【課題】フロートガラス製造ラインにおいて商業的に実現可能な成長速度で熱分解性酸化亜鉛コーティングを製造するコスト効率の良い方法はこれまでに知られていない。さらに、所望の特性を結合させたコーティングを形成するために、「オンライン」で製造されたそのような酸化亜鉛コーティングを１つ又はそれ以上のドーパント化合物でドープする能力はこれまでに実現されていない。
【解決手段】１つ以上の反応気体流を加熱されたガラス基材の表面上へ送り込むことによって形成される、低い抵抗率のドープ酸化亜鉛でコーティングされたガラス物品を製造するための大気圧化学気相堆積方法を提供する。１つ以上の反応気体流とは、特に、亜鉛含有化合物、フッ含有化合物、酸素含有化合物及びボロン、アルミニウム、ガリウム、インジウムのうち少なくとも１つを含有する化合物である。 （もっと読む）

【課題】亜鉛を含有する薄膜の製造に好適な原料及びこれを用いた化学気相成長法による薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】水酸基を有さない有機溶剤１０００ｍｌに対して、必須成分として、ビス（ペンタン−２，４−ジオナト）亜鉛無水和物０．１〜１モルを溶解させた溶液からなる薄膜形成用原料、及び該薄膜形成用原料を気化させて得たビス（ペンタン−２，４−ジオナト）亜鉛無水和物を含有する蒸気を基体上に導入し、これを分解及び／又は化学反応させて基体上に亜鉛原子を含有する薄膜を形成する薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板に金属酸化物を成膜する際、金属原料を溶解する溶媒の成分が金属酸化物の膜に不純物として混入されるのを防止する。
【解決手段】金属原料をそれより気化性の高い溶媒に溶解させてなる原料溶液Ｓを、移送機構３０によって気化器４０の第１気化環境４１ａに配置した後、第２気化環境４２ａに配置する。第１気化環境４１ａは、金属原料が気化困難で有機溶媒が気化容易な温度又は圧力になっている。第２気化環境４２ａは、金属原料が気化容易な温度又は圧力になっている。第２気化環境４２ａからのガスを原料ガス供給路６０にて基板Ｗに供給する。 （もっと読む）

【課題】基板上に堆積された膜組成物及びその半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】基板を少なくとも１つの付着性材料に、この材料が基板上に吸着するのに十分な露出を行うことによってイニシエーション層を形成する。イニシエーション層は第１の反応性部位を与え、この部位を第１の反応材料と、原子層堆積条件下で化学的に反応させて第２の反応性部位を形成する。第２の反応性部位を第２の反応材料と、イニシエーション層上に反応層を形成するのに十分なプロセス条件下で化学的に反応させる。このプロセスを繰り返して、連続的な反応層をイニシエーション層上に形成することができる。イニシエーション層を構成する付着性材料は、原子層堆積法によって劣化しないものである。イニシエーション層は、１つまたは複数の反応層とともに最終的な膜を構成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、例えば、化学気相蒸着法による亜鉛含有薄膜の製造材料として有用である、高濃度のアルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナトを配位子とする亜鉛錯体の有機溶媒溶液を提供することにある。
【解決手段】 本発明の課題は、濃度が0.5mol/l以上であるアルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナトを配位子とする亜鉛錯体の有機溶媒溶液によって解決される。によって解決される。 （もっと読む）

【課題】金属含有膜を作製するために使用される多座β−ケトイミナートの金属含有錯体を提供する。
【解決手段】例えば、ビス（２，２−ジメチルー５−（ジメチルアミノエチルーイミノ）ー３ーヘキサノナートーＮ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムやトリス（２，２−ジメチルー５−（ジメチルアミノエチルーイミノ）ー３ーヘキサノナート）イットリウムなどの化合物が挙げられる。 （もっと読む）

本発明は、基板上への薄膜堆積のための堆積プロセスであって、少なくとも第一、第二および第三の気相材料を含む複数の気相材料を提供する段階を有するものに関する。第一および第二の気相材料は互いと反応性があって、第一または第二の気相材料の一方が基板表面上にあるとき、第一または第二の気相材料の他方が反応して基板上に少なくとも材料の層を堆積させ、第三の気相材料は第一または第二の気相材料との反応に関しては不活性である。本プロセスは、気相材料を、基板表面に近接してその表面を横切るように、複数の細長いチャネルの長さ方向に沿って流す段階を有する。

