【課題】成膜中のストリーマの発生を抑制して、ストリーマ発生に起因する膜中へのパーティクルの混入を減少させ、抵抗率の劣化を好適に防止した低い抵抗率および良好な光学特性を有し、しかも、成膜面に適正な凹凸が無い場合でも、表面に好適なテクスチャ（凹凸）が形成された透明導電膜を、高い生産性で成膜することができる透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】電極対２２にプラズマ生成用電力を供給する電源回路として、単一周波数の正弦波を発振する電源、および、パルス制御素子３６を有する電源回路を用いる。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜のヘイズ率を高くしても、その表面の表面粗さの上昇を抑制できる透明導電膜付きガラス板を提供する。
【解決手段】ガラス板１１と、ガラス板１１上に形成された透明導電膜１５と、を備え、透明導電膜１５が透明導電層（透明導電層Ａ）１３と透明導電層（透明導電層Ｂ）１４を有し、透明導電層Ｂ１４が透明導電層Ａ１３の上に形成され、透明導電膜１５が複数の空孔１３ａ（１３ｂ）を含み、複数の空孔１３ａ（１３ｂ）の各々が、透明導電層Ａ１３の表面における凹部１３ｈを透明導電層Ｂ１４塞いだものである、透明導電膜付きガラス板１０、を提供する。透明導電膜ガラス板１０は、透明導電層Ａ１３の表面の一部の領域をエッチングによって膜厚方向に後退させるとともに、当該一部の領域を塞ぐように透明導電層Ａ１３の上に透明導電層Ｂ１４を形成することで得ることができる。 （もっと読む）

【課題】プラスチックの質感を避けるため、物品の変色を防止するためそして調節可能な着色効果または完全に透明なコーティングを同時に提供するために、物品上に非常に薄いフィルムを形成することができる、金属物品を着色するための表面処理方法を提供する。
【解決手段】基板を用意することと、原子層析出（ＡＬＤ）によって基板の表面にセラミック層を形成することとからなり、セラミック層は１〜１０００ｎｍの厚さを有する表面処理方法。処理された基板表面は、基板の表面と同じ色または異なる色を有することができ、同時に酸化／変色の発生を避けることができる。 （もっと読む）

【目的】
シングルドメインの高品質且つ平坦な結晶層を成長できるフローチャネル方式のＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】
基板と平行に基板側から不活性ガスを噴出する第１のチャネル、材料ガスを噴出する第２のチャネル及び不活性ガスを噴出する第３のチャネルがこの順で層状に構成されたノズルを備え、第２のチャネルには、酸素含有化合物を噴出する第１のサブチャネル及び有機金属化合物を噴出する第２のサブチャネルが基板と平行方向に交互に並んで配置され、ノズルから噴出されたガスは、少なくとも基板端まで当該ノズル端から延長された天板および底板で構成されたフローチャネルで誘導される。 （もっと読む）

【課題】 反応性の高い原料を用いて成膜を行う場合に、原料の分離と混合のタイミングを容易に制御できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 反応容器１６０の側面には、複数のガス供給ラインから供給された複数種のガスを基板Ｓ上に導入するガス導入部としてのシャワーヘッド１５０が設けられている。シャワーヘッド１５０の隣接するガス導入孔１５０ａの境界部分から、載置台１６１の上面と平行に、載置台１６１の中央部に向かって延伸する板状の仕切板１５２が設けられており、上下のガス導入孔１５０ａから噴出するガスの早期の混合を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 原料の反応性を高め、効率的に酸化亜鉛薄膜を成膜することができる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも有機原料ガスと酸素源ガスとを含む成膜ガスを、反応容器１６０の側面に配列されたシャワーヘッド１５０から個別に供給し、有機金属気相堆積成長法により、反応容器１６０に載置された基板Ｓ上に酸化亜鉛薄膜を成膜する成膜方法において、酸素源ガスとしてオゾンガスを用い、かつ、有機原料の分解を促進する水素ガスを前記成膜ガスに添加するとともに、オゾンガスと水素ガスとを異なるガス導入孔から反応容器内に供給する。 （もっと読む）

