【課題】有害物除去装置の有害物の析出量を増加して除去効率を向上でき、有害物除去装置の掃除の頻度を低減できる有害物除去装置を提供することを目的とする。
【解決手段】化合物半導体薄膜形成装置から排出されるガスを冷却室内に導入するガス導入口と、前記冷却室内に設けられ、前記導入口から導入される前記排出ガスを冷却する冷却水配管とを有し、前記冷却室内で前記排出ガスを冷却することで析出する有害物を除去可能な有害物除去装置であって、前記冷却水配管と接触した状態で該冷却水配管の周囲に配置された金属メッシュを有するものであることを特徴とする有害物除去装置。 （もっと読む）

【課題】ガス流出部の昇降時に、精度良くガス流出部の表面高さを維持しつつ、重量物であるガス流出部の落下を防止する停止機構を備えた気相成長装置を提供する
【解決手段】ガス流出部１０５を昇降するボールねじ２２の回転を強制的停止し、ガス流出部１０５の落下機構を備えた気相成長装置であって、ガス流出部１０５にシャフト２１を介して複数のボールねじ２２を相互に連結した上、それぞれのボールねじ２２とモータ２６とを連結するタイミングベルト２７の全てに複数のベルト破断検知センサ２８、２９、３０、３１を設置している。 （もっと読む）

【課題】 良好な結晶品質を確保しながら能率よく成長することができる、エピタキシャルウエハの製造方法および当該エピタキシャルウエハを得る。
【解決手段】 半導体の基板を準備する工程と、基板の上に、ペアをなす一方の層または両方の層にアンチモン（Ｓｂ）を含むタイプＩＩの多重量子井戸構造を、ペア数５０以上７００以下で、形成する工程と、ＩｎＰ表面層を形成する工程とを備え、多重量子井戸構造の形成工程の開始からＩｎＰ表面層の形成工程の終了まで、再成長界面が含まれないように一つの成長槽内で処理し、すべての層を有機金属原料を用いる全有機気相成長法により形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成長を繰り返しても、エピタキシャル層の面内不均一が生じにくい半導体ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】予め、成長炉１内をＧａＳｅからなる層状構造結晶でコーティングして、成長炉１内にＧａＳｅコーティング層５を形成しておき、成長炉１内で、ＧａＡｓ基板２上に気相成長によりエピタキシャル層２ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体の接合や商品設計の面で優れた自由度を得ることができるナノワイヤデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に、結晶をエピタキシャル成長させて複数のナノワイヤ状半導体２を形成する。ナノワイヤ状半導体２の間隙に充填剤５を充填してナノワイヤ状半導体２を埋設し、ナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６を形成する。半導体基板６から、ナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６を剥離して、ナノワイヤ状半導体アレイ９，１０，１１，１３，１４，１５を形成する。ナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６の剥離は、充填剤５上に支持基板８を形成した後、外力により行う。又は、充填剤５の熱収縮応力によりナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６を剥離した後、充填剤５上に支持基板８を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造でサセプタの回転軸の振れを抑制してエピタキシャルウェーハの膜厚のばらつきを低減できる気相成長装置、及びそれを利用した化合物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、リアクタと、該リアクタの内部に配置され、回転軸周りに回転するバレル型サセプタとを備えた気相成長装置において、前記サセプタの回転軸はコレットチャック機構により固定されているものであることを特徴とする気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハ表面平坦度およびダイオードチップを製造する際の発光強度の歩留まりを向上できるＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】Ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層４、ＡｌＧａＩｎＰ系活性層５、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層６、及びＧａＰからなる電流拡散層７を有するＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハ１において、電流拡散層７が、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層６上に形成されたＶ／ＩＩＩ比が１以上１００以下の低Ｖ／ＩＩＩ比部分８と、低Ｖ／ＩＩＩ比部分上に形成されたＶ／ＩＩＩ比が１００以上５００以下の高Ｖ／ＩＩＩ比部分９とからなるものである。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ面内全域にて凹凸加工された構造を埋め込み成長可能であり、かつ、凹凸形状によらない安定した埋め込み平坦化が可能なIII−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族化合物半導体基板の表面に形成された規則的な凹凸を有する四元系III−Ｖ族化合物半導体層の上に、有機金属気相成長法を用いて、上記凹凸の熱変形を抑制する保護膜となるIII−Ｖ族化合物半導体層を、第一の成長温度で所定の膜厚となるまでエピタキシャル成長させた後、上記第一の成長温度よりも高い第二の成長温度で連続して同一組成の半導体層を、トータルの厚さが上記凹凸の高さよりも大きくなるまで成長させるようにした。 （もっと読む）

