【課題】高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性、耐欠損性、耐剥離性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、少なくとも、下部層（Ｔｉ化合物層）と上部層（α型Ａｌ_２Ｏ_３層）を蒸着形成した表面被覆切削工具において、例えば、下部層−上部層界面に（Ｔｉ，Ｗ）ＣＮＯ粒子を島状に分散分布させることによって、層厚Ｔの上部層の層厚方向に対する直交面に、極小引張残留応力値、極大引張残留応力値を示す複数の極小位置と極大位置が存在する直交面残留応力分布を形成し、極小引張残留応力値の平均値をσｍｉｎ、極大引張残留応力値の平均値をσｍａｘ、隣接する極小位置と極大位置における引張残留応力差（絶対値）の平均値をδとした時、深さＤ１の位置の直交面におけるσ１ｍｉｎ、σ１ｍａｘ、δ１と、深さＤ２の位置の直交面におけるσ２ｍｉｎ、σ２ｍａｘ、δ２は、Ｔ＞Ｄ２＞Ｄ１＞０で、かつ、σ１ｍｉｎ＞σ２ｍｉｎ、σ１ｍａｘ＞σ２ｍａｘ、δ２＞δ１を満たす。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼、低炭素鋼等の溶着を発生しやすい被削材の切削加工において硬質被覆層がすぐれた耐溶着性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬合金、ＴｉＣＮ基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）Ｔｉ化合物層からなる下部層、（ｂ）酸化アルミニウム層からなる中間層、（ｃ）第１上部層と第２上部層とからなる上部層、からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、上記第１上部層は、上記中間層に接して形成され、０．５〜５μｍの平均層厚を有し、層中の平均塩素濃度が０．２〜２原子％であるＴｉ化合物層であって、上記第２上部層は、切れ刃稜線部以外では上記第１上部層に接して形成され、０．２〜５μｍの平均層厚を有する酸化アルミニウム層または平均塩素濃度が０．１原子％以下のＴｉ化合物層であって、上記上部層は、切れ刃稜線部において第２上部層が存在せず上記第１上部層が露出して形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸窒化アルミニウムでコーティングした物品および同物品を作製する方法を提供する。
【解決手段】基材および基材上のコーティング組織を含む、コーティング付き切削工具またはコーティング付き摩耗部品などのコーティング付き物品。コーティング組織は、チタン含有コーティング層と、チタン含有コーティング層上の酸窒化アルミニウムコーティング層とを有する。酸窒化アルミニウムは、六方晶系窒化アルミニウム型構造（空間群：Ｐ６３ｍｃ）、立方晶系窒化アルミニウム型構造（空間群：Ｆｍ−３ｍ）、および所望により非晶構造を有する相の混合物を含む。酸窒化アルミニウムコーティング層は、約２０原子％〜約５０原子％の量のアルミニウムと、約４０原子％〜約７０原子％の量の窒素と、約１原子％〜約２０原子％の量の酸素からなる組成を有する。コーティング付き物品を作製する方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工において硬質被覆層がすぐれた耐チッピング、耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬合金、ＴｉＣＮ基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）Ｔｉ化合物層からなる下部層、（ｂ）酸化アルミニウム層からなる上部層、からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、上記下部層の層厚方向に０．１μｍの厚み幅間隔で、各厚み幅領域に存在する孔径２〜３０ｎｍの空孔の空孔密度を測定した場合に、空孔密度が２００〜５００個／μｍ^２の厚み幅領域と空孔密度が０〜２０個／μｍ^２の厚み幅領域とが、下部層の層厚方向に沿って、交互に少なくとも複数領域形成されている空孔分布形態を有する。 （もっと読む）

【課題】気相成長時に原料ガス流量は大きく変化した場合においても、基板上において、膜質劣化のない膜体を高い再現性の下に作製することが可能な気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態の気相成長装置は、ガス導入部、及びこのガス導入部と連続するようにして設けられたガス反応部を含む反応管と、前記反応管の、前記ガス反応部の内部に表面が露出し、前記表面に基板を載置及び固定するためのサセプタとを具える。また、前記反応管の前記ガス導入部において、前記反応管の高さ方向において順次に配置されてなる複数のガス導入菅と、前記反応管の外部において、前記複数のガス導入管それぞれに供給すべきガスを切り替えるための切替装置とを具える。 （もっと読む）

【課題】形成する膜の仕事関数の値を、従来の技術を用いた場合よりも高くすることができる半導体装置の製造方法、基板処理装置、及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を収容した処理室に金属含有ガスを供給する工程と、処理室に窒素含有ガスを供給する工程と、処理室に酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程と、を含むサイクルを複数回行うことで、基板に金属含有膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工において硬質被覆層がすぐれた耐チッピング、耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬合金、ＴｉＣＮ基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）Ｔｉ化合物層からなる下部層、（ｂ）酸化アルミニウム層からなる上部層、からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、前記上部層中に孔径分布がバイモーダルな分布をとる孔径２〜５０ｎｍの微小空孔が分布している。 （もっと読む）