光起電産業または半導体産業における製造設備に有機金属化合物を供給する装置上に析出した金属化合物用の洗浄溶剤および洗浄方法を開示する。開示した洗浄溶剤および洗浄方法は、装置を腐食せずに金属化合物を選択的に除去するだけでなく、通常の洗浄プロセスも改善する。さらに、開示した洗浄溶剤および洗浄方法は、供給システムから取り外さずに装置を洗浄することができるため、供給システムの維持費を改善する。
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【課題】薄膜光電変換装置において、大面積化に適した技術により歩留まりの低下を引き起こさずに高生産性を維持し、かつ、酸化亜鉛からなる透明電極層と光電変換ユニットとの間に良好な接合界面を形成することにより光電変換装置の変換効率を改善する。
【解決手段】光入射側から順に、少なくとも酸化亜鉛層と、ｐ型半導体層と、光電変換層と、裏面電極層とを備える光電変換装置であって、酸化亜鉛層とｐ型半導体層からなる界面近傍における酸化亜鉛の化学量論組成比をＺｎ：Ｏ＝１＋Ｎ：１（ただし、Ｎ＞０）としたことを特徴とする、光電変換装置。 （もっと読む）

ラジカル増進原子層堆積（ＲＥＡＬＤ）方法は、基板を、第１前躯体ガス、及びラジカル種、例えば酸素を含有する第２前駆体ガス２２６から発生する単原子の酸素ラジカル（Ｏ・）に、交互に被曝させるステップを有し、交互被曝中に、ラジカルと第１前駆体ガスとの空間的又は時間的隔離を維持する。第１及び第２前駆体ガスは通常のプロセス条件下で互いに反応性を有さず、それ故、ラジカルが再結合化、そうでなければ不活性化した後に、これらを混合することが許容されるとき、簡素化した反応器２１０の設計及びプロセス制御が可能となる。若干の実施形態では、第２前駆体ガス２２６は、酸素を含有する化合物、例えば二酸化炭素（ＣＯ_２）、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）、又はそのような酸素を含有する化合物の混合物とし、通常の酸素（Ｏ_２）はほとんど含まないものとする。 （もっと読む）

本発明は、アルミニウムドープされた酸化亜鉛で基板をコーティングする方法であって、固体ターゲットのアトマイゼーションによって、酸化亜鉛、またはドープされた、特にアルミニウムドープされた酸化亜鉛を含有する５ｎｍ〜４００ｎｍ厚の核形成層を基板表面上に形成するステップと、アルミニウムドープされた酸化亜鉛を含有し、核形成層上に準エピタキシャルで継続成長するトップ層を形成するステップと、トップ層を湿式化学エッチングするステップとを含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】基板上に下地層、透明導電膜がこの順に形成された透明導電膜付き基板および、変換効率の高い光電変換装置を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤ法により形成された複数の透明電極層により構成され、その複数の層を形成する場合において、減圧雰囲気下で連続的に形成する場合には各層の製膜後に製膜室内を真空排気し製膜を停止した後に次の層を形成する。或いは大気圧下に基板を取り出して製膜を一旦停止した後、再度製膜室に投入し減圧雰囲気下で次の層を製膜する。これらの手法により、結晶成長が一旦停止し形成されたテクスチャの上に新たな結晶核が発生し、そこから新たなテクスチャが形成することで薄膜光電変換装置に最適な表面凹凸形状が形成されるため、短絡電流密度を保持したまま電圧および曲線因子の低下を抑制することができ、結果として高い発電効率を有する薄膜光電変換装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】疎水性基板上に良好な酸化膜を形成する成膜方法を提供する。
【解決手段】室温以上且つ水の沸点未満の第１の基板温度Ｔ１で、水の過飽和状態にした疎水性の基板１１の基板表面１１０上に下地酸化膜１２を原子層堆積法を用いて形成するステップと、第２の基板温度Ｔ２で、下地酸化膜１２上に上部酸化膜１３を原子層堆積法を用いて形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】基板表面に生成される膜の厚さを均一にし、製作コストを抑えることができるようにする。
【解決手段】ミストが筐体２内に供給されると、一部のミストは一方の湾曲面２ａに沿って滑らかに流下して原料ガス排出口５の直上領域に到達し、一部のミストは他方の湾曲面２ａに沿って滑らかに流下して原料ガス排出口５の直上領域に到達する。そして、両者は、原料ガス排出口５の直上領域において互いに衝突して混合する。これにより、原料ガス排出口５の直上領域において、原料ガス排出口５の長手方向にわたってミストの濃度が均一になる。その後、原料ガス排出口５の長手方向にわたって濃度が均一なミストが、原料ガス排出口５から噴出する。 （もっと読む）

