平面酸化亜鉛系エピタキシャル層、付随ヘテロ構造、およびデバイスを形成する方法が提供される。本発明の一実施形態によると、酸化亜鉛系エピタキシャル層を成長させる方法は、ｍ平面または微斜面ｍ平面ウルツ鉱基板を提供するステップと、金属有機化学蒸着を使用して、基板上に酸化亜鉛系エピタキシャル層を形成するステップとを含む。本発明の関連する実施形態によると、本方法は、基板を約４００℃乃至約９００℃に加熱するステップを含み得る。
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【課題】４００℃まで加熱しても、非晶質状態を維持することができる新しい組成の透明酸化物半導体薄膜用組成物を提供する。
【解決手段】本発明による酸化物半導体薄膜用組成物は、アルミニウム含有酸化物、亜鉛含有酸化物及びスズ含有酸化物を含み、４００℃以下で非晶質状態である。前記組成物で形成された活性層を備えた電界効果トランジスタは、電気的特性の改善だけでなく、低温工程も可能であり、インジウムやガリウムのような高価の原料物質を使用しないので、経済的である。 （もっと読む）

有機金属化学気相成長の方法は、第１のガスを提供するように濃縮物質源を変換するステップを含み、該物質源は、金、銀、およびカリウムから成る群より選択される少なくとも１つの元素を含む。方法はさらに、亜鉛を含む第２のガスおよび酸素を含む第３のガスを提供するステップと、第１のガス、第２のガス、および第３のガスを、基板に移送するステップと、基板上でｐ型酸化亜鉛系半導体層を形成するステップとを含む。本発明の関連する実施形態によれば、濃縮物質源は、非ハロゲン化および非シリル化源であってもよい。非ハロゲン化および非シリル化濃縮物質源は、固相であってもよく、変換するステップは、物質源を昇華させるステップを含んでもよい。
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【課題】触媒反応に伴う化学エネルギーを利用することによって使用電力量を低減でき、酸化亜鉛等の金属酸化物の薄膜、窒化ガリウムや窒化アルミニウム等の金属窒化物の薄膜、および珪素窒化物の薄膜などを、低コストで効率良く基板に堆積させる堆積装置および堆積方法を提供する。
【解決手段】第１の原料ガスを導入する導入部と、前記導入部から導入された前記第１の原料ガスから反応性ガスを生成する触媒を収容する触媒容器と、前記触媒容器から前記反応性ガスを噴出する反応性ガス噴出部であって、前記反応性ガスの噴出方向に沿って内径が小さくなる縮径部と、前記噴出方向に沿って内径が大きくなる拡径部と、を含む当該反応性ガス噴出部とを含む触媒反応装置；基板を支持する基板支持部；および、前記反応性ガス噴出部から噴出される前記反応性ガスと反応して前記基板に膜を堆積させる第２の原料ガスを供給する供給部；を備える堆積装置。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高いIII族元素添加酸化亜鉛を生成する。
【解決手段】亜鉛含有化合物とIII族元素含有化合物と酸素源とキャリアとを含む原料ガスを、第１の放電空間２３に通す（予備励起工程）。次に、原料ガスを、第２の放電空間３３に通し、該第２放電空間３３の内部又は外部に配置された基板９に接触させる（本放電処理工程）。 （もっと読む）

【課題】 透明導電酸化物は、抵抗を低く設定するためには膜厚を大きくする必要があり、そのため光線透過率が犠牲になり、「高光線透過率」「低抵抗」を同時に達成することができなかった。
【解決手段】 酸化亜鉛透明導電酸化物層を予め所望の膜厚よりも厚めに製膜し、メタンと水素を含むガスを用いてプラズマ処理することで、酸化亜鉛透明導電酸化物層のエッチングおよび粒径の巨大化が起こり、その結果「高光線透過率」「低抵抗」を同時に達成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】薄膜間の界面が急峻で良質な単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜を成長させることができる単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法を提供する。
【解決手段】ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３を形成する。この単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３上に溶液気化ＣＶＤ法により単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０４を成長初期からエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】結晶成長に適した品質の良い表面を有するＺｎＯ系基板及びＺｎＯ系基板の処理方法を提供する。
【解決手段】
ＺｎＯ系基板の結晶成長側の主面表面のカルボキシル基又は炭酸基の存在を略０にするように構成している。また、カルボキシル基又は炭酸基の存在を略０にするために、結晶成長開始前にＺｎＯ系基板表面を酸素ラジカル、酸素プラズマ、オゾンのいずれかに接触させるようにしている。したがって、ＺｎＯ系基板表面の清浄化を高め、基板上に品質の良いＺｎＯ系薄膜を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＣＩＳ系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層を、一連の製造ラインで効率的に生産可能で、廃液等の処理も不要な、生産効率の高いＣＩＳ系薄膜太陽電池の製造方法を得ることを課題とする。
【解決手段】 基板上に裏面電極を製作する工程と、裏面電極上にｐ型ＣＩＳ系光吸収層を製膜する工程と、上記ｐ型ＣＩＳ系光吸収層上に、直接、酸化亜鉛系薄膜からなるバッファ層を製膜する工程と、上記バッファ層上に酸化亜鉛系薄膜からなるｎ型透明導電膜を製膜する工程と、を有し、上記バッファ層製膜工程及び、上記ｎ型透明導電膜製膜工程は、ＭＯＣＶＤ法により行われ、上記ｎ型透明導電膜層製膜工程の原料モル比（[Ｏ]／[Ｚｎ]）よりも、上記バッファ層製膜工程の原料モル比（[Ｏ]／[Ｚｎ]）を高くした。 （もっと読む）

