【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向に互いに離れた第１、第２の処理領域に夫々第１の反応ガス及び第２の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段とを設ける。前記回転方向において第１、第２の処理領域の間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設ける。さらに前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出する。また第１の処理領域及び第２の処理領域に夫々対応する真空容器の側壁部位に一方及び他方の真空排気口を形成する。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて基板の表面に互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止しかつ反応ガスの消費量を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向において第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段との間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設けることで分離領域Ｄに前記反応ガスが侵入することを阻止すると共に、前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出する。また第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段は、真空容器の径方向に伸び、基板の通過領域と対向するガスノズルにより構成する。 （もっと読む）

【課題】バッファ室と反応室を連通させる孔及び孔の近傍に膜が堆積することを抑制し、堆積した膜によるパーティクルの発生を防止し、基板の品質を低下させることなく処理可能なプラズマ基板処理装置を提供する。
【解決手段】筒状の反応容器２９と、該反応容器の内部に画成され複数の基板２を収納可能な反応室３２と、前記反応容器の内部に設けられたバッファ室３８と、前記反応容器の長手方向に沿って設けられ前記バッファ室に処理ガスを導入可能なガス導入部３４，３５とを具備し、前記バッファ室は前記ガス導入部から導入される処理ガスを前記反応室に供給する複数のガス供給孔４８，５３と、プラズマ発生用の電極５４，５５を収容する空間５９と、前記バッファ室の壁を貫通し前記反応室に開口する孔であって、前記反応容器の薬液洗浄時に用いる水抜き孔を少なくとも１つ有する。 （もっと読む）

【課題】 低温下であっても、高い成膜レートを維持しつつ、低コストで膜厚均一性の良好な絶縁膜を形成する。
【解決手段】 基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に所定元素を含む第１の原料ガスと所定元素を含む第２の原料ガスとを供給し排気することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に第１の原料ガスおよび第２の原料ガスとは異なる反応ガスを供給し排気することで、所定元素含有層を酸化層、窒化層または酸窒化層に改質する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜、窒化膜または酸窒化膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、第１の原料ガスは第２の原料ガスよりも反応性が高く、所定元素含有層を形成する工程では第１の原料ガスの供給量を第２の原料ガスの供給量よりも少なくする。 （もっと読む）

【課題】基材の過熱を抑制できる触媒ＣＶＤ装置、膜の形成方法、太陽電池の製造方法及び基材の保持体を提供する。
【解決手段】触媒ＣＶＤ装置１００において、保持体３００は、触媒線１１から放出される輻射線の基材２００側への反射を防止するための反射防止構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 トラップが豊富に存在し、不揮発性半導体メモリ装置の電荷蓄積層として有用な窒化珪素膜をプラズマＣＶＤ法により成膜する方法を提供する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナにより処理容器内にマイクロ波を導入してプラズマを生成して成膜を行うプラズマＣＶＤ装置においてシリコン原子と塩素原子からなる化合物のガスと窒素ガスを含む処理ガスを用い、処理容器内の圧力を０．１Ｐａ以上８Ｐａ以下の範囲内に設定してプラズマＣＶＤを行うことにより、多くのトラップを含む窒化珪素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション層本来の性能を低下させることなく、有機エレクトロルミネッセンス基板上の電極接続部にのみパッシベーション層が被覆しないようにパターニング成膜することのできる有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法とそれに用いるマスクを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に、第一電極と、前記第一電極上に有機発光層を含む有機発光媒体層と、前記有機発光媒体層を挟んで第一電極と対向するように第二電極を有し、前記第二電極上にパッシベーション層を有し、前記パッシベーション層上に接着層を有し、前記接着層上に封止基板を有する有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、前記パッシベーション層は、マスク開口部の上下端に突起部を設けたパッシベーション層成膜用マスクを用いて、ＣＶＤ法によりパターニング成膜される。 （もっと読む）

