【目的】
ＧａＮ系化合物半導体成長層に生じる歪が低減されるとともに、当該結晶成長層にダメージを与えることなくＳｉ基板から結晶成長層を容易に分離することが可能なＧａＮ系化合物半導体の成長方法及び成長層付き基板を提供する。
【解決手段】
Ｓｉ基板上にコラム状結晶層を成長する工程と、上記コラム状結晶層上に島状成長又は網目状成長の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）結晶層であるバッファ層を成長する工程と、上記バッファ層上にＧａＮ系化合物結晶を成長する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】大気開放することなく真空槽内に付着したＺｒ化合物を除去することのできるＺｒＢＯ膜の形成装置を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１０は、基板Ｓを収容して接地電位に接続される真空槽と、載置された基板Ｓを加熱する基板ステージ１３と、真空槽内に活性状態の酸素ガスと、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４とを各別に供給するシャワープレート１６とを備え、加熱された基板Ｓ上でＺｒＢＯ膜を形成する。シャワープレート１６は、チャンバ本体１１に対して電気的に絶縁された導体であり、シャワープレート１６に接続された高周波電源ＲＦ１と、真空槽内にフッ素ガスを供給するクリーニングガス供給部とを備え、基板Ｓが真空槽内に収容されていない状態で、クリーニングガス供給部は、真空槽内にフッ素ガスを供給し、高周波電源ＲＦ１は、シャワープレート１６に供給する高周波電力でフッ素ガスをプラズマ化して真空槽内に付着したＺｒ化合物を除去する。 （もっと読む）

【課題】処理室内に炉内温度傾斜を設定しなくても、縦型被処理体ボートの上段に積まれた被処理体ウエハへの成膜量と、下段に積まれた被処理体への成膜量とのバラツキを抑制することが可能な縦型バッチ式成膜装置を提供すること。
【解決手段】複数の被処理体Ｗに対して一括して成膜を行う処理室１０１と、被処理体Ｗを加熱する加熱装置１３１と、処理室１０１の内部を排気する排気機構１３０と、処理室１０１を収容する収容容器１０２と、収容容器１０２の内部に、処理に使用されるガスを供給するガス供給機構１２０と、処理室１０１の側壁に設けられた複数のガス導入孔１０１ａとを備え、処理に使用されるガスを、複数のガス導入孔１０１ａを介して、処理室１０１の内部に複数の被処理体Ｗの処理面に対して平行な流れで供給しつつ、処理室１０１内に炉内温度傾斜を設定せずに、複数の被処理体Ｗに対して一括して成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ法によって、Ｍ（ＢＨ_４）_４（Ｍは、Ｚｒ又はＨｆを意味する）を原料としてＭ／Ｚｒ比が適正範囲内で良質なＭＢ_ｘ膜（Ｍは前記と同じ意味を有し、ｘは１．８〜２．５の数を意味する）を成膜する。
【解決手段】ガス供給源１９から、ガス供給配管１５ａを介してＨ_２ガスを原料容器２１内に供給する。原料容器２１内では、導入されたＨ_２ガスとの接触によって、固体原料のＺｒ（ＢＨ_４）_４が気化する。そして、成膜ガスとしてのＨ_２ガスとＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスの混合ガスが、ガス供給配管１５ｃ，１５ｃ１、シャワーヘッド１１のガス拡散空間１２及びガス吐出孔１３を介して処理容器１内に導入され、ウエハＷ上の絶縁膜の表面を覆うように、ＺｒＢ_ｘ膜の薄膜が形成される。 （もっと読む）

【目的】
ＧａＮ系化合物半導体成長層に生じる歪が低減されるとともに、当該結晶成長層にダメージを与えることなくＳｉ基板から結晶成長層を容易に分離することが可能なＧａＮ系化合物半導体の成長方法及び当該成長層付き基板を提供する。
【解決手段】
Ｓｉ基板上にコラム状結晶層を成長する工程と、上記コラム状結晶層上に島状成長又は網目状成長のバッファ層を成長する工程と、上記バッファ層上にＧａＮ系化合物結晶を成長する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長層にダメージを与えることなくサファイア基板から結晶成長層を容易に分離することが可能なＧａＮ系化合物半導体の成長方法及び当該成長層付き基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０上にコラム状結晶層１１を成長する工程と、コラム状結晶層１１上にバッファ層１２を成長する工程と、バッファ層１２上にＧａＮ系化合物結晶１３を成長する工程と、を有する。結晶成長後に降温すると、サファイア基板１０とナノコラム状態のＺｒＢ2層１１の界面に大きな歪みが生じ、サファイア基板１０から結晶成長層１８が容易に分離する。 （もっと読む）