【課題】保護膜の成膜時に圧電体膜が水素によって還元されることがなく、圧電体膜を水分から保護する保護膜を有する圧電体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、圧電体膜１６上に、水素を含まない原料ガスを用いたＣＶＤ法によりＣ_ａＦ_ｂ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＮ_Ｃ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＯ_ｄ膜及びＣ_ａＦ_ｂＮ_ＣＯ_ｄ膜のいずれかの膜１５を形成する圧電体の製造方法であって、前記原料ガスは、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有することを特徴とする圧電体の製造方法である。ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄは、自然数である。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の供給が停止した後もデータ保持可能な記憶素子を提供する。消費電力の低減可能な信号処理回路を提供する。
【解決手段】クロック信号に同期してデータを保持する記憶素子において、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタ及び容量素子を用いることより、電源電圧の供給が停止した間もデータ保持ができる。ここで、電源電圧の供給を停止する前に、クロック信号のレベルを一定に保った状態で当該トランジスタをオフ状態とすることにより、データを正確に容量素子に保持させることができる。また、このような記憶素子を、ＣＰＵ、メモリ、及び周辺制御装置のそれぞれに用いることによって、ＣＰＵを用いたシステム全体で、電源電圧の供給停止を可能とし、当該システム全体の消費電力を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】
高い水蒸気バリア性、耐湿熱性を示すシリコン含有膜の製造方法を提供すること
【解決手段】
乾式法により少なくともケイ素原子、窒素原子を含む乾式堆積膜を基材上に堆積させた後に、膜表面に波長が１５０ｎｍ以下の光照射を行い、膜の少なくとも一部を変性するシリコン含有膜の製造方法。本発明の方法は、蒸着法、反応性蒸着法、スパッタ法、反応性スパッタ法、化学気相堆積法から選ばれた手法により形成され、少なくともＳｉ−Ｈ結合、もしくはＮ−Ｈ結合に由来する水素を含む乾式堆積膜に好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層がすぐれた靭性、耐チッピングを備え、長期の使用にわたってすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬合金、ＴｉＣＮ基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）改質ＴｉＣＮ層を含むＴｉ化合物層からなる下部層、（ｂ）酸化アルミニウム層からなる上部層、からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、上記改質ＴｉＣＮ層の膜厚方向に、０．０２μｍの厚み幅間隔で、各厚み幅領域における平均粒径Ｄの膜厚方向変化を調べた場合に、平均粒径Ｄが０．５〜１．５μｍである厚み幅領域と、平均粒径Ｄが０．０５〜０．３μｍである厚み幅領域とが、上記改質ＴｉＣＮ層の膜厚方向に沿って、交互に少なくとも複数領域形成されていることによって、下部層の上記改質ＴｉＣＮ層の平均粒径Ｄが膜厚方向に沿って０．５μｍ〜５μｍの周期で周期的に変化する結晶粒組織構造を備える。 （もっと読む）

【課題】 被覆層の耐チッピング性に優れて、耐欠損性に優れる切削工具等の被覆部材を提供する。
【解決手段】 基体の表面を被覆層で被覆した被覆部材であって、前記被覆層はＴｉＣＮ層とＡｌ_２Ｏ_３層が順に積層されており、１００μｍ^２領域で観察した際に、前記ＴｉＣＮ層は、平均粒子幅が３〜６μｍで、各粒子の粒径分布が標準偏差σで前記平均粒子幅の０．３倍以下のＴｉＣＮ粒子からなり、前記Ａｌ_２Ｏ_３層は、粒径３〜６μｍのＡｌ_２Ｏ_３巨大粒子が１０−３０面積％と、粒径０．３〜１．５μｍのＡｌ_２Ｏ_３微細粒子が７０−９０面積％とからなる切削工具１等の被覆部材である。 （もっと読む）