【課題】
一様で安定したプラズマを形成でき、大面積基板に均一な膜厚及び膜質分布で成膜できるプラズマ処理方法及び装置並びにプラズマＣＶＤ方法及び装置を提供する。
【解決手段】
本発明によるプラズマ処理装置又はプラズマＣＶＤ装置では、電極が、金属製電極本体と、基板ホルダーに対向する金属製電極本体の表面に埋め込まれた複数個の誘電体とで構成され、基板ホルダーに対向する金属製電極本体の表面が平坦であり、該表面に埋め込まれる複数個の誘電体の端表面が金属製電極本体の表面と同じ平面内に位置している。
また、本発明によるプラズマ処理方法又はプラズマＣＶＤ法は、高周波電力を供給する電極として、放電に対向する金属製電極本体の表面に複数個の誘電体を埋め込みそれぞれの誘電体の端表面が金属製電極本体の表面と同じ平面内に位置する構造の金属電極を使用し、大面積基板に均一に成膜できるように構成される。 （もっと読む）

【課題】長尺な基板をドラムに巻き掛けて長手方向に搬送しつつ、基板に成膜を行なう際に、ドラムに高いバイアス電位を印加する場合でも、高品質な膜を効率よく連続成膜することができ、かつ、製造装置の損傷を防止することができる機能膜の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】ドラムの端面に対面して設けられる、接地される導電性の板であるアース板と、ドラムの端面とアース板との間に配置される絶縁部材とを有することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

薄膜を形成するための蒸着反応器および方法。蒸着反応器は、円の孤に沿って配列された、第１の部分から第３の部分を備える。第１の部分は、第１の部分内の凹部に物質を注入するための少なくとも１つの第１の注入部を有する。第２の部分は、第１の部分に隣接しており、第１の部分の凹部に連通可能に接続された凹部を有する。第３の部分は、第２の部分と隣接しており、第２の部分の凹部と連通可能に接続された凹部と、蒸着反応器から物質を排出するための排出部とを有する。
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【課題】薄膜中への不純物の取り込みを抑制し、膜質を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室内にハロゲン含有ガスを供給するハロゲン含有ガス供給工程と、処理室内にハロゲン含有ガスとは異なる原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、処理室内に電子ビームを供給して基板近傍で原料ガスの活性種を生成する原料ガス活性種生成工程と、を有し、原料ガスの活性種とハロゲン含有ガスとを反応させて基板上に薄膜を形成する薄膜形成工程と、処理室内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス工程と、処理室内に電子ビームを供給して基板近傍で水素含有ガスの活性種を生成する水素活性種生成工程と、を有し、水素含有ガスの活性種と、基板上に形成した薄膜中のハロゲン元素と、を反応させて基板上に形成した薄膜を改質する薄膜改質工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性のみならず、耐酸化性、透明性、および可撓性にも優れるガスバリア膜、および、このガスバリア膜の有するガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】窒化シリコンを主成分とし、Ｎ／Ｓｉの組成比が１〜１．４で、水素含有量が１０〜３０原子％であり、さらに、フーリエ変換赤外吸収スペクトルにおける、Ｓｉ−Ｈの伸縮振動のピークが２１７０〜２２００ｃｍ^-1内に位置し、かつ、このＳｉ−Ｈの伸縮振動のピーク強度Ｉ_{（Ｓｉ−Ｈ）}と、８４０ｃｍ^-1付近のＳｉ−Ｎの伸縮振動のピーク強度Ｉ_{（Ｓｉ−Ｎ）}との強度比である［Ｉ_{（Ｓｉ−Ｈ）}／Ｉ_{（Ｓｉ−Ｎ）}］が、０．０３〜０．１５であることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

