本発明のアルコキシド化合物は、下記一般式（I）で表されるものであり、ＣＶＤ法等の化合物を気化させて薄膜を形成する方法に用いられる薄膜形成用原料に適するものである。また、本発明の薄膜形成用原料は、該アルコキシド化合物を含有してなるものであり、本発明の薄膜の製造方法は、該薄膜形成用原料を気化させて得たアルコキシド化合物を含有する蒸気を基体上に導入し、これを分解及び／又は化学反応させて基体上に薄膜を形成するものである。
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基板支持システム（１４０、２００、３００）は、比較的薄く円形の基板ホルダ（１００）を備え、当該基板ホルダは、その上面と底面との間を延びる複数の通路（１１６、１１８、１２０、２４０、３４０）を有する。基板ホルダ（１００）は、単一の基板支持用棚状部または複数の基板支持用スペーサー羽根（１２４）を含み、当該羽根（１２４）は、基板裏面（１５４）の周縁部を支持するように形成されて、その結果、基板（１６）と基板ホルダ（１００）との間に狭い隙間（１５２）が形成される。羽根（１２４）には、基板ホルダ（１００）が回転すると反応ガスが裏面に堆積しないように角度をつけ得る。中空の支持部材（２２、２０４、３０４）は、基板ホルダ（１００）の裏面（１０６）を支持し得る。中空支持部材（２２、２０４、３０４）は、ガス（例えば、不活性ガスまたは洗浄ガス）を、基板ホルダ（１００）の複数の通路の１つまたはそれ以上の通路（１１６、２４０）内に上方へ輸送するように形成される。上方へ輸送されたガスは、基板（１６）と基板ホルダ（１００）との間の隙間（１５２）内に流れる。本発明の実施形態によって、隙間（１５２）内のガスは、次に、基板の縁（１７）の周りを外側また上方へ、またはもし存在する場合、中空支持部材（２２、２０４、３０４）内に通じていない基板ホルダ（１００）の通路（１１８、１２０、３４０）を通って下方へ流れる。基板縁（１７）の周りを外側および上方へ流れるガスが、基板（１６）上方の反応ガスの裏面への堆積を妨げる。支持部材（２２、２０４、３０４）に通じておらず、通路（１１８、１２０、３４０）を通って下方へ流れるガスが、外方拡散するドーパント原子を基板の表面（１５５）から押し流すことにより、オートドーピングを妨げることが好ましい。一実施形態では、支持部材は、中空の多数のアーム付きの支持スパイダー（２２）を含み、当該支持スパイダー（２２）は、複数の通路（１１６）から選択された通路内にガスを輸送する。他の実施形態では、支持部材は、ボウル状またはカップ状の構造体（２０４）を含み、当該構造体（２０４）は、ガスを上方に全通路（２４０）内に輸送する。さらに他の実施形態では、支持部材は、ボウル状またはカップ状の構造体（３０４）を含み、当該構造体（３０４）は、複数の通路（２４０）の全てに、しかしながら１つまたはそれ以上の通路内に上方へガスを輸送する。
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本発明は、半導体材料の選択的体積のための方法を含む。基板が反応室内に置かれる。基板は第１の面と第２の面とを有する。第１の面と第２の面は半導体材料先駆物質に対して露出されるが、それは、先駆物質からの半導体材料の成長が成長段階の前に誘導期を有し、且つ、成長段階の開始が第１の面におけるよりも第２の面における方が長い時間を要するという条件の下で行われる。第１の面と第２の面の露出は、成長段階が第１の面で生じるのには十分であるが成長段階が第２の面で生じるに足るほどには長くない時間にわたって行われる。
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金属原子とシリコン原子を含む膜中の窒素濃度分布を容易に制御でき、高品質な半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。 基板３０上に金属原子とシリコン原子を含む膜を反応室４で成膜するステップと、前記膜に対して窒化処理を行うステップとを有し、前記成膜ステップでは、少なくとも２段階でシリコン濃度を変化させて成膜するようにした。 （もっと読む）

