【課題】 高熱発生を伴う高速断続重切削において、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、硬質被覆層を蒸着形成してなる表面被覆切削工具において、下部層はＴｉ化合物層で構成され、また、上部層は、一層平均層厚０．８〜１．５μｍの酸化アルミニウム層と一層平均層厚０．４〜０．６μｍのジルコニウム含有酸化アルミニウム層との交互積層構造として構成され、さらに、上記ジルコニウム含有酸化アルミニウム層におけるジルコニウム含有割合は、層厚方向に沿って組成が変化し、かつ、層厚方向の中間領域で、最大値１３〜１６原子％を示す。 （もっと読む）

【課題】ウェハの面内温度分布があることを前提にし、しかもスリップの発生を抑制できる化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、ドーパント原料、ＩＩＩ族原料、Ｖ族原料及び希釈用ガスを供給してエピタキシャル層を順次形成する化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、基板１１上に形成する最下層のエピタキシャル層の成長時のウェハ中心部とウェハエッジ部の温度分布の差を５０℃未満にして最下層をエピタキシャル成長させるものである。 （もっと読む）

本発明は、源から、コーティングされる物品へ、アルミニウムと反応成分とを共転送および共堆積する処理の制御が改善された気相コーティング技術である。一つの方法は、反応成分源を供給する工程を含んでおり、反応成分源の少なくとも一部が反応成分の非ハロゲン化合物を含んでおり、また、アルミニウム源を供給する工程と、ハロゲン化合物活性化剤を供給する工程と、アルミニウムと反応成分とを含んでいる種が、上記金属性表面上に共堆積されてコーティングを形成する効果的な条件で、金属性表面を持つ物品と、反応成分源と、アルミニウム源と、ハロゲン化合物活性化剤とを加熱する工程とを含んでいる。
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【課題】 膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成する。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に変化させる工程と、処理容器内に原料ガスを供給することで、窒化層上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、窒化層上に形成された所定元素含有層および窒化層を、酸化層また酸窒化層に変化させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜または酸窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】ＨＥＭＴ用エピタキシャル層の移動度を低下させることのない、電気特性の良いトランジスタ素子用エピタキシャルウェハを製造することができるトランジスタ素子用エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に高電子移動度トランジスタ用エピタキシャル層３を形成し、高電子移動度トランジスタ用エピタキシャル層３上に、ヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャル層４を形成するトランジスタ素子用エピタキシャルウェハ１の製造方法において、高電子移動度トランジスタ用エピタキシャル層３を、成長温度６００℃以上７５０℃以下、Ｖ／III比１０以上１５０以下で成長させ、ヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャル層４を、高電子移動度トランジスタ用エピタキシャル層３の成長温度よりも低温で成長させる方法である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、加工時や使用時に生じる熱による寸法変化が起こりにくく、且つ変質しにくく、したがって、長期にわたり高く安定したガスバリア性を保持することができる透明ガスバリア性フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】 プラスチックフィルムを加熱処理し、特定の熱収縮率となるように収縮させてプラスチック基材フィルムとし、該プラスチック基材フィルムの少なくとも一方の面に蒸着膜を設けて蒸着フィルムとし、さらに、該蒸着フィルムを加熱処理して、特定の熱収縮率となるように収縮させることを特徴とする透明ガスバリア性フィルムを提供する。 （もっと読む）

磁界が存在する中でのプラズマ堆積プロセスにより薄膜を形成する方法。前駆体が、堆積チャンバに配送され、活性化され、プラズマを形成する。プラズマは、磁界が在る時に開始され得るか、又は、開始後に磁界に曝され得る。プラズマは、前駆体から誘導されるイオン種と中性種とを含む。磁界は、プラズマを操作して、イオン種の濃度の低減と中性種の濃度の増加に影響を与える。続いて、薄膜材料は、その結果得られる中性種濃縮堆積媒体から形成される。本方法により、欠陥濃度が低い薄膜材料を形成することができる。一実施形態では、薄膜材料は、光起電力材料であり、欠陥の抑制により、光起電力効率が高められることになる。 （もっと読む）

