【課題】十分なガスバリア性を有し耐屈曲性を有するガスバリア性積層フィルムを製造可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基材を収容する真空チャンバーと、真空チャンバー内に、有機金属化合物と該有機金属化合物と反応する反応ガスと、を含む成膜ガスを供給するガス供給装置と、上記真空チャンバー内に配置される一対の電極と、この一対の電極に交流電力を印加し、成膜ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生用電源と、上記ガス供給装置または上記プラズマ発生用電源とのいずれか一方または両方を制御し、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた金属元素または半金属元素を含み且つ炭素を含まない化合物を生じる第１の反応条件と、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた炭素と金属元素または半金属元素とを含む含炭素化合物を生じる第２の反応条件と、を切り替える制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体表面に、下部層（Ｔｉ化合物層）と上部層（酸化アルミニウム層）からなる硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、上記下部層と上記上部層との隣接界面に存在する上記Ｔｉ化合物層側の結晶粒の数ａと上記酸化アルミニウム層側の結晶粒の数ｂとの比率ｂ／ａは４＜ｂ／ａ＜２０であり、さらに、上記酸化アルミニウム層直下のＴｉ化合物層の結晶粒の平均粒子径は０．５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させた発光素子用エピタキシャルウェハ、及び発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子用エピタキシャルウェハは、ｎ型基板１上に、少なくともＰ（燐）系結晶のｎ型クラッド層３、Ａｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ、又はＧａＡｓなどのＡｓ（砒素）系結晶で形成した量子井戸構造を有する発光層５、及びｐ型クラッド層７が順次積層された化合物半導体と、ｎ型クラッド層３と発光層５との間に、発光層５を構成するＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層とは異なるＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層４とを有している。 （もっと読む）

【課題】フィルムを屈曲させた場合でもガスバリア性の低下を十分に抑制可能な積層フィルムを提供すること。
【解決手段】基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層のうちの少なくとも１層が珪素、酸素、炭素、及び非金属元素（但し、珪素、酸素、及び炭素を除く。）を少なくとも１種類以上含有しており、且つ、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係を示す炭素分布曲線において、下記条件（i）〜（ii）：（i）前記炭素分布曲線が実質的に連続であること、（ii）前記炭素分布曲線が少なくとも１つの極値を有すること、を全て満たすことを特徴とする積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】異物による成膜不良を抑制し、良好な成膜を実現するプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】長尺の基材１００を連続的に搬送しながら、基材１００上に連続的に成膜するプラズマＣＶＤ装置１であって、基材１００の裏面１００ｂと接しながら基材１００が巻き掛けられる成膜ロールと、成膜ロールに対向して配置される対向電極と、成膜ロールおよび対向電極に接続されるプラズマ発生用電源５１と、基材１００を搬送する搬送ロール２１，２２，２３、２４と、を有し、成膜ロールは、第１成膜ロール３１と、第１成膜ロール３１に対し基材１００の搬送方向の下流側に設けられる第２成膜ロール３２と、を含み、搬送ロールは、第１成膜ロール３１の下流側において、裏面１００ｂ側にのみ設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐屈曲性を有するガスバリア性フィルムとして好適な新規な積層フィルムの提供。
【解決手段】基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層のうちの少なくとも１層が、炭素を含む酸化物を含有し、且つ、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、炭素を含む酸化物の原子の合計量に対する炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係を示す炭素分布曲線において、下記条件（ｉ）〜（ｉｉ）：
（ｉ）前記炭素分布曲線が実質的に連続である。
（ｉｉ）前記炭素分布曲線が極値を有する。
を全て満たし、前記酸化物が、半導体元素、半金属元素及び金属元素からなる群より選ばれる１種以上の元素（ただし、珪素を除く）の酸化物であることを特徴とする積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】異物による成膜不良を抑制するプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】基材１００が巻き掛けられる第１成膜ロール３１と、第１成膜ロール３１に対向し、基板１００の搬送経路の下流で基材１００が巻き掛けられる第２成膜ロール３２と、第１，第２成膜ロールの内部にそれぞれ設けられ、第１，第２成膜ロールが対向する空間に膨らんだ無終端のトンネル状の磁場を形成する磁場形成装置６１，６２と、第１成膜ロール３１と第２成膜ロール３２とに接続され、印加電圧の極性が交互に反転するプラズマ発生用電源５１と、第１成膜ロール３１と第２成膜ロール３２との間の搬送経路に設けられ、成膜面１００ａで基材１００が巻き掛けられ基材１００の搬送方向を変更するターンバー２２，２３と、を備え、ターンバー２２，２３は、気体を噴射する複数の噴射口を有し、噴射口から成膜面１００ａに気体を噴出して基材１００を浮遊させる。 （もっと読む）