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基板上での薄膜成長に使用される散布マニホルド（１０）を提供する。このマニホルドは、一群の気相素材を取り込むため複数個設けた気相素材用導入ポート（１８）と、その長軸方向に沿って互いに平行に延びる細長い開放型の送出溝（１２）を複数本有する送出面と、を備える。このマニホルド（１０）を使用する薄膜成長システムは、更に、複数種類の気相素材をもたらす複数個の素材源と、そのマニホルド（１０）の送出面に対して十分近い所定の位置に基板を位置決めする基板支持器と、を備える。このシステムを稼働させるときには、送出面と基板支持器を相対運動させる。
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【課題】結晶性のより良好な圧電体薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電体薄膜１を第１圧電体薄膜１３と第２圧電体薄膜１５との２回に分けて
形成する。ここで、第１圧電体薄膜１３形成後に熱処理を行うため、第１圧電体薄膜１３
の結晶性が、熱処理前の第１圧電体薄膜１３と比較して向上できる。そして、その後形成
される第２圧電体薄膜１５も熱処理後の第１圧電体薄膜１４に倣って結晶成長し、全体と
して結晶性の向上した圧電体薄膜１を得ることができる。また、第１圧電体薄膜１３，１
４の膜厚が、５ｎｍ以上で１００ｎｍ以下で、圧電体薄膜１全体の膜厚である数μｍと比
較すると薄い。この程度の厚さの薄膜は、結晶の欠陥数自体が少ない。そして、熱処理温
度が３００℃より大きければ、欠陥数が少ないので十分な結晶性を得ることができ、８０
０℃以下であれば、基板１０との熱膨張係数の違いによる薄膜の剥離も少なくできる。 （もっと読む）

【課題】 メンテナンス周期が長く、安価な透明導電膜付基板の製造方法、またその製膜装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも２枚以上の製膜面を対向して設置された基板上に化学気相蒸着法（以下ＣＶＤ法）を用いて酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜の製膜を実施するにあたり、各基板の製膜面を結んで構成される１つ以上の製膜空間外にガス供給体を設置し、該ガス供給体を通して、該製膜空間へと基板と平行に１方向に原料ガスを供給することを特徴とする、透明導電膜付基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】化学的気相成膜法により特に、ガラス基板等にSiO₂膜、ITO膜(透明導電膜)、SnO₂ (ATO,FTO)膜、酸化マグネシウム(MgO)膜、酸化亜鉛 (ZnO) 膜などの薄膜生成過程において、その膜厚を均一なものにするとともに、成膜装置の大型化に適用することを可能とした成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】原料ガスを成膜室に配置した基板の表面に沿って流動させ、原料ガスを成膜室の手前上流側で混合し、成膜室の入口開口全面から供給する化学的気相成膜方法、及びサセプター13と基板の厚み分の凹部30に保持されてサセプタ表面と同一平面を形成する基板18と、成膜室入口端部に連接して開口された混合室15とを備え、成膜室の基板上の空間は極薄型の直方体状の空間であり、混合室には，原料ガス供給管が接続され、混合室の成膜室側端部の幅は成膜室17入口開口の幅と同等またはそれより広い幅を有する化学的気相成膜装置10である。 （もっと読む）