【課題】 硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体表面に、下部層（Ｔｉ化合物層）と上部層（α型酸化アルミニウム）からなる硬質被覆層が化学蒸着で形成された表面被覆切削工具において、透過型電子顕微鏡とエネルギー分散形Ｘ線分析装置を用いてプローブ径５ｎｍで上記下部層と上部層との界面を解析した場合に、上記下部層と上部層との界面を中心とした±５ｎｍの界面領域のみに、Ｚｒ原子、Ｌｕ原子、Ｙ原子、Ｃｒ原子のいずれか１種又は２種以上が合計で１〜５原子％存在する。 （もっと読む）

【課題】ガス中間室を備えるシャワーヘッド型ＭＯＣＶＤ装置において、ヘテロ接合界面の界面急峻性が優れた結晶の成長を可能とする結晶成長方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ装置１０を用いる気相成長方法であって、第１III 族元素ガスをIII 族系ガス中間室２３ａに供給し、被成膜基板３に第１半導体層を形成する第１成膜工程と、被成膜基板３に第２半導体層を形成する第２成膜工程とを含み、第１III 族元素ガスと第２III 族元素ガスとが異なる場合、III 族用キャリアガスを第１成膜工程よりも増量してIII 族系ガス中間室２３ａへ、または、第１Ｖ族元素ガスと第２Ｖ族元素ガスとが異なる場合、Ｖ族系キャリアガスを第１成膜工程よりも増量してＶ族系ガス中間室２４ａへの供給のうち少なくとも一方への供給を行う残留ガス排出工程を含む。 （もっと読む）

ゲルマニウム及びテルルを有する相変化材料を形成する方法で、かかる方法は、基板上にゲルマニウム含有材料を堆積することを含む。かかる材料は、元素形態のゲルマニウムを含む。気体テルル含有前駆体が、ゲルマニウム含有材料に流れ込み、テルルが気体前駆体から除去されて、前記ゲルマニウム含有材料内で元素形態のゲルマニウムと反応して、前記基板上に相変化材料のゲルマニウム・テルル含有化合物を形成する。その他の実施態様も開示される。 （もっと読む）

【課題】
従来技術に開示された構成による装置では、シャワーヘッドに設けられた複数のガス吐出孔の配置がガス供給管の配置と一致しており、冷却流路の確保等によるガス供給管の配置制限により、ガス吐出孔の配置も制限され、成膜する基板上での膜均一性を考慮した任意の位置にガス吐出孔を配置できない。
【解決手段】
本発明の気相成長装置は、上記課題を解決するために、シャワーヘッドとシャワープレートとの接面の間に空間を設けることにより、ガス吐出孔を通過したガスが空間を通り、ガス吐出孔とずれた位置に設けられたプレート孔から吐出することを特徴としている。それにより、シャワーヘッドのガス吐出孔位置に制限されること無く、ガスを吐出するプレート孔を設けることができ、供給される反応ガス流のばらつきを抑制し、被処理基板上での膜均一性を確保し得る気相成長装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリ素子の電気的特性を向上させる情報保存パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】情報保存パターンの形成方法は次の段階を含む。半導体基板を半導体蒸着装備の処理チャンバ内に設置する（Ｓ１００）。半導体基板上に、層間絶縁層に覆われる下部電極を形有する（Ｓ２００）。処理ガスを、互いに異なるパルス形状により処理チャンバ内に注入して、層間絶縁層を介して下部電極と接触する堆積層を半導体基板上に形成する（Ｓ３００〜Ｓ６００）。堆積層が目的の厚さに到達するまでＳ３００〜Ｓ６００を繰り返す（Ｓ７００）。層間絶縁層を露出させるように、堆積層をエッチングして層間絶縁層にメモリセルを形成する（Ｓ８００）。メモリセル上に上部電極を形成する（Ｓ９００）。気相反応を適切に調節することで、メモリセル内のボイド及びシームの生成を防止することができる。 （もっと読む）