【課題】異物による成膜不良を抑制し良好な成膜を実現する成膜方法を提供する。
【解決手段】長尺の基材１００を連続的に搬送しながら、プラズマ反応を用いて当該基材１００の成膜面１００ａに連続的に薄膜層を形成する成膜方法であって、基材１００の搬送経路に沿って、有機ケイ素化合物と酸素とを含む成膜ガスの放電プラズマを、プラズマ強度が主として有機ケイ素化合物の完全酸化反応を生じる強度である第１の空間と、主として有機ケイ素化合物の不完全酸化反応を生じる強度である第２の空間と、が交互に連続するように生じさせ、第１の空間および第２の空間と重なるように基材１００を搬送し、第１の空間または第２の空間を通過した後に、表面が基材１００より柔らかい搬送ロール２２，２３で成膜面１００ａを保持しながら、基材１００を搬送する。 （もっと読む）

【課題】有機材料からなる表面を有する長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、プラズマＣＶＤによって、無機膜を成膜する際に、膜厚に応じた、目的とするガスバリア性能を発現でき、しかも経時安定性にも優れるガスバリア膜を、安定して形成することを可能にする機能性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】電極対の間において、基板の搬送方向の最上流位置におけるプラズマ電子密度を、最下流位置におけるプラズマ電子密度よりも低くすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより組成の制御性がよく、平滑性の高いＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５となるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を成膜するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法であって、気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料、または、それらに加えてＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５が形成されない程度の少量の気体状のＴｅ原料を、前記処理容器内に導入して基板上に、Ｔｅを含有しないかまたはＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５よりも少ない量のＴｅを含有する前駆体膜を形成する工程（工程２）と、気体状のＴｅ原料を処理容器内に導入し、前駆体膜にＴｅを吸着させて膜中のＴｅ濃度を調整する工程（工程３）とを有する。 （もっと読む）

【課題】真空成膜装置で内部応力が大きい薄膜を成膜する際に、成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止し、装置クリーニングや部品の交換などに伴う生産性の低下や成膜コストの増加を抑える。
【解決手段】Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｇ、ＡｕおよびＩｎから選ばれる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金または化合物の薄膜を成膜する真空成膜装置の構成部品の製造方法であって、部品本体の表面にＣｕの含有比率が６５〜９５質量％の範囲のＣｕ−Ａｌ合金からなるＣｕ−Ａｌ合金膜を形成する工程と、前記Ｃｕ−Ａｌ合金膜に１．３３×１０^−３Ｐａ以下の真空雰囲気中で３００〜８００℃の温度でアニール処理を行う工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 高い密着性と耐摩耗性を有する切削工具等の表面被覆部材を提供する。
【解決手段】 基体５の表面に、Ｔｉの炭化物、窒化物、炭窒化物、炭酸化物、窒酸化物および炭窒酸化物のうちの１層以上の下層７と、α型結晶構造のＡｌ_２Ｏ_３層８とを形成してなり、Ａｌ_２Ｏ_３層８の表面から波長５１４．５３ｎｍのHｅ−Ｎｅレーザーを照射
して得られるラマンスペクトルにおいて、波数４１６〜４２０ｃｍ^−１のＡｌ_２Ｏ_３層のピークから低波数側で隣り合うブロードピークのピーク強度Ｉ０に対して、波数１０５０〜１１２０ｃｍ^−１の範囲内に現れるピークのピーク強度をＩ_１、波数７８０〜８５０ｃｍ^−１の範囲内に現れるピークのピーク強度をＩ_２としたとき、比（Ｉ_１／Ｉ_０）が０．０５〜０．５、かつ比（Ｉ₂／Ｉ_０）が０．０５〜０．５の切削工具１等の表面被覆部材
である。 （もっと読む）

