【課題】特に高いガスバリア性が必要とされる場合に好適に用いることができる透明なガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】基材層１の一方の表面上に、プライマー層２、ガスバリア層３、ガスバリア被膜層４を順次積層し、プライマー層２は、アクリルポリオール、イソシアネート、およびシランカップリング剤からなり、ガスバリア層３は酸化珪素からなり、ガスバリア被膜層４は、一般式Ｓｉ（ＯＲ^１）_４で表される珪素化合物、一般式（Ｒ^２Ｓｉ（ＯＲ^３）_３）_ｎで表される珪素化合物および水酸基を有する水溶性高分子を含有する塗布液を塗布して乾燥させてなり、プライマー層２の膜厚が、０．００５〜１μｍ、ガスバリア層３の膜厚Ｘが０．００５〜２μｍ、ガスバリア被膜層４の膜厚Ｙが０．０５〜３μｍ、ＸとＹの関係が０．００１≦ＸＹ≦２．０であるガスバリア性積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】成膜反応を極めて短時間で停止させ、オーバーシュートを抑制する。
【解決手段】基板１０が収容される第１のチャンバー３と、成膜原料が混合された超臨界状態の媒体を第１のチャンバー３へ供給する供給ラインと、第１のチャンバー３内において基板１０を保持するステージ９と、第１のチャンバー３内の圧力を、前記媒体の臨界圧力よりも低い圧力に減圧させるための第２のチャンバー４と、第１のチャンバー３と第２のチャンバー４とを接続する配管７ａと、配管７ａに設けられたバルブ７ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】 基板に対する原料ガスの供給を促し、基板上に形成される薄膜の成膜速度や膜厚均一性を向上させる。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に原料ガスを供給し排気管より排気する工程と、処理容器内に原料ガスとは異なる反応ガスを供給し排気管より排気する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを１回以上行うことで、基板上に所定膜厚の薄膜を形成する工程を有し、原料ガスを供給する工程では、原料ガスを供給する直前に、排気管に設けられたバルブを一時的にフルクローズして排気管を一時的に閉塞する。 （もっと読む）

【課題】カーボン基材またはＳｉ含浸ＳｉＣ基材の基板支持具表面に形成された高純度ＳｉＣ膜の、処理室クリーニング時におけるエッチングを抑制し、処理室内や基板の汚染を回避する。
【解決手段】基板支持具の表面にＳｉ含有層を形成する工程と、減圧下で酸素含有ガスと水素含有ガスとを用いて前記Ｓｉ含有層をＳｉＯ層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことにより基板支持具の表面にＳｉＯ膜を形成する工程Ｓ１，Ｓ２と、表面にＳｉＯ膜が形成された基板支持具により基板を支持した状態で基板上に薄膜を形成する工程Ｓ４と、基板支持具に付着した堆積物をフッ素含有ガスを用いて除去する工程Ｓ５と、その後に再度、基板支持具の表面にＳｉ含有層を形成する工程と、減圧下で酸素含有ガスと水素含有ガスとを用いてＳｉ含有層をＳｉＯ層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことにより基板支持具の表面にＳｉＯ膜を形成する工程Ｓ６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】従来の方式では不十分であった、密着性、ガスバリア性を改善するため、ガスバリア性能と密着性を有した下地層、セラミック層、ガスバリア性能を有した保護層を減圧環境下におけるインライン成膜で形成することで、従来よりも密着性、ガスバリア性に優れたガスバリアフィルムを高い生産効率で提供すること。
【解決手段】プラスチックフィルム１の片面または両面に、下地層２を形成する工程と、前記下地層２の表面にセラミック層３を形成する工程と、前記セラミック層３の表面に保護層４を形成する工程とを具備し、全工程が減圧環境下におけるインライン成膜で各層を形成することを特徴とするガスバリアフィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、小型で簡潔な構成のプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。蓋６の下面にマニホールド８、１０やガス供給穴９、１１となる溝が形成されており、２つの部材の表面に沿って染み出してくる構成である。 （もっと読む）

