【課題】金属元素や金属元素の化合物を基板上に形成する場合に、パーティクルが発生しないような薄膜形成装置とこれを用いたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】
金属元素を供給する供給源に対向して配置されている部材表面を粗面化するようにした。図１に示されるように、ウエハ２５を保持する基板ホルダ１１の金属元素供給源と対向する面に凹凸を形成した。このように凹凸を形成すると、金属元素が堆積した場合、平坦な面と比べて、付着性が向上し、粗面化された面からは簡単には剥がれ落ちない。 （もっと読む）

【課題】触媒反応に伴う化学エネルギーを利用することにより、電気エネルギーを必要とせずに、酸化亜鉛をはじめとする金属酸化物薄膜を基板上に低コストで効率良く形成する技術を提供する。
【解決手段】触媒反応装置内に、Ｈ_２ガスとＯ_２ガス、又はＨ_２Ｏ_２ガスを導入し、触媒と接触させて得られたＨ_２Ｏガスを触媒反応装置から噴出させて金属化合物ガスと反応させることにより、基板上に金属酸化物薄膜を堆積させて金属酸化物薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛膜の作製コストを低減させ、且つ低抵抗な透明導電膜を形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも支持基板１１と酸化亜鉛透明導電膜１２とを備える酸化亜鉛透明導電膜付き支持基板の製造方法であって、少なくとも、該支持基板上１１にＭＯＣＶＤ（有機金属化学蒸着）法により酸化亜鉛透明導電膜１２を形成する酸化亜鉛透明導電膜形成工程と、該酸化亜鉛透明導電膜形成工程の後に該酸化亜鉛透明導電膜１２に対して２００℃未満で光照射処理を施す光照射工程とを備、酸化亜鉛透明導電膜付き支持基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガラス管などの管状体の内壁に膜を形成するための成膜装置および成膜方法を提供することにある。
【解決手段】本発明にかかる成膜装置１０００は、化学的気相成長法によって管状体１００の内壁に膜を形成する成膜装置であって、原料収容部１０と、前記原料収容部１０から供給された原料を含む処理ガスを形成する処理ガス生成部２０と、前記管状体１００の内壁に膜を形成する成膜部３０と、前記管状体１００と接続され、前記処理ガス生成部２０から前記管状体１００内に処理ガスを供給する処理ガス供給管４６と、前記管状体１００と接続され、前記管状体１００を通過した処理ガスを排出する処理ガス排出管４８と、を含み、前記成膜部３０は、前記管状体１００を保持する保持部３２を有する。 （もっと読む）

【課題】高品質の単結晶ＺｎＯ基板を、従来に比して安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＺｎＯ基板の製造方法であって、(a) ＳｉＯ₂絶縁層２と、その上に設けられた、表面を構成する単結晶シリコン層１とを含む、半導体基板を準備するステップと、(b)単結晶シリコン層１を表面側から、絶縁層２上に３〜７ｎｍの厚みだけ残して酸化するステップと、(c)生じたＳｉＯ₂ 層４を除去するステップと、(d)残った単結晶シリコン層１’に、加熱しつつキャリアガスと炭化水素ガスを供給して全層を単結晶ＳｉＣ層５へと変換するステップと、(e)単結晶ＳｉＣ層５の表面に化学気相成長により厚み０．１〜５μｍの単結晶ＺｎＯ層６を形成するステップと、(f)単結晶ＺｎＯ層６をアニールするステップと、 (g)アニールされた単結晶ＺｎＯ層６の表面に化学気相成長により単結晶ＺｎＯ層６’を形成して単結晶ＺｎＯ層６の層厚を増加させるステップとを含む、製造方法。 （もっと読む）

【課題】
表面が平坦な、エピタキシャルなＺｎＯ薄膜をＭＯＣＶＤにより成長させることのできる新しい方法を提供する。
【解決手段】
ジアルキル亜鉛有機金属ガスと酸素と原料ガスのＭＯＣＶＤ（有機金属堆積法）によって酸化亜鉛薄膜を成長させる際に、ジアルキル亜鉛有機金属ガスのキャリアガスとして水素含有ガスを用い、かつ、水素含有ガスからなる雰囲気形成ガスによって反応域を還元性雰囲気とし、原料ガスを基板表面上に供給し、基板上を通過した原料ガスは再度基板まで還流しないようにするとともに、レーザー加熱法によって基板温度の周期的な変調を行う。 （もっと読む）

【課題】４００℃よりも低温のプロセスで薄膜を改質する。
【解決手段】ＣＶＤ工程を経た基板の薄膜をアニール処理炉２にて前記基板の薄膜の紫外光吸収による表面加熱を利用して改質する。前記薄膜の欠陥サイトでの紫外光の吸収による局所加熱を利用する。前記紫外光を照射する光源６はパルスレーザーまたは連続波レーザーである。前記薄膜の改質の際には紫外波長域以外の可視光域の光を発する光源の照射光が前記薄膜に供されるようにしてもよい。前記紫外光を照射する光源６は２１０ｎｍより長波長の光を照射する。ボンベ３からは酸化性ガスが、ボンベ４からは還元性ガスが、ボンベ５からは不活性ガスが個別に供される雰囲気のもと前記薄膜を薄膜の紫外光吸収による表面加熱を利用して改質する。前記酸化性ガスとしてオゾンガスが供される。前記還元性ガスとして希釈水素ガスが供される。 （もっと読む）

