本発明は、各々が少なくとも１つの処理対象面を有する少なくとも２つの多層体、ならびに多層体を位置決めするための少なくとも１つの装置を含む、多層体配列に関し、装置は、それぞれの処理対象面が互いに向かい合っており、そうして処理対象面の間に設けられた準閉鎖処理空間を形成するように構成されており、そこで処理が行われる。本発明はさらに、このような多層体配列を用いて多層体を処理するシステム、ならびに多層体を処理する方法にも関し、多層体は、それぞれの処理対象面が互いに向かい合っており、そうして表面の間に設けられた準閉鎖処理空間を形成するように設けられており、そこで処理が行われる。
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【課題】ケイ素含有膜を調製するための方法を提供する。
【解決手段】ケイ素、酸化物そして任意選択で窒素、炭素、水素およびホウ素を含む誘電体膜を形成する方法が提供される。さらに、例えば半導体ウェハーなどの加工対象物の上に誘電体膜またはコーティングを形成するための方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 各膜の組成が異なる積層膜を、極めて効率よく、しかも酸化等の不都合が生じることなく形成することができる積層膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 処理室内に基板１を配置し、処理室に、少なくとも、金属カルボニルを含有する原料を含む成膜原料を導入し、ＣＶＤにより基板１上に金属カルボニル中の金属を含む複数の膜６ａ、６ｂを含む積層膜を形成する積層膜の形成方法であって、上記積層膜に含まれる膜は、同一処理室内で、原料種および／または成膜条件を異ならせて連続成膜され、上記膜の組成が異なる積層膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法に関し、炭化シリコン薄膜の機械強度を高め、膜の消失や剥離を防止する。
【解決手段】 ポーラスな誘電率低誘電率絶縁膜上に−ＣＨ_２−結合が環状になってＳｉと結合し且つ二重結合を含む官能基を有する原料を用いて炭化シリコン薄膜を形成する工程と、前記炭化シリコン薄膜を所定パターンにエッチングしてハードマスクを形成する工程と、前記ハードマスクをエッチングマスクとして前記低誘電率絶縁膜をエッチングして配線形成用溝或いはビアホールの少なくとも一方を形成する工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】安全かつ簡単に、効率よく反応生成物を除去することができるＭＯＣＶＤ装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ヒ素（Ａｓ）原子又はリン（Ｐ）原子を含む原料ガスを使用してＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓなどのIII-Ｖ族化合物半導体材料の成膜を行うＭＯＣＶＤ装置の反応炉１２や排気管１５の内面に付着した反応生成物を除去するＭＯＣＶＤ装置のクリーニング方法において、クリーニングガスとしてアミン系ガス又は反応炉内でアミン系ガスに変化するガスと水素ガスとを前記反応炉内に供給して反応生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】反応炉内に分解付着物が生成しないような構造とすることにより基板上への異物の付着を抑制し、分解付着物の再蒸発によるエピタキシャル薄膜の劣化を抑制でき、かつ反応炉内の分解付着物を取り除くためのメンテナンス回数を削減可能な構造の化合物半導体エピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】基板１３を収容した反応炉１１内に、Ｖ族元素を含む原料を供給して、基板１３上に気相エピタキシャル成長させる化合物半導体エピタキシャル成長装置１０において、Ｖ族元素を含む原料が分解し、反応炉１１内でその分解付着物が付着する付着部分１７の上流側に水素ラジカルを過剰に含むガスを流すための水素ラジカル供給手段３６を接続した。 （もっと読む）