【課題】高い寸法精度で製造することができ、かつパーティクル・ダストの排出を抑制することができるガスノズルを提供する。
【解決手段】ガスノズル４は、ガスが流れる貫通孔１２，１４を備えた本体１３を有する。本体１３は、貫通孔１２，１４のそれぞれの内周面に複数の環状の段差部１６ａ，１６ｂ，１６ｃを有し、ガスが流れる方向における各段差部１６ａ，１６ｂ，１６ｃの上流よりも下流において、貫通孔１２，１４のそれぞれの内周面が、より中心側に位置している。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、コイルは複数の導体棒３を接続したもので、石英管４の内部に配置されており、石英管４の内側の半円柱部分が筒状チャンバ内部の空間７に露出する。導体棒３と石英管４の内部に水が流れることによって石英管４と導体棒３が冷却される。プラズマ噴出口１２からプラズマを基材２に照射することにより、基材２上の薄膜１６をプラズマ処理することができる。 （もっと読む）

【課題】付帯設備や専有面積の過剰な増大を防止しつつスループットを増加し得る成膜装置を提供する。
【解決手段】開示の成膜装置は、直径３００ｍｍの基板が夫々載置される１０個以上の載置領域を含む回転テーブルと、容器内の第１領域に配置され、回転テーブルへ第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給部と、第１領域から回転テーブルの回転方向に離れた第２領域に配置され、回転テーブルへ第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給部と、第１及び第２領域に対応する第１及び第２の排気口と、第１及び第２領域の間に配置され、第１及び第２反応ガスを分離する分離ガスを吐出する分離ガス供給部と、分離ガス供給部から供給される分離ガスが流れる空間を回転テーブルとの間に画成する天井面であって、その空間の圧力が第１及び第の領域における圧力よりも高く維持され得る高さを有する天井面とを含む分離領域とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板載置領域における基板の位置ずれの発生を抑えることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に設けられ、水平面に沿って回転する回転テーブル２に形成された凹部２４の内部に、ウエハＷを載置するための載置部材２００を着脱自在に設け、該載置部材２００に、ウエハＷの下面と載置部材２００の表面との間の空間と、この空間の外側領域と、の間でガスを通流させるためにウエハＷを前記表面から浮かせた状態で保持する突起２０１を形成する。真空容器の内部にて圧力変動が発生したとしても、ウエハＷの下面に処理ガスを速やかに通気させることによって、ウエハＷの下面側において局所的にガス圧が高まりウエハＷが持ち上がって正常な位置からウエハＷが移動してしまう現象の発生を抑える。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性に優れ、バリア層形成時に高温熱処理を必要とせず、ハロゲンを含まないガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】高分子フィルム基材１に、Si系酸化物を含む無機化合物の蒸着層２と、該蒸着層上に架橋樹脂のガスバリア層３が積層されているガスバリア性フィルムであって、前記ガスバリア層が、不飽和ニトリル(a1)と、水酸基を有する非芳香族不飽和化合物(a2)と、不飽和カルボン酸エステル、スチレン、不飽和カルボン酸、不飽和炭化水素及びエポキシアクリレートからなる群から選択される不飽和化合物(a3)とを単量体とする共重合樹脂(A)と、イソシアネート化合物(B)と、２つ以上のカルボン酸基または１つ以上の無水カルボン酸基を有する化合物(C1)と、１分子中に有機官能基と加水分解性官能基を有するシラン化合物(C2)との混合物を、前記蒸着層上で反応して得られる架橋樹脂から成るガスバリア性フィルム。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのスイッチング特性に優れており、特に保護膜形成後も良好な特性を安定して得ることが可能な薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｚｎ、ＳｎおよびＳｉを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】液体原料中の溶存ガスに起因して出現し得る気泡が気化器における気化量制御に悪影響を及ぼすのを回避する。
【解決手段】液体原料を不活性ガスにより圧送する液体原料供給源と、液体原料供給源が圧送する液体原料の流路となる液体原料供給管と、液体原料供給源から液体原料供給管を通じて供給された液体原料を気化して気化ガスを生成する気化器と、気化器が生成した気化ガスが供給される処理室とを有する基板処理装置において、液体原料供給管の経路途中に液体原料供給管内を流れる液体原料を貯留する液体原料溜め部を設け、液体原料供給管内での圧力低下によって液体原料中に現れる気泡を液体原料溜め部内にて除去する。 （もっと読む）