【課題】高品質の酸化亜鉛系半導体を容易に製造できる酸化亜鉛系半導体の製造方法及びその製造装置を提供する。
【解決手段】本実施形態による酸化亜鉛半導体の製造装置１は、塩素ガス供給手段２と、キャリアガス供給手段３と、原料ゾーン４と、加熱手段５と、水供給手段６と、キャリアガス供給手段７と、成長ゾーン８と、加熱手段９と、基板保持手段１０と、水素供給手段１１とを備えている。原料ゾーン４では、塩素ガス供給手段２から供給される塩素ガスと亜鉛とを反応させて塩化亜鉛ガスを生成する。成長ゾーン８では、原料ゾーン４から供給される塩化亜鉛と、酸素材料として水供給手段６から供給される水とを反応させて、基板保持手段１０に保持された成長基板１６上に酸化亜鉛半導体を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 透明導電膜に用いる基板上に凹凸構造を形成するには、エッチングによるものや、スタンパを利用するものであるが、そのいずれも製造には高い技術とコストが必要であった。
【解決手段】 母材表面上にシリカよりなる微粒子が分散され付着されてなる母型または母材表面上にシリカよりなる微粒子が分散され付着されてなる原型を用いて製造されてなる母型とを用いて、該母型と基板前駆体の片面または両面とを互いにプレスする工程により、前記母型の表面形状を前記基板前駆体に転写して形成されてなる片面または両面に前記母型からの転写による凹凸構造を備える前記基板を製造することができ、容易に基板上に凹凸構造を形成することが可能となる。 （もっと読む）

基板を真空中で処理するためのインライン真空処理装置は、少なくとも１つのロードロックチャンバ（１０）と、本質的に同じセットの被覆パラメータで操作される少なくとも２つの後続蒸着チャンバ（４−７）と、少なくとも１つのアンロードロックチャンバ（１０）と、加えて、さまざまなチャンバを通しておよびさまざまなチャンバ内で、基板を移送し、後処理し、および／または取扱うための手段とを含む。そのような処理システムにおいて基板上に薄膜を蒸着する方法は、第１の基板をロードロックチャンバ内に導入するステップと、上記チャンバ内の圧力を下げるステップと、基板を第１の蒸着チャンバ内に移送するステップと、第１の材料の層を被覆パラメータの第１のセットを用いて上記第１の基板上に蒸着するステップと、上記第１の基板を上記インラインシステムの第２の後続蒸着チャンバ内に真空を破壊することなく移送するステップと、上記第１の材料のもう１つの層を実質的に同じセットのパラメータを用いて上記第１の基板上に蒸着するステップとを含む。ステップｆ）と同時に、第２の基板がステップｄ）に従って上記インライン真空システムにおいて処理されている。
（もっと読む）

本発明は、トランジスタに使用するための酸化亜鉛系薄膜半導体を製造する方法に関し、基板上に薄膜材料を堆積することを含み、第１、第２および第３ガス材料を含む複数のガス材料を提供することを含み、該第１又は第２ガス材料の一方が該基体の表面にある場合に、該第１又は第２ガス材料のもう一方が反応して該基体上に材料の層を堆積するように、該第１ガス材料は亜鉛含有揮発性材料であり、該第２ガス材料はそれと反応し、そして第３のガス材料は、該第１又は第２ガス材料との反応することに関して不活性である。
（もっと読む）

【課題】電子素子用ＺｎＯ半導体膜の形成方法及び前記半導体膜を含む薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明に係る方法は、ａ）チャンバー内に基板を配置する段階と、ｂ）チャンバー内に亜鉛前駆体を注入し、基板上に吸着させる段階と、ｃ）チャンバー内に窒素または不活性気体を注入し、残余の亜鉛前駆体を除去する段階と、ｄ）基板上に形成された亜鉛前駆体と反応するようにチャンバー内に酸素前駆体を注入し、ＺｎＯ半導体膜を形成する段階と、ｅ）チャンバー内に窒素または不活性気体を注入し、残余の酸素前駆体を除去する段階と、ｆ）ａ）乃至ｅ）を反復して行う段階と、ｇ）酸素プラズマまたはオゾンを用いてＺｎＯ半導体膜の表面処理を反復して行う段階と、ｈ）チャンバー内に窒素または不活性気体を注入し、残余の酸素前駆体及び亜鉛前駆体を除去する段階と、ｉ）ａ）乃至ｈ）を反復してＺｎＯ半導体膜の厚さを調節する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】低温で簡単な工程で製造された優秀な特性を有する低価のｐ型ＺｎＯ半導体膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のｐ型ＺｎＯ半導体膜の製造方法は、基板を準備し、チャンバー内に配置する段階と、チャンバー内に亜鉛前駆体と酸素前駆体を注入し、原子層蒸着法を利用した亜鉛前駆体と酸素前駆体間の表面化学反応を通じて基板上にＺｎＯ薄膜を形成する段階と、チャンバー内に亜鉛前駆体と窒素前駆体を注入し、亜鉛前駆体と窒素前駆体間の表面化学反応を用いてＺｎＯ薄膜上にドーピング層を形成する段階とを含む。半導体膜の製造方法を通じて形成された半導体膜を利用して、ガラス、Ｓｉ、ＳＵＳなどの金属箔、プラスチック基板上に特性が優秀なｐ型の薄膜トランジスタを形成することができ、ＰＮ接合（ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を利用したＬＥＤなどの光電素子を具現することができる。 （もっと読む）