本発明は、
−ケイ素イオンまたはゲルマニウムイオンのビームを使用して、基材を照射することによる核生成サイト（４）の形成と、
−形成された核生成サイト上でのナノストラクチャー（８）の成長
とを含むナノストラクチャーの形成方法に関する。
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昇華された蒸気の定常流れを真空チャンバへ送達するための蒸気送達システムは、固体物質の気化器、機械式スロットルバルブおよび圧力ゲージ、それに続く真空チャンバへの蒸気導管を備える。蒸気の流量は、その気化器の温度、およびその気化器とその真空チャンバとの間に置かれる機械式スロットルバルブのコンダクタンスの設定の両方により決定される。その気化器の温度は、閉ループ制御により設定点温度に決定される。この機械式スロットルバルブは、電気制御され、例えば、バルブの位置は、圧力ゲージの出力に対する閉ループ制御下にある。このようにして、蒸気の流量は、ほぼ圧力ゲージの出力に比例し得る。上記気化器から上記真空チャンバへの蒸気に曝露されるすべての表面は、凝縮を防ぐために加熱される。ゲートバルブおよび回転式バタフライバルブが、上流スロットルバルブとして作用するように示される。
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基板保持具を構成する支柱や基板載置部などの影響による基板上の膜厚不均一部分
を無くし、基板の膜厚均一性を向上する。
基板処理装置は、ボート（基板保持具）に保持された複数のウェハ（基板）を処理室に収容し、加熱された処理室に処理ガスを供給して、ウェハを成膜処理する。ボートは、略垂直に設けられた少なくとも３本の支柱１５と、支柱に多段に設けられて複数のウェハを所定の間隔で略水平に載置する複数のウェハ支持部１６（基板載置部）と、支柱１５に設置され、ウェハ支持部１６に支持されるウェハに対して所定の間隔で略水平に設けられる複数のリング状プレート１３とを有する。 （もっと読む）

【課題】 基板上に材料を堆積させる方法を提供することである。
【解決手段】 プラズマ増強化学蒸着プロセスを使用して基板上に調整可能な光学的およびエッチング耐性特性を有するＴＥＲＡ膜を堆積させるための方法および装置であって、ＴＥＲＡ膜の堆積の少なくとも一部に対して、プラズマ増強化学蒸着プロセスは、フォトレジストを有する反応を低下させるプリカーサを使用する。この装置は、第１のＲＦ電源に結合された上部電極および第２のＲＦ電源に結合された基板ホルダを有するチャンバと、複数のプロセスおよびプリカーサガスを供給するシャワーヘッドとを含む。 （もっと読む）

差動装置（１０）の耐久性を改良するための方法であって、作動装置（１０）は、ピニオンシャフト（１２）と、ピニオン（１３）の内径の表面と接触するピニオン（１２ａ）とを有する。本方法は、ピニオンシャフト（１２）又はピニオン（１３）又は両方の表面の、ピニオンシャフト（１２）とピニオン（１３）との間の接触面に、ピニオン（１３）の材料と接触する際にピニオンシャフト（１２）の材料より低い摩擦係数及び高い焼き付き抵抗を有するコーティングＣを結合すること、を備える。

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本発明は、ＵＬＳＩデバイスおよびデバイス構造の製造のための低温（例えば＜５５０℃）化学蒸着法によりシリコン含有膜を形成するケイ素前駆体組成物に関する。かかるケイ素前駆体組成物は、少なくとも１個のアルキルヒドラジン官能基と置換され、ハロゲン置換がない、少なくとも１種のシラン誘導体またはジシラン誘導体を含む。 （もっと読む）

化学蒸着及び原子層堆積などの方法により、窒化タンタル又は酸化タンタル材料を基板上に堆積させるのに有用なタンタル前駆体。前駆体は、銅金属化及び／又は強誘電性薄膜を特徴とするマイクロエレクトロニクス素子構造上にタンタルベースの拡散バリヤ層を形成するのに有用である。