【課題】実質的なリーク電流を生じることなく膜厚を減少させることができる高品質で均一な酸化膜、窒化膜あるいは酸窒化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をＫｒあるいはＡｒを不活性ガスとしたプラズマに伴い生成された原子状酸素Ｏ*あるいは原子状窒化水素ＮＨ*に曝し、膜質を改変する工程とよりなる絶縁膜の形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＣＨ組成を有し、特定の構造を有する炭化水素基置換ケイ素化合物を原料としてＣＶＤにより得られる炭素含有酸化ケイ素膜から成る封止膜及びその膜を含むガスバリア部材、ＦＰＤデバイス及び半導体デバイスの提供。
【解決手段】二級炭化水素基、三級炭化水素基、及び／又はビニル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物、例えば下記式（１）を原料として用い、ＣＶＤにより形成した炭素含有酸化ケイ素からなる封止膜である。式中、Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。Ｒ^４は炭素数１〜１０の炭化水素基または水素原子を表す。ｍは１乃至３の整数、ｎは０乃至２の整数を表し、ｍ＋ｎは３以下の整数を表す。
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等しい荷重下で、等しい寸法のポリエチレンテレフタレートフィルムの少なくとも２倍の引張伸びを有する高分子フィルムと、平坦化層と、ケイ素、炭素、及び水素を含むプラズマ蒸着非晶質ガラス層と、を含み、平坦化層が高分子フィルム上に配置され、非晶質ガラス層が平坦化層上に蒸着され、２％〜２０％の範囲内の引張伸びを受けた後、十分な適合性を有し、伸ばされる前と比較して本質的に不変の水蒸気透過度を有する、適合性バリアシートと、適合性バリアシートの作製方法と、適合性バリアシートを含む経皮用品と、該用品を使用して哺乳動物に薬物を送達する方法と、適合性バリアシートを使用して物品を保護する方法と、を提供する。
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【課題】エピタキシャル成長により形成された結晶膜の成長面内における物性値を均一な値に近づける。
【解決手段】第１化合物半導体および第２化合物半導体を積層した積層半導体を含み、前記第１化合物半導体の所定物性値が第１面内分布を有し、前記第２化合物半導体の前記所定物性値が前記第１面内分布とは異なる第２面内分布を有し、前記積層半導体における前記所定物性値の面内分布の幅が、前記第１面内分布の幅または前記第２面内分布の幅より小さい半導体基板を提供する。 （もっと読む）

本発明は、化学気相成長コーティング、化学気相成長物品、及び化学気相成長方法に関する。当該コーティング、物品、及び方法は、ジメチルシランを熱分解して所望の表面特性を得ることを必要とする。 （もっと読む）

【課題】 低温下であっても、高い成膜レートを維持しつつ、低コストで膜厚均一性の良好な絶縁膜を形成する。
【解決手段】 基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に所定元素を含む第１の原料ガスと所定元素を含む第２の原料ガスとを供給し排気することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に第１の原料ガスおよび第２の原料ガスとは異なる反応ガスを供給し排気することで、所定元素含有層を酸化層、窒化層または酸窒化層に改質する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜、窒化膜または酸窒化膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、第１の原料ガスは第２の原料ガスよりも反応性が高く、所定元素含有層を形成する工程では第１の原料ガスの供給量を第２の原料ガスの供給量よりも少なくする。 （もっと読む）

Ｓｂ，Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｓｂ及びＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ薄膜のようなＶＡ族元素を含有する薄膜を形成する原子層堆積（ＡＬＤ）方法は、関連する組成物及び構造と共に提供される。式Ｓｂ（ＳｉＲ^１Ｒ^２Ｒ^３）_３のＳｂ前駆体が好ましくは用いられ、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、アルキル基である。Ａｓ，Ｂｉ及びＰ前駆体もまた記載される。これらのＳｂ前駆体を合成する方法もまた提供される。相変化メモリ装置においてＳｂ薄膜を用いる方法もまた提供される。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、下部層と上部層からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、（ａ）下部層はＴｉ化合物層、（ｂ）上部層は、α型Ａｌ_２Ｏ_３相、κ型Ａｌ_２Ｏ_３相およびＴｉ化合物相の混合組織層からなり、（ｃ）上部層において、α型Ａｌ_２Ｏ_３相含有割合（＝α型Ａｌ_２Ｏ_３相／（α型Ａｌ_２Ｏ_３相＋κ型Ａｌ_２Ｏ_３相））は０．６〜０．９、また、Ｔｉ化合物相は、ＴｉＯ_２、Ｔｉ_３Ｓ_４を少なくとも含み、（ｄ）上部層におけるＴｉ含有割合（＝Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｏ＋Ｓ））は０．３〜３ａｔ％、Ｓ含有割合（＝Ｓ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｏ＋Ｓ））は０．１〜２ａｔ％、さらに、Ｔｉ_３Ｓ_４は、Ｔｃ（１００）＞２を満足する配向性を有する。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低く抑えつつ、ウェハ全面を均一な温度に加熱できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応炉１０内に、上面にウェハ１２を保持するウェハポケット１６を有するトレイ１４が配置されている。トレイ１４の下面側にＲＦコイル１８及び被加熱体２４が配置されている。このＲＦコイル１８により加熱された被加熱体２４は、トレイ１４を介してウェハ１２を加熱する。ガス供給部２０は、ウェハ１２の表面に薄膜を形成するためのガスを反応炉１０内に供給する。ウェハ１２の下面とウェハポケット１６の底面の間に高熱伝導部材２２が配置されている。高熱伝導部材２２は、トレイ１４よりも熱伝導率が高い材料からなる。 （もっと読む）

