【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に平坦性と配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度が低く、不純物の界面蓄積やＺｎＯ系成長層への拡散が抑制されたＺｎＯ系単結晶の成長方法を提供することにある。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供することにある。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気とを用い、ＺｎＯ単結晶基板上に６００℃以上９００℃未満の成長温度で熱安定状態のＺｎＯ系単結晶を成長する工程を有する。 （もっと読む）

【課題手段】長期にわたって優れた転写性およびクリーニング性を維持できる中間転写体およびその製造方法、ならびに画像形成装置を提供すること。
【解決手段】ポリフェニレンスルフィドおよびポリアミドを含有する基材１７５上に、体積固有抵抗１×１０^７〜１×１０^１３Ωｃｍの半導電性無機層１７６を有する中間転写体１７０。ポリフェニレンスルフィドおよびポリアミドを含有する基材１７５上に無機層１７６をプラズマＣＶＤ法により形成する中間転写体の製造方法。上記中間転写体を備えた画像形成装置。 （もっと読む）

【課題】気相成長によりキャリア濃度の高いｐ型ＺｎＯ系半導体薄膜を成膜できる方法を提供する。
【解決手段】反応管３０内に外部から、窒素前駆体原料と亜鉛前駆体原料とを含み且つ酸素原子を含まない第1の原料ガス３１１を供給するとともに基板１０上にて窒素前駆体原料と亜鉛前駆体原料とを反応させる工程（Ａ）と、反応管３０内に外部から酸素前駆体原料を含む第２の原料ガス３１３を供給して酸素前駆体原料と工程（Ａ）において未反応となった亜鉛前駆体原料とを基板１０上にて反応させる工程（Ｂ）とを実施して成膜する。 （もっと読む）

【課題】異種基板上へＺｎＯ系半導体結晶を高温で成長可能なヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】異種基板４０上に酸化物または窒化物の配向膜からなるバッファ層４２を形成する工程と、バッファ層上にハロゲン化ＩＩ族金属と酸素原料を用いて、ＺｎＯ系半導体層４４，４６を結晶成長する工程とを有するヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶装置および半導体装置。 （もっと読む）

【課題】意図しない不純物の混入を防ぎ、高温でもｐ型不純物を十分ドープすることができる酸化亜鉛系半導体、酸化亜鉛系半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、少なくとも亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入し、また、基板１上にｐ型不純物原料ガスとしてＶ族の水素化物ガスを導入する。このようにして、基板１上にｐ型不純物がドープされた酸化亜鉛系半導体層２を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】原子層成長において、所望とする供給比で複数の原料ガスが供給できるようにする。
【解決手段】原料ガスＡ供給部１０５は、原料Ａ気化器１５１，バッファタンクＡ１５２，充填弁Ａ１５３，供給弁Ａ１５４，および圧力計Ａ１５５を備える。また、原料ガスＢ供給部１０６は、原料Ｂ気化器１６１，バッファタンクＢ１６２，充填弁Ｂ１６３，供給弁Ｂ１６４，および圧力計Ｂ１６５を備える。制御部１０９は、圧力計Ａ１５５により計測されたバッファタンクＡ１５２内の圧力値をもとに、充填弁Ａ１５３の開度を制御する。また、制御部１０９は、圧力計Ｂ１６５により計測されたバッファタンクＢ１６２内の圧力値をもとに、充填弁Ｂ１６３の開度を制御する。 （もっと読む）