【課題】ガラスならびにプラスティックおよびポリマーなどの温度に敏感な材料上に、優れた光学的および電気的性質を有するｎ型およびｐ型酸化亜鉛系透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を低温で堆積させる、プラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスを提供する。
【解決手段】ＢまたはＦでドープすることによりｎ型ＺｎＯを、窒素でドープすることによりｐ型ＺｎＯを堆積させるＰＥＣＶＤプロセス。ガラスならびにプラスティックおよびポリマーなどの温度に敏感な材料上に、ＴＣＯ用途に優れた光学的および電気的性質。前記プロセスは、揮発性亜鉛化合物、希釈ガスとしてのアルゴンおよび／またはヘリウム、酸化体としての二酸化炭素およびドーパントまたは反応物の混合物を利用して、所望のＺｎＯ系ＴＣＯを堆積させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、簡便な方法によって、成膜対象物上に酸化亜鉛薄膜を製造する、工業的に好適な酸化亜鉛薄膜の製造方法を提供するものである。
【解決手段】 本発明の課題は、亜鉛錯体とアルコールとを用いて、化学気相蒸着法により、成膜対象物上に酸化亜鉛薄膜を製造する方法において、亜鉛錯体として、アルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナトを配位子とする亜鉛錯体を使用することを特徴とする、酸化亜鉛薄膜の製造方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、簡便な方法によって、成膜対象物上に酸化亜鉛薄膜を製造する、工業的に好適な酸化亜鉛薄膜の製造方法を提供するものである。
【解決手段】 本発明の課題は、亜鉛錯体と水とを用いて、化学気相蒸着法により、成膜対象物上に酸化亜鉛薄膜を製造する方法において、亜鉛錯体として、アルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナトを配位子とする亜鉛錯体を使用することを特徴とする、酸化亜鉛薄膜の製造方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】基材と透明導電膜の間の界面での可視光の反射率が低下し、透明性及び導電性に優れたより実用的な透明導電性基材を提供すること。
【解決手段】基材、反射防止膜及び透明導電膜が、この順で積層されてなる透明導電性基材であって、前記反射防止膜がアルミドープ酸化亜鉛からなり、かつ原子間力顕微鏡による前記反射防止膜の平均面粗さ（Ｒａ）が１．０ｎｍ以下であることを特徴とする透明導電性基材。 （もっと読む）

本発明は一般的に、基板の電気的絶縁表面の上に電気相互接続特徴部などの金属化特徴部を選択的に形成するための装置および方法を提供する。本発明はまた、画成されたパターンの上または形状適合ブランケットフィルムとして、機械的に堅牢であり、接着性があり、別個または全面的な酸化耐性のある導電層を選択的に形成する方法を提供する。実施形態はまた、電気化学または無電解によってめっき可能なルテニウムを含有する接着および開始層を提供するための新たな化学作用、処理および装置を一般的に提供する。本発明の態様は、フラットパネルディスプレイ処理、半導体処理または太陽電池デバイス処理のために使用されてもよい。本明細書に記載される処理は、ラインサイズが半導体デバイスより一般的に大きい基板または形成される特徴部が密でない基板の上に電気相互接続部を形成するために特に有用である可能性がある。 （もっと読む）

フロートガラスの製造プロセスの間に、気相がジアルキル亜鉛前駆体と少なくとも１種の酸素含有有機化合物、好ましくは酢酸エチルとを含む化学気相成長法を用いて、連続したガラスリボンの表面上に酸化亜鉛コーティングを蒸着する。フッ素やアルミニウム等のドーパントを導入して、該コーティングの導電率を上昇させてもよい。被覆ガラスは、太陽光調整低放射率窓ガラスにおいて有用である。
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【課題】コンパクト化を図ることが可能なプラズマ生成モジュールを提供する。
【解決手段】 プラズマ生成モジュール４０は、陽極として機能するハース４２と、ハース４２の周囲に配置された磁石４４と、磁石４４によってチャンバ２０内に形成されるリターンフラックスＦ上に配置されたプラズマガン４６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 生産性に優れ、基材の表面温度が３００℃以下で形成でき、低キャリア密度、高キャリア移動度及び低抵抗率の透明導電膜及びその形成方法を提供することである。
【解決手段】 大気圧または大気圧近傍の圧力下で、反応性ガスを放電空間に導入してプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上にキャリア密度が１×１０¹⁴〜１×１０¹⁹／ｃｍ³、キャリア移動度が１〜１００ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃである透明導電膜を形成する透明導電膜の形成方法において、前記反応性ガスが少なくとも酸化性ガス及び還元性ガスを含有し、その比（酸化性ガス／還元性ガス）が０．１〜５０体積％であり、かつ放電空間外に導入するガス中の酸素濃度が０．００１〜３体積％であることを特徴とする透明導電膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来プロセスを大幅に省略でき、微細な直描が可能な製膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、材料を貯留するための試料室と、前記材料又は前記材料を前駆体とする化学種を吐出する少なくとも１つのノズルと、前記化学種を発生させる化学種発生部と、を含む製膜装置を提供する。 （もっと読む）