【課題】式(I)：(Zr_1-a M²_a)O_bN_c（ここで、0≦a＜1、0＜b≦3、好ましくは1.5≦b≦2.5、0≦c≦1、M²は金属原子を示す）の化合物を含む金属含有誘電体フィルムを基板上に堆積する方法の提供。
【解決手段】基板を反応チャンバーの中に提供する工程a)と、Zr(MeCp)(NMe₂)₃、Zr(EtCp)(NMe₂)₃、ZrCp(NMe₂)₃、Zr(MeCp)(NEtMe)₃、Zr(EtCp)(NEtMe)₃、ZrCp(NEtMe)₃、Zr(MeCp)(NEt₂)₃等から選択される少なくとも一つのZr金属含有前駆体を気化させる工程b)と、前記第1の気相金属源と前記任意の第2の気相金属源とを前記反応チャンバーに導入し、それらと前記基板との接触を生じさせ、前記基板上に先に定義された式(I)の化合物を含有する金属含有誘電体フィルムの堆積を生じさせる工程c)とを含む方法。 （もっと読む）

【課題】流量の時間変化を高精度に制御することにより、複数種類の薄膜が積層された高品質な積層構造を形成することが可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】当該気相成長装置は、処理対象物である基板１５を保持する反応室５０と、反応室５０に反応ガスを供給するためのガス導入部２１とを備えている。ガス導入部２１は、ガス供給管２０と、ガス供給管２０と反応室５０とをつないで反応ガスを流通させるガス流路拡大部とを含んでいる。ガス流路拡大部は、ガス供給管２０から反応室５０まで、基板１５の主表面に沿うとともに反応ガスの流通方向に交差する方向である平面方向での幅が、ガス供給管２０側から反応室５０側に向けて広がるように構成され、ガス流路拡大部の平面方向の幅を規定する側壁では、ガス供給管２０からガス流路拡大部へ導入される反応ガスの吐出方向に対する、側壁の傾斜角度のうちガス供給管２０側に位置する部分の傾斜角度が、側壁のうち反応室５０側に位置する部分の吐出方向に対する傾斜角度より小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】 半導体結晶材料の作製またはこの半導体結晶材料を含む構造を提供する。
【解決手段】 第１の半導体結晶材料の表面の粗さは、低減されている。半導体デバイスは、第１の結晶材料の表面上に低欠陥の歪んだ第２の半導体結晶材料を含む。歪んだ第２の半導体結晶材料の表面の粗さは、低減されている。一実施例は、第１および第２の半導体結晶材料間の界面境界の不純物を減少させるプロセスパラメータを作成することによって、粗さが低減された表面を得ることを含む。一実施の形態では、第１の半導体結晶材料は、アスペクト比トラッピング技術を用いて欠陥をトラップするのに十分なアスペクト比を有する絶縁体の開口によって限定されることができる。 （もっと読む）

【課題】 膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成する。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に変化させる工程と、大気圧よりも低い圧力に設定された処理容器内に酸素を含むガスと水素を含むガスとを活性化して供給することで、窒化層を酸化層または酸窒化層に変化させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜または酸窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】耐屈曲性に優れた複合フィルムを提供する。
【解決手段】基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた、少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機層を有する第一のガスバリアフィルムと、基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた、少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機層を有する第二のガスバリアフィルムと、前記第一のガスバリアフィルムと第二のガスバリアフィルムの間に設けられた接着層とを有し、該接着層が、ドライラミネート用の接着剤と金属アルコキシドを含んでいる、複合フィルム。 （もっと読む）