【課題】回転電極と基板との間の間隙を従来に比べて広く設定しても、パーティクルの発生を抑制することができ、しかも、パーティクルの混入がほとんどない高品質の薄膜を、高い成膜速度で成膜することができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】成膜対象基板に対して回転中心軸が平行な円筒状の回転電極に電力を供給することで、この回転電極と成膜対象基板との間隙にプラズマを生成し、生成したプラズマを用いて、供給された反応ガスの化学反応により成膜対象基板に薄膜を形成する薄膜形成装置において、回転電極の回転により回転電極の表面に引きずられて、間隙のプラズマ生成領域を、回転電極の表面に沿って移動する不活性ガスの流れを形成するために、回転電極の表面に前記不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、不活性ガスの流れと成膜対象基板との間に反応ガスを供給する反応ガス供給手段とを設ける。 （もっと読む）

本発明は、支持材上への、化学気相蒸着(CVD)または物理気相蒸着(PVD)による蒸着のためのプロセスに関し、前記プロセスは少なくとも1つのホウ素化合物を使用する。このプロセスは光起電力太陽電池を製造するために特に有用である。本発明は、CVDまたはPVD蒸着プロセスにおいて、材料に光学的および/または電気的特性を与えるためにホウ素化合物を使用することにも関する。このプロセスは、光起電力太陽電池を製造するためにも特に有用である。
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【課題】基板上に堆積させる微粒子の径を均一にコントロールすることが可能な微粒子の堆積方法を提供する。
【解決手段】所定圧力に調整されたチャンバ１１内に基板１３を設置する工程と、チャンバ１１内へ供給された有機金属ガスを分解させて基板１３上へ微粒子を堆積させるとともに、プラズマ波長以下の光を基板１３表面に照射し、照射した光に基づいて、基板１３上に堆積された微粒子に近接場光を発生させ、更にこの発生させた近接場光を散乱させることにより、微粒子に堆積しようとする有機金属ガス分子を脱離させる工程とからなり、照射する光の波長を制御することにより、近接場光の散乱光強度が極大となるときの微粒子の粒径を制御し、これにより粒径を均一化させる。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯナノロッドが基板表面に対して垂直性を維持しつつ、直径を２０ｎｍ以下まで細径化させることが可能なＺｎＯナノロッドの堆積方法を提供する。
【解決手段】所定圧力に調整されたチャンバ内に基板１３を設置し、チャンバ１１内への酸素原子を含む化合物で構成される気体又は蒸気と、亜鉛を含む有機金属ガスとを供給し、基板１３を４５０℃±１０％で加熱することにより、ＺｎＯからなる台柱を基板１３上に形成させ、次に基板１３を７５０℃±１０％まで昇温させ、当該温度にて所定時間保持することにより、台柱上端からＺｎＯナノロッドを成長させる。 （もっと読む）

【課題】大気圧近傍の圧力雰囲気の条件下、プラズマを用いて基板に薄膜を形成する際、電極と基板との間の間隙を従来に比べて広く設定しても、反応ガスが反応してできるパーティクルを抑制することができ、しかも均質な薄膜を安定して形成する。
【解決手段】基板に対して回転中心軸が平行な円筒状の回転電極１２に電力を供給することで、この回転電極１２と基板Ｓとの間の間隙にプラズマを生成し、生成したプラズマを用いて、供給された反応ガスＧを活性化させて基板Ｓに薄膜を形成させる際、回転電極１２には、周波数が１００ｋＨｚ〜１ＭＨｚの高周波電力を供給する。 （もっと読む）