【課題】太陽電池を製作するためのプラズマデポジション装置及び方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの基板を支持するための長手方向軸を持つコンベヤと、少なくとも１つの基板上に反応生成物の層を堆積するためのそれぞれ少なくとも１つのプラズマトーチを持つ少なくとも２つのモジュールと、前記コンベヤと前記少なくとも２つのモジュールとを含むチャンバと、排気システムとを備え、前記少なくとも１つのプラズマトーチは、少なくとも１つの基板から離れて置かれている、太陽電池を製作するためのプラズマデポジション装置。他の実施形態では、基板を支持する手段と、反応物を供給する手段と、前記基板上に生成物を堆積するためのプラズマトーチと、前記基板に対して前記プラズマトーチを振動させる手段とを備え、前記プラズマトーチは、前記基板から離れて置かれている、太陽電池を製作するためのプラズマデポジション装置。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性能、折り曲げ耐性、断裁加工適性に優れたガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】
基材の少なくとも一方の面に蒸着法で形成された第１のバリア層を有し、該第１のバリア層上に、ポリシラザン含有液を塗布してポリシラザン層を形成した後、該ポリシラザン層を真空紫外光により第２のバリア層を形成したガスバリア性フィルムにおいて、該第１バリア層はＸＲＤ解析においてハロー図形を示し、そのピークのθ値から算出される原子間距離の平均値が６．５Å以下であることを特徴とするガスバリア性フィルム。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層がすぐれた耐熱亀裂性、耐熱性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】少なくとも１層の縦長成長結晶組織を有するＴｉの炭窒化物（ｌ−ＴｉＣＮ）層を含むＴｉ化合物層からなる下部層と酸化アルミニウム層からなる上部層を被覆形成した表面被覆切削工具において、逃げ面およびすくい面に形成されたｌ−ＴｉＣＮ層のそれぞれについて、測定領域にある結晶粒の（００１）面および（０１１）面の法線がなす傾斜角を測定し、（００１）面の法線同士および（０１１）面の法線同士の交わる角度が２度以上の場合を粒界とし、粒界として識別される部分のうち（００１）面の法線同士、（０１１）面の法線同士の交わる角度が１５度以上の粒界の合計長さ（μｍ）を求めたとき、逃げ面の測定領域で求められた粒界の合計長さＧ_Ｆ（μｍ）とすくい面の測定領域で求められた粒界の合計長さＧ_Ｃ（μｍ）は、Ｇ_Ｆ／Ｇ_Ｃ＞１．５の関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの流れ方向におけるサセプタにかかる領域で、上流側での原料ガスの消費を抑え、エピ厚さのウェハ面内の均一性を向上させることができる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体結晶基板１１上に、化合物半導体結晶を気相エピタキシャル成長させる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置１０において、反応炉１８内で原料ガス流路Ｇを形成する反応管１６内にスロープ２３を有する。 （もっと読む）

【課題】高い結晶品質を有する量子ドットを高密度に形成しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下地層１０上に、自己組織化成長により量子ドット１６を形成する工程と、量子ドット１６を形成する工程の前又は量子ドット１６を形成する工程の際に、下地層１０の表面にＳｂ又はＧａＳｂを照射する工程と、量子ドット１６の表面をＡｓ原料ガスによりエッチングすることにより、量子ドット１６の表面に析出したＳｂを含むＩｎＳｂ層１８を除去する工程と、ＩｎＳｂ層１８が除去された量子ドット１６上に、キャップ層２２を成長する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】特性の良い半導体薄膜を高速且つ安価に製造することができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜製造装置は、成膜室３１に導入した複数の原料ガスをプラズマCVDにより基板上に成膜する薄膜製造装置において、前記複数の原料ガスを、各々の固体の原料をプラズマエッチングによりエッチングガスと反応させることで生成する原料ガス生成室１２及び２２と、前記原料ガス生成室１２及び２２内の圧力が、5000Pa以上大気圧以下、前記成膜室３１内の圧力が500Pa以下となるように、それぞれの圧力を調整する圧力コントローラ１９、２９及び３９と、前記原料ガス生成室１２及び２２と前記成膜室３１の圧力差を維持しつつ、前記原料ガス生成室で生成された原料ガスを前記成膜室に導入するためのニードルバルブ１７及び２７と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板の面内方向のキャリア拡散と基板垂直方向のキャリア注入を高効率に行うことのできる、シリコン発光素子用の活性層および該活性層の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】 シリコン発光素子に用いる活性層であり、シリコン化合物からなる第１の層と、該第１の層よりもバンドギャップが大きいシリコン化合物からなる第２の層とが基板上に交互に積層された多層膜構造を有する。また、複数のシリコンナノ粒子が多層膜構造の中に設けられている。第１の層に含まれるシリコン原子の量は、第２の層に含まれるシリコン原子の量よりも多く、複数のシリコンナノ粒子のうちの少なくとも一つは、前記第１の層と前記第２の層との境界面のうち少なくとも一つの面を越えて存在する。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性を有し耐屈曲性を有するガスバリア性積層フィルムを製造可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基材を収容する真空チャンバーと、真空チャンバー内に、有機金属化合物と該有機金属化合物と反応する反応ガスと、を含む成膜ガスを供給するガス供給装置と、上記真空チャンバー内に配置される一対の電極と、この一対の電極に交流電力を印加し、成膜ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生用電源と、上記ガス供給装置または上記プラズマ発生用電源とのいずれか一方または両方を制御し、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた金属元素または半金属元素を含み且つ炭素を含まない化合物を生じる第１の反応条件と、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた炭素と金属元素または半金属元素とを含む含炭素化合物を生じる第２の反応条件と、を切り替える制御部と、を有する。 （もっと読む）