【課題】高速切削条件下でクレーター摩耗を低減しかつ高度な耐摩耗性を付与する被膜を備えた表面被覆切削工具の提供。
【解決手段】基材と該基材上に形成された被膜とを備える表面被覆切削工具であって、この被膜は、１層または２層以上の層からなり、被膜のうち少なくとも１層は、ＴｉとＺｒとを少なくとも含む硬質被膜層であり、この硬質被膜層は、ＴｉとＺｒの含有量が硬質被膜層の厚み方向に沿って変化する組成構造を有し、この変化は、Ｔｉの含有量が極大となるＴｉ極大含有点とＺｒの含有量が極大となるＺｒ極大含有点とを含み、Ｔｉ極大含有点とＺｒ極大含有点とが繰り返し存在し、Ｔｉ極大含有点におけるＴｉの含有比率Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）は、原子比で０．９９９９＜Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）≦１であり、Ｚｒ極大含有点におけるＺｒの含有量比率Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）は、原子比で０．００１≦Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）≦０．２であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高速条件下の切削においてクレーター摩耗を低減するとともに高度な耐摩耗性を付与する被膜を備えた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】基材と該基材上に形成された被膜とを備える表面被覆切削工具であって、この被膜は、１層または２層以上の層からなり、被膜のうち少なくとも１層は、ＡｌとＺｒとを少なくとも含む硬質酸化物被膜層であり、ＡｌとＺｒの含有量が該被膜層の厚み方向に沿って変化する組成構造を有し、この変化は、Ａｌの含有量が極大となるＡｌ極大点とＺｒの含有量が極大となるＺｒ極大含有点とを含み、Ａｌ極大含有点とＺｒ極大含有点とが繰り返し存在し、Ａｌ極大含有点におけるＡｌの含有比率Ａｌ／（Ａｌ＋Ｚｒ）は、原子比で０．９９９９＜Ａｌ≦１であり、Ｚｒ極大含有点におけるＺｒの含有量比率Ｚｒ／（Ａｌ＋Ｚｒ）は、原子比で０．００１≦Ｚｒ／（Ａｌ＋Ｚｒ）≦０．２であり、該被膜層は、酸化ジルコニウムを含む。 （もっと読む）

本発明は、金属機械加工用の工具およびその製法に関し、該工具は、超硬合金、サーメット、セラミックス、または超硬質材料の基材、およびコーティングを含み、該コーティングは、内側アルミナ層および外側チタンホウ窒化物層を含み、ここで前記層が、アルミナ層以外の酸化物層を含む一以上の層によって分離されている。 （もっと読む）

【課題】高速条件下の切削においてクレーター摩耗を低減するとともに高度な耐摩耗性を付与する被膜を備えた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】基材と該基材上に形成された被膜とを備え、該被膜は、１層または２層以上の層からなり、被膜のうち少なくとも１層は、ＡｌとＺｒとを少なくとも含む硬質酸化物被膜層であり、ＡｌとＺｒの含有量が前記硬質酸化物被膜層の厚み方向にそって変化する組成構造を有し、この変化は、Ａｌの含有量が極大となるＡｌ極大含有点とＺｒの含有量が極大となるＺｒ極大含有点とを含み、Ａｌ極大含有点とＺｒ極大含有点とが繰り返し存在し、Ａｌ極大含有点におけるＡｌの含有量比率Ａｌ／（Ａｌ＋Ｚｒ）は、原子比で０．９９〜０．９９９９であり、Ｚｒ極大含有点におけるＺｒの含有量比率Ｚｒ／（Ａｌ＋Ｚｒ）は、原子比で０．００１〜０．２であり、硬質酸化物被膜層に酸化ジルコニウムを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、基材と被覆層との密着性が向上した表面被覆切削工具を提供することにある。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、超硬合金からなる基材とそれを被覆する１層以上の被覆層とを備えるものであって、該基材は、該被覆層と接する表面部にＷとＣｏとの複炭化物を主成分とする、厚みが０．００５μｍ以上０．１μｍ未満の基材表面層を有し、該被覆層のうち上記基材と接する最下層は、厚みが０．００５μｍ以上０．１μｍ以下であり、かつ化学式Ｍ_1-XＺ_X（ただし、ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｏ、およびＶからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を示し、Ｚは炭素、窒素、酸素、硼素、および塩素からなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を示し、Ｘは原子比を示し、０＜Ｘ≦０．５である。）で示される第１化合物を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、低リーク電流、高機械的強度の特性を備え、これらの特性の経時変化が小さく、耐水性に優れた半導体装置用絶縁膜、当該半導体装置用絶縁膜の製造方法及び製造装置、半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】所定のアルキルボラジン化合物を気化した原料ガスを含有するガスをチャンバ２内に供給し、誘導結合型プラズマ発生機構（４、５、６）を用いて、チャンバ２内に電磁波を入射して、ガスをプラズマとし、プラズマのプラズマ拡散領域に基板８を配置し、プラズマにより解離されたアルキルボラジン化合物中のボラジン骨格系分子を基本単位として気相重合し、半導体装置用絶縁膜として基板８に成膜する。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造における硼窒化ジルコニウム膜のパーティクルレベルを低減させて、また当該硼窒化ジルコニウム膜の耐酸化性や抵抗選択性を向上させることで半導体装置の信頼性を向上させた半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】窒素ガスにマイクロ波を照射することで生成した窒素ラジカルと成膜流量のＺｒ（ＢＨ_４）_４とを成膜室３１Ｓへ供給して成膜温度下にある基板Ｓの表面に硼窒化ジルコニウム膜を成膜するに際し、成膜装置は、成膜流量のＺｒ（ＢＨ_４）_４が熱分解により形成する膜の成膜速度に関して成膜温度の増加に対するその成膜速度の増加率を基準増加率とすると、硼窒化ジルコニウム膜の成膜速度に関しては成膜温度の増加に対するその成膜速度の増加率を前記基準増加率にする。 （もっと読む）