【目的】基板上に、平坦性及び結晶性に優れた高品質な酸化亜鉛系半導体、特に酸化亜鉛（ＺｎＯ）単結晶の成長方法を提供することにある。また、平坦で結晶性に優れた半導体層を有し、高性能、高信頼かつ量産性に優れた半導体素子を提供することにある。
【解決手段】
亜鉛を含むケトン化合物有機金属材料の材料溶液を気化させた材料ガスと極性酸化ガス及び無極性酸化ガスの混合ガスとを供給する工程を有するＭＯＣＶＤ法により、基板上に酸化亜鉛系半導体層を結晶成長する。上記混合ガスにおける上記極性酸化ガス及び上記無極性酸化ガスの混合比率は１対４ないし４対１の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】 窒素を含有する酸化亜鉛膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 窒素及び酸素の混合ガスを、非平衡大気圧プラズマ化して反応性ガスとし、気化した有機亜鉛化合物と混合させ、該有機亜鉛化合物を分解し、基板上に堆積させる窒素含有酸化亜鉛膜の製造方法である。
本発明により製造した酸化亜鉛薄膜は、窒素を含有することでｐ型特性を実現する薄膜になりうる可能性がある。よって、これを用いてなる半導体製品は、酸化亜鉛が透明であることから、発光部材としての適用を期待できるものである。 （もっと読む）

【目的】
基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛系半導体結晶の成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れ、量産性に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法において、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、（ａ）低成長温度かつ１ｋＰａ〜３０ｋＰａの範囲内の低成長圧力で結晶成長を行って第１の単結晶層を形成するステップと、（ｂ）高成長温度かつ上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第１の単結晶層上に第２の単結晶層を形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【目的】
基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛系半導体結晶の成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れ、量産性に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法において、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、（ａ）２５０℃〜４５０℃の範囲内の第１の低成長温度及び１ｋＰａ〜３０ｋＰａの範囲内の低成長圧力で結晶成長を行って第１の単結晶層を形成するステップと、（ｂ）上記第１の低成長温度よりも高い第２の低成長温度及び上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第１の単結晶層上に第２の単結晶層を形成するステップと、（ｃ）高成長温度及び上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第２の単結晶層上に第３の単結晶層を形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ装置の噴射孔の閉塞を防ぎ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）系透明導電膜の連続的な製膜を可能とする方法を提供する。
【解決手段】有機金属化学気相蒸着法に基づき、基板上に製膜原料を噴射する噴射孔２５ａを備えたＭＯＣＶＤ装置２を用いて、一定量の不純物を含有するジエチル亜鉛（Ｚｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２）と、ジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）と、水（Ｈ_２Ｏ）とからなる製膜原料を、気相で反応させると共に、上記噴射孔２５ａから基板に向けて噴射させることにより、ｎ型の酸化亜鉛（ＺｎＯ）系透明導電膜を上記基板上に製膜する透明導電膜の製造方法であって、上記不純物として含まれるアルミニウム（Ａｌ）の含有量が、１０ｗｔｐｐｍ未満であるジエチル亜鉛（Ｚｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２）により製膜する。 （もっと読む）

太陽光による劣化に対して高い耐性を有する、乾式蒸着法を用いて、ＴｉＯ_２またはＺｎＯの透明の薄膜にて被覆された石骨材から製造された石板状または敷石状の物品であって、これらは、低い光触媒作用を有するか、または光触媒作用を有さないＴｉＯ_２および／またはＺｎＯの透明の薄膜で被覆された石骨材から製造された石板状または敷石状の形態であり、上記膜は乾式蒸着法、物理気相成長法（ＰＶＤ）またはプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）によって蒸着されている。上記の物品は、太陽光による劣化に対して高い耐性を有している。これは、得られた材料が外部環境に適していることを意味する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛透明導電酸化物層上に低屈折率のカーボン膜を形成することで、光線透過率は向上するが、水分や空気に対する耐久性は向上しない。また、有機珪素化合物層を酸化亜鉛透明導電酸化物層上に直接形成しようとしても、大面積では均一に形成することが困難であったが，それを解決する透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板１上に透明導電酸化物層２／カーボン層３のさらにその上に、有機珪素化合物層４を形成することで、水分や空気に対する耐久性の向上が可能となり、さらに大面積にした場合も均一に作製することができる。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性に優れたガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】基材フィルム上に、有機領域と無機領域を含むバリア層を有し、かつ、有機領域が設けられた側の最表面（有機領域が両面に設けられている場合は、少なくとも一方の面の最外層）が接着層であるガスバリアフィルムで、そのバリア層が、少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機層とを有する。接着層は、紫外線硬化型接着剤または熱硬化型接着剤である。 （もっと読む）