【課題】真空容器を貫通した昇降軸により真空容器内にて昇降する昇降部材に関連する部位のメンテナンス作業を行うにあたって便利な真空処理装置を提供すること。
【解決手段】真空容器の底部に形成された開口部を塞ぐために当該底部に着脱自在に設けられ、昇降軸が貫通したカバープレートと、カバープレートの下方で昇降軸の下端部が着脱自在に取り付けられる取り付け部材と、第１の基体に設けられ、取り付け部材を昇降させるための第１の昇降機構と、前記底部の下方側に伸び出している前記昇降軸を囲むように設けられ、上端部及び下端部が夫々前記カバープレート及び前記取り付け部材に着脱自在に固定されたベローズ体と、前記真空容器におけるカバープレートの外側位置に固定された第２の基体と、第２の基体に設けられ、前記第１の基体を昇降させるための第２の昇降機構と、を備えるように装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜よりなる薄膜と、金属含有膜との界面に存在することになる金属酸化膜の厚さを抑制することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体を収容する処理容器２２と、原料ガスを供給する原料ガス供給系５４と、反応ガスを供給する反応ガス供給系５６と、処理容器内を真空引きする真空排気系とを備えた成膜装置２０を用いて表面に金属含有膜が形成された被処理体にシリコン酸化膜の薄膜を形成する成膜方法において、真空排気系の開閉弁を閉じた状態で原料ガス供給系の開閉弁を最初は開状態にして原料ガスを一時的に供給した後に直ちに閉状態にして閉状態を所定の期間維持して原料ガスを被処理体に吸着させる吸着工程と、反応ガス供給系の開閉弁を開状態にして反応ガスを処理容器内へ供給して反応ガスを原料ガスと反応させて薄膜を形成する反応工程とを、間に間欠期間を挟んで交互に複数回繰り返すようにする。 （もっと読む）

【課題】膜厚方向に亘って緻密な薄膜を得ること。また、良好なデバイス構造を得ること。
【解決手段】回転テーブル２を回転させることにより、Ｓｉ含有ガスとＯ3ガスとを用いてウエハＷに反応生成物を形成する成膜ステップと、プラズマにより前記反応生成物を改質する改質ステップと、からなる成膜−改質処理を複数回行うと共に、薄膜の形成途中にてプラズマの強度を変更する。具体的には、反応生成物の積層膜厚が薄い時（成膜−改質処理を開始した初期）にはプラズマの強度を小さくすると共に、反応生成物の積層膜厚が増加する程（成膜ステップの回数が増える程）、ウエハＷに供給するプラズマの強度を段階的に大きくする。あるいは、反応生成物の膜厚が薄い時にプラズマの強度を強くして、その後弱くする。 （もっと読む）

【課題】本発明では、低温での成膜処理により、良質なゲート絶縁膜が得られる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明では上記課題を解決するため、シリコン基板１０上に、６００℃以下で原子層堆積法により、ゲート絶縁膜の少なくとも一部となる二酸化シリコン膜３１を形成する酸化膜形成工程と、二酸化シリコン膜３１の表面に対し、酸化処理を行う表面処理工程と、を有する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】紫外線遮蔽機能をもち、酸性雨に対する耐性が高いかつ、かつ、冷熱サイクル特性に優れたハードコート構造を備えた透明体を提供する。
【解決手段】透明基材１と、基材１上に順に配置された、紫外線吸収層２とハードコート層３とを有する透明体であって、紫外線吸収層１として、アモルファスなＴｉＯ_２膜で、膜厚５０００オングストローム以下、ＴｉとＯの組成比Ｔｉ：Ｏが１：１．８以上、１：２．０以下のものを用いる。ＴｉＯ２膜は、耐酸性が高い性質を有し、しかも、アモルファスなＴｉＯ_２膜は光触媒性能を備えないため、基材との密着性が高い。 （もっと読む）

【課題】保護膜としてＳｉＮ膜が使用されている場合であっても、素子動作特性の変動を軽減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置２は、ドレインドリフト領域１２を有する半導体基板１１と、ドレインドリフト領域１２上に形成されたフィールド酸化膜１７と、ゲート電極１８と、中間絶縁膜１７と、メタル層２１，２２と、これらを覆うＳｉＮ膜２３と、ＳｉＮ膜２３上にＯ３−ＴＥＯＳを用いたＣＶＤ法により形成され、カーボンを含有するＰＳＧ膜２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化ケイ素又は窒化ケイ素をＣＶＤやＡＬＤなどのプロセスにより、低温で堆積できる前駆体を提供する。
【解決手段】誘電体膜を形成するための前駆体及び方法である。１つの態様では、次の式Ｉを有するケイ素前駆体が与えられる。
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