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【課題】ヘキサクロロシランからのシリコン含有膜の堆積を提供する。
【解決手段】処理システムの低圧堆積プロセスによってシリコン含有膜と基板を堆積するための方法を提供する。シリコン含有膜は、処理システムの処理チャンバーに基板を供給し、基板を加熱し、基板にヘキサクロロシラン（ＨＣＤ）処理ガスを露出することによって、基板上に形成できる。この方法は、基板のシリコン表面上にエピタキシャルシリコン含有膜を選択的に堆積するか、基板上にシリコン含有膜を非選択的に堆積するかすることができる。ＨＣＤ処理ガスを使用してシリコン含有膜を基板上に形成するための処理システムを含んでいる処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】バッチタイプ処理システムにおいて順次ガス露出処理によって基板上に金属含有膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】バッチタイプ処理システムの処理チャンバーに基板を供給し、基板を加熱し、金属含有前駆体ガスのパルスと反応ガスのパルスを処理チャンバーに順に流し、これらの流し処理を所望の膜特性を有する金属含有膜が基板上に形成されるまで繰り返す。この方法によって、ＨｆＯ_２やＺｒＯ_２などの酸化金属膜、Ｈｆ_ｘＯ_ｚＮ_ｗやＨｆ_ｘＯ_ｚＮ_ｗなどの酸窒化金属膜、Ｈｆ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚやＺｒ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚなどのケイ酸金属膜、Ｈｆ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚＮ_ｗやＺｒ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚＮなどの窒素含有ケイ酸金属が形成できる。 （もっと読む）

プラズマプロセスシステムは、プラズマ特性のその場測定を行う診断装置を備える。この診断装置は、通常、プラズマプロセスチャンバ内に配置された非侵襲性センサアレイと、このセンサを刺激する電気回路と、プラズマプロセスをモニタまたは制御するために、センサの測定値を記録して通信する手段とを備える。一実施形態では、このセンサは、入射荷電粒子電流と電子温度とを、プロセスシステム内のプラズマ境界近傍で測定する動的にパルス化したデュアルフローティング・ラングミュアプローブである。このプラズマ測定値を用いて、プロセス用プラズマの状態をモニタしてもよいし、プラズマプロセスを制御するのに用いるために、このプラズマ測定値をプロセスシステムコントローラに提供してもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体用途における誘電体膜を形成するためのシステム及び方法、特に、混合気化前駆体を用いて基板上に多成分誘電体膜を作製するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】本発明は、気化した前駆体の混合物が、原子層堆積（ＡＬＤ）処理における単一パルス段階中にチャンバ内に一緒に存在して多成分膜を形成するような気化前駆体の混合をもたらすためのシステム及び方法を提供する。気化前駆体は、少なくとも１つの異なる化学成分から成り、そのような異なる成分が単層を形成して多成分膜を生成することになる。本発明の更に別の態様では、組成勾配を有する誘電体膜が提供される。 （もっと読む）

流動性絶縁材料から残留炭素堆積物を除去する方法。流動性絶縁材料はケイ素、炭素および水素を含むもので、流動性酸化物材料またはスピンオン流動性酸化物材料である。残留炭素堆積物は、流動性絶縁材料をオゾンに曝露することによってその流動性絶縁材料から除去される。流動性絶縁材料は、半導体基板上に配置されたトレンチの中に絶縁層を形成するために使用される。 （もっと読む）

【課題】空間的に均一な密度のプラズマを生成することができるプラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１内に複数個の高周波アンテナ１６を配置し、各高周波アンテナ１６にインピーダンス素子１７を接続する。高周波電源２０に、銅板１８を介して複数の高周波アンテナ１６を並列に接続する。各インピーダンス素子１７をそれぞれ適切な値に調節することにより、高周波電源２０から各高周波アンテナ１６に供給される高周波電力を制御する。これにより、真空容器１１内のプラズマ密度の均一性を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば１ｍ×１ｍ乃至２ｍ×２ｍ級の大面積基板に対しても高速且つ均一性に優れることを課題とする。
【解決手段】内部に基板７５がセットされる、排気系５９を備えた真空容器４１と、この真空容器４１内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、前記真空容器４１内に前記基板７５と対向して配置された電極４６と、この電極４６に高周波電力を供給して放電用ガスを放電させてプラズマを生成する電力供給系とを具備し、生成したプラズマを利用して真空容器４１に配置される基板７５の表面を処理する表面処理装置において、前記電極４６は金属製の薄膜構造であることを特徴とする表面処理装置。 （もっと読む）