流体分配マニホールドは第1プレート及び第2プレートを有する。前記第1プレートは、長さ次元、幅次元、並びに、前記第1プレートの長さ次元及び幅次元のうちの少なくとも1つにわたって前記第1プレートを変形可能にする厚さを有する。前記第2プレートは、長さ次元、幅次元、並びに、前記第2プレートの長さ次元及び幅次元のうちの少なくとも1つにわたって前記第2プレートを変形可能にする厚さを有する。少なくとも前記第1プレート及び前記第2プレートの少なくとも一部は、流体流を導く流路を画定する凹凸パターンを画定する。前記第1プレート及び前記第2プレートは1つとなって、前記長さ次元と前記幅次元のうちの少なくとも1つに沿った高さ次元において非平面形状を形成する。
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本発明は、ポリマー基板上に層を形成する方法において；少なくとも１つの前駆体とポリマー基板を接触させるステップと、紫外線光を適用して少なくとも１つの前駆体を分解させ、ポリマー基板上に層を被着させるステップと、を含む方法を提供している。同じく提供されているのは、ポリマー基板の入った容器内に亜鉛とドーパントを含む少なくとも１つの前駆体を導入するステップと、紫外線光を適用して少なくとも１つの前駆体を分解させ、ポリマー基板上にドープ酸化亜鉛を含む層を被着させるステップと、によって得られる、ポリマー基板上に被着された酸化亜鉛を含むドープ層である。 （もっと読む）

【目的】
電流密度分布を均一化し、均一な発光強度分布及び高い発光効率の得られる、量産性に優れた高性能な半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）単結晶の基板上に成長したＺｎＯ系結晶層は、基板との界面にアルミニウム（Ａｌ）が８×１０^２０個／ｃｍ^３以上の濃度で固溶した固溶層、及びＡｌの濃度が１×１０^１９ｃｍ^３以上である高濃度拡散層を有している。 （もっと読む）

【課題】高品質の酸化亜鉛系の薄膜を低コストで得ることができる技術を提供する。
【解決手段】第一原料ガス精製装置３は、成膜チャンバーに導入される亜鉛原料ガスをジエチル亜鉛から生成させるものであり、減圧可能な液体原料気化容器２１ａ，２１ｂとヒータ２２ａ，２２ｂを主要構成としている。ヒータ２２ａ，２２ｂにより液体原料気化容器２１ａ，２１ｂ内のジエチル亜鉛を減圧下で加熱することができ、ジエチル亜鉛が減圧蒸留に供される形となる。そのため、純度９６．０〜９９．８％の低純度ジエチル亜鉛を用いても、高純度ジエチル亜鉛の使用時と変わりなく、低コストで酸化亜鉛系の薄膜を製造することができる。また当該薄膜は、特に光の散乱性能の点で高い性能を有し、太陽電池の透明導電膜として有用である。 （もっと読む）

【課題】耐屈曲性に優れた複合フィルムを提供する。
【解決手段】基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた、少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機層を有する第一のガスバリアフィルムと、基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた、少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機層を有する第二のガスバリアフィルムと、前記第一のガスバリアフィルムと第二のガスバリアフィルムの間に設けられた接着層とを有し、該接着層が、ドライラミネート用の接着剤と金属アルコキシドを含んでいる、複合フィルム。 （もっと読む）

【課題】炭素を含む導電性金属酸化物膜の電気的特性を改善する。
【解決手段】炭素を含有する導電性金属酸化物を成膜した後、導電性金属酸化物膜９２に酸化作用を有する酸化性ガスを接触させる酸化性後処理工程を実行する。好ましくは、導電性金属酸化物膜９２の加熱や酸化性ガスの活性化によって上記酸化作用を発現又は促進させる。酸化性後処理工程後の導電性金属酸化物膜９２に対し、還元作用を有する還元性ガスを接触させる還元性後処理工程を実行する。好ましくは、導電性金属酸化物膜９２の加熱や還元性ガスの活性化によって上記還元作用を発現又は促進させる。 （もっと読む）

【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に平坦性と配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度が低く、不純物の界面蓄積やＺｎＯ系成長層への拡散が抑制されたＺｎＯ系単結晶の成長方法を提供することにある。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供することにある。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気とを用い、ＺｎＯ単結晶基板上に６００℃以上９００℃未満の成長温度で熱安定状態のＺｎＯ系単結晶を成長する工程を有する。 （もっと読む）