【課題】タービン動翼などに設けられる遮熱用などの保護皮膜において、接着性の良い保護皮膜、及びその設層方法を提供する。
【解決手段】保護皮膜を有する物品は、第１表面２２を有する基材１８と、第１表面２２から延在する複数の要素２０ａと、複数の要素２０ａの少なくとも一部の間、又は複数の要素２０ａの少なくとも一部の上、又はその両方に配置された保護皮膜２４ａとを備える。複数の要素２０ａは基材１８と一体である。 （もっと読む）

【課題】
新たな結晶構造をもったＢＮ薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】
ＢＮ薄膜は、Ｓｐ^３−結合性６Ｈ−ＢＮとｓｐ^３−結合性１０Ｈ−ＢＮを含有することを特徴とするものであり、その製造方法は、ｓｐ^３−結合性ＢＮ高密度相を有するＢＮ薄膜の製造方法であって、基材上に形成したアモルファスＢＮ薄膜（又は、sp2結合性BN薄膜）にレーザ照射して、相変化を生じさせ、照射箇所に高密度相を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、被覆物品、特に熱ＣＶＤ法によって堆積させた少なくとも０．１μｍの厚さの少なくとも１つの二ホウ化チタン層を有する切削加工工具、に関する。本発明によれば、前記二ホウ化チタン層が平均粒径最高５０ｎｍの超微粒組織を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、耐摩耗性および耐欠損性を両立させるとともに、基材と被覆層との密着性にも優れた刃先交換型切削チップを提供することにある。
【解決手段】本発明の刃先交換型切削チップは、基材と該基材上に形成された被覆層とを備えるものであって、該被覆層は、複数の層からなり、その最表面層のみに圧縮残留応力が付与されており、該最表面層は、Ｔｉの炭化物、窒化物および炭窒化物のいずれかを主成分とする層であり、かつそれに付与される圧縮残留応力は０．０５ＧＰａ以上２ＧＰａ以下であり、該被覆層は、該最表面層の内側に少なくとも１層のＡｌ₂Ｏ₃を主体とするアルミナ層を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス管などの管状体の内壁に膜を形成するための成膜装置および成膜方法を提供することにある。
【解決手段】本発明にかかる成膜装置１０００は、化学的気相成長法によって管状体１００の内壁に膜を形成する成膜装置であって、原料収容部１０と、前記原料収容部１０から供給された原料を含む処理ガスを形成する処理ガス生成部２０と、前記管状体１００の内壁に膜を形成する成膜部３０と、前記管状体１００と接続され、前記処理ガス生成部２０から前記管状体１００内に処理ガスを供給する処理ガス供給管４６と、前記管状体１００と接続され、前記管状体１００を通過した処理ガスを排出する処理ガス排出管４８と、を含み、前記成膜部３０は、前記管状体１００を保持する保持部３２を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｔａ膜以外のバリア膜の形成方法及びその方法によりえられたバリア膜を提供する。このバリア膜を含む多層配線構造及び多層配線構造の作製方法を提供する。
【解決手段】 ホール及び配線溝が形成されている絶縁膜を有する成膜対象物の表面上で、ＣＶＤ法により、Ｚｒ(ＢＨ_４)_４ガスからなる原料ガスと、Ｎ_２ガスからなる反応ガスを励起手段によって励起せしめて得られたガスとを反応させ、バリア膜としてのＺｒＢＮ膜４１を形成する。 （もっと読む）

約８００℃未満の温度でエピタキシャルＡｌＧａＮ層を調製するための方法が提供される。包括的には、基板が、エピタキシャルＡｌ_xＧａ_1-xＮ層を形成するのに適した温度と圧力で、Ａｌ源の存在下で、Ｈ₂ＧａＮ₃、Ｄ₂ＧａＮ_sまたはそれらの混合物と接触させる。さらに、基板の上方に形成された、複数の反復合金層を含むスタックを備え、複数の反復合金層は２つ以上の合金層の種類を有し、少なくとも１つの合金層の種類はＺｒ_zＨｆ_yＡｌ_1-z-yＢ₂合金層からなり、ｚとｙの合計は１以下であり、スタックの厚さは約５０ｎｍより大きい、半導体構造が提供される。 （もっと読む）