【課題】 微細なパターンの形成の精度を向上させることが可能な製膜装置を得る。
【解決手段】 基体１６０上に第１の化学種を吐出する第１のノズル１０２ａと、基体１６０上に第２の化学種を吐出する第２のノズル１０２ｂと、第１の化学種を貯留する材料貯留室１０１ａと反応活性種を発生させる反応活性種発生部１０３ａ、第２の化学種を貯留する材料貯留室１０１ｂと反応活性種を発生させる反応活性種発生部１０３ｂを備え、第１のノズル１０２ａと第２のノズル１０２ｂは、吐出された第１の化学種の流れと第２の化学種の流れが交差するように設置される。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法を用いて安全に、各種基板の表面に、高品質の結晶を有する酸化亜鉛膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】 ジメチル亜鉛またはジエチル亜鉛を有機溶媒に溶解させた原料を、気化させてＣＶＤ装置に供給するとともに、酸化剤ガスを含むガスをＣＶＤ装置に供給して、基板の表面に酸化亜鉛膜を形成させる。または、ジメチル亜鉛またはジエチル亜鉛の気化ガスと、酸化剤ガスを含むガスを、交互にＣＶＤ装置に供給して、基板の表面に酸化亜鉛膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】 安全かつ比較的安価に製造できる、織布といった繊維集合体形態の高活性の光触媒複合材を提供する。
【解決手段】 蒸留精製した四塩化チタンを含む混合ガスを、ガラス繊維の集合体（例、ガラスクロス）と接触させた後、焼成することからなる、蒸着法によってガラス繊維を酸化チタン薄膜で被覆すると、個々のガラス繊維の表面が剥離やクラックや脱落等のない酸化チタンの連続膜で被覆された、高い光触媒活性を有する光触媒複合材が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＺｎＯを選択的にＡＬＤさせた構造物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】上記方法は、シリコンウェーハを用意する工程１４と、ＺｎＯの堆積を抑制させることを選択した領域のパターンを、阻害作用物を用いることにより該ウェーハにパターン形成する工程１６と、ＡＬＤにより該ウェーハ上にＺｎＯの層を堆積させる工程２０と、該ウェーハから該阻害作用物を除去する工程２４とを含む。 （もっと読む）

【課題】低屈折率で高い膜強度を有し、絶縁性の優れた薄膜、反射防止基材及び半導体デバイスと、薄膜形成に用いる微粒子製造方法及び薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】大気圧近傍の圧力下、放電空間に５０体積％以上の窒素ガス、０．０１体積％以上の酸素ガス及び微粒子形成ガスを含有するガス１を供給し、放電空間に高周波電界を印加し、放電空間もしくはその近傍に基材を晒すことで、該基材上に微粒子からなる平均空隙率が１０〜５０％の空隙層を形成する工程１と、該工程１の後に、大気圧もしくはその近傍の圧力下、放電空間に薄膜形成ガスを含有するガス２を供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより、該ガス２を励起し、微粒子からなる空隙層を有する基材を励起したガス２に晒すことにより、該微粒子からなる空隙層上に平均空隙率が１０％以下の接着層を形成する工程２とを経て製造する。 （もっと読む）

