生部３は、イオンのエネルギー値を横軸にとり、イオンの頻度を縦軸にとったイオンエネルギー分布図において、前記ＤＣパルス電圧の振幅値に対応してピークが現れることを利用して、前記振幅値が互に異なる複数種のＤＣパルス電圧を発生させ、これにより前記分布図において互に隣接するピーク同士が重なり合って重なり領域を形成するイオンエネルギー分布パターンがプラズマ処理に適切なパターンとなるように調整される。 （もっと読む）

【課題】ＶＨＦ帯の高周波電力の供給を行って大面積の被処理基板を処理した場合でも均一なプラズマを得ること。
【解決手段】プラズマ成膜装置において、第１の電極における第２の主面は複数の第１の給電点と複数の第２の給電点と少なくとも１つの第３の給電点と少なくとも１つの第４の給電点とを有し、前記複数の第１の給電点と前記複数の第２の給電点とは、対称点に関して対称な位置であって対称軸に関して対称な位置に配されるとともに、給電される高周波電力の位相差が互いに１８０度であり、前記少なくとも１つの第３の給電点と前記少なくとも１つの第４の給電点とは、それぞれ、前記対称点から等距離であり前記対称軸上となる位置に配される、あるいは前記対称点から等距離であり前記対称軸に関して対称な位置に配された１組の給電点を含む。 （もっと読む）

【課題】高い膜密度を保ちつつ結晶性を高くした微結晶シリコン膜の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明の微結晶シリコン膜の作製方法は、絶縁膜５５上に、第１の条件により混相粒５７ａを有する第１の微結晶シリコン膜５７をプラズマＣＶＤ法で形成し、その上に、第２の条件により第２の微結晶シリコン膜５９をプラズマＣＶＤ法で形成する。第１の条件は、処理室内に供給する原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と水素が含まれたガスを用い、処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第１の条件における原料ガスの供給は、堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈したガスの供給と、当該ガスの堆積性気体の流量より低く、且つ絶縁膜上へのシリコンの堆積より絶縁膜上に堆積したシリコンのエッチングが優位となる堆積性気体の流量にしたガスの供給を交互に行うものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炉内で基板の面を処理し、薄層の析出を向上させると共にガス相成分と面の反応を向上させる装置及び方法を提供する。
【解決手段】排気システム及びその方法は、排気ガスがガス処理装置に運ばれるようにする。ドアシールと不活性ガス浄化システムは、炉が安全に作動し、ドアシール領域でプロセスガスの反応を最小にする。排気システムは、プロセス管であって、第１の端部と、第２の端部と、第１の端部と第２の端部との間の外面と、第１の端部の外面に配置された第１の係合面と、を有するプロセス管と、プロセス管の第１の端部と係合するドアであって、プロセス管の第１の端部が挿入される凹んだキャビティを形成するリップと、プロセス管の長手方向軸に対して一定の角度でプロセス管の第１の係合面と係合し、リップの内面に配置された第２の係合面と、プロセス管の第２の端部を貫通する排気管と、を有する。 （もっと読む）

【課題】被処理物の面方向における温度を簡便な方法によって均一にすることができる加熱装置を提供する。
【解決手段】加熱装置２００は、表面２Ｓ上に被加熱物が配置される板状部材２と、表面２Ｓに沿うように配設され被加熱物を加熱する４つの発熱素子３Ａ〜３Ｄと、４つの発熱素子３Ａ〜３Ｄに接続された電力供給手段と、４つのうちいずれかまたは複数同士の発熱素子３Ａ〜３Ｄの接続状態を直列接続および並列接続にそれぞれ変更する接続状態変更手段と、４つのうちいずれかまたは複数の発熱素子３Ａ〜３Ｄの温度を検出する温度検出手段８と、を備え、接続状態変更手段は、温度検出手段８が検出した発熱素子３Ａ〜３Ｄの温度に基づいて、被加熱物に対する加熱量が面方向において均一となるように、４つのうちいずれかまたは複数同士の発熱素子３Ａ〜３Ｄの接続状態を直列接続および並列接続にそれぞれ変更する。 （もっと読む）

【課題】シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜の一括的又は選択的エピタキシャル堆積の清浄な基板表面を調製する方法を提供する。更に、シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜を成長させる方法であって、基板洗浄方法と膜成長方法の双方が７５０℃未満、典型的には約７００℃〜約５００℃の温度で行われる前記方法を提供する。
【解決手段】洗浄方法と膜成長方法は、シリコン含有膜が成長している処理容積において波長が約３１０ｎｍ〜約１２０ｎｍの範囲にある放射線の使用を用いる。反応性洗浄又は膜形成成分化学種の具体的な分圧範囲と組み合わせたこの放射線の使用は、業界で以前に知られている温度より低い温度で基板洗浄とエピタキシャル膜成長を可能にする。 （もっと読む）

【課題】被処理物の温度をより均一にすることが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】被処理物２の温度を制御する温度制御機構３０が、アノード電極３１に設けられる。温度制御機構３０は、加熱器３３、冷却管３４、および低熱伝導物質３５を含む。冷却管３４は、端面３１Ｔからアノード電極３１の内部に入り込み、アノード電極３１の表面３１Ｓに沿うように加熱器３３と並んで延設される。冷却管３４には端面３１Ｔ側から冷却用媒体が通流される。低熱伝導物質３５は、端面３１Ｔから冷却管３４を取り囲みつつアノード電極３１の内部に入り込むように所定の長さＬ２で延在し、冷却管３４の長手方向における一部とアノード電極３１との間を埋める。低熱伝導物質３５は、冷却管３４の長手方向における残部とアノード電極３１とが直接接触している部分の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する。 （もっと読む）