複数のウェーハを支持する塔とチューブ状のライナとの間の縦型炉内の空間に処理ガスを注入するのに使用するためのガスインジェクタは、第１の遠位端と、第１の軸に沿って延在する第１の内腔とを有し、シリコン、石英、及びシリコンカーバイドで構成される群から選択された第１の単一の材料からなる、チューブ状ストローと、ストロー部に離脱可能に接続され、第１の材料とは異なる第２の材料からなるコネクタであって、第１の軸に垂直な第２の軸に沿って延在する第２の内腔を有し、第１の内腔と流体連結し、ガス供給ラインに接続可能な遠位端を有する供給チューブを含むコネクタとを含んでいる。
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【課題】長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、ドラムに巻き掛けて、基板の表面に膜を形成する際に、ドラムに電位を印加して成膜を行なう場合であっても、基板がドラムに巻掛り始める位置および基板がドラムから離間する位置を含む空間での、ドラムからの異常放電を抑制して、これにより、高品質な膜を効率よく連続成膜することができ、かつ、基板や成膜装置の損傷を防止することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】基板がドラムに巻き掛かり始める位置、および、基板がドラムから離間する位置の少なくとも一方を含む空間である巻掛空間を含む室と前記成膜室との間に、両室に連通する差圧室を配置し、前記巻掛空間の圧力を成膜室よりも低い圧力とすることで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生部で生成された活性種が、ウェハ上に十分供給されやすく、成膜速度を向上させることでき、また、ウェハの面内、面間における膜厚均一性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】一端が閉塞し、他端が開口した筒状のアウターチューブと、前記アウターチューブ内に設けられるインナーチューブであって、一端が閉塞し、他端が開口した筒状に形成され、内部で基板を処理可能とするインナーチューブと、該インナーチューブの前記開口した他端を閉塞する閉塞部とを備えた基板処理装置において、前記アウターチューブの側壁と前記インナーチューブの側壁との間の空間に、石英パイプ１０で被覆されたアンテナ２３を設置したプラズマ生成部を設け、前記プラズマ生成部で生成された反応活性種を、前記インナーチューブの側壁に設けられた活性種供給口から、前記インナーチューブ内へ供給する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ励起化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）により、半導体基板上にＳｉ−Ｎ結合を有するコンフォーマルな誘電体膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】本方法は、窒素及び／または水素を含有する反応ガスと希ガスを、中に半導体基板が配置された反応空間に導入する工程と、ＲＦパワーを反応空間に印加する工程と、水素を含有するシリコンガスを含む前駆体を、５秒以下の持続時間をもつパルスの状態で反応空間に導入し、その間プラズマが励起されている状態で反応ガスと希ガスとを中断することなく導入し、それによって基板上にＳｉ−Ｎ結合を有するコンフォーマルな誘電体膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ＣＶＤ法等で膜を堆積するにあたり、不純物の除去、更なる膜の改質、膜の安定化を図るものである。
【解決手段】第一の原料と基板に含まれたシリコン成分が結合しない温度で基板を支持するステップと、少なくとも第一の原料を含む材料を処理室に供給し、励起し、前記素子分離領域に、所望の厚みの堆積層を形成する第一の基板処理ステップとを有する第一処理と、第一の原料を含まず、第二の原料を含む材料を処理室に供給し、励起し、前記堆積層を反応、蒸発、もしくは改質する第二の基板処理ステップとを有する第二処理と、前記第一処理と前記第二処理を繰り返すよう処理する基板処理方法 （もっと読む）

【課題】誘導結合高周波プラズマ・リアクタと半導体ウェハの処理方法とを提供する。
【解決手段】誘導結合高周波プラズマ・リアクタ１０は、処理ガスが各チャネルに独立して供給される複数のチャネル３８，４４を有するプラズマ源１６を備える。ガス供給システム２０は、それぞれがプラズマ源１６内の複数のチャネル３８，４４に個別に流量とガス組成とを供給することのできる複数のガス供給ライン３４，３５，３６を備える。各チャネルは、個別に給電されるＲＦコイル５４，５６により囲まれて、プラズマ源１６の各チャネル３８，４４内でプラズマ密度を可変することができるようになっている。動作中は、半導体ウェハ２８の上にある材料層６６は、半導体ウェハ２８全体の各位置６４でプラズマ特性を局所的に空間制御することにより、均一にエッチングまたは付着される。 （もっと読む）

【課題】高誘電体ゲート絶縁膜／メタルゲート電極のＭＯＳトランジスタ構造において、メタルゲート電極側壁の酸化層を抑制し、トランジスタ駆動能力を改善する。
【解決手段】基板１０１上に、金属含有膜１１０を形成する工程（ａ）と、反応室内において金属含有膜にアンモニアラジカルを曝露する工程（ｂ）と、反応室内に不活性ガスを供給し、工程（ｂ）において生じたガスを排気する工程（ｃ）と、工程（ｂ）及び工程（ｃ）を所定の回数繰り返した後に、大気曝露することなく、反応室内において金属含有膜１１０を覆うシリコン窒化膜１００ａを形成する工程（ｄ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】耐屈曲性に優れた複合フィルムを提供する。
【解決手段】基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた、少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機層を有する第一のガスバリアフィルムと、基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた、少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機層を有する第二のガスバリアフィルムと、前記第一のガスバリアフィルムと第二のガスバリアフィルムの間に設けられた接着層とを有し、該接着層が、ドライラミネート用の接着剤と金属アルコキシドを含んでいる、複合フィルム。 （もっと読む）