【課題】単量体又は二量体の揮発性錯体の形成を可能にするη−５配位モードにおいて二族金属、例えばカルシウム、マグネシウム、ストロンチウムに配位できる立体障害イミダゾール配位子及びそれらの合成を提供する。
【解決手段】バリウム、ストロンチウム、マグネシウム、ラジウム又はカルシウム又はそれらの２種以上からなる群より選択される金属に配位された１つ又は複数の多置換型イミダゾレート・アニオンを含む化合物が提供される。或いは、１つのアニオンを第２の非イミダゾレート・アニオンで置換することも可能である。新規化合物の合成及びＢＳＴ膜を形成するためのそれらの使用も意図される。 （もっと読む）

【課題】高速重切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐剥離性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、下部層として、ＴｉＮ、ＴｉＣ、ＴｉＣＮ、ＴｉＣＯ、ＴｉＣＮＯの少なくとも１層以上からなるＴｉ化合物層、上部層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、を蒸着形成した表面被覆切削工具において、下部層と上部層の界面において、平均粒径５〜１００ｎｍのクロム酸化物粒子を、界面単位長さ当り３０〜８０％の線分割合で島状に点在分布させることにより、下部層−上部層間の付着強度を向上させるとともに、上部層のα型Ａｌ_２Ｏ_３層の結晶方位分布制御を行うことにより、硬質被覆層の耐摩耗性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に処理ガスを供給し排気することで、基板上に所定膜厚の金属膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、処理を行う工程では、金属膜を形成する途中もしくは金属膜を形成した後に処理容器内に酸素含有ガスおよび／または窒素含有ガスを熱またはプラズマで活性化して供給し排気することで、金属膜の底面もしくは表面を導電性の金属酸化層、導電性の金属窒化層または導電性の金属酸窒化層に改質する。 （もっと読む）

【課題】高速重切削加工において硬質被覆層がすぐれた靭性、耐チッピングを備え、長期の使用にわたってすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬合金、ＴｉＣＮ基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）Ｔｉ化合物層からなる下部層、（ｂ）酸化アルミニウム層からなる上部層、からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、上記上部層の層厚方向に０．０２μｍの厚み幅間隔で、各厚み幅領域における平均粒径Ｄを求めて平均粒径Ｄの層厚方向変化を調べた場合に、平均粒径Ｄが０．５〜１．５μｍである厚み幅領域と、平均粒径Ｄが０．０５〜０．３μｍである厚み幅領域とが、上部層の層厚方向に沿って、交互に少なくとも複数領域形成されていることによって、上部層の酸化アルミニウムの平均粒径Ｄが層厚方向に沿って０．５μｍ〜５μｍの周期で周期的に変化する結晶粒組織構造を備える。 （もっと読む）

【課題】Ｔｅ含有組成物を提供する。
【解決手段】Ｒ−Ｔｅ−Ｄの一般構造を有する重水素化された有機テルロールであって、式中、Ｒが、１〜１０個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基又はアルケニル基；Ｃ_6-12の芳香族基；ジアルキルアミノ基；有機シリル基；及び有機ゲルミルからなる群より選択される重水素化された有機テルロールを含むＴｅ含有組成物が提供される。 （もっと読む）

【課題】 基板に対する原料ガスの供給を促し、基板上に形成される薄膜の成膜速度や膜厚均一性を向上させる。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に原料ガスを供給し排気管より排気する工程と、処理容器内に原料ガスとは異なる反応ガスを供給し排気管より排気する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを１回以上行うことで、基板上に所定膜厚の薄膜を形成する工程を有し、原料ガスを供給する工程では、原料ガスを供給する直前に、排気管に設けられたバルブを一時的にフルクローズして排気管を一時的に閉塞する。 （もっと読む）

【課題】本発明では、低温での成膜処理により、良質なゲート絶縁膜が得られる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明では上記課題を解決するため、シリコン基板１０上に、６００℃以下で原子層堆積法により、ゲート絶縁膜の少なくとも一部となる二酸化シリコン膜３１を形成する酸化膜形成工程と、二酸化シリコン膜３１の表面に対し、酸化処理を行う表面処理工程と、を有する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】第２半導体材料と絶縁材料とを含む基板上に、第１半導体材料を選択的に堆積する方法の提供。
【解決手段】第１半導体材料が第２半導体材料上に選択的に堆積され、この方法は、ａ）炭素および／またはハロゲン含有ガスから形成されたプラズマを用いて基板を前処理する工程と、ｂ）化学気相堆積により、基板上に第１半導体材料を堆積する工程とを含む。
【効果】特に、半導体デバイス機構の製造のための改良された方法に関する。 （もっと読む）