【課題】材料溶液を完全に気化し、基板に安定供給することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】内部に基板を保持する基板保持部を備えた反応容器４２０と、常温で液体の材料溶液を霧状にする霧化部４０８と、霧状の材料溶液を気化させて反応容器に供給する気化部４０９とを有する成膜装置とする。霧化部４０８は、材料溶液と、霧化を支援するための霧化支援ガスとを噴出することにより材料溶液を霧状にする。霧化部４０８には、霧化支援ガスを所定温度に加熱して供給する霧化支援ガス加熱部４０７が接続されている。これにより、加熱した霧化支援ガスにより材料を霧化させることができ、気化を効率よく行うことができる。 （もっと読む）

【課題】材料溶液を完全に気化し、基板に安定供給することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】常温で液体の材料溶液を霧状にした後気化させ、該気化した材料溶液を基板上に供給する。制御部１６は、材料溶液を気化させる気化器４０９の圧力および温度を検出し、検出した圧力および温度から空間の材料溶液に含まれる溶質の飽和蒸気の飽和率を求め、飽和率が１以下に維持されるように空間の圧力および温度の少なくとも一方を制御する。 （もっと読む）

【課題】材料溶液を完全に気化し、基板に安定供給することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】気化器４０９は、内部空間を有する容器９００と、容器９００内の空間を加熱し、霧状の材料溶液を気化させる加熱部９０７とを備える。霧化部４０８は、内部空間に向かって材料溶液と霧化支援ガスを噴出し、ヒーター９０８を内蔵するフィン９０７により霧化した材料溶液を加熱する。これにより、溶液材料を効率よく気化することができる。 （もっと読む）

【課題】枚様式、多数枚式を問わず、均一な厚みの単結晶膜の成膜を可能にする。
【解決手段】ガス噴出部の噴出口は、行および列を成すように配列され、列の間隔が行の間隔よりも広い。これにより、基板到達後のガスは、列に沿って形成される排気空間５０１を流れ、排気されるため。常に基板にフレッシュなガスを供給できる。よって、一様な膜厚で成膜することが可能である。これに対し、比較例では、ガスが放射状に流れるため、中央部の膜厚が厚くなる。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れたII−VI族化合物半導体を製造するための半導体製造装置、および、製造方法を提供する。
【解決手段】原料ガスを基板１０に向かって所定の角度で供給する供給口１２と、基板１０で反射された原料ガスが入射する位置に配置された排気口１４とを有するＭＯＣＶＤ装置を提供する。これにより、２以上の原料ガスをそれぞれ基板１０に所定角度で入射させて、基板１０上で反応させる。基板１０上で反射された原料ガスを、直接的に排気口１４に取り込んで排気するか、もしくは、基板１０上で反射された原料ガスの進行方向を制御し、排気口１４まで導いて排気する。 （もっと読む）

【課題】噴霧法を用いて膜原料を溶解した溶液を噴霧させる薄膜作製炉である。溶媒を使用するので噴霧直後に溶媒は気化し膜原料の微細な粒子は基材に接近させるとき過熱された基材に気体状態で基材表面への常温常圧の表面蒸着および浸透蒸着方法を提供する。
【解決手段】薄膜の製法については多種の製法、イオン、スパッタリング、真空等の製法が用いられている。原点に返り室温下での製法を用いる。このことは炉３の構造、加熱温度、空圧、溶媒の質量、基材の軟化点、蒸着に用いる先端ノズル５の改良および過熱温度、空圧、溶液量、噴霧距離等を勘案して炉３の開閉と噴霧時の温度と溶液量のおよび温度、空圧、軟化点の確認との一致、噴霧時の距離。以上の技術的一致点にて蒸着することにより既存の表面蒸着ではなく、浸透蒸着を可能にする。 （もっと読む）