【課題】安全かつ簡単に、効率よく反応生成物を除去することができるＭＯＣＶＤ装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ヒ素（Ａｓ）原子又はリン（Ｐ）原子を含む原料ガスを使用してＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓなどのIII-Ｖ族化合物半導体材料の成膜を行うＭＯＣＶＤ装置の反応炉１２や排気管１５の内面に付着した反応生成物を除去するＭＯＣＶＤ装置のクリーニング方法において、クリーニングガスとしてアミン系ガス又は反応炉内でアミン系ガスに変化するガスと水素ガスとを前記反応炉内に供給して反応生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体の成長温度を高くすることなく、低い酸素原子濃度を有し、表面欠陥の小突起が発生しにくいＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体の製造方法、およびそれにより得られるＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】筐体の内部に配置された反応炉の内部で化合物半導体基板を製造する方法であって、前記筐体の内部を酸素濃度が４５ｐｐｍ以下の雰囲気に保ったまま、ベース基板を筐体の内部であって反応炉の外部から、反応炉の内部に移動し、前記ベース基板を前記反応炉の内部に配置する段階（１）と、前記反応炉の内部に配置されたベース基板の上に化合物半導体を７００℃以下でエピタキシャル成長させる段階（２）とを含む化合物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】途中でガス排出エレメントを交換またはクリーニングすることなしに、連続するプロセスステップにおいてサセプタに支持される１つ以上の基板の上に汚染のない半導体層を堆積させる。
【解決手段】プロセスガスは、ガス注入エレメント（８）の流路を通ってプロセスチャンバー（１）の中にキャリアガスとともに導入される。キャリアガスは、実質的にサセプタ（２）に並行にプロセスチャンバー（１）を通って流れて、ガス排出エレメント（７）を通って排出される。分解生成物が、少なくとも基板（２１）の表面上と、サセプタ（２）の下流の端（２’）から間隔（Ｄ）でサセプタ（２）の下流に配置されたガス排出エレメント（７）の表面上との領域において被膜を形成するために成長する。間隔（Ｄ）は、ガス排出エレメント（７）の被膜から第２のプロセス温度で蒸発する分解生成物が対向流拡散によって基板（２１）に到達することを防ぐために十分に大きい。 （もっと読む）

ロールツーロールＣＶＤシステムは、ＣＶＤ処理の際、堆積チャンバを通して、ウェブを搬送する、少なくとも２つのローラーを含む。堆積チャンバは、少なくとも２つのローラーによって搬送される間、ウェブを通過させるための通路を画定する。堆積チャンバは、複数の処理チャンバのそれぞれ内に別個の処理化学物質を維持する、障壁によって隔離される、複数の処理チャンバを含む。複数の処理チャンバはそれぞれ、ガス流入ポートおよびガス排出ポートと、複数のＣＶＤガス源とを含む。複数のＣＶＤガス源のうちの少なくとも２つは、複数の処理チャンバのそれぞれのガス流入ポートに連結される。
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【課題】ＨＥＭＴ用エピタキシャル層の移動度を低下させることのない、電気特性の良いトランジスタ素子用エピタキシャルウェハを製造することができるトランジスタ素子用エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に高電子移動度トランジスタ用エピタキシャル層３を形成し、高電子移動度トランジスタ用エピタキシャル層３上に、ヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャル層４を形成するトランジスタ素子用エピタキシャルウェハ１の製造方法において、高電子移動度トランジスタ用エピタキシャル層３を、成長温度６００℃以上７５０℃以下、Ｖ／III比１０以上１５０以下で成長させ、ヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャル層４を、高電子移動度トランジスタ用エピタキシャル層３の成長温度よりも低温で成長させる方法である。 （もっと読む）