【課題】 発光層を含む薄膜構成層へのダメージを少なく陰極を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及びその製造方法で製造した発光輝度が高く、発光寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。
【解決手段】 陰極と陽極の間に発光層を含む薄膜構成層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、該陰極の少なくとも一部が、プラズマジェット法により形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 コストの増加を抑えつつ、ＺｎＯ系化合物結晶の酸素欠陥を低減することにより残留電子濃度を低減できるＺｎＯ系化合物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】 基板３が収容されたリアクタ２内へ、亜鉛原子を含む原料と輸送ガスとを含む第１の原料ガス、及び酸素原子を含む第２の原料ガスを供給し、亜鉛原子及び酸素原子を互いに反応させることにより基板３上にＺｎＯ系化合物結晶をエピタキシャル成長させる成長工程を備え、酸素原子を亜鉛原子よりも多く供給するとともに、ＺｎＯ系化合物結晶の成長速度を３［ｎｍ／時］以上３００［ｎｍ／時］以下とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、エッチング性に優れ、低抵抗値、高い透過率、良好な表面平滑性を併せ持つ透明電極及び透明電極の製造方法を提供することである。
【解決手段】 透明基材上に透明高屈折率層と金属粒子とを交互に積層し、総膜厚が３０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であって、かつ表面抵抗値が１Ω／□以上、１３Ω／□以下であることを特徴とする透明電極。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物膜を大気開放型CVD法により基材に形成する際に、基材の表面状態の影響を受け、金属酸化膜厚や再現性の制御が困難である。
【解決手段】基材表面状態を安定化するため、大気開放型CVD以外の方法、例えばスパッタ法やプラズマCVD法、蒸着法と酸化処理の組み合わせ、蒸着法等により金属酸化膜もしくは金属の薄膜を基材表面に予め形成し、それを表面制御層として大気開放型CVD法により目的とする金属酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性透明電極とその製造方法，及びこの耐熱性透明電極を備えた色素増感太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明によれば，五価元素を含有した透明伝導性物質からなる耐熱性透明電極とその製造方法，及びこの耐熱性透明電極を備えた色素増感太陽電池が提供される。かかる耐熱性透明電極は，高温に露出されても実質的に劣化されず，伝導性低下も発生しないため，この耐熱性透明電極を備えた色素増感太陽電池は，その性能が向上することとなる。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ（有機金属化学的気相成長）法により、透明導電膜を多層構造で連続的に製膜するための製膜装置及び製膜方法に於いて、原料を節約し、均一で高品質な膜質を保持しつつ製膜速度を向上させる方法を提供する。
【解決手段】多層透明導電膜連続製膜装置は、基板装着部２と、真空排気を行う仕込み部3と、有機金属化合物（ジエチル亜鉛）とジボランと水を気相で反応させＭＯＣＶＤ法により透明導電膜を基板上に形成する製膜処理部４１〜４ｎを複数有する多層製膜処理部と、基板取り出し部５と、基板取外し部５と、基板セッターを基板装着部へ戻させるセッターリターン部７とからなり、前記各部を順次移動しながら基板に多層透明導電膜を連続的に製膜する。各製膜処理部は、有機金属化合物とジボラン、水の夫々を噴射するノズルを設け、これらを冷却する冷却機構を設ける。 （もっと読む）

【課題】 廉価な低純度のジエチル亜鉛原料中に不純物として含有するトリエチルアルミニウム添加剤として利用し、製膜コストを低減する。
【解決手段】 低純度（９９．９９〜９８％又は９９．９９〜９０％）のジエチル亜鉛を原材料として用い、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学蒸着）法によりＺｎＯ系透明導電膜を作製する。酸化剤としての水蒸気（Ｈ₂ Ｏ）と前記原料中に不純物として含有するトリエチルアルミニウム添加剤として転用し、（更に、添加剤としてジボランを添加し、）前記ジエチル亜鉛と、前記水蒸気（Ｈ₂ Ｏ）と、トリエチルアルミニウムと、（ジボランと）を気相反応させてＺｎＯ系透明導電膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム半導体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板のブラスト工程を通じて格子定数差による欠陥を減らし、しかも内部残留応力を極力抑えられるＧａＮ半導体とその製造方法。特に、シリコン基板を用いて高品質のＧａＮ薄膜を形成することにより、良質の大口径基板を安価で確保して製造コストを下げることができ、各種多様な素子及び回路応用性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】金属触媒を使用することなくＺｎＯナノ構造を成長させる手法を提供する。
【解決手段】本発明の方法においては、基板の表面の上に多結晶酸化亜鉛のシード層を形成することによって、金属触媒を使用することなく、酸化亜鉛のナノ構造を成長させる手法を提供する。シード層は原子層堆積法によって形成されることが出来る（１０２）。このシード層の上に、少なくとも１つの酸化亜鉛のナノ構造の成長が引き起こされる（１０３）。シード層は、代替の方法として、有機金属堆積法、スプレイ熱分解法、ＲＦスパッタリング法またはシード層の酸化などのスピンオン法によって形成されることが出来る。 （もっと読む）