【課題】 水素化物気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）プロセスによってＩＩＩ-Ｖ族の材料を形成する方法を提供する。
【解決手段】 一実施形態において、処理チャンバ内の基板上に窒化ガリウム材料を形成する方法であって、金属源を加熱して、加熱された金属源を形成するステップであって、加熱された金属源が、ガリウム、アルミニウム、インジウム、その合金、又はこれらの組み合わせを含む、前記ステップと、加熱された金属源を塩素ガスにさらして、金属塩化物ガスを形成するステップと、基板を金属塩化物ガスと窒素前駆ガスにさらして、ＨＶＰＥプロセス中、基板上に金属窒化物層を形成するステップとを含む、前記方法が提供される。前記方法は、更に、金属窒化物層を形成する前の前処理プロセス中、基板を塩素ガスにさらすステップを提供する。一例において、処理チャンバの排気コンジットは、前処理プロセス中、約２００℃以下に加熱される。 （もっと読む）

光学膜又は光学アレイを製造する方法であって、第１薄膜を基板上に形成するために、実質的に平行な細長チャネルに沿って一連のガス流を同時に方向付けする工程、ここで該一連のガス流は、順番に、少なくとも第１反応ガス材料と、不活性パージガスと、第２反応ガス材料とを含み、該第１反応ガス材料は、該第１薄膜を形成するために、該第２反応ガス材料で処理された基板表面と反応することができる；第１光学特性を有する第１膜層の第１厚を生成するように、第１工程を複数回繰り返す工程、ここで該方法は大気圧で、又は大気圧を上回る圧力で行われる；第２膜層を生成するように、第１工程及び第２工程を繰り返す工程を含み；そして、該方法が実質的に大気圧で、又は大気圧を上回る圧力で行われる、光学膜又は光学アレイを製造する方法。
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（ａ）基板を用意する工程、（ｂ）該基板に堆積阻害材料を適用する工程、該堆積阻害材料は、オルガノシロキサン化合物である；及び（ｃ）工程（ｂ）の後、又は該堆積阻害材料を適用するのと同時に、該堆積阻害材料をパターン化して、該堆積阻害材料を事実上有さない選択された領域を提供する工程を含むパターン化薄膜を形成するための原子層堆積法。該薄膜は、該堆積阻害材料を有さない基板の選択された領域内だけに実質的に堆積される。
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封止するOLEDデバイスの表面に薄膜材料を堆積させてそのOLEDデバイスを薄膜封止パッケージするため、一連のガス流を実質的に平行な細長い出口開口部に沿った方向に向ける操作を含む方法であって、上記一連のガス流が、順番に、少なくとも1つの第1の反応性ガス材料と、不活性なパージ・ガスと、第2の反応性ガス材料を、場合によっては繰り返して含んでおり、上記第1の反応性ガス材料は、上記第2の反応性ガス材料で処理した基板の表面と反応して封止薄膜を形成することができ、上記第1の反応性ガス材料は、揮発性の有機金属前駆体化合物である方法が開示されている。この方法は、実質的に大気圧で、または大気圧よりも大きな圧力で実施され、堆積中の上記基板の温度は250℃未満である。
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基板を用意する工程、該基板に堆積阻害材料を適用する工程、ここで、該堆積阻害材料は、有機化合物又はポリマーであり、そして工程（ｂ）の後又は該堆積阻害材料を適用するのと同時に、該堆積阻害材料をパターン化して、該堆積阻害材料を事実上有さない選択された基板領域を提供する工程を含んで成るパターン付き薄膜を形成するための原子層堆積法。無機薄膜材料は、該堆積阻害材料を有さない選択された該基板領域内だけに実質的に堆積される。
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【課題】 ＺｎＯ系化合物半導体層のｎ型層とｎ側電極とのオーミックコンタクトを改良し、動作電圧を下げる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板１上に設けられ、少なくともｎ型層４を有するＺｎＯ系化合物半導体の積層により発光層を形成する発光層形成部１１を有するＺｎＯ系化合物半導体素子であって、ＺｎＯ系化合物半導体のｎ型層４に接触して設けられるｎ側電極９は、ｎ型層４に接する部分がＡｌを含まないＴｉまたはＣｒにより形成されている。 （もっと読む）