【課題】ガス中間室を備えるシャワーヘッド型ＭＯＣＶＤ装置において、ヘテロ接合界面の界面急峻性が優れた結晶の成長を可能とする結晶成長方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ装置１０を用いる気相成長方法であって、第１III 族元素ガスをIII 族系ガス中間室２３ａに供給し、被成膜基板３に第１半導体層を形成する第１成膜工程と、被成膜基板３に第２半導体層を形成する第２成膜工程とを含み、第１III 族元素ガスと第２III 族元素ガスとが異なる場合、III 族用キャリアガスを第１成膜工程よりも増量してIII 族系ガス中間室２３ａへ、または、第１Ｖ族元素ガスと第２Ｖ族元素ガスとが異なる場合、Ｖ族系キャリアガスを第１成膜工程よりも増量してＶ族系ガス中間室２４ａへの供給のうち少なくとも一方への供給を行う残留ガス排出工程を含む。 （もっと読む）

【課題】簡易に光取出効率を向上することができる発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長法を用いて、ｎ型導電性基板１上に、少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層２、活性層３、ｐ型クラッド層４を有する発光部６と、ｐ型ＧａＰ電流分散層５と、を積層形成するＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法であって、ＧａＰ電流分散層５を形成する際に、ＧａＰ電流分散層５の表面側部で成長速度を高めることで、ＧａＰ電流分散層５の表面５ｃに凹凸を形成する。 （もっと読む）

【課題】発光波長６５５ｎｍ以上の、高出力・高効率のＬＥＤを量産可能なエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１上に設けられた発光部２と、発光部２上に設けられた歪調整層３とを備え、発光部２は、組成式（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ≦０．１、０．３７≦Ｙ≦０．４６）からなる歪発光層７を有し、歪調整層３は、発光波長に対して透明であると共にＧａＡｓ基板１の格子定数よりも小さい格子定数を有することを特徴とする発光ダイオード用エピタキシャルウェーハ１０を採用する。 （もっと読む）

本発明の実施例は、一般的に化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス用装置に関する。一の実施例では、蒸着反応装置システム内のウエハキャリアを浮上させて移動させるウエハキャリアトラックが設けられており、このトラックはトラックアセンブリの上側及び下部を具え、その間にガスキャビティが形成されている。上部の上面に沿って、及び２つの側面に沿ってガイドパスが延びており、これらの側面は、ガイドパスに沿ってその上に及び互いに平行に延在している。ガイドパスに沿って複数のガス孔が、上部の上面から、上部を通って、ガスキャビティへ延在している。いくつかの実施例では、トラックアセンブリの上側及び下部が、独立して石英を具えており、いくつかの実施例では、互いに結合されている。 （もっと読む）

コーティングされた物品は、基板、及び基板の少なくとも一部の上に形成された第１コーティングを含む。第１コーティングは、Ｐ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ及びＺｒの少なくとも２種の酸化物を含む、酸化物の混合物を含む。機能性コーティングが、第１コーティングの少なくとも一部の上に形成される。機能性コーティングは、導電性コーティング及び光活性コーティングから選択される。一実施形態において、機能性コーティングは、フッ素がドーピングされた酸化スズを含む。別の実施形態において、機能性コーティングはチタニアを含む。
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【課題】基板表面到達前にソースそれぞれに最適な分解効率を示す温度で加熱し、十分な分解をさせた後に結晶成長を行うようにしたＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】有機金属錯体を気化した複数の半導体材料ガスを供給して、基板上に金属化合物を成膜するＭＯＣＶＤ装置において、前記複数の半導体材料ガスが供給される反応室内は部分的に異なる複数の温度領域を有するように制御されている。 （もっと読む）

【課題】混合室の大きさを調整して、様々な条件の成膜に対応する。
【解決手段】気相成長装置１は、反応炉１４内の被処理基板１５を載置するための基板保持部材１６に対向して配置されて被処理基板１５に向かって第１ガスを供給するために設けられたシャワープレート２と、シャワープレート２に対して基板保持部材１６の反対側に配置されて被処理基板１５に向かって第２ガスを供給するために設けられたシャワープレート３とを備え、シャワープレート２には、被処理基板１５に向かって第１ガスが流れるガス流路４ａが形成されており、シャワープレート３は、被処理基板１５に向かって第２ガスを流すために設けられてシャワープレート３から突出してガス流路４ａの内部に挿入されたガス導管５を有しており、ガス導管５は、シャワープレート３に着脱可能に設けられている。 （もっと読む）