半導体処理用のデバイス、方法、及びシステムがここで述べられている。半導体処理の幾つかの方法の実施形態は、構造体上にシリコン層を形成することと、シリコン層を通って構造体内に開口部を形成することと、抵抗可変材料がシリコン層上に形成されないように抵抗可変材料を開口部内に選択的に形成することとを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化したときにおいても、シャワープレートの付着物に起因するガス吐出孔の目詰まり、被処理基板の成長層への不純物混入を抑制するとともに、安価にカバープレートを作製する。
【解決手段】本発明のカバープレートユニット４０は、ガス通過孔Ｈ２を有する中心プレート４１と、中心プレート４１を載置するための載置部が形成された周辺プレート４２と、周辺プレート４２を保持するリング部材４４とを備え、周辺プレート４２は、中心プレート４１の周辺に配された複数のプレート片４２ａに分割されている。 （もっと読む）

【課題】難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、Ｔｉ化合物層からなる下部層、改質窒化クロム層からなる中間層及び改質酸化アルミニウム層からなる上部層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、中間層及び上部層のΣ３の比率は、ΣＮ＋１全体の６０％以上を占め、また、上部層と中間層の界面に臨んで存在するΣ３対応粒界の数と位置を測定した場合、上記界面に臨んで存在する中間層Σ３対応粒界のうちの３０〜７０％が、上部層Σ３対応粒界と連続する結晶粒界を形成している。 （もっと読む）

【課題】Ｈｉｇｈ−ｋ金属ゲート・トランジスタに対するスレショルド電圧制御および駆動電流改良のための方法および構造体を提供する。
【解決手段】デバイスを形成する方法は、基板を用意するステップと、基板上に界面層を形成するステップと、界面層上にＨｉｇｈ−ｋ誘電体層を堆積するステップと、Ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層上に酸素除去層を堆積するステップと、アニールを実施するステップとを含む。Ｈｉｇｈ−ｋ金属ゲート・トランジスタは、基板と、基板上の界面層と、界面層上のＨｉｇｈ−ｋ誘電体層と、Ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層上の酸素除去層とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの跳ね現象を抑え、ウェーハ上に均一に成膜を行うとともに、歩留り、生産性の低下を抑え、半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造方法は、反応炉内に成膜処理されるウェーハｗを導入し、ウェーハｗが前記成膜処理時に載置される支持部材と離間するように、ウェーハを支持し、ウェーハが支持部材と離間した状態で、支持部材を所定の回転速度で回転させながら、ウェーハを予備加熱し、ウェーハを支持部材上に載置し、ウェーハを所定温度で加熱するとともに、回転させながら前記ウェーハ上にプロセスガスを供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属窒化ケイ素ベース膜、金属酸化ケイ素又は金属酸窒化ケイ素ベース膜を形成させるために好適な前駆体の提供。
【解決手段】次の構造により表される有機金属錯体。


（式中、Ｍは、元素周期表の４族から選択される金属）。上記錯体を用いるＣＶＤ及びＡＬＤ堆積法がまた、含まれる。 （もっと読む）

【課題】 鋼、鋳鉄等の高速断続切削加工において硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬合金、ＴｉＣＮ基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）ＴｉＣ層、ＴｉＮ層、ＴｉＣＮ層、ＴｉＣＯ層およびＴｉＣＮＯ層のうちの１層または２層以上からなり、かつ、３〜１５μｍの合計平均層厚を有するＴｉ化合物層からなる下部層、（ｂ）０．２〜１μｍの平均層厚および微粒縦長成長結晶組織を有するＴｉＣ層と、０．５〜３μｍの平均層厚を有するＡｌ_２Ｏ_３層との交互積層構造からなり、かつ、３〜１５μｍの合計平均層厚を有する上部層、を硬質被覆層として蒸着形成した表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼、ダクタイル鋳鉄等の難削材の高速重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するＣｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、中間層及び上部層は、それぞれ、（０００１）面配向率の高いα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｃｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）