【課題】
熱ＣＶＤ法あるいはＭＯＣＶＤ法で製造される従来の薄膜太陽電池用基板（透明電極）に比べて、安価で、且つ、電気的及び光学的性能が優れている薄膜太陽電池用基板の製造方法として、大面積の製膜が可能で、且つ、安価な有機金属材料を原料に使うことが可能な高周波プラズマＣＶＤ技術を用いた新しい方法及び装置を創出し、それに関する技術を提供すること。
【解決手段】
有機金属材料を原料とする高周波プラズマＣＶＤ装置により、透明性絶縁基板の上に、非晶質酸化チタン膜と結晶質酸化チタン膜と結晶質酸化亜鉛膜の３層構造からなる透明電極膜を積層する。その結果、安価で、且つ、光閉じ込め効果（膜の凹凸構造）を有し、高導電性で高光透過性の薄膜太陽電池用基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】基板温度を目標温度まで到達させる時間を短縮し、熱効率を向上させた透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る透明導電膜の形成方法は、一主面上に金属を含む絶縁性の酸化膜を配してなり、ガラスから構成される基板を用い、前記基板に熱処理を施し、該基板の他主面上に透明導電膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来よりも、製造方法が簡単であって製造コストの低い発光ダイオード、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】断面の円換算径０．０１〜１００００μｍ、かつ長さ０．１μｍ以上である突起形状を有する金属酸化物半導体と、突起形状を有する金属酸化物半導体を被覆する金属化合物半導体からなり、いずれか一方がｐ型、他の一方がｎ型であることを特徴とする発光ダイオード。 （もっと読む）

【課題】薄膜に亜鉛を供給するプレカーサに対して、好適な反応性及び揮発性等の性質を付与することにあり、特にＣＶＤ法における酸化による薄膜製造に好適な反応性及び揮発性等の性質を付与すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表される亜鉛化合物を含有してなる薄膜形成用原料。


（式中、Ｒ¹は、炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ²及びＲ³は、各々独立して水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ⁴は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ⁵は、炭素数１〜４のアルキル基または−ＣＨ₂−ＣＨ₂−ＮＲ⁶Ｒ⁷を表し、Ｒ⁶及びＲ⁷は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｘは、酸素原子または窒素原子を表し、ｍは、Ｘが酸素原子の場合は０であり、Ｘが窒素原子の場合は１である。） （もっと読む）

【課題】従来技術に比較して、形成されたバッファ層の厚さをより正確に制御することができ、欠陥密度を減少させ、蒸着温度を下げることができるバッファ層を形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｈ_２Ｏの前駆物質およびＯ_３の前駆物質のいずれかと、ＤＥＺｎの前駆物質とを供給し、４００℃以下の処理温度で原子層成膜処理を行い、バッファ層として機能するＺｎＯ層１２をサファイヤ基板、Ｓｉ基板、ＳｉＣ基板またはガラス基板からなる基板１０の上に形成する。 （もっと読む）

【課題】比較的安価な前駆体材料を使用して、フロートガラス製造過程中に大気圧化学気相堆積方法によって、酸化スズ膜を速い堆積速度で形成する方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、基材上に酸化亜鉛コーティングを堆積させるための化学気相堆積方法であって、亜鉛含有化合物を含む第１の前駆体気体流と水を含む第２の前駆体気体流とを基材の表面に送達し、前記基材の表面上で前記第１及び第２の前駆体気体流を、酸化亜鉛コーティングが前記表面上に５ｎｍ／秒よりも速い堆積速度で形成されるための十分に短い時間で混合させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フロートガラス製造ラインにおいて商業的に実現可能な成長速度で熱分解性酸化亜鉛コーティングを製造するコスト効率の良い方法はこれまでに知られていない。さらに、所望の特性を結合させたコーティングを形成するために、「オンライン」で製造されたそのような酸化亜鉛コーティングを１つ又はそれ以上のドーパント化合物でドープする能力はこれまでに実現されていない。
【解決手段】１つ以上の反応気体流を加熱されたガラス基材の表面上へ送り込むことによって形成される、低い抵抗率のドープ酸化亜鉛でコーティングされたガラス物品を製造するための大気圧化学気相堆積方法を提供する。１つ以上の反応気体流とは、特に、亜鉛含有化合物、フッ含有化合物、酸素含有化合物及びボロン、アルミニウム、ガリウム、インジウムのうち少なくとも１つを含有する化合物である。 （もっと読む）