【課題】 熱ＣＶＤ法とプラズマＣＶＤ法が有する特長を併せ持つことにより、比較的大面積の基板上にカーボンナノチューブ等のナノ構造材料を高い生産性にて製造することができるとともに、高品質ＺｎＯ薄膜やｐ型ＺｎＯの製造にも適用することが可能なナノ構造材料製造装置及び製造方法を提供すること。
【解決手段】 反応室と、該反応室内に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、該反応室内を真空状態とする真空排気手段と、該反応室内を加熱する加熱手段と、該反応室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段と、該反応室内に設けられた基板ホルダーと、該基板ホルダーにバイアス電圧を印加可能なバイアス印加手段とを具備し、加熱手段が電気炉であり、プラズマ生成手段が該電気炉外に配置されてなるナノ構造材料製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】原料ガスが処理基板に到達する前に反応することを防止し、処理基板からの輻射熱の影響を最小化し、さらに、反応室におけるガスの挙動を結晶成膜にとってより良好とすることのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】加熱状態の処理基板５の表面に、複数の原料ガスを反応させて成膜を行う成膜装置であって、上記処理室１が加熱室１ａと反応室１ｂに区分され、反応室１ｂに露出している処理基板５と対向するところに、原料ガスの排気管７が反応室１ｂに連続した状態で設けられ、処理基板５の表面に対して各原料ガスをそれぞれ独立した状態で供給する供給口１１，１２が、排気管７よりも外方に位置するように配置されている。こうすることにより、処理基板５の直近で原料ガスを反応させて良好な結晶成膜が処理基板５上に形成される。 （もっと読む）

【課題】 長時間連続運転しても安定で良好な気化特性を示し、均一組成を再現性良く製造できるＣＶＤ原料。
【解決手段】 有機金属化合物を１，２−エポキシシクロヘキサンを含む溶媒に溶解して得られる薄膜用ＣＶＤ原料であり、好ましくは有機金属化合物が金属のジピバロイルメタナト、ペンタフルオロプロパノイルピバロイルメタナト、ジイソブチリルメタナト、イソブチリルピバロイルメタナト、アセチルアセトナト、ヘキサフルオロアセチルアセトナト、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−オクタンジオナト、ジオラート、ジアルキルアミド錯体、アルコキシド、シクロペンタジエニル又はそれらの誘導体の少なくとも１種であり、金属がＢｉ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｌａ、Ｎｂ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｎｄ及びＺｒの群から選ばれた少なくとも一種である薄膜用ＣＶＤ原料、ならびにそれを用いて溶液ＣＶＤ法により成膜された薄膜。 （もっと読む）

基板と、前記基板上に形成された酸化物系ナノ素材とからなる基材を含む光触媒を開示する。前記光触媒は、同一成分を持つ従来の光触媒より高い体積対表面積比を有し、且つナノサイズの光触媒層を備えることにより、優れた光分解特性を持つ。 （もっと読む）

金属酸化物被覆は、金属酸化物先駆体（１０）及び酸化剤を、コロナ放電（４０）又は誘電体バリア放電を通して搬送して金属酸化物を生成させ、それを基材上に付着させることにより、比較的低温で、且つ大気圧又はその近傍で、基材（６０）に適用することができる。
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安価な希釈ガスを用いて、高透過、低抵抗、かつ優れた表面形状を有する酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を均一性良く簡便に製造する製造方法、及びその製造方法を含むタンデム型薄膜光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の透明導電膜の製造方法は、製膜室中に有機亜鉛、希釈ガス、および酸化剤を導入し、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を前記製膜室内に配置された基板上に形成する方法であって、前記希釈ガスが水素であることを特徴とする透明導電膜の製造方法であって、水素は熱伝導率が大きく安価であるので特性が優れかつ低コストな透明導電膜を提供することが出来る。 （もっと読む）